第二章典型结构类型
无机材料典型晶体结构
正型尖晶石:A2+都填充在四面体空隙中(8个), B3+ 都填充在八面体空隙中(16个) ,
记作 [A2+]t[B3+B3+]oO4
反型尖晶石:A2+ 占据在八面体空隙中(8个), B3+ 占据在八面体空隙中(8个), 占据在四面体空隙中(8个)。
记作 [B3+]t[A2+B3+]oO4
举例:
正型尖晶石: Mn3O4,可表示为 [Mn2+]t[Mn3+Mn3+]oO4。 及 FeAl2O4、ZnAl2O4、MnAl2O4等。
反型尖晶石: Fe3O4 ,可表示为 [Fe3+]t[Fe2+Fe3+]oO4。 及MgFe2O4 等。
属于尖晶石型结构的化合物还有:
A4+B22+O4型,如 [Co2+]t[Sn4+Co2+]oO4(反型尖晶石); A6+B1+2O4型,如 Na2WO4、Na2MoO4,其中Na+占据八面
由过渡金属元素和原子半径小的 H、N、C、B等元素形成 的氢化物、氮化物、碳化物和硼化物等中,金属原子作密 堆积,而非金属元素填入密堆积形成的空隙中,这类化合 物称为间隙化合物或间隙相。
(1)当非金属原子和金属原子半径比 rx/rm< 0.59时,可形成 简单晶体结构的化合物,称为间隙相,其型式有MX、M2X、 MX2及M4X,其中金属原子多采取面心立方或密积六方结构堆 积,而非金属原子规则地分布在晶格间隙中。 (2)当 rx/rm >0.59时,则形成复杂晶体结构的化合物,称为 间隙化合物。
静电键强度:
s z n
第二章晶体结构与常见晶体结构类型
对称就是物体相同部分有规律的重复。
对称不仅针对几何形态,还有更深和更广的含义,它包含了自然 科学、社会科学、文学艺术等各领域的对称性,如战争中的非对称 战略。
晶体对称的特点
1)由于晶体内部都具有格子构造,通过平移,可使相同质点重 复,因此所有的晶体结构都是对称的。
2)晶体的对称受格子构造规律的限制,它遵循“晶体对称定 律” 。
4 平行六面体(parallelepiped)
平行六面体:结点在三维空间的分布构成空间格子。 特点:任意三个相交且不在同一个平面的行列构成一个空间点阵。 根据基矢的不同选择可以得到不同的平行六面体。
计算由基矢构成的平行六面体点阵点数量时 必须考虑: (1)在平行六面体顶角上的点阵点时由8 个相邻平行六面体所共有的; (2)位于平行六面体棱上的点阵点是由4 个相邻平行六面体所共有的; (3)位于平行六面体面上的点阵点时2个 相邻平行六面体所共有的; (4)位于平行六面体内部的点阵点完全属 于该平行六面体。
1 结点(node):点阵中的点。 结点间距:相邻结点间的距离。
空间点阵几何要素(点线面)
2 行列(row) :结点在直线上的排列。 特点:平行的行列间距相等。
3 面网(net)
面网:由结点在平面上分布构成的平面。 特点:任意两个相交行列便可以构成一个面网。
面网密度:面网上单位面积内的结点数目。 面网间距:两个相邻面网间的垂直距离,平行面网间距相等。
三轴定向通式为[uvw],四轴定向通式为[uvtw], 晶向符号的确定步骤:
①选定坐标系,以晶轴x、y、z为坐标轴,轴单位分别是a、b和c; ②通过原点作一直线,使其平行于待标定晶向AB; ③在直线上任取一点P,求出P点在坐标轴上的坐标xa、yb、zc; ④xa/a:yb/b:zc/c=u:v:w应为整数比,去掉比号,以方括号括之,
第二章45节晶体结构与常见晶体类型-文档资料
ABC ABC... .
8
面面心心立立方方最最紧紧密密堆堆积积
A
B
C
9
面心立方最紧BCABC……, 即每三层重复一次
10
面面心心立立方方最最紧紧密密堆堆积积
12
6
3
54
11
晶体结构
面心立方 晶胞
在这种堆积方式中可以找出面心立方晶 胞,其中的相当点按面心立方格子分布, 所以称为面心立方最紧密堆积。 其最紧密排列层平行于{111}面网。
①被极化—— 一个离子在其他离子所产生的外电场作用下产生极化(变形)。 变形程度大小用极化率α表示。
F
F——离子所在位置的电场强度;u——诱导偶极矩。 u=e·L e——电荷;L——极化后正、负电荷的中心距。
②主极化——一个离子其本身的电场作用于周围离子使其他离子极化变形。主极 化能力的大小用极化力β表示。
4
六方最紧密堆积
A B A B A
ABABAB…… 每两层重复一次
5
六方晶胞——六方密堆积
A
B
A
密 排
B面
A
A
6
※ 六方最紧密堆积的排列层序是:AB AB AB... ... 将这些球的球心联结起来,便形成六方原始格子,即在这
种堆积中可找出六方晶胞,故称为六方最紧密堆积。其 最紧密排列层平行于{0001}面网。
w r2
w——离子的电价;r——离子半径。
33
在离子晶体中,一般正离子半径较小,当电价较高时, 极化力较明显,而极化率较小,不易变形。负离子半径较大 ,易于变形而被极化,而极化力较小。如Br-、I-等。
通常只考虑正离子对负离子的极化作用。但当正离子外层 为18电子构型时,如Cu+、Ag+、Zn2+等,极化率也比较大, 需考虑负离子对它们的极化作用。
第二章-晶体结构与晶体中的缺陷
• 层内力远远大于层间力,容易形成片状解理。
• ⑷ 蒙脱石结构
• 单元层间:范德华力,弱。 • [SiO4]4-中的Si4+被Al3+取代(
同晶取代)为平衡电价,吸 附低价正离子,易解吸,使 颗粒荷电,因此使陶瓷制品 因带某些离子具有放射性。 • 性质: • 加水体积膨胀,泥料可塑性 好。
因子看,A位离子越大, B位离子才能较大。
理想立方钙钛矿结构中离子的位置
§2.2 硅酸盐晶体结构
一、硅酸盐结构特点与分类 硅酸盐是数量极大的一类无机物。硅酸盐晶体可以 按硅(铝)氧骨干的形式分成岛状结构、组群状结 构、链状结构、层状结构和架状结构。它们都具有 下列结构特点: 1)结构中Si4+之间没有直接的键,而是通过O2-连接 起来的 2)结构是以硅氧四面体为结构的基础 3)每一个O2-只能连接2个硅氧四面体 4)硅氧四面体间只能共顶连接,而不能共棱和共面 连接
陶瓷材料如MgO,CaO, NiO,
CoO,MnO和PbO等都形成
该结构。岩盐型结构还是若干
复杂层状化合物结构的一部分。
根据鲍林静电价规则,
S=Z/n NaCl: 每一个Na+静电键强度是 1/6。正负离子的配位数相等, 都是6。因此键强度总和达到氯 离子的价电荷数(6x(1/6)=1) MgO: 阳离子Mg2+的静电键强 度是2/6 ,键强度总和等于氧离子 O2-的电价6x(2/6)=2
缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期 性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完 整性。
晶体结构缺陷的类型
第二章-2 空间数据结构的类型
第二章-2 空间数据结构的类型第二章 2 空间数据结构的类型在地理信息系统、计算机图形学以及许多涉及空间信息处理的领域中,空间数据结构是至关重要的。
它决定了如何有效地组织、存储和管理空间数据,从而影响到数据的处理效率、分析能力以及最终的应用效果。
空间数据结构的类型多种多样,每种都有其特点和适用场景。
首先,我们来谈谈矢量数据结构。
矢量数据结构是通过点、线、面等几何对象来表示地理实体的。
比如说,一条河流可以用一系列的点连接成线来表示,一个湖泊可以用一个封闭的多边形面来表示。
这种数据结构的优点在于精度高,能够准确地表示地理实体的形状和位置。
而且,由于数据量相对较小,在数据存储和处理方面具有一定的优势。
在需要进行精确的空间分析和测量时,矢量数据结构往往是首选。
然而,矢量数据结构也有其局限性。
它在处理复杂的、大面积的地理现象时,可能会变得较为繁琐。
例如,对于大面积的森林覆盖区域,用一个个多边形来表示会产生大量的数据,增加处理的难度。
接下来是栅格数据结构。
栅格数据结构将地理空间划分成规则的网格单元,每个单元赋予一个特定的值。
这就像是给一幅地图铺上了一个个小格子,每个格子里都有相应的信息。
栅格数据结构的优点在于处理简单、直观,特别适合于表示连续的地理现象,比如地形、温度分布等。
但是,栅格数据结构也存在一些缺点。
由于数据的分辨率是固定的,可能会导致在某些情况下精度不够高。
而且,数据量通常较大,存储和处理需要更多的资源。
另外,还有一种称为 TIN(不规则三角网)的数据结构。
TIN 是基于三角形来构建的,通过对离散点的三角剖分来逼近地理表面。
这种结构在表示地形等不规则的表面时具有很好的效果,能够准确地反映地形的起伏变化。
与矢量和栅格数据结构相比,TIN 能够更好地平衡数据精度和数据量之间的关系。
但它的构建和处理相对复杂,需要一定的计算资源和算法支持。
除了上述常见的空间数据结构类型,还有一些其他的类型,如四叉树、八叉树等。
第二章晶体结构与常见晶体结构类型第二讲
最紧密堆积原理: 晶体中各离子间的相互结合,可以看作是球
体的堆积。球体堆积的密度越大,系统的势能 越低,晶体越稳定。此即球体最紧密堆积原理。
适用范围:典型的离子晶体和金属晶体。
质点堆积方式:
根据质点的大小不同,球体最紧密堆积方式分为等径
球和不等径球两种情况。
等径球的堆积
最密堆积方 式
理论结构类型 实际结构类型 实际配位数
AgCl 0. 123+0.172=0.295
0.277 0. 018 0.715 NaCl NaCl
6
AgBr 0.123+0.188=0.311
0.288 0.023 0.654 NaCl NaCl
6
AgI 0.123+0.213=0336
0.299 0.037 0.577 NaCl 立方 ZnS
面心立方最紧密堆积 六方最紧密堆积
最紧密堆积中的空隙 不等径球的堆积
等径球质点堆积
等径球最紧密堆积时,在平面上每个球与6个球相接触, 形成第一层(球心位置标记为A),如图2-5所示。此时, 每3个彼此相接触的球体之间形成1个弧线三角形空隙, 每个球周围有6个弧线三角形空隙,其中3个空隙的尖角 指向图的下方(其中心位置标记为B),另外3个空隙的 尖角指向图的上方(其中心位置标记为C),这两种空 隙相间分布。
表2-6 无机化合物结构类型
化学式类型 结构类型举例实例来自AX 氯化钠型NaCl
AX2 金红石型
TiO2
A2X3 刚玉型 -Al2O3
ABO3 钙钛矿型 CaTiO3
ABO4 钨酸钙型 PbMoO4
AB2O4 尖晶石型 MgAl2O4
构成晶体的基元的数量关系相同,但大小不同,其 结构类型亦不相同。如AX型晶体由于离子半径比不同有 CsCl型、NaCl型、ZnS型等结构,其配位数分别为8、6 和4。
新第二章冲裁模的典型结构三部分
卸料板
卸料板用于将冲裁件从凹 模中推出。
冲裁模的工作原理
凸模与凹模的配合
凸模和凹模在压力机的作用下相 互配合,形成冲裁件的形状和孔 或槽。
卸料与排样
冲裁完成后,卸料板将冲裁件从 凹模中推出,并通过排样机构将 废料排出。
冲裁模的设计原则
合理选择材料
根据冲裁件的材料和厚度, 选择适当的模具材料,以 保证模具的耐用性和使用 寿命。
应用
适用于冲裁、弯曲、拉伸等单一工序的冲压加工。
复合模
01
定义
复合模是指在冲压过程中,同时 完成两道或两道以上冲压工序的 模具。
02
03
特点
应用
结构复杂,制造成本高,适用于 大批量、复杂形状的冲压件生产。
适用于需要多道工序完成复杂形 状的冲压加工,如落料、拉伸、 切边等。
级进模
定义
级进模是指在冲压过程中,按顺序完 成多道冲压工序的模具。
感谢您的观看
耐腐蚀性
冲裁模材料应具备较好的耐腐蚀性,以适应 生产环境中的各种腐蚀因素。
导热性
良好的导热性能可以帮助模具快速散热,延 长使用寿命。
常用冲裁模材料
钢材
钢材是常用的冲裁模材料,其强度和耐磨性较好, 价格相对较低。
硬质合金
硬质合金具有高硬度、高耐磨性和良好的耐热性, 适用于高精度、高效率的冲裁加工。
钢结硬质合金
钢结硬质合金兼具钢材和硬质合金的优点,具有 更高的强度、韧性和耐磨性。
冲裁模材料的热处理
退火处理
退火处理可以消除材料内部的应力,提高材料的塑性和韧性。
淬火处理
淬火处理可以提高材料的硬度和耐磨性,使模具更加耐用。
回火处理
回火处理可以稳定材料的组织和性能,防止模具在使用过程中出现 开裂或变形。
无机材料科学基础第二章-晶体结构-第6节(3)
CaO静电键强度与MgO相同,但晶体结构疏松,不稳定,易水 化。因为Ca2+离子半径大,使O2-离子的立方密堆积紧密程度变 松。 CaO 的晶格能为3469KJ/mol ,熔点2560 ℃。
6
2、CsCl型
r+/r- = 0.93(大于0.732)
CsCl晶体为Pm3m空间群(立方原始格子); a0=0.411nm; Cl-按简立方形式堆积,位于立方体的8个角顶上;Cs+填充在立方体 中心。 Cl-、Cs+的配位数均为8;单位晶胞中的分子数Z=1;
r+/r- = 0.102/0.181=0.56 (0.414~0.732)
3
②球体紧密堆积方法:Cl-按面心立方紧密堆积,Na+填入 全部八面体空隙(Na︰Cl=1︰1); ③配位多面体及其连接方式:[NaCl6]八面体以共棱方式 连接,该描述方法适宜于复杂晶体结构。
NaCl中的正八面体结构
4
属于NaCl型结构的晶体很多,表2-7所示。
按离子堆积分析, O2-按变 形的六方密堆积, Ti4+只填 充了O2-所形成的八面体空隙 的一半(Ti︰O=1 ︰2)。
16
晶胞中质点的坐标为:Ti4+(000),(1/2 1/2 1/2);
O2-(uu0),((1-u) (1-u) 0),((1/2+u)(1/2-u)1/2),
1号点 2号点 4号点 3号点
单位晶胞中质点的坐标如图所示。 属于CsCl结构的晶体有CsBr、CsI、NH4Cl 等。
7
3、闪锌矿(立方ZnS)型结构(共价晶体)
闪锌矿为Fm3m 空间群, a0=0.540nm。面心立方格子,S=按立方 紧密堆积,Zn2+交错处于八分之一小立方体中心,占据四面体空 隙的一半; 质点坐标及投影图如图所示。
第二章材料中的晶体结构
TiO2
体心四方
1个正离子 2个负离子
6
3
八面体 VO2, NbO2, MnO2, SnO2, PbO2, …
7. MgAl2O4(尖晶石)晶型
8.Al2O3(刚玉)晶型
第四节 共价晶体的结构
一、共价晶体的主要特点 1. 共价键结合,键合力通常强于离子键 2. 键的饱和性和方向性,配位数低于金属和离 子晶体 3. 高熔点、高硬度、高脆性、绝缘性
(2) 求投影.以晶格常数为单位,求待定 晶向上任一阵点的投影值。
(3) 化整数.将投影值化为一组最小整数。
(4) 加括号.[uvw]。
2.晶面指数及其确定方法
1) 晶面指数 — 晶体点阵中阵点面的 方向指数。 2) 确定已知晶面ห้องสมุดไป่ตู้指数。
(1) 建坐标.右手坐标,坐标轴为晶胞 的棱边,坐标原点不能位于待定晶面内。
cph
a=b≠c
a 2r
5. 致密度 — 晶胞中原子体积占总体积的分数
bcc
fcc
cph
3 0.68
8
2 0.74
6
2 0.74
6
6. 间隙 — 若将晶体中的原子视为球形,则相 互接触的最近邻原子间的空隙称为间隙。
间隙内能容纳的最大刚性球的半径称为
间隙半径 rB。 间隙大小常用间隙半径与原子半径 rA之
比 rB / rA 表示。
1) 面心立方结构晶体中的间隙 正八面体间隙:位于晶胞各棱边中点及体心位置.
一个晶胞中共有4个.
rB / rA 0.414
正四面体间隙:位于晶胞体对角线的四分之一处. 一个晶胞中共有8个.
rB / rA 0.225
2) 体心立方结构晶体中的间隙 扁八面体间隙:位于晶胞各棱边中点及面心处. 一个晶胞中共有6个. rB / rA 0.155
大学材料科学基础第二章材料中的晶体结构
4.晶面间距(Interplanar crystal spacing)
两相邻近平行晶面间的垂直距离—晶面间 距,用dhkl表示,面间距计算公式见(1-6)。 通常,低指数的面间 距较大,而高指数的 晶面间距则较小 晶面间距愈大,该晶 面上的原子排列愈密 集;晶面间距愈小, 该晶面上的原子排列 愈稀疏。
晶体结构 = 空间点阵 + 结构单元
如:Cu, NaCl, CaF2有不同的晶体结构, 但都属于面心立方点阵。 思考题:空间点阵与布拉菲点阵。
三、 晶向指数与晶面指数
(Miller Indices of Crystallographic Directions and Planes) 在晶体中,由一系列原子所组成的平面称 为晶面,原子在空间排列的方向称为晶向。 晶体的许多性能都与晶体中的特定晶面和晶 向有密切关系。为区分不同的晶面和晶向, 采用晶面和晶向指数来标定。
5.晶带 (Crystal zone) 所有平行或相交于同一直线的晶面构 成一个晶带,此直线称为晶带轴。
晶带轴[u v w]与该晶带的晶面(h k l) 之间存在以下关系: hu + kv + lw = 0 凡满足此关系的晶面都属于以[u v w]为 晶带轴的晶带,律应用举例
1 晶胞中原子数 (Number of Atoms in Unit Cell)
一个晶胞内所包含的原子数目。 体心立方晶胞:2个。 面心立方晶胞:4个。 密排六方晶胞:6个。
2 原子半径 r 与点阵常数 a 的关系
严格的说,原子半径并不是一个常数,它 随外界条件(温度)、原子结合键、配位数而 变,在理论上还不能精确地计算原子半径。 定义为晶胞中原子密排方向上相邻两原子 之间平衡距离的一半,用点阵常数表示。
2章实木家具结合、基本部件、典型部件及其连接、板式结构
第二章
家具结构
4、圆榫的接合要求
(1)圆榫的孔深
当圆榫垂直于板面用于连接或定位时,其打入 板面的孔深一般定为板件厚度的0.75倍,如下 式表示
h1=0.75B 式中: h1—为垂直于板面孔深 B—为板厚
当圆榫平行于板面用于连接或定位时,其打 入板面的孔深一般由下式确定:
h2=L-[ h1-(1.0--3)]
( 2) 插 入 榫 不带沟纹的圆榫 (圆榫) 斜纹 带沟纹的圆榫 网纹 直纹
3、各类榫的定义及特点
(1)、插入榫和整体榫
整体榫:整体榫的榫头是直接在工件 上加工而成的。
采用整体榫接合的零部件,接合强 度较高,但不能用于连接刨花板、中 密度纤维板的零部件等,与圆榫比较, 木材的浪费较大。典型的整体榫如直 角榫、燕尾榫、椭圆榫和指形榫等。
式中: h2—为平行于板面孔深 h1—为垂直于板面孔深 L—圆榫的榫长
(2)圆榫的配合公差 A、径向配合公差
当采用光棒圆榫用于定位时,可以采用间隙配 合,其间隙为 0.1 — 0.2mm 。当采用带沟纹圆榫 用于连接时可以采用过盈配合,其过盈量为 0 — 0.2mm。
B、轴向配合
为了保证零部件间的接合严密,并有足够的接 合强度,轴向应留有一定的间隙,其间隙量一 般为1—1.5mm。即有公式推导为: L-( h1+ h2)=1.0--3
▲
第二章
第一节 第二节 第三节 第四节 第五节
家具结构
家具制作材料——木质材料 实木家具的接合 实木家具基本部件 实木家具典型部件及其连接 板式家具的结构
第一节
家具制作材料——木质材料
3、木材优点:
⑴、质量轻强度高
⑵、易加工
⑶声电热传导性小
第二章-2 细菌细胞结构
Electron micrograph of a G+ cell wall.
细胞壁cell wall:
Gram Positive
Gram Negative
(1)CW的基本骨架—肽聚糖(共有成分)
肽聚糖网格状结构
概念:肽聚糖是由N-乙酰胞 壁酸(NAM)和N-乙酰葡糖 胺(NAG)以及短肽链(主 要是四肽)组成的亚单位聚 合而成的大分子聚合物。 G+菌肽聚糖单体
◆可切断NAM和NAG 之间的-1,4糖苷 键,引起细菌裂解 ◆对Gˉ菌,在EDTA 存在下,受溶菌酶 作用。 ◆溶菌酶处理后的 菌细胞应保存在弱 高渗(0.1-0.2M) 蔗糖液中。
◆在EDTA存在下,对Gˉ菌受溶菌酶作用的 原因: Gˉ菌含有较多的LPS,LPS具有阻拦溶菌酶、 抗生素、去污剂合某些染料等较大分子进入细 胞。要维持LPS结构的稳定性,必须有足够的
六、细菌细胞结构
★一般构造:如细胞壁、细胞膜、细胞质、核质 体、核糖体等,是所有细菌都有的构造 ★特殊构造:主要有鞭毛、菌毛、性菌毛、荚膜 和芽孢等,并非所有细菌都有的构造
Schematic diagram of a typical procaryotic cell. Minimally, a procaryote is composed of a cell wall and plasma membrane that surrounds its cytoplasm containing a chromosome, ribosomes, enzymes, several classes of RNA, and small molecules (precursors).
脂多糖(LPS, lipopolysaccharide):
2第二章 市场结构分析解析
相对集中度法评价 优点:既能全面反映整个行业市场厂商规模分布的情 况,较绝对集中度法更加客观和真实。 缺陷:无法反映企业数量变化对行业市场集中程度的集中度法是指克服绝对集中度法和相对集中度法 的缺陷,引入现代数理统计原理而发展起来的集中度测定 法。 主要包括赫芬达尔指数(herfindahl index),海纳 -凯指数,因挫比指数和罗森布鲁斯指数等。 下面介绍常用的赫芬达尔指数。
运用举例 美国哈佛大学经济学家贝恩,依据美国20世纪30-40年代各行业 公司规模的实际情况,分别采用行业内前四位和前八位的行业集中度 指标进行了市场结构划分,其分类表如下:
行业集中度 市场结构 寡占Ⅰ型 寡占Ⅱ型 寡占Ⅲ型 寡占Ⅳ型 寡占Ⅴ型 竞争型 85≤CR4 75≤CR4 <85 50≤CR4 <75 35≤CR4 <50 30≤CR4 <35 CR4 <30 -85≤CR8 75≤CR8<85 45≤CR8<75 40≤CR8<45 CR8<40 CR4 (%) CR8 (%)
二、相对集中度法
相对集中度法是用产业市场内全部厂商的市场份额 分布来间接测定竞争或垄断关系强弱的方法。常用的相对 集中度法主要是洛伦兹曲线和基尼系数。 (一)洛伦兹曲线 洛伦兹曲线是用企业累计数与市场占有率的关系来 测定行业市场的市场份额分布状况的方法,反映了厂商规 模不均的程度。典型的洛伦兹曲线如图:
n
all
厂商的产量, xi 代表着前几位最大厂商的产量(或销售额), xi
i 1
式中,CRn为行业集中度,i=1、2、、、、n个厂商,xi 代表第i个
n
all
代表行业市场的总产量(或销售额)。
i 1
评价 优点:简便易行,重点突出,数据资料容易搜集和 处理,抓住了最大厂商情况这一分析关键,故运用较为广 泛。 缺点:不能反映整个行业市场厂商规模分别的情况, 即中小厂商的规模分布是不清楚的,不能反映大厂商之间 的规模分布情况,许多行业的第一位厂商与后续几位厂商 的规模存在较大差异,不能简单等于平均分布。因而是一 种比较粗糙,不够严格的市场结构衡量方法。
金属的晶体结构
两晶面交线的晶向指数[uvw]
h1u k1v l1 w 0 h 2 u k 2 v l2 w 0 u:v: w k1 k2 l1 l1 : l2 l2 h1 h2 : h1 h2 k1 k2
u k1l2 l1k 2 v l1h 2 h 1l2 w h k k h 1 2 1 2
8 × 1 = 8个
(2) 体心立方(bcc)结构的间隙
6 × 1/2 +12 × 1/4 = 6个
24 × 1/2 = 12个
注:体心立方结构的四面体和八面体间隙不对称(其棱边长 度不全相等),这会对间隙原子的固溶及其产生的畸变有明 显的影响。
(3) 密排六方(hcp)结构的间隙 6 × 1 = 6个
确定六方晶系晶向指数步骤: 先确定三轴坐标系的晶向指数 [UVW],然后换算成四轴坐标 系的晶向指数 [uvtw]
u = (2U ― V)/3 v = (2V ― U)/3 t = ― (u+v)= ― (U+V) /3 w=W 反之,由指数画晶向:U = u – t ,V = v – t,W = w
配位数: 12
致密度:0.74
常见金属: Mg、Zn、 Be、Cd等。
三种典型金属结构的晶体学特点 晶体结构类型 结构特征 点阵常数 原子半径R 晶胞内原子数 配位数 致密度 面心立方(A1) 体心立方(A2) a
2 a 4
密排六方(A3) a, c (c/a =1.633)
2 2 a 1 a c , 2 2 3 4
(111) ( 1 1 1 )
● 晶体中具有等同条件而只是空间位向不同的各组晶面称为 晶面族,用 { hkl}表示,它代表由对称性相联系的若干组 等效晶面的总和 ; 如:立方晶系中
第二章part-II典型环节结构图梅森公式wmx
因为v2 v1 0, 所以K 趋向于无穷大。
输出 反相输入 同相输入
补充例4 倒相放大器
解:∵在理想情况下,
i1 0
v2 v1
∴关于节点 v1 的节点方程为:
v1 vin v1 v0 0 R1 R2
输入电流=输出电流
v2 0
v1 v2 0
vin v0 0 R1 R2 即 v0 R 2 vin R1
G(S ) G1 (S ) G2 (S ) .... Gn (S )
(3)反馈回路传递函数的求取 前向通道:由偏差信号至输出信号的通道; 反馈通道:由输出信号至反馈信号的通道。
Y (S ) G(S ) E (S ) E (S) X(S) - F(S) F(S) H(S)Y(S)
从节点方程中可以得到:
在特殊的情况下, 如果:R2 R1 , 则:v0 vin 这时,图中的倒相放大器只起到反相的作用。
解: 输入电压与输出电压间的关系为:
按传递函数的定义,可以得到
从图2.11中可以看出,比例环节的特点是:输出信号y(t)和输入信号
x(t)的形状相同。只是比例环节将原信号放大了K倍。
U y ( s)
惯性环节的阶跃响应曲线是 一条指数函数的上升曲线。 从图中可以看出在初始时, 速度的变化最大
惯性环节的阶跃响应曲线
惯性环节的动态方程为一阶微分方程: 将阶跃函数输入 代入方程,求解得到:
y(t ) Kx0 (1 et / T )
在t=0时刻,初始上升速度为:
Kx0 t / T dy y (0) e dx t 0 T
几个基本概念及术语
R(s)
N(s)
+ -
第二章晶体结构与常见晶体结构类型 第六讲
离子取代现象:用2个Al3+取代滑石中的3个Mg2+,则形成二八面体 型结构(Al3+占据2/3的八面体空隙)的叶蜡石Al2[Si4O10](OH)2结 构。同样,叶蜡石也具有良好的片状解理和滑腻感。
晶体加热时结构的变化:滑石和叶蜡石中都含有OH-,加热时会产 生脱水效应。滑石脱水后变成斜顽火辉石-Mg2[Si2O6],叶蜡石脱 水后变成莫来石3Al2O3·2SiO2。它们都是玻璃和陶瓷工业的重要原 料,滑石可以用于生成绝缘、介电性能良好的滑石瓷和堇青石瓷, 叶蜡石常用作硼硅质玻璃中引入Al2O3的原料。
重建性转变不能简单地通过原子位移来实现,转变前后 结构差异大,必须打开原子间的键,形成一个具有新键 的结构,如图2-9中(a)到(d)的转变。因为打开旧 键并重新组成新键需要较大的能量,所以重建性转变的 速度很慢。高温型的变体经常以介稳状态存在于室温条 件下。如-石英和-磷石英之间的转变。加入矿化剂可 以加速这种转变的进行。
(A)(100)面上的投影
(B)(010)面上的投影
图2-42 白云母的结构
结构与性质关系:白云母结构与蒙脱石相似,但因其硅 氧层中有1/4的Si4+被Al3+取代,复网层不呈电中性,所以, 层间有K+进入以平衡其负电荷。K+的配位数为12,呈统 计地分布于复网层的六节环的空隙间,与硅氧层的结合 力较层内化学键弱得多,故云母易沿层间发生解理,可 剥离成片状。
图2-39 滑石的结构
结构与性质的关系:复网层中每个活性氧同时与3个 Mg2+相连接,从Mg2+处获得的静电键强度为3×2/6=1, 从 Si4+ 处 也 获 得 1 价 , 故 活 性 氧 的 电 价 饱 和 。 同 理 , OH-中的氧的电价也是饱和的,所以,复网层内是电 中性的。这样,层与层之间只能依靠较弱的分子间力 来结合,致使层间易相对滑动,所有滑石晶体具有良 好的片状解理特性,并具有滑腻感。
第二章晶体结构与常见晶体结构类型第四讲
常见纤锌矿结构的晶体有BeO、ZnO、CdS、GaAs等晶体。
图2-18 纤锌矿结构六方柱晶胞和平行六面体晶胞
(2)纤锌矿结构与热释电性及声电效应
某些纤锌矿型结构,由于其结构中无对称中心存在,使得晶体具有
热释电性,可产生声电效应。热释电性是指某些象六方 ZnS的晶体,由
于加热使整个晶体温度变化,结果在与该晶体 c轴平行方向的一端出现 正电荷,在相反的一端出现负电荷的性质。晶体的热释电性与晶体内部 的自发极化有关。实际上,这种晶体在常温常压下就存在自发极化,只 是这种效应被附着于晶体表面的自由表面电荷所掩盖,只有当晶体加热
加电场时,外电场使晶体中的固有偶极矩的取向倾向于一致或某种
优势取向,改变晶体的折射率,即外电场使晶体的折射率发生变化。
在光通讯中,电-光调制器就是利用电场使晶体
的折射率改变这一原理制成的,其工作原理如图2-25
所示。电光晶体位于起偏镜和检偏镜之间,在未施加
电场时,起偏镜和检偏镜相互垂直,自然光通过起偏 镜后检偏镜挡住而不能通过。施加电场时,折射率变 化,光便能通过检偏镜。通过检偏镜的光的强弱由施 加于晶体上的电压的大小来控制,从而实现通过控制 电压对光的强弱进行调制的目的。
晶体 起偏镜 检偏镜
光源
调制光
V
图2-25 电光调制器工作原理示意图
2.钙钛矿(perovskite,CaTiO3)型结构与铁电效应
(1)结构解析
钙钛矿是以CaTiO3为主要成分的天然矿物,理想情况下其结构属于
立方晶系,如图2-26所示。 结构中Ca2+和O2-离子一起构成FCC堆积,Ca2+位于顶角,O2-位于面 心,Ti4+位于体心。Ca2+、Ti4+和O2-的配位数分别为12、6和6。Ti4+占 据八面体空隙的1/4。[TiO6]八面体共顶连接形成三维结构。 这种结构只有当A离子位置上的阳离子(如Ca2+)与氧离子同样大 小或比其大些,并且B离子(Ti4+)的配位数为6时才是稳定的。
第二章 晶体结构
第二章晶体结构内容提要大多数无机材料为晶态材料,其质点的排列具有周期性和规则性。
不同的晶体,其质点间结合力的本质不同,质点在三维空间的排列方式不同,使得晶体的微观结构各异,反映在宏观性质上,不同晶体具有截然不同的性质。
1912年以后,由于X射线晶体衍射实验的成功,不仅使晶体微观结构的测定成为现实,而且在晶体结构与晶体性质之间相互关系的研究领域中,取得了巨大的进展。
许多科学家,如鲍林(Pauling)、哥希密特(Goldschmidt)、查哈里阿生(Zachariason)等在这一领域作出了巨大的贡献,本章所述内容很多是他们研究的结晶。
要描述晶体的微观结构,需要具备结晶学和晶体化学方面的基本知识。
本章从微观层次出发,介绍结晶学的基本知识和晶体化学基本原理,以奠定描述晶体中质点空间排列的理论基础;通过讨论有代表性的无机单质、化合物和硅酸盐晶体结构,以掌握与无机材料有关的各种典型晶体结构类型,建立理想无机晶体中质点空间排列的立体图像,进一步理解晶体的组成-结构-性质之间的相互关系及其制约规律,为认识和了解实际材料结构以及材料设计、开发和应用提供必要的科学基础。
2.1 晶体化学基本原理由于天然的硅酸盐矿物和人工制备的无机材料制品及其所用的原料大多数是离子晶体,所以在这一节主要讨论离子晶体的晶体化学原理。
一、晶体中键的性质(键性的判别)过去的教学中,以电子云的重要情况讨论键型。
Na-Cl认为是典型的离子键。
硅酸盐晶体中比较典型的结合键方式:Si-O Al-O M e-O (M代表许多碱、碱土金属)Me-O、Al—O键通常认为是比较典型的离子键,而Si-O键中Si-O键离子键、共价键成分相当。
为了方便,通常也认为是离子键。
那么键的成分是如何确定的?即通常如何判断键的类型呢?Pauling通过大量的研究发现,可以根据各元素的电负性差别判断键的类型(由于电负性反映元素粒子得失电子的能力)。
元素电子的电负性x=元素电子的电离能力I+元素原子的电子亲和能E。
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于2/3的八面体空隙,Al3+的分
布原则符合鲍林规则:在同一 层和层与层之间,Al3+之间的距 离应保持最远。
α-Al2O3中的氧与铝的排列次序可写成:
OAAlDOBAlEOAAlFOBAlDOAAlEOBAlFOAAlD…… 13层
属于刚玉型结构的晶体:
α-Fe2O3、Cr2O3、Ti2O3、V2O3、FeTiO3 ;MgTiO3等
Ca2+:000,½ ½ 0,½ 0 ½ ,0 ½ ½
F
-
:¼ ¼ ¼, ¾ ¾ ¼, ¾ ¼ ¾, ¼ ¾ ¾, ¾ ¾ ¾, ¼ ¼ ¾, ¼ ¾ ¼, ¾ ¼ ¼
右图为CaF-结构以配位多面体相
连的方式,图中立方体为Ca-F立 方体,Ca2+位于立方体中心,F-位 于立方体角顶,立方体之间以共棱 关系相连。
晶胞中质点的坐标:
Cd2+为000;I-为2/3,1/3,u;1/3,2/3,(u-1/2) u=0.75 类似晶体有:Ca(OH)2;Mg(OH)2;CaI2;MgI2等。
Cd2+ I-
十、α-Al2O3(刚玉)型结构
三方晶系,空间群 R 3c ,a0=0.517nm,=55°17′,Z=2 O2-按六方紧密堆积排列 ,形成 ABABAB……重复规律,Al3+填充
与其结构相同的有硅、锗、灰锡、合成立方氮化硼等
二、石墨结构
石墨(C),六方晶系,P63/mmc,a0=0.146nm, c0=0.670nm,每个晶胞中原子数Z=4 。 结构表现为碳原子呈层状
排列。层内碳原子呈六方
环状排列,每个碳原子与 三个相邻碳原子之间的距 离均为0.142nm;层间距离 为0.335nm。层内为共价键, 层间为分子键相连。
A B A B A B A
Al α-Al2O3
(a)
Fe
(b)
Ti
FeTiO3
Li Nb LiNbO3
(c)
图1-24 刚玉结构,钛铁矿结构及LiNbO3结构对比示意图
十一、CaTiO3(钙钛矿)型结构
钙钛矿结构的通式为ABO3,其中A代表二价(或一价) 金属离子:Ca2+, Ba2+, Pb2+ ,B代表四价(或五价)金属 离子:Ti4+, Zr4+。 CaTiO3在高温时为立方晶系(理想结构),Pm3m, a0=0.385nm,Z=1;600℃以下为斜方晶系PCmm。 Ca2+占有立方面心的角顶位置,O2占有面心位置,可看成Ca2+ 和O2- 共 同组成立方紧密堆积,Ti4+充填于1/4 的八面体空隙中,位于立方体中心, Ti4+ 的CN=6, Ca2+的CN=12。
六、α-ZnS(纤锌矿)型结构
六方晶系,空间群P63mc,a0=0.382nm,
c0=0.625nm,Z=2;阳离子和阴离子的配位数都 是4 ;S2-按六方最紧密堆积排列,Zn2+充填于1/2 的四面体空隙中。 S 2 - :000, 2/3 1/3 1/2 Zn2+:00u, 2/3 1/3 (u-1/2), 其中u=0.875
数为3。
Ti4+:000,½½½ O2-:uu0, (1-u)(1-u)0, ( ½+u)(½-u)½,(½-u)(½+u)½ ,u=0.31
(a)晶胞结构图
(b)(001)面上的投影图
Ti-O八面体以共棱方式排成链状,晶胞中心的链和四角的 Ti-O八面体链的排列方向相差90° 链与链之间是Ti-O八面体以共顶相连 还可以把O2-看成近似六方紧密堆积, 而Ti4+位于1/2的八面体空隙中 属于金红石结构的晶体有:SnO2 ;PbO2;MnO2;MoO2; WO2; MnF2; MgF2;VO2
九、CdI2(碘化镉)型结构
三方晶系,空间群P 3 m ,a0=0.424nm,c0=0.684nm,Z=1; Cd2+占有六方原始格子的结点位置,I-交叉分布于三个Cd2+
的三角形中心的上、下方; Cd2+的配位数是6,上下各3个 I- , I-配位数是3,3个Cd2+处于同一边,因此,该结构相 当于两层I-离子夹一层Cd2+ ,构成复合层。层间由范德华 力相连,是一种较典型的层状结构,层间范德华力较弱, 而呈现∥(0001)的解理;层内则由于极化作用,Cd-I之 间是具有离子键性质的共价键,键力较强。
S 2- :000, ½ ½ 0, ½ 0 ½, 0 ½ ½ Zn2+:¼ ¼ ¾ , ¼ ¾ ¼ , ¾ ¼ ¼ , ¾ ¾ ¾
结构俯视图,数字为标 高,0为底面位置,25、 50、75分别为晶胞1/4、 1/2、3/4的标高
S2Zn2+
Zn-S四面体以 共顶方式相连
属于闪锌矿型结构的晶体:-SiC, GaAs, AlP, InSb等
以上讨论了 12种典型结 构,据阴离 子堆积方式 和阴、阳离 子配位关系 归纳成右表 。另外一些 晶体化学家 提出了使用 键参数函数 的方法来判 断晶体结构 (见下页)
键参数函数与无机化合物晶体结构的关系
第二章 晶体结构与晶体中的缺陷
§2.1
典型结构类型
§2.2 硅酸盐晶体结构
§2.3 晶体结构缺陷
§2.1
一.金刚石结构 二.石墨结构
典型结构类型
七.萤石型结构 八.金红石型结构 九.碘化镉型结构 十. 刚玉型结构
三.NaCl型结构 四.CsCl型结构
五.闪锌矿型结构
六.纤锌矿型结构
十一. 钙钛矿型结构
Ti4+ 的CN=6, Ca2+的CN=12
十二、MgAl2O4(尖晶石)型结构
AB2O4型化合物中最重要的一种结构是尖晶石结构: 立方晶系 ,Fd3m,a0=0.808nm,Z=8 O2-按立方紧密堆积排列,二价离子A充填1/8 四面体空隙 ,三价离子B充填1/2八面体空隙——正型尖晶石结构。 八面体间共棱相连,八面体与四面体间是共顶相连。 反型尖晶石结构:二价 阳离子充填八面体空隙, 三价阳离子一半充填四面 体空隙,另一半充填八面 体空隙中。
Na+:00½,½00,0 ½ 0, ½ ½ ½
以配位多面体及其连接方式描述晶体结构
属于NaCl型结构的晶体很多,见下表。
四、CsCl型结构
立方晶系Pm3m空间群,a0=0.411nm,Z=1,立方原始格 子,Cl-处于立方原始格子的八个角顶上,Cs+位于立方体 中心(立方体空隙), Cl-和Cs+的CN均为8。
十二. 尖晶石型结构
典型结构类型
晶体所属的晶系
晶体中质点的堆积方式及空间坐标
配位数、配位多面体及其连接方式
晶胞分子数 空隙填充情况
一、金刚石结构
化学式C;晶体结构为立方晶系Fd3m,立方面心格子,a0
=0.356nm;碳原子位于立方面心的所有结点位置和交替 分布在立方体内四个小立方体中心;每个晶胞中原子数Z =8,每个碳原子周围都有4个碳,之间形成共价键。 性质: 硬度最大、具半导体性能、极好的导热性
属于纤锌矿型结构的晶体有:BeO、
ZnO、AIN等
• 立方晶系,空间群Fm3m,a
七、CaF2(萤石)型结构
0
= 0.545nm,Z=4;Ca2+ 位于立方面心的结点上,F-位于立方体内八个小立方体 中心;Ca2+的CN=8,F-的CN=4;
2+作立方紧密堆积
•Ca
,F-充填于全部四面体空隙,八面 体空隙全部空着,因此在八个F-之间存在有较大的空洞, 为F-的扩散提供条件。
性质:碳原子有一个电子可以在层内移动,类 似于金属中的自由电子,平行层的方向具良好导 电性;硬度低,易加工;熔点高;有润滑感。
石墨与金刚石的化学组成相同,结构不同,这 种现象称为同质多晶现象。 人工合成的六方氮化 硼与石墨结构相同。
三、NaCl型结构
食盐化学式NaCl,立方晶系,Fm3m,立方面心格子,a0=
离子坐标:Cs+—½ ½ ½ ; Cl-—0 0 0
属于CsCl型结构的晶体:CsBr、CsI、NH4Cl等
五、β-ZnS(闪锌矿)型结构
立方晶系F 4 3m,a0=0.540nm,Z= 4,立方面心格子,S2-位于立方面心 的结点位置,而Zn2+交错地分布于立 方体内的1/8小立方体的中心。 阴、阳离子的CN均为4,若把S2-看成 立方最紧密堆积,则Zn2+充填于1/2的 四面体空隙中。
类似晶体:BaF2、PbF2、SnF2、CeO2、ThO2、UO2、低 温ZrO2等
反萤石结构:晶体结构与萤石完全相同,只是阴、阳离子 位置完全互换。如Li2O、Na2O、K2O等。m ,a0=0.459nm,c0=0.296nm,Z=2; Ti4+位于四方原始格子结点位置,体中心Ti4+不属此四方原 始格子,而自成另一套四方原始格子,因为这两个Ti4+周围 环境不同,不能成为四方体心格子,O2-处于特定位置; Ti4+的配位数为6,O2-的配位
0.563nm,单位晶胞中的“分子”数Z=4。
晶体结构的描述有哪三种方法?
阴、阳离子以离子键结合,为离子晶体。Cl-按立方最紧 密堆积方式堆积,Na+充填于全部八面体空隙中,阴、阳离 子配位数均为6。
图1-3
NaCl晶胞图
NaCl晶胞中4个Cl-和Na+的坐标分别为: Cl-:000, ½ ½ 0, ½ 0 ½ , 0 ½ ½