电子技术学习指导与习题解答
模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第五章 思考题与习题解答
第五章 思考题与习题解答5-1 什么是功率放大电路?对功率放大电路有哪些特殊要求?解 以输出功率为主的放大电路称功率放大电路。
对功率放大电路有四点要求：①输出功率要足够大，输出电阻越小越好。
所谓足够大的功率是指能带动负载作功的功率。
输出电阻越小，带负载能力越强。
②效率高。
也就是说，在电源电压一定的情况下，输出功率要大，而管耗要小。
③非线性失真小。
④有过载保护措施。
这是一种防止过载时由于大电流导致烧管的安全措施。
一般是设计保护电路。
5-2 什么是交越失真?它是怎么产生的?用什么方法消除它?解 交越失真是指在正弦波形的正、负半周交界处出现台阶现象的失真情况。
其原因是晶体管存在死区电压，它的特性为非线性特性，因此交越失真属于非线性失真。
克服的办法是加小偏置，使在无信号输入时，小偏置电压等于晶体管的死区电压(或开启电压)，一旦有信号加入，晶体管立刻进入线性工作区，这样就不会出现交越失真了。
5-3 功率放大电路按工作状态不同可分为哪三种?它们各有什么优缺点?解 功率放大电路按工作状态不同可分为甲类、乙类、甲乙类三种。
甲类的最大优点是在信号周期内不失真。
缺点是效率低，在不加信号时也消耗能量，而且静态管耗最大，严重抑制了效率的提高。
乙类的优点是效率高。
静态时管耗为零。
缺点是有削半波失真，只能输出半个周期。
甲乙类是介乎于甲类和乙类两种工作状态之间的一种，其效率比较高，失真情况介乎于以上二者之间，是一种经常采用的工作状态。
※※5-4 甲乙二人在讨论功率放大电路的供电问题时，甲认为从能量守恒的概念出发，当输出功率大时，电源给出的电流理应增加；乙则认为只要输出幅度不失真，电流应在静态值附近上下波动，不管输出幅度大小，其平均值应不变。
你同意哪一种观点?解 对于甲类功放，乙说得对。
因为此时V CQ1cm I I I ==。
而对于乙类功放，甲说得对。
因为此时V cm 2πI I =。
两种功放均符合能量守恒。
※※5-5 甲乙二人在讨论功率放大管的发热问题时，甲认为当输出功率最大时管子最热，因为电流消耗大；乙则认为此时最冷，因损耗在管子中的功率已经都转换成输出功率。
模拟电子技术学习指导与习题解答分析
把电路分成两个部分，一部分是由二极管组成的非线性电路，另一部分则是由电源、 电阻等线性元件组成的线性部分。分别画出非线性部分（二极管）的伏安特性曲线和线性部
分的特性曲线，两条特性曲线的交点即为电路的工作电压和电流。
2）等效模型分析法
二极管的等效模型有四种：理想、恒压降、折线和微变等效模型。一般情况下，理想 模型和恒压降模型用得较多。
还兼作阴极），其中，阴极有发射电子的作用，阳极有接收电子的作用。二极管具有单向导 电的特性，可用作整流和检波。在二极管的基础上增加一个栅极就成了电子三极管，栅极
能控制电流，栅极上很小的电流变化，都会引起阳极很大的电流变化，所以，电子三极管 有放大作用。
5.晶体管和集成电路
1）晶体管
通俗地说，晶体管是半导体做的固体电子元件。像金、银、铜、铁等金属，它们导电 性能好，叫做导体。木材、玻璃、陶瓷、云母等不易导电，叫做绝缘体。导电性能介于导 体和绝缘体之间的物质，叫半导体。晶体管就是用半导体材料制成的，这类材料中最常见 的便是锗和硅两种。晶体管的出现是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。
图2.5 PN结的形成
当浓度差引起的多子的扩散运动和内电场引起的少子的漂移运动达到动态平衡时，就 形成了PN结。
2）PN结的单向导电性
PN结加正向偏置时，能形成较大的正向电流，PN结正向电阻很小；加反向偏置时,
反向饱和电流很小，PN结呈高阻这就是PN结的单向导电性。
3.半导体二极管
1）二极管的伏安特性
PN结外加正向电压一一正向偏置时， 由于是多子导电，因而外加电压的微小变化将使
电流有较大的变化。结果，扩散力大于电场力 一一由多子形成的扩散（正向）电流起主导地
位，而少子形成的漂移电流可忽略不计， 空间电荷区变窄，电阻变小。当外加负向电压 ——
模拟电子技术基础学习指导和习题解答(谢红主编)第二章
第二章思考题与习题解答2-1 判断正确(√)与错误(×)。
电路的静态是指：(1)输入交流信号的幅值不变时的电路状态。
( )(2)输入交流信号的频率不变时的电路状态。
( )(3)输入交流信号且幅值为零时的状态。
( )(4)输入端开路时的状态。
( )(5)输入直流信号时的状态。
( )目的澄清静态的概念。
解(1) ×。
因为这是动态概念。
(2) ×。
理由与(1)相同。
(3) √。
即当i 0U=时的状态，也就是正弦波过零点对应的状态就是静态。
(4) ×。
输入端开路时不能保证i 0U=的条件，可能有干扰信号从输入端窜入，因此不能保证静态。
(5) ×。
这仍然是动态概念。
2-2 试判断图题2-2(a)～(i)所示各电路对交流正弦电压信号能不能进行正常放大，并说明理由。
图题2-2目的 检查放大电路是否能正常放大。
分析 一个能正常工作的放大电路应该同时满足四个原则，缺一不可。
这就是：①e 结正偏，c 结反偏。
由直流电源CC V 与BB V 保证。
②信号能输入。
③信号能输出。
④波形基本不失真。
由合适的工作点保证。
检查一个电路，只要有一个原则不满足就不能正常放大。
解 图(a)不能正常放大。
因为BB V 的极性接反了，使e 结反偏。
图(b)不能放大。
原因是CC V 极性接反了，使c 结正偏。
图(c)不能放大。
因为b R =0，使信号i U 通过短路线以及CC V 对地交流短路，加不到晶体管上，从而o U =0。
图(d)不能放大。
因为e 结处于零偏置。
图(e)能正常工作。
因为四个原则均满足。
图(f)不能放大。
因为电容C 有隔直作用，使BB V 不能在b R 上产生偏置电流，即BQ I =0，工作点不合理。
图(g)不能放大。
因为BB V 将信号i U 对地直接短路，不能输入到晶体管上。
图(h)不能放大。
因为c R =0，信号不能输出。
图(i)能放大。
四个原则均满足。
其中二极管起温度补偿作用。
电子技术习题答案(附题目)
电子测量的意义
有助于了解电路的工作状态和性能， 发现故障和问题，提高电子产品的质 量和可靠性。
02
模拟电子技术
放大器
放大器的基本原理
放大器是一种能够将微弱的电信号进行放大的电 子器件。它通过改变输入信号的幅度，实现信号 的放大，以便满足各种应用需求。
放大器的性能指标
放大器的性能指标包括电压增益、电流增益、功 率增益、带宽、输入输出阻抗等。这些指标用于 描述放大器的性能，对于选择和使用合适的放大 器至关重要。
组合逻辑电路
总结词
组合逻辑电路由逻辑门电路组成，用于实现各种逻辑函数和运算。
详细描述
组合逻辑电路由与门、或门、非门等基本逻辑门电路组成，通过不同的组合方式可以实现 各种复杂的逻辑函数和运算。组合逻辑电路具有并行处理的优点，适用于大规模数据处理 和高速度计算。
总结词
组合逻辑电路的设计方法包括真值表、卡诺图和公式法等。
总线是计算机中用于连接各个部 件的线路。电子技术可以用于研 究和开发各种类型的总线，如数 据总线、地址总线等。总线可以 提高计算机各个部件之间的通信 效率和数据传输速度。
05
习题与答案
电子技术基础习题与答案
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总结词：基础概念
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详细描述：涵盖了电子技术的基本概念，如电流、电压、 电阻、电容、电感等，以及欧姆定律、基尔霍夫定律等基 本原理。
涵盖了模拟电子系统的设计方法，如系统分析、 电路设计、仿真测试等，以及设计实例的分析。
数字电子技术习题与答案
总结词
数字逻辑基础
详细描述
介绍了数字逻辑的基本概念，如逻 辑门、逻辑运算、触发器等，以及 数字逻辑的定理和规则。
模拟电子技术基础(学习指导及习题详解)
（4）图1-1（d）中，二极管VD1、VD2开路时，VD1端电压UD1=12V，VD2端电压UD2=-5V+12V=7V，UD1>UD2，故VD1优先导通，则A、B两端电压UAB=-0.7V，若以B点为参考点，A点电位UA=-0.7V，C点电位UC=-5V，VD2阳极电位低于阴极电位，将VD2钳制在截止状态。
UO1010UI21012UI12633
当-10V≤UI≤12V时，VD1 、VD2都截止，输出电压UO=UI；
当UI>12V时，VD1导通，VD2截止，输出电压
UO12UI12212UI41263。 电路的电压传输特性（UO~UI）如图1-4（b）所示。
5.电路如图1-5（a）所示，R=1kΩ，UREF=3V。（1）UI=0V、4V、6V时，求相应的输出电压值；（2）当ui=6sinωt(V)时，绘出相应的输出电压uo的波形。
UABUD12V0.7V12V12.7V
（2）在图1-1（a）中先假设二极管VD断开，求得二极管两端电压为
UD6
62
24V0.7V22
二极管工作在导通状态，导通后二极管两端电压UD=Uon=0.7V，A、B两端电压为
UAB
20.2
2.35V
212
（3）在图1-1（c）中，二极管VD1、VD2开路时，VD1端电压UD1=5V，VD2端电压
解：设二级管的Uon=0.5V，rD=200Ω。图1-5（a）的等效电路如图1-5（b）所示。
（1）当UI=0时，二极管反偏截止，相当于等效电路中开关断开，相应的输出电压UO=0； 当UI=4V时，二极管导通，相当于等效电路中开关闭合，相应的输出电压
电子技术课后习题详解
习题解答【1-1】填空:1．本征半导体是,其载流子是和。
两种载流子的浓度.2．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系.3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是和.5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和.6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件.9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。
11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．晶体管工作有三个区域，在放大区时,应保证和；在饱和区，应保证和;在截止区，，应保证和。
13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将.解:1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴,相等。
2.杂质浓度,温度。
3.少数载流子，(内)电场力。
4.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S.5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z）,工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z）6.增大；7.NPN,PNP，自由电子，空穴(多子,少子)。
8.结型,绝缘栅型，多数，单极型。
9.电压，电流。
10.变大,变大，变小。
11.各管脚对地电压；12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏,集电结反偏.13.左移，上移，增大。
【1—2】在图1-2的各电路图中，E =5V ，u i =10t ωsin V ，二极管D 视为理想二极管，试分别画出输出电压u o 的波形。
电子技术学习指导与习题解答：第3章 多级放大电路
第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路，已知12CC =U V ，20B1B1='=R R k Ω，10B2B2='=R R k Ω，2C2C1==R R k Ω，2E2E1==R R k Ω，2L =R k Ω，5021==ββ，6.0BE2BE1==U U V 。
（1）求前、后级放大电路的静态值。
（2）画出微变等效电路。
（3）求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路，各级电路的静态值可分别计算，动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻，即i2L1r R =。
解 （1）各级电路静态值的计算采用估算法。
第一级：412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U （V ）7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I （mA ）0.034507.11C1B1===βI I （mA ）2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U （V ） 第二级：412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U （V ）7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I （mA ）电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I （mA ） 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U （V ）（2）微变等效电路如图3.8所示。
R U +-图3.8 习题3.1解答用图（3）求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
三极管V 1的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为：93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r （k Ω） 第一级等效负载电阻为：63.093.0//2//i2C1L1==='r R R （k Ω） 第二级等效负载电阻为：12//2//L C2L2==='R R R （k Ω） 第一级电压放大倍数为：3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为：5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为：1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中，已知12CC =U V ，30B1=R k Ω，20B2=R k Ω，4E1C1==R R k Ω，130B3=R k Ω，3E2=R k Ω，5.1L =R k Ω，5021==ββ，8.0BE2BE1==U U V 。
电子技术基础与技能学习指导与同步练习(第3版)习题答案
同步练习答案第1章1.1 二极管一、判断题1．×2．×3．√二、填空题2．空穴型；多数载流子；少数载流子；电子型；多数载流子；少数载流子3．死区电压；导通；反向击穿电压；反向击穿5．0.5V；0.2V；0.7V；0.3V6．最大整流电流I FM；最高反向工作电压U RM；反向饱和电流I R7．导通；2.3mA8．正；负9．9.7；7三、选择题1．A 8．A A12．A四、综合题4．输出电压u o的波形如图1所示。
图11.2 二极管整流及滤波电路一、判断题二、填空题1．交流电；直流电；单相导电2．脉动的；较平滑的3．负载电流较小；负载电流较大且变化5．1.5；266.67三、选择题1．C 4．A 5．A 6．C 7.C四、综合题1.2.1360.09222200OV OLUI I AR====⨯236301.2 1.2O U U V ===选择二极管和电容的参数如下：0.09FM I A〉，RM U 〉0.02(35)(35)(150250)22200L T C F R μ≥==⨯6．（1）20 （2）50；28.28（3）电容C 开路且某一二极管开路；9第2章2.1 三极管 一、判断题4．√ 5．√二、填空题4．集电；基；发射；50；PNP 5．基；NPN 三、选择题6.B7.A8. C 四、综合题 1.2．mA I I I C E B 2.08.56=-=∆-∆=∆ 292.08.5==∆∆=B C I I β 3．（1）数值如表2；（2）β=50；（3）I CBO =0.0002mA ；（4）I CEO =0.0102mA 表22.2 三极管基本放大电路 一、判断题2.×4.×6.√二、填空题6.大 ；负担；小；带负载三、选择题3．A 4．C8．A四、综合题1.（a)图不能正常放大，因为R B =0，+V CC 将输入交流信号短路到地。
（b )图不能正常放大，因为R C =0将输出交流信号短路到地。
电工电子技术与技能学习指导和练习习题答案作者：刘克军23902参考答案.docx
附录参考答案第1单元 直流电路的认识与测试 任务1认识实训室和安全用电2. 质量数量人为损坏或遗失3. （1）不正确，电脑专用的多功能插线板所能承受的电器功率较小，而电暖器的功能较大。
（2） 不止确，三极插头不nJ 能改作二极插头。
（3） 不止确，这其实是私电网，是不允许的。
（4） 不正确，罩布遮住了电视机的散热孔，会致电视机散热不畅，其至发生火灾。
二、拓展训练 1. 切断电源原样2. 常用的保护装直有短路保护装直、漏电保护装直、接地保护装直、接零保护装直。
3.（1）不止确，必须远离导线的接地点十米以上。
（2）小明是正确的，小明妈妈不应用湿抹布擦拭台灯，抹布擦拭厉更不应立即通电。
4. 当触电者有心跳而无呼吸时，应采用人口呼吸的措施；当触电者有呼吸而无心跳时, 应采用胸外挤压的捲施5. 电气火灾一旦发牛，首先应设法切断电源。
电器火灾不是口始至终都不能用水來灭 火，只是电源没有切断时不能丿IJ 水来灭火。
6.不可，防止潮湿的开关漏电。
任务2认识电路一、自我测评 1. A2. A3. C4. D5. A6.十字交叉不相接导线十字交叉相接导线电池电池组电池组电阻器可变电 阻器电位器开关灯泡二、拓展训练 1. A 2. B E 3.C D4. B5. A D6. A D任务3认识并测试电路的基本物理量一、自我测评1. 电荷的定向移动单-位时间通过导体横截而的电荷量2. 产生电流必须具备的条件是导体和加在导体两端的持续电压，电流是有方向的，规 定正电荷定向移动的方向为电流的方向。
3. 0. 5A rh 左向右4. C5.电流表50mA 10mA 量限小于待测量，比待测量大的50mA 量程最小 6・2A 7. CD8.绝对相对电位零电位9. -5V10. -10V11. 选用一只量程合适的电压表（选用万用合适的电压档），用电表直接测试电源两端 的电压，即得电源的电动势。
12. 7. 2X106J 0. 2kW ・ h 455mA 二、拓展训练 1.B2. D3. —2A4. 4V5. D6. E一.自我测评 1. B7. 2A & —2. 34V任务4认识电阻器并测试电阻一、自我测评1•电阻是导体对电流的阻碍作用，10M Q IO7Q , 104k Q2.正反电阻率3. B4. 冑标法直标法是将电阻器的标称阻值用数字和文字符号百接标在电阻体的方法。
电子技术基础与技能辅导与练习参考答案重大版
电子技术基础与技能辅导与练习参考答案第一章晶体二极管及其基本应用一、课堂练习题（一）填空题1. 半导体2. 热敏特性、光敏特性、掺杂特性3. 热敏、光敏、掺杂4. 不含杂质的纯净P N PN5. PN6. 单向导电性正极负极截止7. 硅锗硅锗8. 正向反向9. 截止导通电流10. 整流整流电路11. 二极管正向偏置时两端电压与流过电流二极管反向偏置时两端电压与流过电流长时间最大正向最高反向峰值电压12. 非线性13. 半波整流全波整流桥式整流14.U2U2/R L 15. 0.9U20.9U2/R L 16. 滤波17. 充、放电缩短18. 限流电阻19. 1A 20. 略21. AC50V DC50V A B（二）单项选择CADBB DBBBA ADBDA BBD（三）判断题√××××√×√××√×√√√（四）作图题1. 2.3. 4.（五）简答题1.见教材。
2.见教材。
3.见教材。
4.负载RL1和RL2两端是直流电压，RL1两端为上‘+’下‘-’；RL2两端为上‘-’下‘+’。
当变压器输出为正半周时，VD1导通，VD2截止，负载RL1中有至而下的电流流过，负载RL2中没有电流。
当变压器输出为负半周时，VD2导通，VD1截止，负载RL2中有至而下的电流流过，负载RL1中没有电流。
这个电路实际上是两个半波整流组合在一起，可以输出对称的正负双电源。
5.见教材。
6.这个现象是正常的，因为二极管是非线性元件，它的阻值会随着两端电压和流过电流的不同而不同，而指针式万用表电阻档的各个档位的输出电压和电流均不相同（Ｒ×1档的电流最大），所以指针式万用表测二极管，各个档位测试出二极管的阻值不相同。
而普通电阻是线性元件，其阻值不会受两端电压和流过电流的影响，所以各个档位测出电阻的值是一样的。
（六）计算题1.V Uo2.16= 二极管V U RM 5.25≥ mA I F 81≥2.提示：首先判断稳压二极管能否反向击穿，方法是与本书例题1中判断二极管是否导通的方法一样；其次若稳压二极管能反向击穿，就要判断稳压二极管能否正常工作，就要考虑在电路中的实际功耗会不会大于稳压二极管的额定功耗。
电子技术习题答案
第1章半导体晶体管和场效应管一、重点和难点1.半导体材料的导电特性半导体材料的导电特点决定了半导体器件的特点和应用场合，因此透彻的了解半导体的导电特点是学习电子技术的基础，也是本章的重点之一。
2.PN结的单向导电性所有的半导体器件都是由一个或者多个PN结组合而成的，深刻理解PN结的单向导电性的特点是本章的重点。
3.二极管的参数二极管的参数中，有表示极限的参数，有表示优劣的参数，同时有直流参数，又有交流参数，有建立在时间积累效应基础上的电流参数，还有建立在雪崩效应和隧道效应基础上的瞬时电压参数，正确的理解二极管的参数是应用的前提和基础，掌握每个参数的意义是本章的重点，也是本章的难点，4.二极管的应用二极管的主要利用其单向导电性可以用来构成各种电路，二极管的应用是本章的重点。
5.三极管的结构三极管的是由两个相互关联的PN结构成的，三极管由于其内部载流子的运动规律难于形象描述而成为本章的难点。
6.三极管的特性三极管不论输入还是输出都是非线性的，故此其为本章的难点，由于了解管子的特性是对于管子应用的基础和前提，因此正确理解输入电流对输出电流的控制也是本章的重点。
7.三极管的应用三极管在日常生活中有着非常广泛的应用，模拟电子中主要用其放大作用，数字电子中主要用其开关作用。
学习的目的主要是为了应用，因此是本章的重点。
二、学习方法指导1.半导体材料的导电特性半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，其导电特性包括：对温度反映灵敏(热敏性) ，杂质的影响显著(掺杂性) ，光照可以改变电阻率(光敏性)。
2.自由电子和空穴当一部分价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子后，共价键中就留下相应的空位，这个空位被称为空穴。
原子因失去一个价电子而带正电，也可以说空穴带正电。
在本征半导体中，电子与空穴总是成对出现的，它们被称为电子空穴对。
如果在本征半导体两端加上外电场，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子将产生定向移动，形成电子电流；一是由于空穴的存在，价电子将按一定的方向依次填补空穴，亦即空穴也会产生定向移动，形成空穴电流。
电子技术及实训习题+参考答案
电子技术及实训习题+参考答案一、单选题（共51题，每题1分，共51分）1.工作在放大区的某三极管，基极电流从40微安减小到20微安时，集电极电流从2毫安变为1毫安，其电流放大系数β约为(____)。
A、25B、10；C、50；D、100；正确答案：C2.三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的控制能力。
A、基，发射；B、集电，基C、基，集电；D、集电，发射；正确答案：C3.共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系是(____)。
A、在10～20倍之间；B、越大越好；C、在20～100倍之间D、略小于1倍正确答案：D4.当输入电压不变，放大电路带上负载与不带负载时相比，输出电压的值(____)。
A、增大；B、无法确定C、不变；D、减小；正确答案：D5.将整流电容滤波电路的滤波电容值减小，输出电压平均值(____)。
B、减小；C、不变；D、增大；正确答案：B6.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。
A、相位差90度；B、0度；C、相位相反；D、不能确定正确答案：C7.在晶体管放大电路中，电流放大倍数β值(____)。
A、越小越好B、越大越好C、在10～20之间；D、在20～100之间；正确答案：D8.三极管的电流放大系数由三极管的（）决定。
A、工艺结构B、射极电流；C、基极电流；D、集电极电流；正确答案：A9.在单相全波整流电路中，整流二极管承受的最大反向电压等于变压器二次电压U2（有效值）的(____)倍。
A、1；B、2.828；C、1.414；D、2正确答案：B10.由漂移形成的电流是反向电流，其大小而与外电场（）。
B、无关；C、关系密切；D、不知正确答案：B11.二极管的正向电阻越小，反向电阻越大说明其质量越(____)。
A、差；B、一般C、无法确定；D、好；正确答案：D12.在晶体管放大电路中，电流放大倍数β值(____)。
A、越小越好B、在10～20之间；C、越大越好；D、在20～100之间正确答案：D13.单相工频半波整流电路中，二极管导通的时间是(____)。
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案前言作为一名电子技术专业的学习者，掌握电工学知识是基础中的基础。
而掌握电工学知识的最好方法，就是不断练习。
本文提供了电工学第七版下册的课后练习题及其答案。
希望能够对大家在学习电工学的过程中提供一定的帮助。
第一章电子技术基础1. 有一只20kΩ，±5%的电阻，求它允许误差的范围？答案允许误差的范围为: 20kΩ × 5% = 1kΩ所以这只电阻的阻值范围为: 20kΩ±1kΩ2. 什么是三极管？答案三极管是一种半导体器件，也叫做双极型晶体管。
它由三个掺杂浓度不同的半导体材料构成（一般为PNP或NPN），分别称为发射极、基极和集电极。
三极管是一种电流控制器件，通过控制基极电流来控制集电极电流。
三极管在电子技术中广泛应用，尤其是在放大器、开关电路和振荡电路中使用较为广泛。
第二章半导体二极管1. 硅板在常温下引入施主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入施主原子（如磷原子），会使其变成N型半导体。
引入施主原子的过程叫做掺杂。
在N型半导体中，掺有大量的自由电子，这些自由电子会带负电荷。
由于施主原子掺入的电子不会和晶体中的晶格原子结合，因此其自由电子是比导带中的电子能量更低的电子，即位于导带下方。
2. 硅板在常温下引入受主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入受主原子（如硼原子），会使其变成P型半导体。
引入受主原子的过程叫做掺杂。
在P型半导体中，掺有大量的空穴，空穴带正电荷。
由于受主原子掺入的空穴缺少了一个电子，因此其空穴的能量比空穴带中的能量更高，即位于空穴带上方。
第三章晶体管及其基本电路1. 晶体管的三个引脚分别代表什么？答案晶体管的三个引脚分别代表：1.发射极（E）：用来连接基极和集电极之间的导体，主要负责发射电子。
2.基极（B）：设置在发射极与集电极之间的控制电极，主要控制电流。
3.集电极（C）：负责接受发射极电子，主要负责放大电流。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答第一章
第一章思考题与习题解答1-1 名词解释半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体、PN结。
解半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。
例如硅(Si)和锗(Ge)，这两种半导体材料经常用来做晶体管。
载流子——运载电流的粒子。
在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。
空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。
最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。
当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。
空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。
自由电子——位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。
本征半导体——不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。
杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。
N型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷P)，就形成含有大量电子的N型杂质半导体，又称电子型杂质半导体，简称N型半导体。
P型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼B)，就形成含大量空穴的P型杂质半导体，又称空穴型杂质半导体，简称P型半导体。
PN结——将一块P型半导体与一块N型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面上形成一个结，称为PN结。
1-3 选择填空(只填a、b…以下类同)(1)在PN结不加外部电压时，扩散电流漂移电流。
(a.大于，b.小于，c.等于)(2)当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。
(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变)(3)当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
电子技术课后习题答案
电子技术课后习题答案电子技术课程是一门涉及广泛电子原理和应用的学科，它不仅要求学生掌握理论知识，还要求能够解决实际问题。
课后习题是帮助学生巩固课堂所学知识的重要手段。
以下是一些电子技术课后习题的参考答案，供同学们参考。
习题一：半导体基础知识问题：请解释PN结的工作原理，并说明其在二极管中的作用。
答案： PN结是半导体材料中的一种结构，由P型半导体和N型半导体紧密接触形成。
在PN结中，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会相互扩散，形成一个耗尽区。
耗尽区内几乎没有自由载流子，因此具有很高的电阻。
在外加正向电压时，耗尽区变窄，允许电流通过；而在外加反向电压时，耗尽区变宽，阻止电流通过。
二极管利用PN结的单向导电性，只允许电流从正极流向负极，从而实现整流等功能。
习题二：放大电路分析问题：说明共射放大电路的工作原理，并计算其电压增益。
答案：共射放大电路是一种基本的放大电路，其中发射极接地，基极作为输入端，集电极作为输出端。
在这种电路中，基极-发射极间的电压变化会引起基极电流的变化，进而通过电流增益放大，使得集电极电流发生相应的变化。
电压增益可以通过公式计算：\[ A_v = -\frac{R_C}{R_E} \] 其中，\( R_C \) 是集电极电阻，\( R_E \) 是发射极电阻。
习题三：数字逻辑电路设计问题：描述一个简单的数字逻辑电路，实现逻辑与（AND）功能。
答案：一个实现逻辑与功能的数字逻辑电路可以使用两个二输入与门来构建。
当两个输入信号均为高电平时，输出信号为高电平；否则输出信号为低电平。
电路图如下：```A B| |& & (与门)| |Q Q (输出)```习题四：模拟电路设计问题：设计一个简单的电压跟随器电路，并说明其特点。
答案：电压跟随器是一种无增益的放大器，其特点是输入阻抗高，输出阻抗低，能够提供电流驱动能力。
一个简单的电压跟随器可以使用一个运算放大器（OP-AMP）构建，将运算放大器的反向输入端接地，同相输入端接输入信号，输出端接输出信号。
电子技术课后答案1~12章(7)
第7章 门电路与逻辑代数7.1 将十进制数75转换成二进制和16进制数。
分析 将十进制整数转换成二进制数采用除2取余法，转换成16进制数除了采用除16取余法，也可从所得的二进制数每4位一组直接转换为16进制数。
解 首先将十进制数75转换成二进制数。
将十进制整数75连续除以2，求得各次的余数，直到商为0为止，然后将先得到的余数列在低位、后得到的余数列在高位，即得相应的其他进制数。
转换过程可用短除法表示，如图7.3所示。
所以：210)1001011()75(= 将十进制数75转换成16进制数，可采用除16取余法：75除以16，得商4及最低位的余数11（16进制数B ），再将商4除以2，得商0及余数4，所以：1610)B 4()75(=7.2 将下列各数转换成十进制数：(101)2， (101)16。
分析 将其他进制数转换为十进制数采用多项式求和法。
解 将(101)2转换成十进制数，为：10100122)5()212021()101(=⨯+⨯+⨯=将(101)16转换成十进制数，为：101001216)257()161160161()101(=⨯+⨯+⨯=图7.3 习题7.1解答用图7.3 将二进制数110111、1001101分别转换成十进制数和16进制数。
解 将二进制数110111、1001101转换成十进制数，分别为：10100123452)55()212121202121()110111(=⨯+⨯+⨯+⨯+⨯+⨯= 101001234562)77()21202121202021()1001101(=⨯+⨯+⨯+⨯+⨯+⨯+⨯=将二进制数110111、1001101转换成16进制数，分别为：第7章 门电路与逻辑代数 135162)37()110111(= 162)D 4()1001101(=7.4 将十进制数92转换成二进制码及8421 码。
分析 十进制数与8421 码的转换按位转换即可。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第七章 思考题与习题解答
第七章 思考题与习题解答※7-3 分别按下列要求设计一个比例放大电路：(要求画出电路，并标出各电阻) (1)电压放大倍数等于-5，输入电阻约为20k Ω；(2)电压放大倍数等于+5，且当i U =0.75 V 时，反馈电阻F R 中的电流等于0.1mA 。
目的 反算比例器的参数。
解 (1)设计一个反相比例器。
当1R =20k Ω，由o F i 1u U RA U R ==-=-5 即 F20R -=-5 则 F R =20×5=100k Ω,100//20R '=≈16.7k Ω 电路如图题7-3答案图(a)所示。
图题7-3答案图(2)设计一个同相比例器 第一步 先求o U ：o i 5u U A U =⨯=⨯0.75=3.75 V第二步 求F R 和1R ： 解联立方程组1F1F 13.750.1mA (1)5 (2)R R R R R ⎧=⎪+⎪⎨+⎪=⎪⎩ 由(2)式得 1F 15R R R += 即 F 14R R =取F R =40k Ω,则1404R ==10k Ω。
第三步 确定平衡电阻R '：1F //10//40R R R '===8k Ω电路如图题7-3答案图(b)所示。
※7-4 设图题7-4各电路中的集成运放是理想的，试分别求出它们的输出电压与输入电压的函数关系式。
图题7-4目的 求输出与输入的函数关系。
说明 这种类型题非常多，应掌握到熟练的程度。
先看懂电路图再计算。
解 图(a)，这是一个双端输入运放(一般差放)，但不是差放的典型形式，因此不能套用差放公式计算。
解题的方法不是惟一的。
法一：利用虚断(I -≈0)及虚短(2U U U -+≈=)概念列电流方程式求解。
2o1222220U U U U --= 解出o 211110U U U =-法二：因为有两个信号同时作用，可利用叠加原理求解。
1U 单独作用时(令2U =0)，电路相当于反相比例器，F o11112201022R U U U U R -'==-=- 当2U 单独作用(令1U =0)时，电路相当于同相比例器，F o2221220(1)(1)1122R U U U U R ''=+=+= 叠加o oo 211110U U U U U '''=+=- 图(b)，电路有三个输入信号同时作用，利用叠加原理求解。
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第1章半导体存器件1.1 学习要求（1）了解半导体的特性和导电方式，理解PN结的单向导电特性。
（2）了解半导体二极管、三极管的结构。
（3）理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。
（4）理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。
（5）了解MOS场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较。
1.2 学习指导本章重点：（1）PN结的工作原理。
（2）二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。
（3）双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。
本章难点：（1）半导体二极管的限幅、钳位等作用。
（2）双极型三极管的电流分配与电流放大作用。
本章考点：（1）本征半导体、杂质半导体的相关概念。
（2）PN结的单向导电特性。
（3）半导体二极管、稳压管的限幅、钳位等电路分析。
（4）双极型三极管的管脚、工作状态及放大条件的判别。
1.2.1 PN结1．半导体的导电特征半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
纯净的半导体称为本征半导体，其导电能力在不同的条件下有着显著的差异。
本征半导体在温度升高或受光照射时产生激发，形成自由电子和空穴，使载流子数目增多，导电能力增强。
电子技术学习指导与习题解答2杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素形成的，有N型半导体和P型半导体两种类型。
N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素形成的，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素形成的，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
杂质半导体的导电能力比本征半导体强得多。
2．PN结及其单向导电性在同一硅片两边分别形成N型半导体和P型半导体，交界面处就形成了PN结。
PN的形成是多数载流子扩散和少数载流子漂移的结果。
PN结具有单向导电性：PN 结加正向电压（P区接电源正极，N区接电源负极）时，正向电阻很小，PN结导通，可以形成较大的正向电流。
PN结加反向电压（P区接电源负极，N区接电源正极）时，反向电阻很大，PN结截止，反向电流基本为零。
1.2.2 半导体二极管在PN结的两端各引出一个电极便构成了半导体二极管。
由P区引出的电极称为阳极或正极，由N区引出的电极称为阴极或负极。
二极管的核心实质是一个PN结。
1．二极管的伏安特性（1）正向特性。
正向电压小于死区电压（硅管约为0.5Ｖ，锗管约为0.2Ｖ）时二极管截止，电流几乎为零。
正向电压大于死区电压后二极管导通，电流较大。
导通后的二极管端电压变化很小，基本上是一个常量，硅管约为 0.7Ｖ，锗管约为0.3Ｖ。
（2）反向特性。
反向电压在一定范围内时二极管截止，电流几乎为零。
反向电压增大到反向击穿电压U BR时，反向电流突然增大，二极管击穿，失去单向导电性。
2．二极管的主要参数（1）最大整流电流I O M。
指二极管长期使用时允许通过的最大正向平均电流。
（2）反向工作峰值电压U D R M。
指二极管使用时允许加的最大反向电压。
（3）反向峰值电流I R M。
指二极管加上反向峰值电压时的反向电流值。
（4）最高工作频率f M。
指二极管所能承受的外施电压的最高频率。
二极管在电路中主要用于整流、限幅、钳位等。
整流是将输入的交流电压变换为单方向脉动的直流电压，限幅是将输出电压限制在某一数值以内，钳位是将输出电压限制在某一特定的数值上。
3．特殊二极管（1）稳压管。
稳压管的反向击穿特性曲线比普通二极管陡，正常工作时处于反向击穿区，且在外加反向电压撤除后又能恢复正常。
稳压管工作在反向击穿区时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小，所以能起稳定电压的作第1章 半导体器件 3用。
如果稳压管的反向电流超过允许值，将会因过热而损坏，所以与稳压管配合的电阻要适当，才能起稳压作用。
稳压管除用于稳压外，还可用于限幅、欠压或过压保护、报警等。
（2）光电二极管。
光电二极管用于将光信号转变为电信号输出，正常工作时处于反向工作状态，没有光照射时反向电流很小，有光照射时就形成较大的光电流。
（3）发光二极管。
发光二极管用于将电信号转变为光信号输出，正常工作时处于正向导通状态，当有正向电流通过时，电子就与空穴直接复合而发出光来。
4．二极管应用电路的分析方法（1）判断二极管是导通还是截止。
判断方法是：假设将二极管开路，计算接二极管阳极处的电位U A 和接二极管阴极处的电位U K 。
当将二极管视为理想元件（即忽略二极管正向压降和反向漏电流）时，若U A ≥U K ，则接上二极管必然导通，其两端电压为零。
否则接上二极管必然截止，其反向电流为零。
当计及二极管的正向压降U D 时，若U A -U K ≥U D ，则接上二极管必然导通，其两端电压通常硅管取 0.7Ｖ，锗管取0.2Ｖ。
否则接上二极管必然截止，其反向电流为零。
（2）由二极管的工作状态画出等效电路，由于在等效电路中不含二极管，故可根据电路分析方法（如支路电流法、叠加定理、戴维南定理等）分析计算。
例如，在如图1.1（a ）所示电路中，设二极管VD 的正向电阻为零，反向电阻为无穷大，试求A 点电位U A 。
将二极管断开，得电路如图1.1（b ）所示，此时A 、K 两点的电位分别为：4060603060AO =⨯+=U （V ）20202020202060KO =-⨯++=U （V ）因为U A O >U K O ，所以如图 1.1（a ）所示电路中的二极管是导通的，可以用短路线代替，如图1.1（c ）所示，运用节点电压法即可求出A 点电位为：40601301201201306020202060A =++++-+=U （V ）电子技术学习指导与习题解答4-20V Ω20Ω(a)-20V Ω20Ω(b)-20VΩ20Ω(c)图1.1 二极管电路计算示例1.2.3 双极型三极管 1．结构与工作原理双极型三极管简称晶体管或三极管，有NPN 型和PNP 型两种类型。
晶体管有发射区、基区和集电区3个区，从这3个区分别引出发射极E 、基极B 和集电极C ，基区和发射区之间的PN 结称为发射结，基区与集电区之间的PN 结称为集电结。
晶体管具有电流放大作用的内部条件是：（1） 发射区的掺杂浓度大，以保证有足够的载流子可供发射。
（2） 集电区的面积大，以便收集从发射区发射来的载流子。
（3） 基区很薄，且掺杂浓度低，以减小基极电流，即增强基极电流的控制作用。
晶体管实现电流放大作用的外部条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
对NPN 型晶体管，电源的接法应使3个电极的电位关系为E B C U U U >>。
对PNP 型晶体管，则应使E B C U U U <<。
工作于放大状态的晶体管，基极电流I B 远小于集电极I C 和发射极电流I E ，只要发射结电压U B E 有微小变化，造成基极电流I B 有微小变化，就能引起集电极I C 和发射极电流I E 大的变化，这就是晶体管的电流放大作用。
2．特性曲线晶体管的输入特性曲线常熟==CE )(BE B U U f I 与二极管的正向特性曲线相似，也有同样的死区电压和管压降范围，如图1.2（a ）所示。
晶体管的输出特性曲线常熟==B )(CE C I U f I 是一簇曲线，如图1.2（b ）所示。
根据晶体管工作状态的不同，输出特性曲线分为放大区、截止区和饱和区3个工作区。
晶体管在不同工作状态下的特点如表1.1所示。
第1章 半导体器件5BE (V)A U CE (V)（a ）输入特性曲线 （b ）输出特性曲线图1.2 晶体管的特性曲线3．主要参数（1）电流放大系数β和β。
直流（静态）电流放大系数：B CI I =β 交流（动态）电流放大系数：BC I I∆∆=β小功率晶体管200~50=≈ββ，大功率管的β值一般较小。
选用晶体管时应注意，β太小的管子放大能力差，而β太大则管子的热稳定性较差，一般以100=β左右为宜。
（2）反向饱和电流I C B O 和穿透电流I C E O 。
二者的关系为CBO CEO )1(I I β+=，它们随温度升高而增大，影响电路工作的稳定性。
（3）集电极最大允许电流I C M 。
集电极电流超过I C M 时β值将明显下降。
（4）反向击穿电压U （BR ）CEO 。
基极开路时集电极与发射极之间的最大允许电压。
（6）集电极最大允许耗散功率P C M 。
CE C CM U I P =。
I C M 、U （B R ）C E O 和P C M 称为晶体管的极限参数，由它们共同确定晶体管的安全工作区。
表1.1 晶体管在不同工作状态下的特点电子技术学习指导与习题解答6 4．晶体管工作状态、类型和管脚的判别方法（1）晶体管的工作状态可根据发射结和集电结的偏置情况判断。
对NPN 型晶体管，若U B E ≤0，则发射结反偏，晶体管工作在截止状态。
若0BE >U ，则发射结正偏，这时可再根据集电结的偏置情况判断晶体管是工作在放大状态还是饱和状态，集电结反偏为放大状态，集电结正偏为饱和状态；也可根据I B 与I B S 的关系判断，βCS BS B I I I =<为放大状态，I B ≥βCS BS II =为饱和状态。
（2）晶体管的类型（NPN 型还是PNP 型，硅管还是锗管）和管脚可根据各极电位来判断。
NPN 型集电极电位最高，发射极电位最低，即E B C U U U >>，0BE >U ；PNP 型集电极电位最低，发射极电位最高，即E B C U U U <<，0BE <U 。
硅管基极电位与发射极电位大约相差0.6或0.7V ；锗管基极电位与发射极电位大约相差0.2或0.3V 。
此外，还可根据各极电流来判断晶体管的管脚以及是NPN 型还是PNP 型。
根据晶体管各极电流关系C B E I I I +=和B C I I β=可知，发射极电流最大，基极电流最小，并且发射极电流从晶体管流出的为NPN 型，流入晶体管的为PNP 型。
例如，在如图 1.3所示的电路中，已知1C =R k Ω，10B =R k Ω，5CC =U V ，晶体管的50=β，7.0BE =U Ｖ，3.0CES =U Ｖ。
试分别计算1i -=U V ，1i =U V 以及3i =U V 时的I B 、I C 和U o ，并指出晶体管所处的工作状态。
U iU U o图1.3 晶体管工作状态计算示例当1i -=U V 时0BE <U ，晶体管发射结反偏，工作在截止状态，故有：0B =I 0C =I5CC CE o ===U U U （V ）当1i =U V 时0BE >U ，晶体管发射结正偏，因而导通，故有：03.0107.01B BE i B =-=-=R U U I （mA ）5.103.050B C =⨯==I I β（mA ）第1章 半导体器件 75.315.15C C CC CE o =⨯-=-==R I U U U （V ）08.25.37.0CE BE BC <-=-=-=U U U计算结果表明，晶体管的发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。