第3章半导体存储器及其接口
数字逻辑与计算机组成原理:第三章 存储器系统(1)

A3 0
字线
地0 A2 0 址
译
A1
0码 器
A0 0
15
读 / 写选通
… …
…
0,0 … 0,7
16×8矩阵
15,0 … 15,7
0
…
7 位线
读/写控制电路
D0
… D7
(2) 重合法(双译码方式)
0 A4
0,00
…
0 A3
阵
A2
译
0码
31,0
…
A1
器 X 31
0 A0
… …
或低表示存储的是1或0。 T5和T6是两个门控管,读写操作时,两管需导通。
六管存储单元
保持
字驱动线处于低电位时,T5、T6 截止, 切断了两根位线与触发器之间的 联系。
六管存储单元
单译码方式
读出时: 字线接通 1)位线1和位线2上加高电平; 2)若存储元原存0,A点为低电
平,B点为高电平,位线2无电 流,读出0。
3)若存储元原存1,A点为高电 平,B点为低电平,位线2有电
流,读出1。
静态 RAM 基本电路的 读 操作(双译码方式)
位线A1
A T1 ~ T4 B
位线2
T5
行地址选择
T6
行选
T5、T6 开
列选
T7、T8 开
T7
T8
读选择有效
列地址选择 写放大器
写放大器
VA
T6
读放
读放
DOUT
T8 DOUT
DIN
1.主存与CPU的连接
是由总线支持的; 总线包括数据总线、地址总线和控制总线; CPU通过使用MAR(存储器地址寄存器)和MDR(存储
《半导体存储器》课件

嵌入式系统中的应用
半导体存储器广泛应用于 嵌入式系统,如智能家居、 汽车电子和工业控制。
计算机内存
半导体存储器是计算机主 存储器的重要组成部分, 用于临时存储数据和程序。
智能手机内存
手机内存运行应用程序和 存储数据,半导体存储器 提供了高速和可靠的数据 存取。
未来半导体存储器的发展方向
1 3D垂直存储器
《半导体存储器》PPT课 件
半导体存储器PPT课件大纲
什么是半导体存储器?
半导体存储器定义
半导体存储器是指使用半导体材料制造的存储器,它可以将数据存储在芯片内部的电子元件 中。
存储器的分类
常见的半导体存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和 闪存存储器。
常见的半导体存储器
通过增加垂直堆叠层数来增加存储容量,提高存储密度和性能。
2 非易失性存储器
开发更加稳定和可靠的非易失性存储器,提供更长久的数据存储和保护。
3 全新器件技术
研发新型的器件结构和材料,以满足不断增长的存储需求和更高的速度要求。
总结
半导体存储器的重要性
半导体存储器在现代计算和通信领域发挥着关键作用,对技术和社会的发展产生积极影响。
静态随机存取存储器 (SRAM)
SRAM具有快速读写速度和较 短的访问时间,适用于高性 能的应用。
动态随机存取存储器 (DRAM)
DRAM具有较大的存储容量和 较低的成本,广泛应用于个 人电脑和服务器。
闪存存储器
闪存存储器具有非易失性和 较高的耐用性,适用于便携 设备的存储需求。
半导体存储器的工作原理
1
SRAM的工作原理
SRAM使用触发器实现数据的存储和读取,具有较快的访问速度和数据保持能力。
第三章存储系统(习题解答)

第三章存储系统(习题解答)————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:第三章存储系统(习题参考答案)1.有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问:(1)该存储器能存储多少个字节的信息?(2)如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成,需要多少芯片?(3)需要多少位地址作芯片选择?解:(1)∵ 220= 1M,∴ 该存储器能存储的信息为:1M×32/8=4MB (2)(1024K/512K)×(32/8)= 8(片)(3)需要1位地址作为芯片选择。
(选择两个512K×32位的存储体)2. 已知某64位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若使用256K×16位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用模块板结构形式,问:(1)每个模块板为1024K×64位,共需几个模块板?(2)每个模块板内共有多少DRAM芯片?(3)主存共需多少DRAM芯片? CPU如何选择各模块板?解:(1)最大主存空间为:226×64位,每个模块板容量为:1024K×64位=220×64位设:共需模块板数为m:则:m=(226×64位)/(220×64位)= 64 (块)(2). 设每个模块板内有DRAM芯片数为n:n=(/) ×(64/16)=16 (片)(3) 主存共需DRAM芯片为:m×n = 64×16=1024 (片)每个模块板有16片DRAM芯片,容量为1024K×64位,需20根地址线(A19~A0)完成模块板内存储单元寻址。
一共有64块模块板,采用6根高位地址线(A25~A20),通过6:64译码器译码,产生片选信号对各模块板进行选择。
3.用16K×8位的DRAM芯片组成64K×32位存储器,要求:(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
第三章 微机存储器

联机外存储器 脱机外存储器
两大类——内存、外存
• 内存——存放当前运行的程序和数据。
– 特点:快,容量小,随机存取,CPU可直接访问。 – 通常由半导体存储器构成 – RAM、ROM
• 外存——存放非当前使用的程序和数据。
– 特点:慢,容量大,顺序存取/块存取。需调入内存后 CPU才能访问。 – 通常由磁、光存储器构成,也可以由半导体存储器构成 – 磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘
16
读0过程
17
写入数据1的过程
18
写0过程
19
2、存储器芯片的基本组成
20
三、存储器与系统的连接
1、数据线、地址线和控制线的连接
存储芯片通过地址线、数据线和控制线与外部连接。 地址线是单向输入的,其数目与芯片容量有关。CPU发 出的地址信号,部分使芯片的片选端有效,称为“片 选”,部分再选中芯片内部的存储单元实现“字选”。 如容量为1024×4时,地址线有10根。
8
2.常用半导体存储器的特点
(1)静态存储器SRAM
用双稳态触发器存储信息。 速度快(<5ns),不需刷新,外围电路比较简单, 但集成度低(存储容量小,约1Mbit/片),功耗 大。 在PC机中,SRAM被广泛地用作高速缓冲存储Cache。 典型SRAM芯片:CMOS RAM芯片6264(8K*8)
14
二、存储器芯片的基本组成
1、基本存储电路 静态存储器SRAM存储原理:双稳态触发器保存信 息。 T1 通,T2 止存0 ;T1 止,T2 通存1 ; 保持信息时,不送地址信号; 读出:送地址,发读命令; 写入:送地址,送数据发写命令。
计算机组成原理教案(第三章)

3.主存物理地址的存储空间分布
以奔腾PC机主存为例,说明主存物理地址的存储空间概念
3.3.1只读存储器
1.ROM的分类
只读存储器简称ROM,它只能读出,不能写入。它的最 大优点是具有不易失性。
根据编程方式不同,ROM通常分为三类:
只读存 储器
定
义
优
点
缺
点
掩模式
数据在芯片制造过程中就 确定
可靠性和集成度高,价 不能重写 格便宜
存储 周期 存储 器带 宽
连续启动两次操作所需 间隔的最小时间
单位时间里存储器所存 取的信息量,
主存的速
度
数据传输速率 位/秒,字 技术指标 节/秒
3.2.1 SRAM存储器
1.基本存储元
六管SRAM存储元的电路图及读写操作图
2.SRAM存储器的组成
SRAM存储器的组成框图
存储器对外呈现三组信号线,即地址线、数据线、读/写控制线
主存地址空间分布如图所示。
3.3.2闪速存储器
1.什么是闪速存储器
闪速存储器是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器
2.闪速存储器的逻辑结构
28F256A的逻辑方框图
3.闪速存储器的工作原理
闪速存储器是在EPROM功能基础上增加了电路的电擦除和重新 编程能力。 28F256A引入一个指令寄存器来实现这种功能。其作用是: (1)保证TTL电平的控制信号输入; (2)在擦除和编程过程中稳定供电; (3)最大限度的与EPROM兼容。 当VPP引脚不加高电压时,它只是一个只读存储器。 当VPP引脚加上高电压时,除实现EPROM通常操作外,通过指 令寄存器,可以实现存储器内容的变更。 当VPP=VPPL时,指令寄存器的内容为读指令,使28F256A成 为只读存储器,称为写保护。
微型计算机课件第6章半导体存储器及接口

具有高速数据传输、简单的电路结构、多从设备支持等优点,广泛应用于嵌入式系统和工 业控制领域。
06 发展趋势及挑战
新型材料在半导体存储器中应用前景
碳纳米管材料
具有高电子迁移率、低电阻等特性,可应用于高速、低功耗的半 导体存储器件。
二维材料
如石墨烯、二硫化钼等,具有优异的电学和机械性能,可用于制 造柔性、透明的半导体存储器件。
写操作
写操作是指向存储器中写入数据的过程。在写操作时,同样需要通过地址线将目 标存储单元的地址送入存储器,然后将要写入的数据通过数据线送入存储器,最 后启动写操作,将数据写入目标存储单元。
数据传输与接口技术
数据传输
半导体存储器与CPU或其他设备之间的数据传输通常采用并行传输或串行传输方式。并行传输方式下 ,数据的各位同时传输,传输速度快;而串行传输方式下,数据的各位依次传输,传输速度较慢。
数据传输。
I2C总线协议在半导体存储器中应用
01
I2C总线概述
I2C总线是一种双线、双向、串行总线,用于连接微处理器、微控制器、
外围设备等。
02
I2C总线在半导体存储器中的应用
半导体存储器作为I2C总线上的从设备,通过SDA和SCL两根线与主设
备进行数据交换。主设备通过发送设备地址和读写命令来访问从设备。
03
通过先进的混合键合技术,实现芯片间的高速、低延
迟连接,提高系统性能。
面临挑战:性能提升与成本降低平衡
制程技术挑战
随着半导体工艺进入纳米级别,制造成本急剧增 加,技术难度不断提高。
设计挑战
为满足高性能、低功耗等要求,需要不断创新设 计理念和方法。
市场挑战
随着技术更新换代速度加快,市场竞争日益激烈, 需要不断降低成本和提高产品质量。
《半导体存储器》课件

制造设备
用于将掺杂剂引入硅片。
用于在硅片上生长单晶层 。
掺杂设备 外延生长设备
用于切割硅片。
晶圆切割机
制造设备
光刻机
用于将电路图形转移到硅片上。
刻蚀机
用于刻蚀硅片表面。
镀膜与去胶设备
用于在硅片表面形成金属层或介质层,并去 除光刻胶。
测试与封装设备
用于对芯片进行电气性能测试和封装成最终 产品。
分类
根据存储方式,半导体存储器可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器( ROM)。
历史与发展
1 2 3
早期阶段
20世纪50年代,半导体存储器开始出现,以晶 体管为基础。
发展阶段
随着技术的进步,20世纪70年代出现了动态随 机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器 (SRAM)。
当前状况
现代半导体存储器已经广泛应用于计算机、移动 设备、数据中心等领域。
物联网和边缘计算
在物联网和边缘计算领域应用半导体存储器,实现高 效的数据存储和传输。
CHAPTER
05
案例分析:不同类型半导体存 储器的应用场景
DRAM的应用场景
01
DRAM(动态随机存取存储器)是一种常用的半导体存储器,广泛应 用于计算机和服务器等领域。
02
由于其高速读写性能和低成本,DRAM被用作主内存,为CPU提供快 速的数据存取。
外延生长
在硅片上生长一层或多 层所需材料的单晶层。
掺杂
通过扩散或离子注入等 方法,将掺杂剂引入硅 片。
制造流程
01
光刻
利用光刻胶将电路图形转移到硅片 上。
镀膜与去胶
在硅片表面形成金属层或介质层, 并去除光刻胶。
微机原理与接口技术ppt半导体存储器及接口ppt文档

4.1.1 半导体存储器分类
半导体存储器从使用功能上划分,可 分为两类: 读写存储器RAM(Random Access Memory)又称为随机存取存储器; 只读存储器ROM(Read Only Memory)。RAM 主要用来存放各种现场的输入输出数据、 中间计算结果、与外存交换的信息以及作 为堆栈使用,它的存储单元的内容按照需 要既可以读出,也可以写入或改写。
4.2.1 基本存储电路
为了节省面积,这种单管存储电路 的电容不可能做得很大,一般都比数据 线上的分布电容Cd小,因此,每次读出 后,存储内容就被破坏,要保存原先的 信息必须采取恢复措施。
4.2.1 基本存储电路
4.2.2 RAM的结构
一个基本存储电路表示一个二进制位 ,目前微型计算机的通常容量为128MB或 256MB,故需要 128M×8或256M×8个基本 存储电路,因而存储器是由大量的存储电 路组成的。这些存储电路必须有规则地组 合起来,这就是存储体。
译码,经过译码器的输出作为存储芯片的 片选信号,而地位地址作为存储芯片内单 元选择(片内地址)。
4.3 RAM与CPU的连接
4.3 RAM与CPU的连接
(2)部分译码法 部分译码法就是将高位的地址不全部
进行译码,只取部分地址线送译码器译码 ,经过译码器的输出作为存储芯片的片选 信号,而地位地址作为存储芯片内单元选 择(片内地址)。
RAM又分为系统区(即机器的监控程序或操 作系统占用的区域)和用户区,用户区又要 分成数据区和程序区。所以内存的地址分 配是一个重要的问题。另外,目前生产的 存储器,单片的容量仍然是有限的,所以 总是要由许多片才能组成一个存储器,这 就存在一个如何产生选片信号的问题。
单片微型计算机原理及应用_课后习题答案

《单片微型计算机原理及应用》习题参考答案姜志海刘连鑫王蕾编著电子工业出版社目录第1章微型计算机基础 (2)第2章半导体存储器及I/O接口基础 (4)第3章MCS-51系列单片机硬件结构 (11)第4章MCS-51系列单片机指令系统 (16)第5章MCS-51系列单片机汇编语言程序设计 (20)第6章MCS-51系列单片机中断系统与定时器/计数器 (26)第7章MCS-51系列单片机的串行口 (32)第8章MCS-51系列单片机系统扩展技术 (34)第9章MCS-51系列单片机键盘/显示器接口技术 (36)第10章MCS-51系列单片机模拟量接口技术 (40)第11章单片机应用系统设计 (44)第1章微型计算机基础1.简述微型计算机的结构及各部分的作用微型计算机在硬件上由运算器、控制器、存储器、输入设备及输出设备五大部分组成。
运算器是计算机处理信息的主要部分;控制器控制计算机各部件自动地、协调一致地工作;存储器是存放数据与程序的部件;输入设备用来输入数据与程序;输出设备将计算机的处理结果用数字、图形等形式表示出来。
通常把运算器、控制器、存储器这三部分称为计算机的主机,而输入、输出设备则称为计算机的外部设备(简称外设)。
由于运算器、控制器是计算机处理信息的关键部件,所以常将它们合称为中央处理单元CPU(Central Process Unit)。
2.微处理器、微型计算机、微型计算机系统有什么联系与区别?微处理器是利用微电子技术将计算机的核心部件(运算器和控制器)集中做在一块集成电路上的一个独立芯片。
它具有解释指令、执行指令和与外界交换数据的能力。
其内部包括三部分:运算器、控制器、内部寄存器阵列(工作寄存器组)。
微型计算机由CPU、存储器、输入/输出(I/O)接口电路构成,各部分芯片之间通过总线(Bus)连接。
以微型计算机为主体,配上外部输入/输出设备、电源、系统软件一起构成应用系统,称为微型计算机系统。
第3章 EMIF

3.3.5 异步控制器和接口
1. 异步存储器接口
a) EMIF与8位存储器的接口
b) EMIF与16位存储器的接口
c) EMIF与32位存储器的接口
第三章 外部存储器接口(EMIF)
3.1 概述
外部存储器接口的用途
为DSP芯片与众多外部设备之间提供一种连接方式,EMIF 最常见的用途就是同时连接FLASH和SDRAM。
EMIF性能优良,跟外部SDRAM和异步器件连接时,具有 很大的方便性和灵活性。根据DSP器件的不同,EMIF数据 总线可以是32位或16位的。
列地址位数为8. 9或10 行地址位数根据DSP器件不同可以变化:
– –对于有12位EMIF地址引脚的DSP:11或12位行地址位
– –对于有13位EMIF地址引脚的DSP:11. 12或13位行地址位 内部存储区数为1. 2或4
EMIF与2Mx16x4 SDRAM的连接图
EMIF与2Mx32x4 SDRAM的连接图
3.2 EMIF寄存器
偏移量 04h 缩写 AWCCR 说明 异步等待周期配置寄存器
08h
0Ch 10h 20h 3Ch 40h 48h
SDCR
SDRCR A1CR SDTIMR SDSRETR EIRR EIMSR
SDRAM配置寄存器
SDRAM刷新控制寄存器 异步1配置寄存器 SDRAM时序寄存器 SDRAM自刷新退出时序寄存器 EMIF中断寄存器44h EIMREMIF中断屏蔽寄存器 EMIF中断屏蔽设置寄存器
NAND flash和NOR flash的对比
《半导体存储器》课件

以上是半导体存储器的相关介绍
半导体存储器是计算机科学中至关重要的一部分,对于数据存储和访问具有重要意义。谢谢您的观看!
原理
DRAM存储器使用电容器存储每个位的电荷来表示数据,电荷需要定期刷新以保持数据的有 效性。
优缺点
DRAM存储器的优点是高容量和较低成本,但缺点是速度较慢且需定期刷新。
应用
DRAM存储器广泛应用于个人电脑、服务器和移动设备等场景,提供了大容量的内存存储。
SRAM存储器
原理
SRAM存储器使用触发器电路作 为存储单元,通过电流控制来保 持数据的稳定性。
1
原理
MOS存储器使用金属氧化物半导体场效应管作为存储单元,通过充电和放电来表 示数据的0和1。
2
分类
MOS存储器包括EPROM、EEPROM和闪存等不同类型,每种类型都有不同的读写 特性。
3
应用
MOS存储器被广泛应用于微处理器、存储卡和嵌入式系统等领域中,提供了非易 失性和高集成度。
DRAM存储器
存储器的作用
存储器用于储存和访问数据, 包括指令和数据,以供计算 机进行处理和操作。
TTL存储器
原理
TTL存储器使用晶体管和逻辑门 电路来储存和读取数据。
优缺点
TTL存储器的优点是速度快且稳 定可靠,但缺点是功耗较高。
应用
TTL存储器常用于高速缓存和存 储器芯片中,提供快速的数据 读写能力。
MOS存储器
优缺点
SRAM存储器的优点是速度快且 无需刷新,但缺点是占用空间较 大。
应用
SRAM存储器常用于高速缓存、 寄存器和高性能处理器等场景, 提供了快速的数据存取能力。
FLASH存储器
1
原理
王道计组第三章存储系统思维导图脑图

基于闪存技术Flash Memory,属于电可擦除ROM,即EEPROM
原理
每个块包含多个页(page)
负责翻译逻辑块号,找到对应页(Page)
闪存翻译层
每个芯片包含多个块(block)
存储介质:多个闪存芯片(Flash Chip)
组成
相当于磁盘的“扇区”
以页(page)为单位读/写
以块(block)为单位“擦除”,擦干净的块,其中的每页都可以写一次,读无限次
记录介质可以重复使用 记录信息可以长期保存而不丢失,甚至可以脱机存档
优点
非破坏性读出,读出时不需要再生
存取速度慢
机械结构复杂
缺点
对工作环境要求较高
一块硬盘含有若干个记录面,每个记录面划分为若干条磁道,而每条磁道又划分为 若干个扇区,扇区(也称块)是磁盘读写的最小单位,也就是说磁盘按块存取。
即记录面数,表示硬盘总共有多少个磁头,磁头用于读取/写入盘片上记录面的信 息,一个记录面对应一个磁头。
半导体元件的原理
主存储器的基本组成
译码驱动电路
译码器将地址信号转化为字选通线的高低电平
存储矩阵(存储体)
由多个存储单元构成,每个存储单元又由多个存储元构成
存储芯片的基本原理
读写电路
每次读/写一个存储字
由多个存储单元构成,每个存储单元又由多个存储元构成
地址线,数据线,片选线,读写控制线;每根线都会对应一个金属引脚
存储器的层次结构
主存——辅存:实现了虚拟存储系统,解决了主存容量不够的问题 Cache——主存:解决了主存与CPU速度不匹配的问题
按层次
高速缓存(Cache) 主存储器(主存,内存)
可直接被CPU读写
辅助存储器(辅存,外存)
计算机原理第三章存储器

解:(1)需要26根地址线。
(2)有24根地址线
(3)共用8片。
(4)连线图如下图所示。
〔例6〕半导体存储器容量为7K×8位,其中固化区为4k×8 位,可选用 EPROM芯片:2K×8/片。随机读/写区为3K×8, 可选SRAM芯片:2K×4/片和1K×4/片。地址总线为A15~A0,
为“0”。
★ 注意:读出 “1” 信息后,电容Cs上无电荷,不能再 维持“1”,这种现象称为“破坏性读出”,须进行“恢复”操 作。
(3) 保持,字选线为“0”,T截止,电容Cs无放电 回路,其电荷可暂存数毫秒,即维持“1”数毫秒;无电荷 则保持“0”状态。
★ 注意:保持“1”信息时,电容Cs也要漏电,导致Cs上 无电荷,须定时“刷新”。
写1:数据线I/O=1、 I / O =0,使位线D=1、 D =0;
推出T1截止,T2导通使Q=1、 Q =0,写入“1”。
(2)读出
行选线xi,列选线yj加高电平,使T5 、T6导通和V1 、V2导通。
如果原存信息Q=0,则T1导通,从位线D将通过T5、T1到地 形成放电回路,有电流经D流入T1,使I/O线上有电流流过,经放 大为“0”信号,表明原存信息为“0”。而此时因T2截止,所以D 上无电流。
〔例〕32位地址线的计算机: 232=220×210×22=4千兆=4G 但现在实际配的主存假设为512兆,
即 512兆=220×29
所以,32 位地址线寻址的是逻辑地址, 29位地址线寻址的是物理地址。
3.1.3 存储器的分类
一、根据存储介质来分
1. 半导体存储器:
静态存储器 动态存储器
2. 磁表面存储器:磁盘、磁带等。(磁性材料)
计算机组成原理第3章

*控制存储器(CM):CPU内部存放微程序的MEM 构成—MOS型半导体、ROM
*
二、存储器的主要性能指标
容量(S):能存储的二进制信息总量,常以字节(B)为单位
01
速度(B):常用带宽、存取时间或存取周期表示 存取时间(TA)—指MEM从收到命令到结果输出所需时间; 存取周期(TM)—指连续访存的最小间隔时间,TM=TA+T恢复
&
&
11
*
练习1—某SRAM芯片容量为4K位,数据引脚(双向)为8根,地址引脚为多少根?若数据引脚改为32根,地址引脚为多少根?
*芯片相关参数: 存储阵列容量—
(2)SAM芯片参数与结构
数据引脚数量— 地址引脚数量—
*
*SRAM芯片结构组织: --以Intel 2114 SRAM芯片为例 参数—容量=1K×4位,数据引脚=4根(双向),地址引脚=10根
…
…
…
存储元
存储元
…
…
…
存储元
存储元
64行×64列
……
存储元
存储元
存储元
存储元
……
13
*
3、SRAM芯片的读写时序
*读周期时序: (存储器对外部信号的时序要求)
tA
tRC
地址
CS
I/O1~4
WE
tOTD
tCO
tCX
数据出
SRAM—CS有效时开始读操作、CS无效时结束读操作
13
*
*写周期时序:
*片选与控制电路: 片选—MEM常由多个芯片组成,读/写操作常针对某个芯片
计算机组成原理-第3章_存储系统

存储周期 RW 刷新1 RW 刷新2 …
500ns 500ns
刷新间隔2ms
用在低速系统中
各刷新周期分散安排 在存取周期中。
… RW 128 RW
例如上图所示的DRAM有128行,如果刷新周期为 2ms,则每一行必须每隔2ms÷128=62.5us进行一次。
5、存储器控制电路
DRAM刷新需要硬件电路支持,它们集成在一个芯片 上,形成DRAM控制器,是CPU和DRAM间的接口电路。
写周期:实现写操作,要求CS和WE同时有效,有效期间地址 和数据信号不能变化;为了保证CS和WE变为无效前能把数据 可靠的写入,数据必须提前一段时间在数据总线上稳定存在; 而在WE变为高电平后再经过一段时间地址信号才允许改变。
*** DRAM存储器
1、DRAM存储元的记忆原理
SRAM存储器的存储元是一个 触发器,它具有两个稳定的状态。
外存储器:简称“外存”,大容量辅助存储器;磁表面存储
器或光盘存储器;存放需联机保存但暂时不需要的程序和数 据。容量从几十MB到几百GB,甚至更大。存取速度为若干
ms。
其他功能的存储器:如微程序控制器的控存、在显示和印刷 输出设备中的字库和数据缓冲存储器。
*** 主存储器的技术指标
主要性能指标:存储容量、存取时间、存储周期和存储器带宽。
地址信息到达时,使T5、T6、T7、T8导通,存储 元的信息被送到I/O与I/O线上, I/O与I/O线接上一个 差动读出放大器,从其电流方向,可以得出所存信息 是“1”或“0”。也可I/O或I/O一端接到外部,看其 有无电流通过,得出所存信息。
扩充:存储芯片规格的表示
在很多内存产品介绍文档中,都会用M×W的方式来表示芯 片的容量。
计算机组成原理第三章(3.1,3.2,3.3,姜,15-春,版5)

图3.4(a) SRAM读周期时序图
35
• 各参数意义:
tRC :对存储芯片进行连续两次读操作时所必须间隔 的(最小)时间;
tAQ :从给出有效地址,至外部数据总线上稳定地出 现所读出的数据信息所经历的时间。
tEQ:地址信号有效后,从片选有效,至数据稳定地 出现外部总线上所经历的时间。
• 构成存储器的存储介质:目前主要采用半导体器 件和磁性材料。
• 存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体 电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元, 它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成 一个存储单元,再由诸多个存储单元组成一个存 储器。
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• 存储器的分类:
按存储介质分:
• 半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。
• 高速缓冲存储器 (Cache):高速小容量半导体存储器,是为解决CPU和主存之间 速度不匹配而设置的。用于存放最活跃的程序块和数据。
• 主存和Cache一起构成计算机的内存储器(内存),是CPU能直接访问的存储器。
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总结: ① 通过计算机的多级存储管理,发挥各级存储器
的效能; ② Cache主要强调高速存取速度,以便使存储系
1. CPU对存储器的读/写操作过程:
• 通过地址总线给出地址信号; • 通过控制总线发出读操作或写操作的控制信号; • 在数据总线上进行信息交流。
因此,存储器与CPU连接时,要完成三种 总线的连接:地址线、数据线和控制线;同时, 还须使各种信号的时序与存储器的(固有)读 写周期相配合。
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2. 主存储器的构成
字节存储单元即存放一个字节的存储单元,相应的地 址称为字节地址。一个机器字可以包含数个字节。
若计算机中可编址的最小单位是字存储单元,则称该 计算机为按字寻址的计算机。
第3章 半导体存储器

② 外存储器是不直接和CPU相联系的存储器,也可归 类为外部设备。 特点:存储容量大,但存储速度慢。其存储容量从几百兆
比特到几十吉比特,寻址时间为若干毫秒。外存储器由软
磁盘、硬磁盘及光盘等组成,不属本章的讨论内容。 ③缓冲存储器位于主存与CPU之间。 特点:其存取速度非常快,但存储容量更小,可用来解决 存取速度与存储容量之间的矛盾,提高整个系统的运行速 度;
(2) 最大存取时间
内存储器从接收、寻找存储单元的地址码开始,到
它取出或存入数码为止所需的时间叫做存取时间。通常 手册上给出该常数的上限值,称为最大存取时间。最大 存取时间愈短,存储器的工作速度就愈高。因此,它是 存储器的一个重要参数。半导体存储器的最大存储时间
为几纳秒至几十纳秒。
(3)功耗
半导体存储器的功耗包括“维持功耗”和“操作功耗”, 应在保证速度的前提下尽可能地减少功耗,特别要减少“维 持功耗”。 (4)可靠性
第3章 3.1
半导体存储器 概述(P234)
3.1.1 存储器的分类
1.常见分类 ① 按存储介质分类——磁芯存储器、半导体存储器、光电存储 器、磁膜、磁泡和其它磁表面存储器以及光盘存储器等。 ② 按存取方式分类——随机存储器(内存和硬盘)、顺序存储器 (磁带)。 ③ 按存储器的读写功能分类——只读存储器(ROM)、随机存 储器(RAM)。 ④ 按信息的可保存性分类——非永久记忆的存储器、永久性记 忆的存储器。 ⑤ 按存储器在计算机系统中的作用分类——主存储器、辅助存 储器、缓冲存储器、控制存储器等。
所以 :一片 6116的存储容量为2K×8位,即 2KB。 常用的静态RAM芯片还有6264、62256、628128、 628512、6281000等。它们的存储容量分别为8K×8、 32K×8、128K×8、512K×8、1M×8。
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第3章半导体存储器及其接口学习目标存储器是计算机系统中存储信息的主要部件。
本章从存储器的分类、性能以及存储器基本结构着手,重点讨论随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)的工作原理,介绍存储器的容量扩展以及与微处理器的连接方法,最后介绍微型计算机系统中的多体存储器、高速缓冲存储器(Cache)和虚拟存储器技术。
通过对本章的学习,读者应了解半导体存储器的分类、主要性能指标,掌握随机存取存储器和只读存储器的功能特性,掌握存储器容量扩展以及与微处理器的连接方法,领会存储器系统的层次结构以及多体存储器、高速缓冲存储器和虚拟存储器的技术特点。
3.1 存储器概述存储器是计算机系统中的存储部件,用于存储计算机工作时所用的程序和数据。
计算机工作时,CPU自动连续地从存储器中取出指令并执行指令所规定的操作,每执行完一条或几条指令,要把处理结果保存到存储器中,因此,存储器是计算机的记忆部件,是计算机系统的重要组成部分。
随着计算机技术的发展及广泛的应用,存储器系统的读写速度也在不断地提高,存储容量不断增加。
特别是近些年多媒体技术的发展以及计算机网络的应用,要求计算机存储和处理的信息量越来越大,并对存储器的存取速度不断提出更高的要求,因而在存储器系统中应用了存储器层次结构、多体结构、高速缓冲存储器、虚拟存储器等技术,外存储器容量也可以无限地扩充,成为海量存储器。
3.1.1 存储器的分类存储器的分类方法很多,通常从以下几方面对存储器进行分类。
1.按在系统中的作用分类根据存储器在微型计算机系统中的不同作用,可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)。
(1)内存。
内存用来存放当前正在运行或将要使用的程序和数据,是计算机主机的一个重要的组成部分。
CPU可以通过指令直接访问内存。
系统对内存的存取速度要求较高,为了与CPU的处理速度相匹配,内存一般使用快速存储器件来构成。
但是,由于受到地址总线位数的限制,内存空间的大小远远小于外存的容量,例如在8086/8088系统中,由于地址总线为20位,所以最大内存空间只能达到1MB(220)。
尽管内存容量远不及外存,但是由于它具有访问速度快的特点,使得内存被用来存放计▌▎微型计算机及其接口技术▎▌算机工作时必须的系统软件、参数,以及当前要运行的应用软件和数据;而更多的系统软件和所有的应用软件则是存放于外存中,在需要时由外存调入内存。
(2)外存。
外存也是用来存储程序和数据的,但它存储的信息却是CPU当前操作暂时不用的。
外存位于主机外部,CPU不能直接对其进行读写操作,当CPU需要使用外存中的信息时,要先通过专门的设备将其从外存调入到内存,然后再对内存中调入的数据进行直接的读写操作。
系统对外存的速度要求相对于内存而言可以慢一些,但对外存的容量却要求很大。
由于外存具有长久保存信息的特点,所以外存多被用来保存和备份数据。
软盘、硬盘、光盘和移动硬盘等都是微型计算机系统中常见的外存。
因为外存需要配置专门的驱动部件才能完成访问功能,所以外存的速度远不及内存的读写速度。
外存的容量不受限制,特别是近年来,又出现了大容量的可移动式存储器,如移动硬盘、优盘(闪存盘)等,所以外存被称为“海量存储器”。
尽管计算机存储器系统包括内存和外存,但内存是主机的一部分,而外存则属于I/O外设。
现代微型计算机的内存大多采用半导体存储器,一般具有断电则信息丢失的特点,而外存作为内存的后备存储器,存储的数据可以方便地修改和永久地保存,不受断电与否的影响。
另外,在高档微型计算机中,为了加快信息传递速度和提高计算机的处理速度,广泛应用高速缓冲存储器(Cache)。
Cache是微型计算机系统中的一个高速小容量的存储器,位于CPU和内存之间,常利用它暂存CPU正在使用的指令和数据。
内存一般采用动态存储器,而Cache则主要由高速静态RAM组成。
2.按存储信息的可保存性分类根据存储器中信息的可保存性,可将存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。
(1)易失性存储器。
易失性存储器是指断电后信息消失的存储器,如半导体存储器RAM,由于它具有读写速度快的特点,所以多被用于计算机内存。
易失性存储器中的程序及数据可以在开机启动后由非易性存储器调入,在断电前,要及时保存到非易失性存储器中。
(2)非易失性存储器。
非易失性存储器是指断电后仍然保持信息的存储器,如半导体存储器ROM、磁盘、光盘、优盘等。
微型计算机系统软件中有一部分软件如引导程序、监控程序或者基本输入/输出服务程序BIOS,是计算机系统正常工作所必须的、无时无刻不用的,而且不能被随意修改的,所以它们必须常驻内存,于是应用了半导体存储器ROM。
希望长久保存的信息可存于磁盘、光盘、移动硬盘、优盘等海量存储器中。
在微型计算机系统中,要求系统至少有一部分存储器必须是非易失性的。
3.按存储介质分类存储二进制信息的物理载体称为存储介质,根据所使用存储介质的不同,存储器可分为半导体存储器、磁存储器、光存储器。
半导体存储器多用于微型计算机内存,而磁存储器和光存储器则用于外存。
(1)半导体存储器。
用半导体器件做成的存储器称为半导体存储器。
按制造工艺可把半导体存储器分为双极型、CMOS型、NMOS型等。
(2)磁存储器。
用磁性材料做成的存储器称为磁表面存储器。
磁存储器主要有磁芯、磁泡、磁鼓、磁带和磁盘等。
目前微型计算机系统中多用的是磁带和磁盘。
(3)光存储器。
用光学材料做成的存储器称为光存储器。
光存储器主要有只读式光盘- 70 -▌▎第3章半导体存储器及其接口▎▌和可擦写光盘。
4.按存储器的存取方式分类微型计算机内存根据读写功能的不同,分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM);微型计算机外存根据存取时间与存储单元的物理位置是否有关,可分为顺序存取存储器(SAM)和直接存取存储器(DAM)。
(1)只读存储器ROM。
ROM中所存储的内容是固定不变的,即只能读出,却不能随机写入新的内容。
ROM中的信息在关机后不会丢失。
—般用它来存放微型计算机的启动程序、监控程序和系统管理程序等。
(2)随机存取存储器RAM。
随机存取存储器又称可读写存储器,它的任意一个存储单元都可以被随机读写,且存取时间与存储单元的物理位置无关,读写速度较快。
半导体RAM 断电后信息全部丢失。
RAM主要用作内存,存放微型计算机工作时的输入/输出数据及中间结果,并与外存交换信息。
(3)顺序存取存储器SAM。
SAM对存储单元的访问是根据它们在存储器上物理位置的前后顺序来进行的,读写不同物理位置的存储单元,存取时间是不同的,一般来说,SAM存取周期较长。
例如磁带就是一种典型的顺序存储器。
(4)直接存取存储器DAM。
DAM在存取数据时不必经过顺序搜索便可直接对存储器中的任意单元进行访问,存取时间与存储单元物理位置无关。
例如,磁盘和光盘都是典型的直接存取存储器。
3.1.2 存储器的主要性能指标存储器是计算机系统中的重要部件,它的性能直接影响整机的性能。
微型计算机系统存储器的性能指标很多,如存储容量、存取速度、存储器可靠性、功耗、价格、性能价格比等,但就功能和接口技术而言,最重要的性能指标是存储容量和存取速度。
1.存储容量存储容量是指存储器可以容纳的二进制信息总量。
容量越大,意味着所能存储的二进制位(bit)越多。
微型计算机系统的内存容量指系统中所有内存芯片位容量的总和,每片存储器的位容量为总单元数与每单元位数的乘积。
存储容量通常以字节(Byte,简写为B)为单位来表示,目前使用的存储容量达MB、GB、TB或更大。
它们之间的换算关系为1B=8bit;1KB=1024B;1MB=1024KB;1GB=1024MB;1TB=1024GB存储容量越大,计算机系统的功能就越强,所以人们总是希望尽量提高存储容量。
但是存储容量的提高受到CPU的寻址范围、所选用的存储芯片的速度、成本等诸多因素的限制,故不能设计得很大。
2.存取速度存储器的存取速度可以用存取时间和存储周期来衡量。
存取速度的度量单位采用ns,存取时间越小,则存取速度越快。
(1)存取时间。
存储器的存取时间是指从CPU发出有效的存储器地址从而启动一次存储器读/写操作,到读出或写入数据完毕所经历的时间,又称读写时间。
目前,高速缓冲存储器(Cache)的存取时间已小于20ns,中速存储器在60~100ns之间,低速存储器的存取时间在100ns以上。
- 71 -▌▎微型计算机及其接口技术 ▎▌- 72 -(2)存储周期。
存取周期是指连续启动两次独立的存储器读/写操作所需的最小时间间隔。
由于在每次存储器读/写操作后,都需有一段存储器内部线路的恢复时间,所以存储器的存储周期通常略大于存取时间。
一般来说,外存的容量较大,但速度较慢;相对而言,内存的速度较快,但容量却小。
人们所关心的存储器价格指标就与存储器的存取速度、存储容量直接相关:存储器的总价格正比于存储容量,反比于存取速度,所以,存储器的容量、速度、价格这三个指标是相互制约的。
因此,对存储器系统的组织,要在综合衡量存储器的各项性能指标的前提下,兼顾存储器的制造工艺、体积、重量、功耗、品质等诸多因素,尽量提高存储器的性能价格比,满足系统的要求。
3.1.3 主存储器的基本结构主存储器由存储体、地址寄存器、地址译码器、读写驱动器、数据寄存器以及时序控制电路等部件组成。
如图3-1所示。
图3-1 主存储器基本组成存储体是具体存储信息的场所,是存储单元的集合。
假设存储器有m 位数据总线、n 位地址总线和若干控制总线。
地址总线给出所需访问的存储单元地址,最多可访问2n 个存储单元;数据总线用于在CPU 与存储单元之间传送数据,一次可传送m 位二进制数据;控制信号则用来控制存储器的读/写等操作。
当CPU 要访问内存时,首先通过地址总线把地址码送入地址寄存器中锁存,再传送给地址译码器,经译码后使对应于该地址的某一根选择线有效,从而选中相应的存储单元;接着CPU 发出读/写命令,于是时序控制电路产生对存储单元的读/写操作控制信号。
在进行存储器读操作时,控制电路中的读信号线有效,于是把所选中的存储单元的信息读出并送入读/写驱动器放大,然后送至数据寄存器,再经数据总线送给CPU 。
在进行存储器写操作时,CPU 不仅要把地址码送入地址寄存器,还要把待写入的数据传送给数据寄存器,并使控制电路中的写信号线有效,于是数据寄存器中的数据被存入选中的存储单元。
对内存写操作时,存储单元中原有的内容将被新写入的数据取代;读操作时,存储单元中的内容不受影响。
所以,对内存的写是“破坏性”的写,对内存的读是“非破坏性”的读。
3.1.4 半导体存储器半导体存储器具有工艺简单、集成度高、成品率高、可靠性高、存取速度快、体积小、▌▎第3章 半导体存储器及其接口 ▎▌- 73 -功耗低等特点;其存储电路所占的空间小,可以和译码电路以及缓冲寄存器制作在同一芯片中;对它的读是一种非破坏性的读。