课程名称宽禁带半导体材料与器件(精)
宽禁带半导体功率器件——材料、物理、设计及应用
宽禁带半导体功率器件——材料、物理、设计及应用1.引言1.1 概述宽禁带半导体功率器件作为半导体领域中的重要分支，具有广阔的应用前景。
它是基于宽禁带半导体材料的器件，具备了高功率、高电压和高温度等特点，适用于能源领域、通信领域以及其他一系列领域。
在本文中，我们将对宽禁带半导体功率器件的材料、物理性质、设计原理以及应用领域进行深入研究和探讨。
首先，我们将介绍宽禁带半导体材料的定义和分类，以及其在器件制备中的重要性。
接着，我们将详细探讨宽禁带半导体材料的物理性质，包括载流子浓度、迁移率和反向饱和电流等关键参数的影响因素和变化规律。
其次，我们将深入研究宽禁带半导体功率器件的设计原理，包括器件结构、电场分布以及载流子输运等方面的理论基础。
这部分内容将着重介绍宽禁带半导体功率器件的设计要点，包括提高器件电流密度、减小漏电流和改善器件热特性等方面的关键技术和方法。
最后，我们将重点关注宽禁带半导体功率器件在能源领域和通信领域的应用。
特别是在能源领域，宽禁带半导体功率器件可以广泛应用于太阳能电池、风力发电和电动车等领域，为可再生能源的开发和利用提供支持。
在通信领域，宽禁带半导体功率器件的高频特性和高功率特性，使其成为无线通信系统中的重要组成部分。
总之，本文将全面介绍宽禁带半导体功率器件的材料、物理性质、设计原理以及应用领域，并对其现状进行总结和展望。
通过深入研究和探讨，我们希望能够进一步提高宽禁带半导体功率器件的性能和应用水平，为相关领域的发展做出贡献。
文章结构部分的内容如下：1.2 文章结构本文将分为引言、正文和结论三部分来展开对宽禁带半导体功率器件的讨论。
引言部分将首先对宽禁带半导体功率器件进行概述，介绍其基本概念和特点。
接着将介绍文章的结构和内容安排，以便读者能够清晰地理解全文的逻辑发展。
正文部分将分为三个主要章节：材料、设计和应用。
在材料章节中，我们将详细介绍宽禁带半导体材料的特点和性质，包括它们的禁带宽度、载流子浓度和迁移率等重要参数。
宽禁带半导体材料
其他应用
宽禁带半导体材料在传感器、太阳 能电池、电子束器件等领域也有应 用。
02
宽禁带半导体材料的性质
物理性质
高击穿电场
宽禁带半导体具有高的击穿电 场，可使其在高温和高频下保
持优良的导电性能。
高热导率
宽禁带半导体的热导率较高，有 利于器件的高温工作。
低有效质量
宽禁带半导体具有低的有效质量， 有助于提高其电子和空穴的迁移率 。
方法。
该方法的基本原理是将金属有机物作 为源材料，通过控制反应温度、反应 压力、反应气体的种类和输送到反应 炉中的量等参数，实现高质量宽禁带
半导体材料的可控制备。
与传统的化学气相沉积法相比，金属 有机物化学气相沉积法具有更高的生 长速率和更低的成本，同时还可以实 现不同类型宽禁带半导体材料的可控
制备。
总结词
宽禁带半导体材料具有宽带隙和高透光性等特性，因此在光电器件领域也有 着广泛的应用前景。
详细描述
宽禁带半导体材料在光电器件领域主要应用于LED、激光器和光检测器等光电 器件的制作。这些器件可以应用于光纤通信、光信息处理和光电传感等领域 。
传感和MEMS应用
总结词
宽禁带半导体材料具有高灵敏度、高分辨率和高稳定性等优点，因此在传感和 MEMS领域也有着广泛的应用前景。
该方法的基本原理是将反应气体输送到反应炉中，在一定的温度和压力下，反应气体发生 化学反应并生成固态薄膜。
通过控制反应气体的种类和输送到反应炉中的量，可以精确地控制薄膜的生长速率和厚度 ，从而实现高质量宽禁带半导体材料的可控制备。
溶胶-凝胶法
溶胶-凝胶法是一种在宽禁带半导体材料制备中常用的化学方法。
微波射频应用
总结词
宽禁带半导体材料具有高频率特性、低损耗和高功率容量等 优势，因此在微波射频领域也具有广泛的应用前景。
第五章-宽带隙半导体材料PPT课件
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43
目前ZnO半导体研究热点
ZnO p型掺杂
初步进展: 通过N单掺或共掺方法可获得空穴浓度 达1019cm-3；P、As和Sb的掺杂可获得1018cm-3的 空穴浓度；初步实现ZnO同质LED。
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6
氮化物研究的几个重大突破
▪ 1986年，日本的科学家Amano和Akasasi利用MOCVD技术 在AlN缓冲层上生长得到高质量的GaN薄膜。
▪ 随后他们利用低能电子束辐照(LEEBI)技术得到了Mg掺 杂的p型GaN样品，视为GaN研究发展的另一重大突破。 1989年，他们研制出第一个p-n结构的LED。
45
ZnO基纳米结构
▪ 2001年 蓝宝石衬底上实现ZnO自组装纳米 线阵列紫外受激发射的实现，引起了人们 对ZnO纳米材料与器件研究的极大兴趣。
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ZnO的能带结构
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ZnO的PL光谱
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ZnO的制备技术
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ZnO的器件应用
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8
部分化合物半导体的带隙宽度
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9
氮化物三元合金的X射线衍射谱
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10
宽带隙半导体材料的特点
▪ 压电性与极化效应 ▪ 高热导率 ▪ 小介电常数 ▪ 极高临界击穿电场 ▪ 耐高温、抗辐射 ▪ 大激子束缚能 ▪ 巨大能带偏移
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11
新型宽禁带半导体材料与器件研究概述
1962年至1966年，进行了台面晶体管、隧道二极管、 砷化 镓激光器等研究。
以敏锐的科学洞察力看准了半导体光电子学这一新的发展方 向，开始了第二代半导体的研究 。
1976年，研制的砷化镓条形双异质结激光器，在国内率先实 现室温激射，获1978年全国科技大会奖。吉林大学在第二代 半导体的研究在很长时间处于国内领先地位。
LED 白 光 照 明
UV-LED激发红、绿、蓝荧光合成白光
优点 白光仅取决于荧光物！（对LED光源有较
大的宽容度） 非常好的彩色重现性 理论上“最易于制造！” 缺点 紫外光的泄露有潜在的破坏性 由于磷光物的转换效率、斯托克司频移以 UV LED + RGB phosphor
及自身的吸收等因素限制了发光效率
荧光灯
2020 白炽灯 荧光灯
200
16
85
>100
1
10
1500 1200 3400
7.5
75
40
<2
0.4 1.5
<3
0.5
5
>m：OIDA Technology Roadmap Update 2002.9)
三种方法产生白光发光照明
可与日光灯的白光合成原理类似，也可用 不同颜色的半导体发光合成白光
照明用大功率白光LED的三大问题
内量子效率不高 i 光提取效率不高50-60% 提高封装效率、散热、光路设计
不同波长芯片的内量子效率和光提取效率
wp = extraction i 目前水平：
i 低于30% wp 为20-30% package 为 50-60%
宽禁带半导体材料与器件
宽禁带半导体材料与器件一、引言宽禁带半导体材料是一种具有较大带隙能量的半导体材料，其带隙能量通常大于3电子伏特（eV）。
相对于传统的窄禁带半导体材料，宽禁带半导体材料具有独特的物理和电学性质，使其在光电子器件等领域具有广泛的应用前景。
本文将介绍宽禁带半导体材料的特点、制备方法以及一些常见的宽禁带半导体器件。
二、宽禁带半导体材料的特点1. 带隙能量大：宽禁带半导体材料的带隙能量大，使其能够吸收更高能量的光子，具有较高的光电转换效率。
2. 热稳定性好：宽禁带半导体材料的热稳定性较好，能够在高温环境下工作，适用于高温电子器件的制备。
3. 抗辐照性强：宽禁带半导体材料对辐射的敏感性较低，能够在辐射环境下工作，适用于核能、航天等领域的应用。
4. 电子迁移率高：宽禁带半导体材料的电子迁移率较高，电子在材料中的移动速度快，有利于电子器件的高速运算。
三、宽禁带半导体材料的制备方法1. 气相沉积法：通过在高温下将气体中的半导体原子沉积在衬底上，形成薄膜材料。
常用的气相沉积方法有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。
2. 液相法：将半导体材料的前驱体溶解在溶剂中，然后通过溶液的化学反应使其沉淀成固态材料。
常用的液相法有溶胶-凝胶法和热解法等。
3. 固相法：通过高温反应使固态材料之间发生化学反应，生成宽禁带半导体材料。
常用的固相法有熔盐法和固相扩散法等。
四、宽禁带半导体器件1. 光电二极管：宽禁带半导体材料的高带隙能量使其能够吸收更高能量的光子，具有较高的光电转换效率。
光电二极管利用了宽禁带半导体材料的这一特点，可用于光电转换和光通信等领域。
2. 激光器：宽禁带半导体材料的高带隙能量使其能够产生更高能量的光子，适用于激光器的制备。
宽禁带半导体激光器具有较高的输出功率和较窄的谱线宽度，广泛应用于光通信、医疗和军事等领域。
3. 高温电子器件：宽禁带半导体材料的热稳定性好，能够在高温环境下工作，适用于高温电子器件的制备。
宽禁带半导体ppt课件
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1510
1770
k=1.313
k=0.46
k=1.13
2021精选ppt
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2021精选ppt
8
Ⅲ-V族GaN基系列半导体材料，主要 包括GaN、AlN、InN、AlGaN、 InGaN和AlGaInN等。室温直接带隙 宽度分别为InN（0.7eV）、GaN （3.4eV）、AlN（6.2eV），三元合 金的带隙变化0.7eV - 6.2eV所对应的
• What’s the third luminescence reverlution (TLR) ?
• The relationship between TGS and TLR • 国家半导体照明工程 • ZnO • AlN
2021精选ppt
5
什么是第三代半导体(TGS)?
• 第一代半导体: 以 Si 为代表( 以Si, Ge 等元素半导体为主）；
2021精选ppt
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AlN
2021精选ppt
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AlN纤锌矿结构
AlN闪锌矿结构
明领域将发生第三次革命（气体发 光 固体发光）；
2021精选ppt
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发光二极管（LEDs）
• 属于固体冷光源。是由半导体材料做成的pn结，在正向偏压下以自发辐射的形式进行 发光的发光器件;
• 它象一块汉堡包，中间层是一种将电能转 换为可见光的半导体材料，上下两层是电 极，光的颜色根据材料的不同而有变化。
2021精选ppt
17
LEDs have several advantages over conventional incandescent lamps. For one thing, they don't have a filament that will burn out, so they last much longer. Additionally, their small plastic bulb makes them a lot more durable. They also fit more easily into modern
宽禁带半导体材料与器件
宽禁带半导体材料与器件引言：宽禁带半导体材料与器件是现代电子技术中的重要组成部分。
它们在光电子、能源、通信等领域发挥着关键作用。
本文将依次介绍宽禁带半导体材料的特点、制备方法以及常见的宽禁带半导体器件。
一、宽禁带半导体材料的特点宽禁带半导体材料是指带隙宽度大于3电子伏特的半导体材料。
与传统的窄禁带半导体相比，宽禁带半导体具有以下特点：1. 宽禁带：宽禁带使得宽禁带半导体具有较高的载流子禁带能量，使其能够在高温环境下工作，提高器件的稳定性和可靠性。
2. 高电子迁移率：宽禁带半导体的高电子迁移率使得它们在高频率和高功率应用中具有优势，能够更高效地传输电荷。
3. 宽波段响应：宽禁带半导体能够吸收更宽波段的光子，具有较高的光电转换效率，在光电子器件中有广泛应用。
二、宽禁带半导体材料的制备方法常见的宽禁带半导体材料的制备方法主要包括以下几种：1. 气相沉积法：气相沉积法是一种常用的制备宽禁带半导体材料的方法，包括化学气相沉积和物理气相沉积。
通过在高温气氛中使气体中的原子或分子沉积在衬底上，形成所需的宽禁带半导体材料薄膜。
2. 分子束外延法：分子束外延法利用高能束流轰击衬底表面，使原子或分子在表面形成薄膜。
这种方法可以精确控制材料的成分和结构，制备出高质量的宽禁带半导体材料。
3. 溅射法：溅射法是一种通过将材料溅射到衬底上形成薄膜的方法。
它可以在较低的温度下进行，适用于制备一些热敏性材料。
三、宽禁带半导体器件的应用宽禁带半导体材料的特点使得它们在许多领域中得到广泛应用。
以下是几个常见的宽禁带半导体器件：1. LED：宽禁带半导体材料中的P-N结构可以发光，因此LED （Light-Emitting Diode）是宽禁带半导体器件的一种应用。
宽禁带半导体材料如氮化镓等被广泛用于白光LED的制备，用于照明和显示等领域。
2. 高温电子器件：宽禁带半导体材料能够在高温环境下工作，因此在高温电子器件中得到应用。
例如，宽禁带半导体材料SiC被用于制造高温电力电子器件，具有较高的工作温度和较低的导通功耗。
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
目录分析
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》这本书的目录结构清晰、内容丰富， 从基础理论到实际应用，从现有技术到未来趋势，全面展示了氮化物宽禁带半导 体材料与电子器件领域的各个方面。通过阅读本书，读者可以深入了解该领域的 基本知识、研究现状及未来发展方向，为从事相关研究或应用提供有益的参考和 启示。
阅读感受
阅读感受
在我阅读《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》这本书的过程中，我深深 地被书中的内容所吸引。这本书不仅在学术上具有很高的价值，同时也对于我们 理解半导体材料和电子器件的发展趋势有着重要的意义。
阅读感受
这本书的主题是关于氮化物宽禁带半导体材料和电子器件，这是一个在当前 科技领域中备受的话题。随着科技的不断发展，半导体材料和电子器件的重要性 日益凸显，而氮化物宽禁带半导体材料作为一种新型的材料，具有许多优秀的特 性，如高耐压、高频率、高功率等，这些特性使得它在电力电子、光电子、高功 率电子等领域中具有广泛的应用前景。
内容摘要
这包括LED、激光器、太阳能电池、电子开关等器件的工作原理和实际应用。通过这些内容，读 者可以深入了解氮化物宽禁带半导体在各种电子器件中的应用和优势。 本书介绍了氮化物宽禁带半导体的最新研究进展。这包括最新的制备技术、新应用的探索以及未 来发展的趋势等。这些内容可以让读者了解到氮化物宽禁带半导体的最新科研动态，对于从事相 关研究的读者来说非常有价值。 《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》这本书是一本全面介绍氮化物宽禁带半导体材料与电子 器件的书籍，无论是对于初学者还是对于从事相关研究工作的读者来说，都有很高的参考价值。
目录分析
第九章：氮化物宽禁带半导体材料的安全性与可靠性。本章对氮化物宽禁带 半导体材料的安全性与可靠性进行了全面分析，包括材料的稳定性、耐久性以及 潜在的安全风险等方面，以确保其在实际应用中的可靠性。
《半导体材料与器件》课程教学大纲(本科)
《半导体材料与器件》课程教学大纲课程编号：课程名称：半导体材料与器件英文名称： Semiconductor materials and devices课程类型：专业课课程要求：选修学时/学分：32/2 （讲课学时：32 ）适用专业：功能材料一、课程性质与任务半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件，具有专门的生产设备、工艺和方法，在现代各方面得到大量的研究和应用，半导体材料与器件是功能材料工程专业一门主要的专业方向课。
通过本课程的学习使学生掌握半导体材料与器件的基础理论、主要的生产技术、工艺原理和方法。
为今后从事相关工作奠定良好的基础。
二、课程与其他课程的联系本课程涉及功能材料的晶体结构和物理性能，应在《材料科学基础》《功能材料物理基础》和《材料物理化学》课程之后进行授课。
三、课程教学目标1.掌握半导体材料物理的基本理论，硅、信和化合物半导体材料结构和性能。
（支撑毕业能力要求1, 4, 5）2.了解和掌握常见半导体材料的结构与性能的关系，能够正确选择和使用半导体材料，能够提高和改善常见半导体材料的相关性能。
（支撑毕业能力要求1, 3, 4, 5, 7）3.掌握利用各种电子材料制备双极性晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管及金属-半导体场效应晶体管、功率MOS场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管IGBT、LED和厚、薄膜集成电路的技术及生产工艺，能够对设计和实验结果进行综合分析。
（支撑毕业能力要求3, 4, 5, 12）4.能够使学生充分利用所学的半导体材料知识，在半导体和微电子材料领域研究、开发、生产高质量器件，为信息行业发展提供基础硬件支持，为国民经济服务。
（支撑毕业能力要求3, 4, 5, 7）四、教学内容、基本要求与学时分配五、其他教学环节（课外教学环节、要求、目标）无六、教学方法本课程以课堂理论教学为主，通过理论讲授、提问、讨论、演示等教学方法和手段让学生理解授课的基本内容，结合完成作业等教学手段和形式完成课程教学任务。
宽禁带半导体材料
氧化锌是一种直接带隙半导体材料，具有高激子束缚能和宽带隙等优点，在 透明电子器件、紫外光电器件和压电器件等领域有着广泛的应用前景。
其他宽禁带半导体材料
总结词
除了氮化镓、碳化硅和氧化锌外，还有一 些其他宽禁带半导体材料，如氮化铝 (AlN)、碳化钛(TiC)等。
VS
详细描述
这些材料也具有各自的优点和应用前景， 如氮化铝具有高热导率和化学稳定性等优 点，在高温电子器件和光电器件等领域有 着广泛的应用；碳化钛具有高硬度、高化 学稳定性和宽带隙等优点，在高温和抗辐 射电子器件等领域有着广泛的应用。
航空航天
宽禁带半导体材料在航空航天领域的应用也越来 越多，如航空电子、宇航电子等，可用于航空航 天器的控制系统和导航系统等领域。
02
宽禁带半导体材料的基本类 型
氮化镓(GaN)
总结词
氮化镓是一种具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速度和高化学稳定性等优 点的宽禁带半导体材料。
详细描述
氮化镓是一种直接带隙半导体材料，具有高热导率和高电子迁移率等优点，在电 力电子器件、光电器件和微波器件等领域有着广泛的应用前景。
碳化硅(SiC)
总结词
碳化硅是一种具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速度等优点的宽禁带半导体材料。
详细描述
碳化硅是一种间接带隙半导体材料，具有高热导率和高温稳定性等优点，在电力电子器件、光电器件和高温电 子器件等领域有着广泛的应用前景。
氧化锌(ZnO)
总结词
氧化锌是一种具有高激子束缚能、高电子迁移率、高透明度等优点的宽禁带 半导体材料。
宽禁带半导体材料
xx年xx月xx日
contents
目录
• 宽禁带半导体材料概述 • 宽禁带半导体材料的基本类型 • 宽禁带半导体材料制备工艺 • 宽禁带半导体材料的应用前景 • 宽禁带半导体材料的研究挑战与展望
宽禁带半导体材料新进展课件
宽禁带半导体材料在生物医学领域的应用主要集中在生物传感器、生物成像、药物递送等方面。这些 应用能够实现高灵敏度的生物分子检测、高分辨率的生物成像以及精确的药物递送，为生物医学研究 提供了新的工具和方法。
05
宽禁带半导体材料新进展及前 景展望
Chapter
新材料研发进展
氮化镓（GaN）研究
THANKS
感谢观看
氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率等优点，近年来在电力电子、光电子等领域得到了广泛 应用。研究者们正在不断探索提高氮化镓材料质量、降低成本的新途径。
碳化硅（SiC）研究
碳化硅也是一种宽禁带半导体材料，具有高熔点、化学稳定性好等优点，主要用于高温、高压、高频等场合。研究者 们正在探索提高碳化硅材料质量、降低成本的新途径，并开发新的加工技术和应用领域。
新能源汽车
新能源汽车的快速发展对电力电子器 件的性能提出了更高的要求，宽禁带 半导体材料具有高热导率、高击穿电 场等优点，适用于制造高效、可靠的 电力电子器件。例如，氮化镓可以用 于制造高效、高频的功率开关器件， 碳化硅可以用于制造高效、可靠的功 率模块。
智能制造
智能制造领域对高精度、高效率的电 子器件有着广泛的需求，宽禁带半导 体材料具有高稳定性、高可靠性等优 点，适用于制造高精度、高效率的电 子器件。例如，碳化硅可以用于制造 高效、可靠的功率转换器件，氧化锌 可以用于制造高速的光电传感器。
发展前景展望
01
提高性能
随着科技的不断发展，对宽禁带半导体材料的性能要求也越来越高。未
来，研究者们将继续探索新的工艺和技术，提高材料的性能和可靠性。
02 03
降低成本
宽禁带半导体材料目前仍然存在成本较高的问题，这限制了其广泛应用 。未来，研究者们将致力于探索新的制备方法和工艺，降低材料的成本 。
2015年西安电子科技大学考研专业目录及参考书目--先进材料与纳米科技学院(014)
导师
职称
01
新型半导体材料与器件、低维半导体材料设计
雷天民
教授
02
材料功能特性与表面改性
梁燕萍
教授
03
纳米材料与器件及人工智能
任庆利
副教授
04
无机光电功能材料、高温智能陶瓷
张显
副教授
05
宽禁带半导体材料与器件
李培咸
副教授
06
半导体光催化剂、染料电池及光电功能材料
姜海青
副教授
07
光电功能材料与功能陶瓷
080502 材料学
材料学是研究材料的组成、结构、工艺、性质和使用性能之间相互关系的学科，它为材 料的设计、制造、工艺优化和合理使用提供科学依据。现代材料学科更注重各类材料及它们 之间相互渗透交叉性和综合性。我院的材料学专业 2000 年获硕士学位授予权。本学科师资力 量雄厚，拥有完善的实验设备和场所。主要研究方向有：功能材料与传感器、材料检测与分 析技术、薄膜材料及应用、集成电路及材料、光电功能材料、半导体材料可靠性研究等。该 专业毕业生可以在高校、科研机构或企业从事功能陶瓷材料、半导体及集成电路、光电功能 材料、纳米材料、半导体器件等多方面的研发、测试、技术管理工作，也可以报考材料物理 与化学、集成电路系统设计、微电子学与固体电子学等相关专业的博士研究生。
李桂芳
副教授
08
材料、元器件无损检测与可靠性诊断
何亮
副教授
09
低维材料、光电功能材料与器件
贾巧英
副教授
专业名称
080502材料学
2014年招生7人
科目一：101 思想政治理论
科目二：201 英语一
初试科目
科目四：(二选一) 852 量子力学； 874 大学物理
宽禁带半导体材料与器件
宽禁带半导体材料与器件引言：宽禁带半导体材料与器件在现代电子技术中起着重要的作用。
宽禁带材料具有比较大的能隙，能够在高温下工作，具有较高的电压承受能力以及较低的漏电流等特点。
宽禁带材料的研究与应用为各种电子器件的发展提供了新的可能性。
本文将介绍宽禁带半导体材料的特点、分类以及常见的宽禁带半导体器件。
一、宽禁带半导体材料的特点宽禁带半导体材料是指带隙能量较大的半导体材料，其能隙一般大于2电子伏特。
相比之下，传统的半导体材料如硅、锗等的能隙要小得多。
宽禁带材料的特点主要包括以下几个方面：1. 高温工作能力：宽禁带材料具有较高的熔点和热稳定性，能够在高温环境下正常工作，适用于高温电子器件的制备。
2. 高电压承受能力：宽禁带材料的导电性能较差，具有较高的击穿电压，能够承受较高的电压。
3. 低漏电流：由于宽禁带材料的能隙较大，其导电性能较差，漏电流较小，适用于对漏电流要求较高的器件制备。
4. 较高的载流子迁移率：宽禁带材料的载流子迁移率较高，能够实现高速电子器件的制备。
二、宽禁带半导体材料的分类根据材料的不同，宽禁带半导体材料可以分为以下几类：1. 碳化物材料：碳化硅（SiC）是一种常见的宽禁带半导体材料，具有较高的热导率和耐高温性能，适用于高温功率器件的制备。
2. 氮化物材料：氮化镓（GaN）和氮化铝镓（AlGaN）是常见的氮化物宽禁带半导体材料，具有较高的载流子迁移率和较低的漏电流，适用于高频电子器件的制备。
3. 磷化物材料：磷化镓（GaP）和磷化铝镓（AlGaP）是常见的磷化物宽禁带半导体材料，具有较高的光电转换效率，适用于光电器件的制备。
三、宽禁带半导体器件1. 宽禁带二极管：宽禁带二极管是利用宽禁带半导体材料制备的二极管。
由于宽禁带材料的能隙较大，宽禁带二极管具有较高的击穿电压和较低的漏电流，适用于高压、高温环境下的电子器件。
2. 宽禁带场效应晶体管：宽禁带场效应晶体管（HEMT）是利用宽禁带半导体材料制备的场效应晶体管。
宽禁带半导体ppt课件
接下来用UV光通过掩模版的透光区使光刻胶曝光， 如图（b）所示。掩模版是预先制备的玻璃或石英版， 其暗区上可复以制阻有挡需U要V转光移线到通S过iO。2薄曝膜光上区的域图中形的。光掩刻模胶版会发的
生光化学反应，反应的类型与光刻胶的种类有关。对
于负性光刻胶，在经过光照的区域会发生聚合反应，
变得难以去除。浸入显影剂之后，曝光区域发生聚合
48
a
49
光刻对准及套准偏差 接近式和接触式曝光的对准为人工对
准，误差大，时间长 投影式光刻为自动对准，准确，速度
快
50
光刻技术趋势
随着集成电路工艺的发展，目前主流的光学光 刻技术已达到0.13mm，接近光学光刻技术的极 限
下一代的光刻技术：X射线光刻和电子束光刻 X射线曝光特点：分辨率高，系统复杂，制版困
以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽 缸体的内壁，可提高其耐磨性
用以制成的高级耐火材料 低品级碳化硅（含SiC约85％）是极好的脱氧剂，
用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提 高钢的质量 碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒
7
氧化及工艺
8
硅的热氧化
制备SiO2的方法
热氧化法 化学气相淀积法 热分解淀积法 溅射法 真空蒸发法 阳极氧化法等
碳化硅又称碳硅石、金钢砂或耐火砂。 在当代C、 N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应 用最广泛、最经济的一种
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晶体结构：六方α-SiC和立方体的β-SiC(称立方 碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子 的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现 70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC
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宽禁带半导体电力电子器件课件
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Voltage(V)
肖特基二极管I-V特性
谢 谢！
四 研究基础
中国科学院微电子研究所研究基础：
1. 在SiC器件的工艺方面的研究
2.
已进行SiC材料的刻蚀、减薄工艺，器件的设计与制备
等方面的研究。
开展了SiC材料ICP刻蚀参数优化、刻蚀掩模的确定及其选择比优 化等刻蚀技术的研究。
• 研究场限环、结终端延伸等终端保护技术 对器件击穿特性的影响，包括场限环间距、 宽度、掺杂浓度、结深度等因素，以及结 终端延伸的长度、深度、浓度等因素对器 件内部电场分布的影响，获得合理的结终 端保护结构计，从而优化器件结构。
（3）器件的可靠性及失效机理研究。 包括SiC电力电子器件反向漏电流机理研究，高温下SiC材料的欧姆接触、 肖特基接触、SiO2/SiC界面态、SiC器件的导通、击穿和开关速度等特性的 可靠性研究等。
二、 研3 究研究内内容容、拟解决的技术难点
拟解决的技术难点：
（1）器件的合理化设计。 （2）SiC的热氧化技术。 可靠性及失效机理研究。SiC材料的欧姆接触，SiO2/SiC界面 态，器件的导通、击穿和开关速度等特性的可靠性研究。② SiC
型、碰撞电离模型和隧道效应模型。对SiC肖特基结势垒二极管中的p
利用仿真模拟软件对SiC高压二极管器件的能带图、电场分布等特性进行仿真计算， 分析器件中载流子输运机理，研究器件结构及场板、场环和结终端延伸等不同终端 保护技术对器件击穿特性的影响机理，从而设计和优化器件结构，获得合理化器件 结构。
对于IGBT器件，影响器件的阻断电压的主要因素，包括漂移层的厚度和载流子浓 度；影响器件通态压降的因素，包括反型层沟道的迁移率、pnp晶体管的注入效率 以及p型发射极的欧姆接触电阻等；影响器件的开关速度的因素，包括基区的少子 寿命，厚度和掺杂浓度等。在此基础上，利用数学计算工具、仿真模拟软件等对 SiC IGBT器件结构参数，包括阻挡层的厚度及掺杂浓度、漂移层的厚度及掺杂浓度、 沟道长度、发射区掺杂及深度、基区掺杂及深度等器件结构参数和SiC的材料参数， 包括载流子寿命、界面态密度等，对IGBT器件内部的能带图、电场分布，器件的转 移特性、输出特性、击穿电压等静态特性，开关速度等动态特性，进行模拟仿真， 分析器件器件结构参数和材料参数对器件性能的影响机理；合理解决器件通态压降
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第五章GaN基半导体电子器件
5.1AlGaN/GaN异质结
5.2GaN基HEMT器件的特性
5.3GaN基HEMT器件的电流崩塌效应
5.4硅衬底上GaN基HEMT器件
5.5GaN基MISHFET和HBT器件
第六章SiC基半导体器件
7.1 SiC基光电子器件
7.2 SiC基整流管
7.3 SiC基金属-氧化物-半导体场效应管
开课学期：
总学时/讲授学时：32/
学分：
先修课程要求：固体物理或半导体物理
课程组教师姓名
职称
专业
年龄
学术专长
陈长清
教授
半导体
37
半导体
黄黎蓉
副教授
半导体
39
半导体
吴志浩
副教授
半导体
28
半导体
戴江南
博士后
半导体
28
半导体
教学大纲：（章节目录）
本课程共分为七章进行授课：
第一章宽禁带半导体导论
第二章宽禁带半导体材料生长
7.4 SiC基结型场效应管(JFET)和肖特基栅场效应管(MESFET)
7.5 SiC基双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)
第七章ZnO基半导体器件
7.1 ZnO基光电子器件
7.2 ZnO基电子器件
教学大纲（续）
教材：
宽禁带半导体材料与器件（自编）
主要参考书：
（1）半导体发光二极管及固态照明，史光国等，科学出版社
（2）微电子器件与IC设计，刘刚等，科学出版社
（3）碳化硅宽带隙ຫໍສະໝຸດ 导体技术，郝跃等，科学出版社（4）化合物半导体材料与器件，谢孟贤等，电子科技大学出版社
该课程所属基层教学组织（教研室、系）专家小组意见，该课程是否适合硕士、博士研究生培养的需要？是否与其他课程重复，是否有稳定授课教师队伍。
专家组长
专家年月日
课程名称：宽禁带半导体材料与器件
课程代码：
英文名称：Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices
课程类型：讲授课程□实践（实验、实习）课程□研讨课程□专题讲座□其它
考核方式：笔试
教学方式：课堂PPT授课
适用专业：集成光电子器件系
适用层次：硕士□博士
课程名称宽禁带半导体材料与器件课程代码英文名称widebandgapsemiconductormaterialsanddevices课程类型讲授课程实践实验实习课程研讨课程专题讲座其它考核方式笔试教学方式课堂ppt授课适用专业集成光电子器件系适用层次硕士博士开课学期总学时讲授学时32学分先修课程要求固体物理或半导体物理课程组教师姓名职称专业年龄学术专长陈长清教授半导体37半导体黄黎蓉副教授半导体39半导体吴志浩副教授半导体28半导体戴江南博士后半导体28半导体教学大纲章节目录本课程共分为七章进行授课第一章宽禁带半导体导论第二章宽禁带半导体材料生长11gan材料生长11sic材料生长13zno材料生长第三章gan基半导体发光管led和激光管ld31gan基蓝绿半导体发光管led32半导体白光照明33大功率半导体发光管34gan基半导体激光管ld第四章gan基深紫外led和探测器41gan基深紫外发光管led42gan基半导体探测器第五章gan基半导体电子器件51algangan异质结52gan基hemt器件的特性53gan基hemt器件的电流崩塌效应54硅衬底上gan基hemt器件55gan基mishfet和hbt器件第六章sic基半导体器件71sic基光电子器件72sic基整流管73sic基金属氧化物半导体场效应管74sic基结型场效应管jfet和肖特基栅场效应管mesfet75sic基双极结型晶体管bjt和绝缘栅双极晶体管igbt第七章zno基半导体器件71zno基光电子器件72zno基电子器件教学大纲续教材宽禁带半导体材料与器件自编主要参考书1半导体发光二极管及固态照明史光国等科学出版社2微电子器件与ic设计刘刚等科学出版社3碳化硅宽带隙半导体技术郝跃等科学出版社4化合物半导体材料与器件谢孟贤等电子科技大学出版社该课程所属基层教学组织教研室系专家小组意见该课程是否适合硕士博士研究生培养的需要是否与其他课程重复是否有稳定授课教师队伍
1.1 GaN材料生长
1.1 SiC材料生长
1.3 ZnO材料生长
第三章GaN基半导体发光管LED和激光管LD
3.1GaN基蓝、绿半导体发光管LED
3.2半导体白光照明
3.3大功率半导体发光管
3.4GaN基半导体激光管LD
第四章GaN基深紫外LED和探测器
4.1GaN基深紫外发光管LED
4.2GaN基半导体探测器