材料常用制备方法
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材料常用制备方法
材料常用制备方法
一.晶体生长技术
1.熔体生长法【melt growth method】(将欲生长晶体的原料熔化,然后让熔体达到一定的过冷而形成单晶)
1.1 提拉法
特点:a. 可以在短时间内生长大而无错位晶体
b.生长速度快,单晶质量好
c.适合于大尺寸完美晶体的批量生产
1.2 坩埚下降法
特点:装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场,开始时整个物料熔
融,当坩埚下降通过熔点时,熔体结
晶,随坩埚的移动,固液界面不断沿
坩埚平移,至熔体全部结晶。
1.3 区熔法
特点:a.狭窄的加热体在多晶原料棒上移动,在加热体所处区域,原料变成熔
体,该熔体在加热器移开后因温度下
降而形成单晶
c.外延层的表面形貌一般不如气相外延的好。
2. 溶液生长法【solution growth method】(使溶液达到过饱和的状态而结晶)
2.1 水溶液法
原理:通过控制合适的降温速度,使溶液处于亚稳态并维持适宜的过饱和度,从而结晶
2.2 水热法【Hydrothermal Method】
特点:a. 在高压釜中,通过对反应体系加
热加压(或自生蒸汽压),创造一个
相对高温高压的反应环境,使通常难
溶或不溶的物质溶解而达到过饱和、
进而析出晶体
b. 利用水热法在较低的温度下实现
单晶的生长,从而避免了晶体相变引
起的物理缺陷
2.3 高温溶液生长法(熔盐法)
特点:a.使用液态金属或熔融无机化合物作为溶剂
b.常用溶剂:
液态金属
液态Ga(溶解As)
Pb、Sn或Zn(溶解S、Ge、GaAs)
KF(溶解BaTiO3)
Na2B4O7(溶解Fe2O3)
c.典型温度在1000 C左右
d.利用这些无机溶剂有效地降低溶
质的熔点,能生长其他方法不易制备
的高熔点化合物,如钛酸钡BaTiO3二.气相沉积法
1. 物理气相沉积法(PVD)【Physical Vapor Deposition】
1.1 真空蒸镀【Evaporation Deposition】
特点:a.真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面;
b.常用镀膜技术之一;
c.用于电容器、光学薄膜、塑料等的镀膜;
d.具有较高的沉积速率,可镀制单质和不易热分解的化合物膜
分类:电阻加热法、电子轰击法
1.2 阴极溅射法(溅镀)【Sputtering Deposition】
原理:利用高能粒子轰击固体表面(靶材),
使得靶材表面的原子或原子团获得能量并逸出表面,然后在基片(工件)的表面沉积形成与靶材成分相同的薄膜。
分类:二极直流溅射【Bipolar Sputtering】高频溅镀【RF Sputtering】
磁控溅镀【magnetron sputtering】1.3 离子镀【ion plating】
特点:a.附着力好(溅镀的特点)
b.高沉积速率(蒸镀的特点)
c.绕射性
d.良好的耐磨性、耐磨擦性、耐腐蚀性
2. 化学气相沉积法(CVD)【Chemical Vapor Deposition】
按反应能源:
2.1 Thermal CVD
特点:a.利用热能引发化学反应
b.反应温度通常高达800~2000℃
c.加热方式
电阻加热器
高频感应
热辐射
热板加热器
2.2 Plasma-Enhanced CVD (PECVD)
优点:a.工件的温度较低,可消除应力;
b.同时其反应速率较高。
缺点:a.无法沉积高纯度的材料;
b.反应产生的气体不易脱附;
c.等离子体和生长的镀膜相互作用可能会影响生长速率。
2.3 Photo CVD
特点:a.利用光能使分子中的化学键断裂而发生化学反应,沉积出特定薄膜。
b.缺点是沉积速率慢,因而其应用受到限制
按气体压力:
2.1 常压化学气相沉积法(APCVD)【Atmospheric Pressure CVD】
特点:a.常压下进行沉积
b.扩散控制
c.沉淀速度快
d.易产生微粒
e.设备简单
2.2 低压化学气相沉积法(LPCVD)【Low
Pressure CVD】
特点:a.沉积压力低于100torr
b.表面反应控制
c.可以沉积出均匀的、步覆盖能力较佳的、质量较好的薄膜
d.沉淀速度较慢
e.需低压设备
三.溶胶-凝胶法【Sol-Gel Process】(通过凝胶前驱体的水解缩合制备金属氧化物材料的湿化学方法)
优点:a.易获得分子水平的均匀性;
b.容易实现分子水平上的均匀掺杂;
c.制备温度较低;
d.选择合适的条件可以制备各种新型材料。
缺点:a.原料价格比较昂贵;
b.通常整个溶胶-凝胶过程所需时间较长,常需要几天或儿几周。
c.凝胶中存在大量微孔,在干燥过程
中又将会逸出许多气体及有机物,并
产生收缩
四.液相沉淀法【liquid-phase precipitation】