102存储器外部电路 .ppt
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2020/10/20
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（6）存储管源电平VS产生电路
在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非 写情况下接地，因此VS产生电路是由WRT 信号控制的推挽电路。
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2.外层外围电路 控制信号缓冲器 电平鉴别电路 片擦信号发生器 字节擦写信号发生器 写禁止/写信号发生器 擦除信号发生器 字节操作信号发生器 读信号发生器 擦写信号发生器
外层外围电路：工作模式控制电路，它把 把外部信号转换成若干内部控制信号，对 内层外围电路进行控制。
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1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路
2020/10/20
（1）地址缓冲器
2020/10/20
地址缓冲器的功能 把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具
有驱动大量地址译码器的能力。 执行工作模式控制
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（2）地址译码器
行译码器 列译码器
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（3）位写入电路
引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是 双向信息通路。读出工作时，位读出电路 工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。
半导体 集成电路
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存储器外围电路
2020/10/20
TEE8502的总体结构
2020/10/20
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外围电路
内层外围电路：功能电路，它是直接控制 存储矩阵工作的功能块。
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（4）灵敏读放电路
ຫໍສະໝຸດ Baidu敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅， 另一方面要具有较大的放大系数，在较小 负载电容的输出点上得到合适的电平和足 够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。
灵敏放大器是影响读出速度的关键。
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（5）存储管控制栅电平VCG产生电路
根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作 时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V， 读操作时VCG应接近3V左右。
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（6）存储管源电平VS产生电路
在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非 写情况下接地，因此VS产生电路是由WRT 信号控制的推挽电路。
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2.外层外围电路 控制信号缓冲器 电平鉴别电路 片擦信号发生器 字节擦写信号发生器 写禁止/写信号发生器 擦除信号发生器 字节操作信号发生器 读信号发生器 擦写信号发生器
外层外围电路：工作模式控制电路，它把 把外部信号转换成若干内部控制信号，对 内层外围电路进行控制。
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1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路
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（1）地址缓冲器
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地址缓冲器的功能 把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具
有驱动大量地址译码器的能力。 执行工作模式控制
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（2）地址译码器
行译码器 列译码器
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（3）位写入电路
引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是 双向信息通路。读出工作时，位读出电路 工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。
半导体 集成电路
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内层外围电路：功能电路，它是直接控制 存储矩阵工作的功能块。
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（4）灵敏读放电路
ຫໍສະໝຸດ Baidu敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅， 另一方面要具有较大的放大系数，在较小 负载电容的输出点上得到合适的电平和足 够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。
灵敏放大器是影响读出速度的关键。
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（5）存储管控制栅电平VCG产生电路
根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作 时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V， 读操作时VCG应接近3V左右。