光电检测技术作业答案

光电检测技术作业2

光电导灵敏度=0.5 X10-6 S / ，暗电1. 设某只光敏电阻的最大功耗为30，

=0 。试求当光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的极限照度。

导 g

2. 在如图所示的照明灯控制电路中，将上题所给的光敏电阻用作光电传感器，

若已知继电器绕组的电阻为 5 K，继电器的吸合电流为 2，电阻R 1K。求为使继电器吸合所需要的照度。要使继电器在 3 时吸合，问应如何调整电阻器R？

3.

在如图所示的电路中，已知820， 3.3k4V ，光敏电阻为，当光照度为40 时输出电压为6V，80 时为9V。设该光敏电阻在30~100 之间的

值不变。试求：

（1）输出电压为8V 时的照度。

（2）若增加到6k，输出电压仍然为8V，求此时的照度。

（3）若光敏面上的照度为70，求 3.3k与6k时输出的电压。（4）求该电路在输出电压为 8V 时的电压灵敏度。

4. 影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107 ？

5 为什么在光照度增大到一定程度后，硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增大？硅光电池的最大开路电压为多少？为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开路电压？

6 硅光电池的内阻与哪些因素有关？在什么条件下硅光电池的输出功

率最大？

答：（1）极电容，串接电阻，串接电阻越小越好。

（2）显然，存在着最佳负载电阻，在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率

7 光生伏特器件有几种偏置电路？各有什么特点？

8. 选择最适当的答案填入括号中（只有一个答案正确）

（1）用光电法测量某高速转轴（15000r / ）的转速时，最好选用（D）为光电接收器件。

A B 光敏电阻 C 242 硅光电池 D 3 型光电三极管

（2）若要检测脉宽为107 s 的光脉冲，应选用（A）为光电变换器件。

A 型光电二极管

B 3 型光电三极管

硅光电池

C 结型光电二极管D2

11

（3）硅光电池在（D）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。

A 恒流

B 自偏置

C 零伏偏置

D 反向偏置

（4）硅光电池在（B）情况下有最大的功率输出。

A 开路

B 自偏置

C 零伏偏置

D 反向偏置

9. 假设调制波是频率为500，振幅为5V，初相位为0 的正弦波，载波频率为10，振幅为50V，求调幅波的表达式、带宽及调制度。

10. 利用 222 光电二极管和 340 三极管构成如

下图所示的探测电路。已知光电二极管的电流灵

敏度 =0.4 A / W ，其暗电流I D =0.2 A ，

三极管 340 的电流放大倍数 =50 ，最高入射辐射功率为 400 W 时的拐点电压 = 1.0V 。求入射辐射功率最大时，电阻 的值与输出信号 的幅值。入射辐 射变化 50W 时的输出电压变换量为多少？利用 222 光电二极管和 340 三极管构成如图 3-46 所示的探测电路。已知光电二极管的电流灵敏度 0.4 A / W ，其暗电流I D 0.2 A ，三极管340 的电

流放大倍数50 ，最高入射辐射功率为 400 W 时的拐点电压 1.0V 。求入射辐射功率最大时，电阻 的值与输出信号 的幅值。

入射辐射变化 50W 时的输出电压变换量为多少？

11. 真空光电倍增管的倍增极有哪几种结构？各有什么特点？

12 何谓光电倍增管的增益特性？光电倍增管各倍增极的发射系数 δ 与哪些因素有关？最主要的因素是什么？

13 光电倍增管产生暗电流的原因有哪些？如何降低暗电流？

14. 怎样理解光电倍增管的阴极灵敏度和阳极灵敏度？二者的区别是什么？二者有什么关 系？