第一章 电子线路基础题库

第一章电子线路基础题库

一、填空题

1.自然界中，按照导电能力来衡量，可以分为（绝缘体）、（半导体）和（导体）。

2.物质导电能力的差异是由于（物质内部的结构）不同造成的。物质是由（原子）组成，它是由带正电的（原子核）和带负电的（电子）组成。它们的电量（相等）。

3.对导体来说，原子核对价电子的束缚很（弱），有大量的价电子可挣脱原子核的束缚成为（自由电子）。它们在外电场力作用下作定向运动而形成电流，所以表现出良好的（导电性）。

4.常见的半导体材料有（硅）和（锗），它们的最外层都有（4）个价电子。

5.（自由电子）和（空穴）都是一种运载电荷的粒子，两者的移动方向（相反），当形成一定的电流，电流方向就是（空穴）移动的方向。

6．在本征半导体中掺入微量的五价元素磷，磷原子的5个价电子中有(4)个电子和硅原子组成（共价键），多出的一个电子容易挣脱原子核而形成自由电子，这种半导体就称N型半导体，又称(电子半导体)。

7.在N型半导体中，（自由电子）是多子，它的浓度取决于（掺杂浓度）；（空穴）是少子，它的浓度取决于（温度）。

8.在本征半导体中掺入微量的三价元素硼，它与硅原子组成共价键时缺少一个价电子而形成一个（空穴），这种半导体就称P型半导体，又称（空穴半导体）。

9.PN结是由（扩散运动）和（漂移运动）两种运动达到动态平衡而形成的。

10.当PN结正偏时，正向电阻很（小），正向电流较（大）；当PN结反偏时，反向电阻很（大），反向电流很（小）。

11.PN结正偏时，PN结（导通），当PN结反偏时，PN结（截止）。

12.PN结具有（单向导电）、（击穿）、电容、温度等特性。

13.二极管用文字符号（D）表示，两个极分别叫（正极）和负极。

14.在表示二极管时，箭头的方向是从（P）型半导体指向（N）型半导体。

15.按二极管制造工艺的不同，二极管可分为（点接触型）、面接触型和（平面型）三种。

16.三极管用文字符号（T）表示，三个极分别为（基极）、（发射极）和（集电极）。

17.按照三极管内部结构的不同，可分为（NPN型）和（PNP型）两类。

18.对于NPN型三极管，c、b、e三个电极的电位关系符合：（Uc>Ub>Ue）；对于PNP型三极管，三个电极的电位关系符合：（Ue>Ub>Uc）。

19.根据三极管的输出特性曲线，可以把它分为（截止区）、（放大区）和（饱和区）。

20.场效应管是一种（电压）控制器件，用文字符号（V）表示，有（栅极）、（源极）和漏极三个电极。

二、选择题

1.下面哪种物质的导电能力最强。（A）

A.铜

B.锗

C.硅

2.硅、锗的原子核最外层都有个价电子。（C）

A.2

B.3

C.4

3.在P型半导体中，空穴是 ,电子是。（A）

A.多子、少子

B.少子、多子

C.多子、多子

4.PN结接正偏时，一般认为，温度每升高1°C，结电压大约减少 mV。（A）

A.2

B.3

C.4

5.PN结反偏时，一般认为，温度每增大10°C，反向电流增大倍。（A）

A.1

B.2

C.3

6.硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。（A）

A.0.5,0.2

B.0.2,0.7

C.0.7,0.3

7.硅管的正常导通压降约为 V，锗管的正常导通压降约为 V。（C）

A.0.5,0.2

B.0.2,0.7

C.0.7,0.3

8.二极管用文字符号表示。（B）

A.T

B.D

C.V

9.常用于整流电路的二极管是型。（C）

A.点接触型

B.面接触型

C.平面型

10.常用于高频电路、检波电路的二极管是型。（A）

A.点接触型

B.面接触型

C.平面型

11.二极管2CZ54D中“C”代表。（B）

A.N型锗

B.N型硅

C.P型硅

12.三极管3AX52B中“A”代表。（C）

A.PNP型硅管

B.NPN型硅管

C.PNP型锗管

13.对于NPN型三极管，c、b、e三个电极的电位必须符合。（B）

A.Ub>Uc>Ue

B.Uc>Ub>Ue

C.Uc>Ue>Ub

14.对于PNP型三极管,电源的极性与NPN型相反，应符合。（B）

A.Ub>Uc>Ue

B.Uc﹤Ub﹤Ue

C.Uc>Ue>Ub

15.三极管处于正常放大状态时，硅管的导通电压UBE约 V，锗管的UBE约 V。（C）

A.0.5,0.2

B.0.2,0.7

C.0.7,0.3

16.一般规定电流放大倍数下降到其正常值的时的集电极电流称为集电极最大电流。（C）

A.1/3

B.1/2

C.2/3

17.稳压二极管利用了PN结的特性。（B）

A.单向导电性

B.反响击穿性

C.温度特性

18.杂质半导体的少数载流子浓度。（B）

A.大于本征半导体载流子浓度

B.小于本征半导体载流子浓

C.等于本征半导体载流子浓度。

19.在温室附近，温度升高，参杂半导体中浓度明显增加。（C）

A.载流子

B.多数载流子

C.少数载流子

20.二极管中的反向电流越小，二极管的单向导电性越。（A）

A.好

B.差

C.不变

三、判断题

1.半导体是不导电的。（×）

2.本征半导体的导电性特别的强。（×）

3.无论是P型半导体还是N型半导体，对外都呈电中性。（√）

4.半导体中，参与导电的只是电子和空穴。（√）

5.动态平衡后，PN结中的载流子依然在运动。（√）

6.在半导体的导电性质中的电流方向是空穴的移动方向，所以可以看作空穴实质上是移动的。

（×）

7.最大反向电流是最大反向工作电压下的反向电流。（√）

8.PN结正偏时的正向电阻很大，正向电流较小。（×）

9.在表示二极管结构时，箭头的指向为PN结正向电流的方向。（√）

10.手册上一般给出的最大反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保二极管安全工作。（√）

11.三极管中的发射区和集电区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。（×）

12.PN结的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。（√）

13.加在三极管发射结上的正偏电压只有大于死区电压时才出现基极电流。（√）

14.集电极基极反向饱和电流越小，单向导电性越好。（√）

15.集电极发射极反向饱和电流大的三极管其热稳定性很强。（×）

16.变容二极管具有显著的变容效应。（√）

17.发光二极管是用PN结把电能转化为光能的一种器件。（√）

18.三极管中，发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。（√）

19.三极管的发射极和集电极一般不能互换使用。（√）

20.要使三极管具有正常的电流放大作用，必须在其发射结上加正向偏置电压，在集电结上加反向偏置电压。（√）