数字电子技术基础全套课件-7说课材料
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7数字电子技术基础第七章
通常将每个输出代码叫一个“字”，并把 W0—W3叫做字线，把D0—D3叫做位线（或数据 线），而A1、A0称为地址线。输出端的缓冲器用来 提高带负载的能力，并将输出的高、低电平变换为
标准的逻辑电平。同时，通过给定 EN 信号实现对 输出的三态控制。
在读取数据时，只要输入指定的地址码并
令 EN = 0 ，则指定地址内各存储单元所存数据就会出现 在数据线上.
相当 于负 载电 阻
2、可编程只读存储器(PROM)
在开发数字电路新产品的过程中，设计人员经常 需要按照自己的设想得到存有所需内容的ROM。这 时可通过将所需内容自行写入PROM而得到要求的 ROM。
PROM的总体结构与掩模ROM一样，同样由存 储矩阵、地址译码器和输出电路组成。不过在出厂 时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储 元件，即相当于在所有存储单元中都存入了1。
由于计算机处理的数据量越来越大，运算速度越 来越快，这就要求存储器具有更大的存储容量和更快 的存取速度 。通常都把存储量和存取速度作为衡量存 储器性能的重要指标。目前动态存储器的容量已达位 109位/片。一些高速随机存储器的存取时间仅10ns左 右。
一、半导体存储器的分类 1、以存、取功能分 ：
只读存储器（Read-Only Memory，简称 ROM） 随机存储器（Random Access Memory，简称RAM）
3 、 可擦除可编程只读存储器（EPROM）
由于可擦除的可编程ROM(EPROM)中存 储的数据可以擦除重写，因而在需要经常修改 ROM中内容的场合，经常使用EPROM。分:
紫外线擦除的EPROM，也称UVEPROM。 电信号可擦除的EPROM 简称E 2 PROM 快闪存储器（Flash Memory）
标准的逻辑电平。同时，通过给定 EN 信号实现对 输出的三态控制。
在读取数据时，只要输入指定的地址码并
令 EN = 0 ，则指定地址内各存储单元所存数据就会出现 在数据线上.
相当 于负 载电 阻
2、可编程只读存储器(PROM)
在开发数字电路新产品的过程中，设计人员经常 需要按照自己的设想得到存有所需内容的ROM。这 时可通过将所需内容自行写入PROM而得到要求的 ROM。
PROM的总体结构与掩模ROM一样，同样由存 储矩阵、地址译码器和输出电路组成。不过在出厂 时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储 元件，即相当于在所有存储单元中都存入了1。
由于计算机处理的数据量越来越大，运算速度越 来越快，这就要求存储器具有更大的存储容量和更快 的存取速度 。通常都把存储量和存取速度作为衡量存 储器性能的重要指标。目前动态存储器的容量已达位 109位/片。一些高速随机存储器的存取时间仅10ns左 右。
一、半导体存储器的分类 1、以存、取功能分 ：
只读存储器（Read-Only Memory，简称 ROM） 随机存储器（Random Access Memory，简称RAM）
3 、 可擦除可编程只读存储器（EPROM）
由于可擦除的可编程ROM(EPROM)中存 储的数据可以擦除重写，因而在需要经常修改 ROM中内容的场合，经常使用EPROM。分:
紫外线擦除的EPROM，也称UVEPROM。 电信号可擦除的EPROM 简称E 2 PROM 快闪存储器（Flash Memory）
数字电子技术基础PPT第7章 存储器
第7章 存 储 器
存储器是一种能存储大量二进制信息的电子器件，它是由许多 存储单元组成的。每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分，能 存储1位（或1组）二进制信息，存储器被大量用在嵌入式（单片机） 系统中。本章主要介绍只读存储器与随机存储器的结构、工作原理 与实际的存储器
7.1 只读存储器 7.1.1 只读存储器概述 只读存储器（ROM）的特点是存储单元断电后，数据不会丢失。 1．不可写入数据的只读存储器 （1）二极管ROM 以二极管作为存储单元的存储器。 （2）掩模存储器（MROM，Mask ROM） 掩模只读存储器是数据在存储器的制作过程中就永久地保存在存储阵列中的只读存 储器。 2．可写入数据的存储器 （1）一次编程存储器（PROM，Programmable ROM） 一次编程存储器是用户使用专用编程设备可以进行一次编程的只读存储器。 （2）可擦除存储器（EPROM，Erasable Programmable ROM） 可擦除只读存储器，常用的紫外线可擦除可编程只读存储器（UV EPROM）是可 用紫外线擦除数据、用专用编程设备写入数据的只读存储器。擦除数据时，需要将 该存储器芯片用紫外光照射几十分钟。 （3）电擦除存储器（E2PROM，Electrical Erasable Programmable ROM） 电可擦除可写入的只读存储器，是电擦除、写入数据的只读存储器。数据的擦除与 写入在毫秒数量级。 （4）快闪存储器（FLASH ROM） 快闪电可擦除、写入存储器，是读写速度更快、容量更大的电可擦除可写入的只读 存储器。
（4）闪速存储器 闪速（FLASH）存储器按照存储矩阵的结构不同，分为NOR及NAND两类，其 矩阵结构与前述掩模存储器基本相同。 FLASH与E2PROM的主要区别是E2PROM具有位擦除能力，而FLASH存储器不 具有这个能力，只能块或字节擦除，因此存储单元可以使用一个浮栅MOS管实现， 占有更小的面积，具有更大的容量。 NOR FLASH读写速度较NAND FLASH快，可以块或字节为单位读写. NAND FLASH的单元尺寸比NOR FLASH的小，因此同样大小的芯片面积， NAND FLASH的容量比NOR FLASH大得多。
存储器是一种能存储大量二进制信息的电子器件，它是由许多 存储单元组成的。每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分，能 存储1位（或1组）二进制信息，存储器被大量用在嵌入式（单片机） 系统中。本章主要介绍只读存储器与随机存储器的结构、工作原理 与实际的存储器
7.1 只读存储器 7.1.1 只读存储器概述 只读存储器（ROM）的特点是存储单元断电后，数据不会丢失。 1．不可写入数据的只读存储器 （1）二极管ROM 以二极管作为存储单元的存储器。 （2）掩模存储器（MROM，Mask ROM） 掩模只读存储器是数据在存储器的制作过程中就永久地保存在存储阵列中的只读存 储器。 2．可写入数据的存储器 （1）一次编程存储器（PROM，Programmable ROM） 一次编程存储器是用户使用专用编程设备可以进行一次编程的只读存储器。 （2）可擦除存储器（EPROM，Erasable Programmable ROM） 可擦除只读存储器，常用的紫外线可擦除可编程只读存储器（UV EPROM）是可 用紫外线擦除数据、用专用编程设备写入数据的只读存储器。擦除数据时，需要将 该存储器芯片用紫外光照射几十分钟。 （3）电擦除存储器（E2PROM，Electrical Erasable Programmable ROM） 电可擦除可写入的只读存储器，是电擦除、写入数据的只读存储器。数据的擦除与 写入在毫秒数量级。 （4）快闪存储器（FLASH ROM） 快闪电可擦除、写入存储器，是读写速度更快、容量更大的电可擦除可写入的只读 存储器。
（4）闪速存储器 闪速（FLASH）存储器按照存储矩阵的结构不同，分为NOR及NAND两类，其 矩阵结构与前述掩模存储器基本相同。 FLASH与E2PROM的主要区别是E2PROM具有位擦除能力，而FLASH存储器不 具有这个能力，只能块或字节擦除，因此存储单元可以使用一个浮栅MOS管实现， 占有更小的面积，具有更大的容量。 NOR FLASH读写速度较NAND FLASH快，可以块或字节为单位读写. NAND FLASH的单元尺寸比NOR FLASH的小，因此同样大小的芯片面积， NAND FLASH的容量比NOR FLASH大得多。
精品课件-数字电子技术-第7章
第7章 集成逻辑门电路简介
7.4 已知电路和输入信号的波形如图7.12所示，信号 的重复频率为1 MHz，每个门的平均延迟时间tpd=20 ns，试 画出：（1） 不考虑tpd影响时的波形；（2） 考虑tpd影响
第7章 集成逻辑门电路简介
图7.12 题7.4图
第7章 集成逻辑门电路简介
7.5 电路如图7.13所示。（1） 分别写出Y1、Y2、Y3、 Y4的逻辑函数表达式；（2） 若已知A、B、C的波形，试分别 画出Y1、Y2、Y3、Y4
(4) DE段。当UI≥1.4 V时，V2、V5饱和，V4截止，输 出为低电平, 与非门处于饱和状态, 所以把DE段称为饱和
第7章 集成逻辑门电路简介
4. （1） 输出高电平UOH和输出低电平UOL。电压传输特性 曲线截止区的输出电压为UOH，饱和区的输出电压为UOL。 一般产品规定UOH≥2.4 V，UOL＜0.4 V （2） 阈值电压Uth。电压传输特性曲线转折区中点所 对应的输入电压为Uth，也称门槛电压。一般TTL与非门的 Uth≈1.4 V
Y=Y1·Y2
第7章 集成逻辑门电路简介
图7.4 实现“线与”功能的电路
第7章 集成逻辑门电路简介
但是普通TTL逻辑门的输出端是不允许直接相连的，如 图7.5所示电路：设门1的输出为高电平（Y1=1）， 门2的输 出为低电平（Y2=0），此时门1的V4管和门2的V5管均饱和导通， 这样在电源UCC的作用下将产生很大的电流流过V4、V5管使V4、 V5
第7章 集成逻辑门电路简介
（3） 关门电平UOFF和开门电平UON。保证输出电平为 额定高电平（2.7 V左右）时，允许输入低电平的最大值， 称为关门电平UOFF。通常UOFF≈1 V ， 一般产品要求 UOFF≥0.8 V。 保证输出电平达到额定低电平（0.3 V）时， 允许输入高电平的最小值，称为开门电平UON。通常 UON≈1.4 V，一般产品要求UON≤1.8 V
数字电子技术基础-第7章-半导体存储器PPT课件
（二）具有两个地址译码器的ROM 的一般结构
二、ROM的基本耦合单元
（一）掩模ROM（MROM）的基本耦合 单元
1. MOS管构成的基本耦合单元
2. 双极型三极管构成的基本耦合单元
（二）一次可编程ROM（OTPROM）的 基本耦合单元
1． 熔丝型的OTPROM的基本耦合单元
2． 结破坏型的OTPROM的基本耦合单元
第七章 半导体存储器
7-1 7-2 7-3 7-4 7-7
作业
第一节 存储器的基本概念和分类 第二节 半导体存储器
第三节 只读存储器（ROM）
第一节 存储器的基本概念和分类
一、存储器的基本概念 二、存储器的分类
第二节 半导体存储器
一、半导体存储器的分类 （一）从制造工艺的角度分类 （二）从工作方式的角度分类 二、半导体存储器的三个主要技术指标
X ( A, B,C, D) m（2，3，4，5，8，9，15） Y ( A, B,C, D) m（6，7，10，11，14，15） M ( A, B,C, D) m（0，3，6，9，12） N ( A, B,C, D) m（7，11，13，14，15）
Q( A, B,C, D) m (0,1,2,3)
CS
O7
OE U2
（二）扩展字数
第四节 随机存取存储器（RAM）
一、RAM的基本结构
写在最后
经常不断地学习,你就什么都知道。你知道得越多,你就越有力量 Study Constantly, And You Will Know Everything. The More
You Know, The More Powerful You Will Be
第三节 只读存储器（ROM）
《数字电子技术 》课件第7章
当电容持续充电至电容两端电压UC ≥ (2/3)UDD 时, UTH =UC ≥( 2/3)UDD, 又有UTR>13UDD, 那么输出就由暂稳状态“1” 自动返回稳定状态“0”。
3. 暂稳状态持续的时间又称输出脉冲宽度， 用tW表示。 它由电路中电容两端的电压来决定， 可以用三要素法求得 tW≈1.1RC。 当一个触发脉冲使单稳态触发器进入暂稳定状态以后， 在随后tW时间内的其他触发脉冲对触发器就不起作用了； 只 有当触发器处于稳定状态时， 输入的触发脉冲才起作用。
q RA RA RB
图7.14 可调占空比的多谐振荡器
2. 石英晶体振荡器 石英晶体J电路符号如图7.15(a)所示， 它是将切成薄片 的石英晶体置于两平板之间构成的， 在电路中相当于一个高 Q(品质因数)选频网络， 其电抗频率特性如图7.15(b)所示。
图7.15
(a) 石英晶体的电路符号； (b)
若控制端S悬空或通过电容接地, 则
若控制端S外接控制电压US， UR1=US而
图7.6所示为S端悬空或通过电容接地的施密特触发器电压 传输特性， 同时也反映了回差电压的存在， 而这种现象称为 电路传输滞后特性。 回差电压越大， 施密特触发器的抗干扰 性越强， 但施密特触发器的灵敏度也会相应降低。
典型延时电路如图7.11所示， 与定时电路相比， 其区别 主要是电阻和电容连接的位置不同。电路中的继电器KA为常 断继电器， 二极管VD的作用是限幅保护。
图7.11 延时电路
2) 分频 当一个触发脉冲使单稳态触发器进入暂稳状态时， 在此 脉冲以后时间tW内，如果再输入其他触发脉冲， 则对触发 器的状态不再起作用； 只有当触发器处于稳定状态时， 输入 的触发脉冲才起作用， 分频电路正是利用这个特性将高频率 信号变换为低频率信号， 电路如图7.12所示。
《数字电子技术》说课PPT课件
试 实验三：组合逻辑模块74LS151、74LS153及74LS138的应用 实验四：触发器74LS76、74LS74的功能测试 实验五：计数器74LS90功能测试及应用
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六、建议学时
根据本课程的教育目标和课程综合化内容，建 议理论教学时数为50学时(其中授课36学时， 每章习题课及单元测验14学时)左右，建议实 验教学时数为10学时。
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二、本课程知识、能力、素质要求
基本理论、基本知识 基本能力 素质结构
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1、基本理论、基本知识
熟悉数字电子技术的有关基本概念、术语；了解逻辑代数基本定律和逻 辑函数的公式法化简及卡诺图化简。
掌握TTL和CMOS门电路及各种集成触发器的逻辑功能和外特性。 掌握常用组合逻辑电路的功能及分析方法，学会一般的组合逻辑电路的
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四、本课程的教学内容及重点、难点
重点：在脉冲与数字两部分内容的处理上，侧重于数 字电路。由于本课程为专业基础课，基本理论、基本 电路为学习重点。另外，对学生进行逻辑思维能力训 练也是本课程教学的重点之一。
难点：应结合高职教育的特点，多讲典型电路的应用， 分析电路设计方法、掌握器件的选用原则和使用方法 等。
门）。 （2）TTL与非门
电路结构、工作原理、电压传输特性、输入/输出特性、主要参数及 其测量方法。TTL门电路的其它类型，了解其他逻辑功能门，熟悉OC 门、TSL门的逻辑功能和应用。TTL门电路产品型号知识。 （3）MOS门电路
力。 具有用逻辑思维方法分析常用数字电路逻辑功能的能力。 初步具有设计数字电路的能力。
5
20的职业道德 初步掌握逻辑思维的方法和具备逻辑分析和设计的能力 具有团队精神和组织协调能力 具有吸收新技术和知识的能力 具有创新意识
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六、建议学时
根据本课程的教育目标和课程综合化内容，建 议理论教学时数为50学时(其中授课36学时， 每章习题课及单元测验14学时)左右，建议实 验教学时数为10学时。
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二、本课程知识、能力、素质要求
基本理论、基本知识 基本能力 素质结构
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1、基本理论、基本知识
熟悉数字电子技术的有关基本概念、术语；了解逻辑代数基本定律和逻 辑函数的公式法化简及卡诺图化简。
掌握TTL和CMOS门电路及各种集成触发器的逻辑功能和外特性。 掌握常用组合逻辑电路的功能及分析方法，学会一般的组合逻辑电路的
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四、本课程的教学内容及重点、难点
重点：在脉冲与数字两部分内容的处理上，侧重于数 字电路。由于本课程为专业基础课，基本理论、基本 电路为学习重点。另外，对学生进行逻辑思维能力训 练也是本课程教学的重点之一。
难点：应结合高职教育的特点，多讲典型电路的应用， 分析电路设计方法、掌握器件的选用原则和使用方法 等。
门）。 （2）TTL与非门
电路结构、工作原理、电压传输特性、输入/输出特性、主要参数及 其测量方法。TTL门电路的其它类型，了解其他逻辑功能门，熟悉OC 门、TSL门的逻辑功能和应用。TTL门电路产品型号知识。 （3）MOS门电路
力。 具有用逻辑思维方法分析常用数字电路逻辑功能的能力。 初步具有设计数字电路的能力。
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20的职业道德 初步掌握逻辑思维的方法和具备逻辑分析和设计的能力 具有团队精神和组织协调能力 具有吸收新技术和知识的能力 具有创新意识
数字电子技术基础简明教程第三版(7).pptx
Dn-1
一Dn-、2 数模转换的基本原理
…
DAC
uO
D1
D0
模拟电压输出
输入数字量 D = (Dn-1 Dn-2 D1 D0 ) 2 = Dn-1 2n-1 + Dn-2 2n-2 + + D1 21 + D0 20
输出模拟电压 uO = D△ = (Dn-1 2n-1 + Dn-2 2n-2 + + D1 21 + D0 20 )△
实现数模转换的电路称数模转换器 Digital - Analog Converter，简称 D/A 转换器或 DAC。
模数转换即将模拟电量转换为数字量，使输出 的数字量与输入的模拟电量成正比。
实现模数转换的电路称模数转换器 Analog - Digital Converter，简称 A/D 转换器或 ADC。
EXIT
数模和模数转换器
(二) 主要参数
1. 分辨率
DA指C 的D/最A 小转输换出器电模压拟变输化出量所，能产生的最 小也电即压D变A化C 量的与最满小刻输度出输电出压电值压之比。
表示满度输出电压值，FSR 即 Full Scale Range UFSR = 例uO如|D =，11一 个1 =1(02n位–的1 )DUALCSB，分辨率为 0.000 978。
n 位均为 1
DAC 的位数越多，分辨率值就越小， 能分辨的最小输出电压值也越小。
EXIT
2. 转换精度
数模和模数转换器
指 DAC 实际输出模拟电压与理 想输出模拟电压间的最大误差。
它是一个综合指标，不仅与 DAC 中元件参数的精 度有关，而且与环境温度、求和运算放大器的温度漂 移以及转换器的位数有关。
精品课件-数字电子技术-第7章
MOS型RAM又分为静态RAM（SRAM，Static RAM）和动态 RAM（DRAM，Dynamic RAM）两类。DRAM存储单元的结构非常 简单，所以集成度远高于SRAM，单片存储容量可达几百兆位 甚至更大，但存取速度比SRAM
第7章 存储器与可编程逻辑器件
存储器的存储容量和存取时间是存储系统性能的两个重要 指标。存储容量指存储器所能存放的信息的多少，存储容量越 大，说明存储器能够存储的信息越多。存储器以字为单位来组 织信息，一个字包含若干个（一般为8个）基本存储单元，一 个字中所含的二进制位数称为字长，每个字都有一个确定的地 址与之对应。存储器的容量一般用字数N同字长M的乘积即 N×M来表示。例如，1 K×8表示该存储器有1024字，每个字 存放8位二进制信息。存取时间一般用读/写周期来描述，读/
第7章 存储器与可编程逻辑器件
11. PC100 SDRAM PC100 SDRAM又称SPD(Serial Presence Detect)内存， 这是专为支持100 MHz主板外频的芯片组相匹配的带有SPD的 新一代内存条。SPD为内存的一种新规范，SPD是在SDRAM内存 上加入一颗很小的EEPROM，可以预先将内存条的各种信息(如 内存块种类、存取时间、容量、速度、工作电压等)写入其中。 电脑启动过程中，系统的BIOS通过系统管理总线把SPD的内容 读入，并自动调整各项设定，以达到最稳定和最优化的效果。
第7章 存储器与可编程逻辑器件
存储器是一种能存储二进制信息的器件。计算机系统中的 存储器可分为两类：
一类是用于保存正在处理的指令和数据，CPU可以直接对 它进行访问，这类存储器通常称为主存储器(或内存)；
另一类是由能记录信息的装置组成，CPU需要使用其所存 放的信息时，可将信息读入内存。这类存储器通常称为外存储 器或海量(Mass storage)
第7章 存储器与可编程逻辑器件
存储器的存储容量和存取时间是存储系统性能的两个重要 指标。存储容量指存储器所能存放的信息的多少，存储容量越 大，说明存储器能够存储的信息越多。存储器以字为单位来组 织信息，一个字包含若干个（一般为8个）基本存储单元，一 个字中所含的二进制位数称为字长，每个字都有一个确定的地 址与之对应。存储器的容量一般用字数N同字长M的乘积即 N×M来表示。例如，1 K×8表示该存储器有1024字，每个字 存放8位二进制信息。存取时间一般用读/写周期来描述，读/
第7章 存储器与可编程逻辑器件
11. PC100 SDRAM PC100 SDRAM又称SPD(Serial Presence Detect)内存， 这是专为支持100 MHz主板外频的芯片组相匹配的带有SPD的 新一代内存条。SPD为内存的一种新规范，SPD是在SDRAM内存 上加入一颗很小的EEPROM，可以预先将内存条的各种信息(如 内存块种类、存取时间、容量、速度、工作电压等)写入其中。 电脑启动过程中，系统的BIOS通过系统管理总线把SPD的内容 读入，并自动调整各项设定，以达到最稳定和最优化的效果。
第7章 存储器与可编程逻辑器件
存储器是一种能存储二进制信息的器件。计算机系统中的 存储器可分为两类：
一类是用于保存正在处理的指令和数据，CPU可以直接对 它进行访问，这类存储器通常称为主存储器(或内存)；
另一类是由能记录信息的装置组成，CPU需要使用其所存 放的信息时，可将信息读入内存。这类存储器通常称为外存储 器或海量(Mass storage)
数字电子技术基础--第七章(第五版)课件PPT
相当存1。
A3 A2
A1
A0
该存储器的容量=?
+V D
存储
D
R
R•••
R R 矩阵
Y0
Y1
•
•
位线
•
Y 14
Y 15
•••
S3 I0
I1
I14
I15
S2 S1
16 线 -1 线 数 据 选 择 器
S0
Y
D0
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二、可编程ROM（PROM）
有一种可编程序的 ROM ，在出厂时全部存 储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为 “0”,但是，只能改写一次，称为 PROM。
地
译
址
码
存储矩阵
输
器
入
控制信号输入
( CS 、R/W)
读/写控制电路
图 8.1.4
数据输入/输出
25
（1）地址译码器
译码 单译码 ---n位地址构成 2n 条地址线。若n=10，则有1024条地址线 方式 双译码 --- 将地址分成两部分，分别由行译码器和列译码器共同译码
其输出为存储矩阵的行列选择线，由它们共同确定欲选择 的地址单元。
0111
1
0101
0110
0
0110
0101
1
0110
0100
0
0111
0100
1
0111
0101
0
1000
1100
1
1000
1111
0
1001
1101
1
1001
1110
0
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1111
1
1010
《数字电子技术基础》全套课件(完整版)
表1-3 四位格雷码
格雷码
十进制数 二进制码
0000 0001 0011 0010 0110 0111 0101 0100
8
1000
9
1001
10
1010
11
1011
12
1100
13
1101
14
1110
15
1111
格雷码
1100 1101 1111 1110 1010 1011 1001 1000
1.4.1 十进制编码 【例1-8】 把二进制数1001转换成格雷码。 解：
1.2 数字系统中的数制
1.2.1 十进制数表述方法
1.在每个位置只能出现（十进制数）十个数码中的一个。
特点
2.低位到相邻高位的进位规则是“逢十进一”，故称为十进制。
3.同一数码在不同的位置(数位)表示的数值是不同的。
(N )10 an110n1
n1
ai 10i im
a1101 a0100 a1101 am10m
● 格雷码到二进制码的转换 （1）二进制码的最高位（最左边）与格雷码的最高位相同。 （2）将产生的每个二进制码位加上下一相邻位置的格雷码位，作为 二进制码的下一位（舍去进位）。
1.4.1 十进制编码
十进制数
0 1 2 3 4 5 6 7
二进制码
0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111
1.4 数字系统中数的表示方法与格式
1.4.1 十进制编码
1. 8421 BCD码
在这种编码方式中，每一位二进制代码都代表一个固定的数值， 把每一位中的1所代表的十进制数加起来，得到的结果就是它所代表 的十进制数码。由于代码中从左到右每一位中的1分别表示8、4、2、 1（权值），即从左到右，它的各位权值分别是8、4、2、1。所以把 这种代码叫做8421码。8421 BCD码是只取四位自然二进制代码的 前10种组合。
数字电子技术基础全套完整-7ppt课件
精选ppt
9
字扩展
4片256×8位的RAM接成1024 ×8位的RAM。
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10
7.5 用存储器实现组合逻辑函数
例7.5.2 试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数
Y1 ABC ABC
YY23
ABCD BCD ABCD ABCD ABCD
Y4 ABCD ABCD
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E2PROM:电信号擦除，擦除和写入时需要加高电 压脉冲，擦、写时间仍较长。
快闪存储器(Flash Memory)：吸收了EPROM结 构简单，编程可靠的优点，又保留了E2PROM用 隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。
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7.3 随机存储器（RAM)
R. andom A. ccess M. emory 优点：读、写方便,使用灵活。
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13
精选ppt
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解：化为最小项之和的形式：
Y1 ABCDABCDABCDABCD YY23AABBCCD DAABBCCD DABCDABCD Y4 ABCDABCD
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Y 1 Y A 2 B A D B C D C A Y B 3A Y B 4 A D C A A B B D C B C A C D C D A D D B A B C B A A D C B B C CC D D D
4
7.2 只读存储器（ROM)
Read Only Memory
优点：电路结构简单，断电后数据不丢失，具
有非易失性。
缺点：只适用于存储固定数据的场合。
构电 路 结
精选ppt
5
数字电子技术基础第七章资料讲解
对于 5G7520 分辨率= 当 UREF = 10 V 时，最小输出电压 uO = 19.6 mV
7.2 A / D 转换器（ADC）
7.2.1 A /D 转换的一般步骤和取样定理 一、模拟量到数字量的转换过程
模拟量
数字量
uI(t)
ADC的
dn-1
…
S
C
uI(t)
量化编码 电路
d1 d0
取样保持
R
1111111111 变化时，
13
IO1
1
uO 从 0 （1023 / 1024）UREF 5G7520 2 IO2
uO
3
输出与输入的关系
–VEE RW2
数码输 入
模拟输
d9 d8 d7 出d6 d5 d4 d3 d2 d1
uO
d0
111111 1 11 1
1 11101 1 1 0 0 0…0 0 0
d0
4 14 15
参考电压源，可正可负。
d1 5 5G7520
d2
6
d3
7
16
d4 d5
8 9
R
Rf
1
d6
10 IO1
IO1
uO
d7
11
2
d8
12
IO2
d9 13 3GND
2. 应用电路
UREF
VDD
RW3
单极性输出 UREF > 0，uO < 0
14
d0 d9 4
15 16
Rf
RW1
输入从 0000000000
第七章 数模、模数转换电路
概述 7.1 D / A 转换器(DAC) 7.2 A / D 转换器(ADC)
数字电子技术教学课件 (7)
例：当8421BCD码作为输入变量时，禁止码1010～ 1111这六种状态所对应的最小项就是无关项。
2021/1/15
3
② 具有无关项的逻辑函数及其化简
因为无关项的值可以根据需要取0或取1，所以在 用卡诺图化简逻辑函数时，充分利用无关项，可以使 逻辑函数进一步得到简化。
2021/1/15
4
例1-12 设ABCD是十进制数X的二进制编码，当
2021/1/15
9
பைடு நூலகம்
本章介绍了两种逻辑函数化简法。公式化简法 是利用逻辑代数的公式和规则，经过运算，对逻辑 表达式进行化简。它的优点是不受变量个数的限制， 但是否能够得到最简的结果，不仅需要熟练地运用 公式和规则，而且需要有一定的运算技巧。卡诺图 化简法是利用逻辑函数的卡诺图进行化简，其优点 是方便直观，容易掌握，但变量个数较多时（五个 以上），则因为图形复杂，不宜使用。在实际化简 逻辑函数时，将两种化简方法结合起来使用，往往 效果更佳。
解：画函数的卡诺图并化简。
图1-21 例1-13的卡诺图
2021/1/15
结果为：Y＝CD＋CD
7
本章小结
数字电路中广泛采用二进制，二进制的特点是 逢二进一，用0和1表示逻辑变量的两种状态。二进 制可以方便地转换成八进制、十进制和十六制。
BCD码是十进制数的二进制代码表示，常用的 BCD码是8421码。
表1-20 例1-12的真值表
画卡诺图并化简。
5
图1-20 例1-12的卡诺图
利用无关项化简结果为：Y＝A＋BD＋BC
充分利用无关项化简后得到的结果要简单得 多。注意：当圈组后，圈内的无关项已自动取值 为1，而圈外无关项自动取值为0。
2021/1/15
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3
② 具有无关项的逻辑函数及其化简
因为无关项的值可以根据需要取0或取1，所以在 用卡诺图化简逻辑函数时，充分利用无关项，可以使 逻辑函数进一步得到简化。
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例1-12 设ABCD是十进制数X的二进制编码，当
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9
பைடு நூலகம்
本章介绍了两种逻辑函数化简法。公式化简法 是利用逻辑代数的公式和规则，经过运算，对逻辑 表达式进行化简。它的优点是不受变量个数的限制， 但是否能够得到最简的结果，不仅需要熟练地运用 公式和规则，而且需要有一定的运算技巧。卡诺图 化简法是利用逻辑函数的卡诺图进行化简，其优点 是方便直观，容易掌握，但变量个数较多时（五个 以上），则因为图形复杂，不宜使用。在实际化简 逻辑函数时，将两种化简方法结合起来使用，往往 效果更佳。
解：画函数的卡诺图并化简。
图1-21 例1-13的卡诺图
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结果为：Y＝CD＋CD
7
本章小结
数字电路中广泛采用二进制，二进制的特点是 逢二进一，用0和1表示逻辑变量的两种状态。二进 制可以方便地转换成八进制、十进制和十六制。
BCD码是十进制数的二进制代码表示，常用的 BCD码是8421码。
表1-20 例1-12的真值表
画卡诺图并化简。
5
图1-20 例1-12的卡诺图
利用无关项化简结果为：Y＝A＋BD＋BC
充分利用无关项化简后得到的结果要简单得 多。注意：当圈组后，圈内的无关项已自动取值 为1，而圈外无关项自动取值为0。
2021/1/15
《数字电子技术基础》课件
计数器
是一种用于计数的电路，能够实现二 进制数的加法运算。
计数器种类
包括二进制计数器、十进制计数器和 任意进制计数器等。
计数器特性
描述了计数器的位数、工作原理和状 态转换图等。
计数器应用
在数字电路中，计数器用于实现定时 器和控制器等。
2023
PART 03
数字电路的分析与设计
REPORTING
数字电路的分析方法
介绍数字电路调试的基本技巧和 方法，如使用示波器、逻辑分析 仪等工具进行调试。
2023
PART 04
数字系统设计实例
REPORTING
数字钟的设计与实现
总结词
功能全面、技术复杂
详细描述
数字钟是数字电子技术基础中的典型应用，它具备时、分、秒的基本计时功能，同时还可以进行闹钟、定时等扩 展功能的设计。在实现上，数字钟需要运用数字逻辑电路、触发器、计数器等数字电子技术基础中的知识，设计 过程相对复杂。
率先
19971小小抵抗 its197
your. its17. it the
2023
REPORTING
THANKS
感谢观看
描述了逻辑门的输入、 输出关系，以及真值表
等。
逻辑门应用
在数字电路中，逻辑门 用于实现各种逻辑运算
和组合逻辑电路。
触发器
触发器
是一种具有记忆功能的电路， 能够存储二进制信息。
触发器种类
包括RS触发器、D触发器、JK 触发器和T触发器等。
触发器特性
描述了触发器的状态、输入、 输出关系，以及工作原理等。
交通灯控制系统的设计与实现
总结词
实际应用、安全性高
详细描述
交通灯控制系统是交通管理中的重要组成部分，用于控制交通路口的车辆和行人 流动，保障交通安全。在设计中，需要考虑红、绿、黄三种信号灯的控制逻辑， 以及不同交通状况下的灯控方案，以确保交通流畅且安全。
《数字电子技术基础》说课课件
1、能正确检测和识别电子 1、能正确检测和识别电子
元器件，了解项目知识点 元器件，基本了解项目知识
和操作流程。
点和操作流程。
2、有安装流程、工艺要求 2、有安装流程与测试步骤。
与测试步骤。
3、焊接质量可靠；焊点较
3、焊接质量可靠；焊点规 规范，布局较合理；能在教
范，布局合理；能正确使 师的指导下正确使用仪器仪
《数字电子技术基础》
电子电器应用与维修专业
说课 程
主要内容
课程设置分析 课程设计 学习效果评价设计
课程设置分析——课程定位
职业岗位
产品销售员 生产现场技术工 质量检测技术工 售后服务维修工
典型工作任务
电子产品销售
电子产品装接 与修护
电子产品检测
电子产品调试
专业核心能力
电路分析能力
原理图绘制与 PCB设计能力 电子产品装接
路
4 根据工作流程设
计教学过程
2 根据工作任务整
合教学内容
3 根据工作岗位设计
教学情境
课程设计——教学目标
自学能力、
分析问题和解决 问题的能力
专业能力
正确选用元器件的能力 规范操作仪器仪表能力
各种电子手册及资料的检索与 阅读能力 电路识图与分析能力 电路安装与焊接的能力 电路测试和数据分析的能力
方法能力
与调试能力 单片机系统分析
与调试能力 市场分析能力和
营销手段
专业核心课程
模拟电子技术与数字电子技术 印刷电路板设计与制板工艺
电子产品的原理与维修 单片机系统分析与调试
电子产品市场与营销
课程设计理念
能力培养和 职业素养并 重的实践教 学体系。
《数字电子技术基础》课件
数字信号的特点与优势
总结词
易于存储、传输和处理
详细描述
数字信号可以方便地存储在各种存储介质上，如硬盘、光盘等，并且可以轻松地 进行传输，如通过互联网或数字电视广播。此外，数字信号还可以通过各种数字 信号处理技术进行加工处理，如滤波、压缩、解调等。
数字信号的特点与优势
总结词：灵活性高
详细描述：数字信号可以方便地进行各种形式的变换和处理，如时域变换、频域 变换等，使得信号处理更加灵活和方便。
存储器设计
实现n位静态随机存取存储器（SRAM）。
移位器设计
实现n位左/右移位器。
微处理器设计
实现简单的微处理器架构。
CHAPTER 04
数字信号处理
数字信号的特点与优势
总结词
清晰、稳定、抗干扰能力强
详细描述
数字信号以离散的二进制形式表示，信号状态明确，不易受到噪声和干扰的影 响，具有较高的稳定性和抗干扰能力。
数字系统集成测试
对由多个数字电路组成的数字系统进 行集成测试，确保系统整体功能和性 能达标。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
对数字电路进行全面测试，确保产品质量 ，提高客户满意度。
数字电路的调试方法与技巧
分段调试
将数字电路分成若干段，逐段进行调试，以 确定问题所在的位置。
仿真测试
利用仿真软件对数字电路进行测试，模拟实 际工作情况，以便发现潜在问题。
逻辑分析
使用逻辑分析仪对数字电路的信号进行实时 监测和分析，以便快速定位问题。
编码器和译码器的应用
编码器和译码器在数字电路中有 着广泛的应用，如数据转换、数 据传输和显示驱动等。
CHAPTER 03
数字系统设计
7数字电子技术(共84张)
（7-1）
式中，A，B，C为输入逻辑变量，F为逻辑函数。下面介绍基 本逻辑运算。
第13页，共84页。
1、逻辑“与” 逻辑与是描述与逻辑关系的，又称 与运算。逻辑表达式为
F=A·B
（7-2）
其意义是仅当决定事件发生的所有条件A、B 均具备时，事件F才能发生。例如把两只开关和一
盏电灯串联接到电源上，
只有当两只开关均闭合时
第23页，共84页。
三、非门电路
具有“非”逻辑功能的电路叫做(jiàozuò)非门电路。图76是由三极管组成的非门电路，非门又称反相器。仍设输入 信号为+5V或0V。此电路只有以下两种工作情况：
+V
CC
（
+5V）
RC
A
Rb 1
3
T
2
L
A
1
L=A A
1 L=A
（a）电路
（b）逻辑符号
(a)
图7-6 三极管非(b门)
第3页，共84页。
（a）模拟信号
（b）数字信号
u（t） T
上升沿 0
下降沿 t
图7-1 模拟信号与数字信号
数字信号只有两种状态：高电平、低电平，或者有信 号、无信号。在数字电路中，通常把这两种状态用两个符 号来表示，即“1”和“0”，也即逻辑(luó jí)1和逻辑(luó jí)0。 高电平或有信号用“1”表示，低电平或无信号用“0”表 示，这称为正逻辑(luó jí)；相反，若高电平或有信号用“0” 表示，则称为负逻辑(luó jí)。在数字电路的逻辑(luó jí)设计中， 有时用正逻辑(luó jí)，有时用负逻辑(luó jí)，无特殊声明时， 一律采用正逻辑(luó jí)。
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7.3 随机存储器（RAM)
R. andom A. ccess M. emory 优点：读、写方便,使用灵活。
缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易
失性）。
基本结构：地址译码器、存储矩阵和读\写控
制电路构成。
P368图7.3.2
7.4 存储容量的扩展
存储容量＝ 字数×位数
地址输入端
字线
存储容量＝ 22×4＝4×4
数字电子技术基础全套课件-7
教学内容
§7.1 概述 §7.2 只读存储器 §7.3 随机存储器 §7.4 存储容量的扩展 §7.5 用存储器实现组合逻辑函数
教学要求
1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构 和存储单元结构；会用ROM实现组合逻 辑函数。
2.熟悉RAM的结构和操作过程；了解 RAM的扩展方式。
此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！ 感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢
7.1 概述
半导体存储器是一种能存储大量二 值信息的半导体器件。
按存储 功能分
只读存储器（ROM） 随机存储器（RAM）
按制造 工艺分
双极性 MOS型
7.2 只读存储器（ROM)
Read Only Memory
优点：电路结构简单，断电后数据不丢失，具
有非易失性。
缺点：只适用于存储固定数据的场合。
数
据
位线 输
出 端
位扩展
8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。
字扩展
4片256×8位的RAM接成1
例7.5.2 试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数
Y1 ABC ABC
YY23
ABCD BCD ABCD ABCD ABCD
Y4 ABCD ABCD
解：化为最小项之和的形式：
Y1 ABCDABCDABCDABCD YY23AABBCCD DAABBCCD DABCDABCD Y4 ABCDABCD
Y 1 Y A 2 B A D B C D C A Y B 3A Y B 4 A D C A A B B D C B C A C D C D A D D B A B C B A A D C B B C CC D D D
电 路 结 构
只读存储器分类：
掩膜ROM：出厂后内部存储的数据不能改动，只 能读出。
PROM：可编程，只能写一次。
EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次 数也不宜多。
E2PROM:电信号擦除，擦除和写入时需要加高电 压脉冲，擦、写时间仍较长。
快闪存储器(Flash Memory)：吸收了EPROM结 构简单，编程可靠的优点，又保留了E2PROM用 隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。