课程名称宽禁带半导体材料与器件(精)
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第五章GaN基半导体电子器件
5.1AlGaN/GaN异质结
5.2GaN基HEMT器件的特性
5.3GaN基HEMT器件的电流崩塌效应
5.4硅衬底上GaN基HEMT器件
5.5GaN基MISHFET和HBT器件
第六章SiC基半导体器件
7.1 SiC基光电子器件
7.2 SiC基整流管
7.3 SiC基金属-氧化物-半导体场效应管
开课学期：
总学时/讲授学时：32/
学分：
先修课程要求：固体物理或半导体物理
课程组教师姓名
职称
专业
年龄
学术专长
陈长清
教授
半导体
37
半导体
黄黎蓉
副教授
半导体
39
半导体
吴志浩
副教授
半导体
28
半导体
戴江南
博士后
半导体
28
半导体
教学大纲：（章节目录）
本课程共分为七章进行授课：
第一章宽禁带半导体导论
第二章宽禁带半导体材料生长
7.4 SiC基结型场效应管(JFET)和肖特基栅场效应管(MESFET)
7.5 SiC基双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)
第七章ZnO基半导体器件
7.1 ZnO基光电子器件
7.2 ZnO基电子器件
教学大纲（续）
教材：
宽禁带半导体材料与器件（自编）
主要参考书：
（1）半导体发光二极管及固态照明，史光国等，科学出版社
（2）微电子器件与IC设计，刘刚等，科学出版社
（3）碳化硅宽带隙ຫໍສະໝຸດ 导体技术，郝跃等，科学出版社（4）化合物半导体材料与器件，谢孟贤等，电子科技大学出版社
该课程所属基层教学组织（教研室、系）专家小组意见，该课程是否适合硕士、博士研究生培养的需要？是否与其他课程重复，是否有稳定授课教师队伍。
专家组长
专家年月日
课程名称：宽禁带半导体材料与器件
课程代码：
英文名称：Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices
课程类型：讲授课程□实践（实验、实习）课程□研讨课程□专题讲座□其它
考核方式：笔试
教学方式：课堂PPT授课
适用专业：集成光电子器件系
适用层次：硕士□博士
课程名称宽禁带半导体材料与器件课程代码英文名称widebandgapsemiconductormaterialsanddevices课程类型讲授课程实践实验实习课程研讨课程专题讲座其它考核方式笔试教学方式课堂ppt授课适用专业集成光电子器件系适用层次硕士博士开课学期总学时讲授学时32学分先修课程要求固体物理或半导体物理课程组教师姓名职称专业年龄学术专长陈长清教授半导体37半导体黄黎蓉副教授半导体39半导体吴志浩副教授半导体28半导体戴江南博士后半导体28半导体教学大纲章节目录本课程共分为七章进行授课第一章宽禁带半导体导论第二章宽禁带半导体材料生长11gan材料生长11sic材料生长13zno材料生长第三章gan基半导体发光管led和激光管ld31gan基蓝绿半导体发光管led32半导体白光照明33大功率半导体发光管34gan基半导体激光管ld第四章gan基深紫外led和探测器41gan基深紫外发光管led42gan基半导体探测器第五章gan基半导体电子器件51algangan异质结52gan基hemt器件的特性53gan基hemt器件的电流崩塌效应54硅衬底上gan基hemt器件55gan基mishfet和hbt器件第六章sic基半导体器件71sic基光电子器件72sic基整流管73sic基金属氧化物半导体场效应管74sic基结型场效应管jfet和肖特基栅场效应管mesfet75sic基双极结型晶体管bjt和绝缘栅双极晶体管igbt第七章zno基半导体器件71zno基光电子器件72zno基电子器件教学大纲续教材宽禁带半导体材料与器件自编主要参考书1半导体发光二极管及固态照明史光国等科学出版社2微电子器件与ic设计刘刚等科学出版社3碳化硅宽带隙半导体技术郝跃等科学出版社4化合物半导体材料与器件谢孟贤等电子科技大学出版社该课程所属基层教学组织教研室系专家小组意见该课程是否适合硕士博士研究生培养的需要是否与其他课程重复是否有稳定授课教师队伍
1.1 GaN材料生长
1.1 SiC材料生长
1.3 ZnO材料生长
第三章GaN基半导体发光管LED和激光管LD
3.1GaN基蓝、绿半导体发光管LED
3.2半导体白光照明
3.3大功率半导体发光管
3.4GaN基半导体激光管LD
第四章GaN基深紫外LED和探测器
4.1GaN基深紫外发光管LED
4.2GaN基半导体探测器
第五章GaN基半导体电子器件
5.1AlGaN/GaN异质结
5.2GaN基HEMT器件的特性
5.3GaN基HEMT器件的电流崩塌效应
5.4硅衬底上GaN基HEMT器件
5.5GaN基MISHFET和HBT器件
第六章SiC基半导体器件
7.1 SiC基光电子器件
7.2 SiC基整流管
7.3 SiC基金属-氧化物-半导体场效应管
开课学期：
总学时/讲授学时：32/
学分：
先修课程要求：固体物理或半导体物理
课程组教师姓名
职称
专业
年龄
学术专长
陈长清
教授
半导体
37
半导体
黄黎蓉
副教授
半导体
39
半导体
吴志浩
副教授
半导体
28
半导体
戴江南
博士后
半导体
28
半导体
教学大纲：（章节目录）
本课程共分为七章进行授课：
第一章宽禁带半导体导论
第二章宽禁带半导体材料生长
7.4 SiC基结型场效应管(JFET)和肖特基栅场效应管(MESFET)
7.5 SiC基双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)
第七章ZnO基半导体器件
7.1 ZnO基光电子器件
7.2 ZnO基电子器件
教学大纲（续）
教材：
宽禁带半导体材料与器件（自编）
主要参考书：
（1）半导体发光二极管及固态照明，史光国等，科学出版社
（2）微电子器件与IC设计，刘刚等，科学出版社
（3）碳化硅宽带隙ຫໍສະໝຸດ 导体技术，郝跃等，科学出版社（4）化合物半导体材料与器件，谢孟贤等，电子科技大学出版社
该课程所属基层教学组织（教研室、系）专家小组意见，该课程是否适合硕士、博士研究生培养的需要？是否与其他课程重复，是否有稳定授课教师队伍。
专家组长
专家年月日
课程名称：宽禁带半导体材料与器件
课程代码：
英文名称：Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices
课程类型：讲授课程□实践（实验、实习）课程□研讨课程□专题讲座□其它
考核方式：笔试
教学方式：课堂PPT授课
适用专业：集成光电子器件系
适用层次：硕士□博士
课程名称宽禁带半导体材料与器件课程代码英文名称widebandgapsemiconductormaterialsanddevices课程类型讲授课程实践实验实习课程研讨课程专题讲座其它考核方式笔试教学方式课堂ppt授课适用专业集成光电子器件系适用层次硕士博士开课学期总学时讲授学时32学分先修课程要求固体物理或半导体物理课程组教师姓名职称专业年龄学术专长陈长清教授半导体37半导体黄黎蓉副教授半导体39半导体吴志浩副教授半导体28半导体戴江南博士后半导体28半导体教学大纲章节目录本课程共分为七章进行授课第一章宽禁带半导体导论第二章宽禁带半导体材料生长11gan材料生长11sic材料生长13zno材料生长第三章gan基半导体发光管led和激光管ld31gan基蓝绿半导体发光管led32半导体白光照明33大功率半导体发光管34gan基半导体激光管ld第四章gan基深紫外led和探测器41gan基深紫外发光管led42gan基半导体探测器第五章gan基半导体电子器件51algangan异质结52gan基hemt器件的特性53gan基hemt器件的电流崩塌效应54硅衬底上gan基hemt器件55gan基mishfet和hbt器件第六章sic基半导体器件71sic基光电子器件72sic基整流管73sic基金属氧化物半导体场效应管74sic基结型场效应管jfet和肖特基栅场效应管mesfet75sic基双极结型晶体管bjt和绝缘栅双极晶体管igbt第七章zno基半导体器件71zno基光电子器件72zno基电子器件教学大纲续教材宽禁带半导体材料与器件自编主要参考书1半导体发光二极管及固态照明史光国等科学出版社2微电子器件与ic设计刘刚等科学出版社3碳化硅宽带隙半导体技术郝跃等科学出版社4化合物半导体材料与器件谢孟贤等电子科技大学出版社该课程所属基层教学组织教研室系专家小组意见该课程是否适合硕士博士研究生培养的需要是否与其他课程重复是否有稳定授课教师队伍
1.1 GaN材料生长
1.1 SiC材料生长
1.3 ZnO材料生长
第三章GaN基半导体发光管LED和激光管LD
3.1GaN基蓝、绿半导体发光管LED
3.2半导体白光照明
3.3大功率半导体发光管
3.4GaN基半导体激光管LD
第四章GaN基深紫外LED和探测器
4.1GaN基深紫外发光管LED
4.2GaN基半导体探测器