电源工程师习题

电源工程师习题

一、稳定性与补偿

1、在波特图中增益裕度是指

单位增益与相位180°时之间的增益差

2、在波特图中，穿越频率是指（）的频率点

单位增益曲线为零分贝时

3、环路分析仪可以测量小信号下的控制系统波特图，其本质上是

矢量网络分析仪

4、工程上根据波特图判断反馈系统稳定性的判据是

增益裕量在-6dB到-12dB之间，且相位裕量在45°到60°之间

5、测量闭环反馈系统稳定性的基本原理是

注入不同频率的小信号

5、增益曲线在0db轴时穿越频率小于-2，则相位裕度会大于

45°

6、测试小信号动态性能的仪器为

环路分析仪

二、电阻

1、贴片电阻(SMT)在选择时，不同封装大小与什么有关？

功率

耐压等级

散热

以上都是

2、电阻作为电源中最常用的电子元件，如下哪种不是电阻的功能？

变频

3、电阻用于开机浪涌抑制时，主要考虑电阻的哪些参数？

功率

耐压等级

4、电阻失效时，如下哪种是其常见失效现象？

短路

开路

阻值变化

以上都是

5、一般场合下，电阻并联的目的是?

提高功率

6、在低功率电源中，保险丝电阻经常在前端输入级用到，以下哪个不是其优点？

熔断特性好

7、在常规的电源输出反馈中，一般采用TL431作为反馈基准，并利用电阻分压网络实现输出电压的调节，此电阻分压网络中的电阻需要考虑哪些因素？

温度系数

耐压等级

精度

8、反激电路输出二极管一般采用电阻和电容一般组成RC缓冲吸收电路，其一般作用为？

减少dv/dt

减少di/dt

减少二极管的反向耐压

减小器件的开关损耗

9、电阻用于电流采样时，需要考虑电阻的哪个参数？

功率

精度

温度系数

以上都是

10、如下哪种阻值不属于E24标准系列中的值？

1.05

三、电容

1、下列哪种材质不能作为电容的介质？

金属

2、下列哪种电容的ESR最大？

电解电容

3、在谐振电路中，一般采用金属薄膜电容来实现谐振，此时需要考虑哪些参数?

dv/dt值

RMS值

频率

以上都是

4、电解电容的寿命受温度影响很大，所以在一些低压输出场合，越来越多的用MLCC陶瓷电容来代替，此时需要考虑哪些方面？

容量

电压等级

ESR

以上都是

5、安规电容在使用时需要考虑哪些参数？

容量

电压等级

认证类型

以上都是

6、电容的ESR与哪些因素相关

频率

容值

温度

电压

7、在MLCC应用时，需要特别注意其应用场合，以下哪些场合对于MLCC的容值产生较大

影响？

施加的电压

8、一般缓冲吸收电路中的电容，可以选择？

薄膜电容

陶瓷电容

9、用于交流工频阻容降压电路，一般选择何种电容？

薄膜电容

10、陶瓷电容由于压电效应，在一定的频率下会产生噪声，所以一般有哪些方法可以解决？

采用低噪声电容

器件对称排列对消掉噪声

减少纹波大小

以上都是

四、二极管

1、二极管的导通压降与下列哪些参数有关？

温度

正向电流

反向耐压

以上都是

2、开关电源的输出整流二极管，一般需要考虑哪些参数？

最大反向电压

反向恢复时间

最大正向电流

正向导通电压

3、用于工频输入整流桥的二极管，主要考虑哪些参数？（没有对的答案）

最大反向电压

恢复时间

最大正向电流

最大脉冲电流

4、二极管的极限参数,包括

最大反向电压

最大工作温度

最大正向电流

最大脉冲电流

5、稳压二极管中,一般需要考虑哪些参数

最大稳定电流

稳压精度

功耗

以上都是

6、下列关于二极管的漏电流和其反向电压的叙述,正确的是

反向电压不超过某一范围时,反向电压越大,漏电流也越高

7、SiC二极管相比于硅二极管，有哪些优势

有利于小型化

无反向恢复时间

效率高

以上都是

8、二极管的应用受环境温度影响很大，主要影响有

正向导通电压

反向漏电流

以上都是

9、APFC中使用的二极管，需要考虑哪些参数

反向恢复时间

正向导通电压

浪涌电流

以上都是

10、同一电压等级的肖特基二极管，和普通快恢复二极管的主要区别在哪?

反向恢复时间

正向导通电压

五、MOSFET

1、开关电源中, MOSFETI的损耗包括

开通损耗

关断损耗

导通损耗

以上都是

2、MOSFET的各项参数中,哪些是正温度系数

Rdson

3、MOSFET作为开关器件,一般工作于哪个区

截止区

可变电阻区

4、相比于普通硅基MOSFET, GAN MOSFET的优势有

更低的米勒效应

更小的反向恢复时间

更低的损耗

以上都是

5、相比于普通硅基MOSFET, SIC MOSFETI的优势有

SiC- MOSFET体二极管的正向特性V比Si- MOSFET大

SiC-MOSFET体二极管的反向恢复更快，与Si-MOSFET相比可大幅降低恢复损耗

SiC的输入输出电容要小

以上都是

6、一般用品质因数来衡量MOSFET的品质，它主要包括哪几个参数

Rdson

Qg

7、MOSFET栅极电荷的包含有

总栅极电荷

栅极至源极电荷

栅极至漏极（米勒）电荷

以上都是

8、同步整流可以大大提高电源的效率，那么在选择同步整流MOSFET时需要考虑哪些参数

电压和电流等级

体二极管反向恢复时间