元器件成形工艺设计规范(A0)

元器件成形工艺设计规范

Rev.: A0

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6. 规范内容

6.1 引线折弯

按照元器件的引线截面图形划分，通常有圆形（直径D）和矩形（厚度T）两种引线。阻容组件一般为圆柱形引线，而半导体元器件一般为四棱柱形引线。

6.1.1 变向折弯

下ET-1a图描述了变向折弯的引线的特征参数。折弯内径R，折弯角度ω。

ET-1a

6.1.2 无变向折弯

6.1.2.1 打Z折弯

图ET-1b描述了无变向折弯的引线的特征参数。折弯内径R，折弯角度ω，偏心距V。在本规范中叫做打Z成形。有2个折弯内径R及折弯角度ω。

ET-1b

6.1.2.2 打K折弯

在图ET-1c中，描述了一种特殊的折弯方式，即偏心距V＝0。通常是为了保障引线插装到装配孔后，元器件可以抬高以消除应力，或起支撑作用，或满足散热要求的一种折弯方式。这种折弯方式就是我们常说的“打K”或“Ω折弯”。K值的大小一般与引线的直径D和厚度T 有关，同时还与折弯的模具有关，在表EE-1中给出了常见的K值。

ET-1c

注意：引线打K时，通常要求凸起部分一般不能超出元器件的丝印最大外框（Placement 层），同时要保障引线间距满足电气间隙的要求，对于实在无法满足的在试验验证没有问题后才可以超出元器件的丝印外框。

6.2 引线折弯的参数

6.2.1 封装保护距离d

“安装在镀通孔中的组件，从器件的本体、球状连接部分或引线焊接部分到器件引线折弯处的距离，至少d>1mm（可依器件各项要求适当调整）。通常出于保护元器件的内部结构与方便机械加工。

需要注意的是，元器件“本体、球状连接部分或引线焊接部分”一定要参考元器件供应商提供的几何尺寸的最大外形，包括涂层在内。

同时，封装保护距离范围内的引线其延伸方向禁止被改变。

下图ET-2a～c展示了3种典型元器件的封装保护距离的具体测量方式。

图ET-2a

图ET-2b

图ET-2c

下表EE-1列出了普通轴向和径向元器件，功率半导体元器件的封装保护距离的最小值。表EE-1：

引线的直径D 或者厚度T

封装保护距离最小值d

电阻

玻璃二极管，塑

封二极管，陶瓷

封装电阻、电

容, 金属膜电

容

电解电

容

功率半导体器件

封装类型

TO-220

及以下

TO-247

及以上

D（T）≤0.8mm 1.0mm 1.5mm 2.0mm 3.0mm 3.0mm

0.8mm＜D（T）＜

1.2mm

2.0mm 2.0mm

3.0mm / /

1.2mm≤D（T）3mm 3mm / / /

6.2.2 折弯内径R

根据引线直径D（圆柱形引线）和厚度T（四棱柱形引线）的不同，元器件引线内侧的折弯半径R的值参考下表EE-2。

表EE-2：

引线的直径D或者厚度T 引线内侧的折弯半径R（优选值）

D（T）＜0.8mm 不小于D或者T（优选值1.0mm）

0.8mm≤D（T）＜1.2mm 不小于1.5×直径D或者厚度T（优选值1.5mm，

2.0mm）

1.2mm≤D（T）不小于

2.0×直径D或者厚度T（优选值2.5mm，

3.0mm）

由于是内径，那么元器件引线的相对外径就是R＋D（T）。

6.2.3 折弯角度ω

折弯角度是本次引线折弯后折弯部分的引线与原来未折弯部分引线的夹角，通常该角度大于等于90°小于180°。折弯角度ω的优选值参考下表EE-3。

表EE-3：

折弯类型折弯角度ω（公差＋3°）优选值

变向折弯90°

非变向折弯120°，135°，150°

6.2.4 偏心距V

对于存在特殊装配关系或者电气绝缘的元器件，例如某些功率元器件装配了散热器，通常使用非变向折弯引线以消除应力，根据引线的直径D或者厚度T的不同，偏心距的选择也有不同的要求。

表EE-4：

引线的直径D或者厚度T 偏心距V优选值

D（T）＜0.8mm 不小于D或者T（优选值1.0，2.0，3.0mm）

0.8mm≤D（T）＜1.2mm 2.0mm，3.0mm

1.2mm≤D（T） 3.0mm，4.0mm

6.2.5 K值

需要明确的是，K是一个高度值，它不仅跟引线直径D或厚度T有关，还受到折弯内径R 和模具的影响，这里提供的是一个经验数据。手工打K和自动化打K的尺寸有较大的差异，设计时应该考虑其差异。

表EE-5：

引线的直径D或者厚度T K值（MAX）优选值

D（T）＜0.8mm 3mm

0.8mm≤D（T）＜1.2mm 3mm

1.2mm≤D（T） 4.0mm

其它折弯还包括环形折弯、驼峰折弯等，由于其折弯方式复杂，本规范不推荐选择。6.2.6 关于元器件引线材质及反复折弯

原则上只有纯铜（99.99%铜）及铜合金材质的引线允许折弯，对于其它材质的引线需要通过试验验证满足相关要求后才明确是否可以折弯。

由于元器件引线材质及几何外形的差异，元器件引线一般不应该反复折弯。

对于小批量验证或者制成板返修的项目，个别元器件可以以反复折弯。对于电阻，二极管等圆柱形引线最多反复折弯次数不超过3次，对于四棱柱形引线的功率半导体器件等最多反复折弯次数不能超过2次。

对于四棱柱形引线，其折弯面必须是其四个围成四棱柱中较大的两个面。绝对禁止折弯面是较小的两个面。

ET-2d 折弯面的选择