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一文了解半导体制造常用化学品
硅片湿法清洗化学品
典型的硅片湿法清洗顺序
还有光刻胶、研磨液等。NTI(negative tone image)的显影液等。
来源：半导体光刻技术
半导体制造过程中常用的酸半导体制造过程中常用的碱半导体制造过程中常用的溶剂半导体制造过程中常用的通用气体半导体制造过程中常用的特种气体硅片湿法清洗化学品典型的硅片湿法清洗顺序还有光刻胶研磨液等
一文了解半导体制造常用化学品
半导体制造过程中常用的酸
半导ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ制造过程中常用的碱
半导体制造过程中常用的溶剂
半导体制造过程中常用的通用气体
半导体中barc open用的气体.
半导体中barc open用的气体 半导体中barc open用的气体 BARC Open气体的作用。
BARC Open气体在BARC的制备过程中起着重要的作用。
它可以帮助BARC材料形成均匀的薄膜，并提高BARC的光学性能。
BARC Open气体可以控制BARC材料的表面张力和粘附性，使其更好地与其他材料结合。
它还可以提高BARC材料的抗反射性能，减少光的反射，提高光刻胶的曝光效果。
常用的BARC Open气体。
在半导体制造过程中，常用的BARC Open气体包括氮气（N2）、氢气（H2）和氧气（O2）。
氮气可以提供惰性环境，保护BARC材料的表面免受污染和氧化。
氢气可以帮助BARC 材料形成均匀的薄膜，并提高其光学性能。
氧气可以改善BARC材料的抗反射性能，减少光的反射。
根据具体的制备工艺和要求，BARC Open气体的组合和比例可以有所不同。
BARC Open气体的处理方法。
BARC Open气体在制备过程中需要进行适当的处理。
首先，需要确保BARC Open气体的纯度和质量，以避免对BARC材料的污染和影响。
其次，需要控制BARC Open气体的流量和压力，以确保BARC材料的均匀性和质量。
在处理BARC Open气体时，还需要注意安全性和环境保护，遵守相关的操作规程和标准。
BARC Open气体在半导体制造过程中起着重要的作用。
它可以帮助BARC材料形成均匀的薄膜，并提高其光学性能和抗反射性能。
常用的BARC Open气体包括氮气、氢气和氧气。
在处理BARC Open气体时，需要注意纯度、质量、流量和压力的控制，以确保BARC材料的质量和性能。
BARC Open气体的使用需要遵守相关的操作规程和标准，确保安全性和环境保护。
半导体气体系统组成
半导体气体系统组成（原创版）目录一、半导体气体的概述二、半导体气体系统的组成1.气体供应系统2.气体净化系统3.气体分配系统4.气体监测系统三、半导体气体的应用1.硅烷在半导体工业中的应用2.锗烷在电子工业中的应用3.磷烷在半导体工业中的应用四、全球半导体气体供应链的状况五、半导体式气体传感器的原理和应用六、我国半导体气体产业的发展正文一、半导体气体的概述半导体气体是指在半导体制造过程中所使用的各种气体，它们在半导体材料的生长、沉积、掺杂、刻蚀等工艺中发挥着重要作用。
常见的半导体气体有硅烷、锗烷、磷烷等。
二、半导体气体系统的组成半导体气体系统通常由四个部分组成，分别是气体供应系统、气体净化系统、气体分配系统和气体监测系统。
1.气体供应系统：负责将各种半导体气体从储存装置输送到使用地点，通常包括气体瓶、阀门、压力调节器等。
2.气体净化系统：负责对半导体气体进行净化处理，去除其中的杂质和污染物，确保气体的纯度和质量。
常用的净化方法有吸附、过滤、冷凝等。
3.气体分配系统：负责将半导体气体按照工艺需求进行分配和切换，以满足不同工艺步骤的要求。
常用的分配方式有手动控制、自动控制等。
4.气体监测系统：负责对半导体气体的使用过程进行实时监测，确保气体的安全性和稳定性。
常用的监测方法有浓度监测、压力监测、温度监测等。
三、半导体气体的应用1.硅烷在半导体工业中的应用：硅烷主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。
2.锗烷在电子工业中的应用：锗烷主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。
3.磷烷在半导体工业中的应用：磷烷主要用于硅烷外延的掺杂剂。
四、全球半导体气体供应链的状况乌克兰局势引发了能源、黄金等大宗商品价格发生剧烈波动。
作为全球半导体特种气体主要供应地，乌克兰承载了全球近七成氖气产量，也是氩、氪、氙等多种半导体制造所需气体的重要产源地，美国超过 90% 的半导体级氖气来自乌克兰。
半导体行业常用气体介绍.doc
NF3/Ar 、NF3/He 用于硅化合物 MoSi2 的蚀刻； NF3/CCl4 、NF3/HCl 既用于 MoSi2
的蚀刻，也用于 NbSi2 的蚀刻。
9、三氟化磷（ PF3 ）：毒性极强。作为气态磷离子注入源。
3 `; |8 K, h* r: C,
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10、四氟化硅（SiF4 ）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。 主要用于氮化硅 （Si3N4 ） 和硅化钽（ TaSi2 ）的等离子蚀刻、发光二极管 P 型掺杂、离子注入工艺、外延
积、氮化硅膜淀积， 太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等。 单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用外延混合气组成如下表：
外延是一种
序号
组份气体
稀释气体
1 氦、氩、氢、氮
2
硅烷（ SiH4）
氦、氩、氢、氮 5 X- t) ?%
3. W' D" 氯硅烷（ SiClห้องสมุดไป่ตู้ ）
c" H u: ]+ A# 二氯二氢硅（ SiH2Cl2 ） ( b+ C
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氯硅烷（ SiCl4 ） +氢
CVD
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硅烷（ SiH4） +甲烷（ CH4 ）
离子注入 CVD
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硅烷（ SiH4） +氧 " U6 H: b7 v. W) Y
CVD
硅烷（ SiH4） +氧 +磷烷（ PH3 ） %~. d: N; CVD' k9 I* m$ @,
沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
半导体气体系统组成
半导体气体系统组成
摘要：
一、半导体气体系统的组成
1.半导体气体的种类
2.半导体气体在半导体工业中的应用
3.半导体气体传感器的原理和应用领域
4.我国半导体气体产业的发展现状和趋势
正文：
一、半导体气体系统的组成
半导体气体系统主要由以下几种气体组成：硅烷、锗烷、磷烷等。
这些半导体气体在半导体工业中具有重要作用，例如，硅烷主要用于制作高纯多晶硅、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等，锗烷则用于制造各种不同的硅锗合金，而磷烷则主要用于硅烷外延的掺杂剂。
二、半导体气体在半导体工业中的应用
半导体气体在半导体工业中的应用非常广泛，包括用于制造高纯度半导体材料、形成硅锗合金等电子元器件、掺杂剂等。
此外，半导体气体还被广泛用于离子注入源和激光介质等。
三、半导体气体传感器的原理和应用领域
半导体气体传感器是一种用于检测气体的传感器，通常适合检测甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、酒精、甲醛、一氧化碳、二氧化碳、乙烯、乙炔、氯乙烯、苯乙烯、丙烯酸等气体。
半导体式气体传感器成本低廉，只适合民用气体检测的需求，它的稳定性较差，受环境影响较大，输出参数也会存在一定漂移误
差。
四、我国半导体气体产业的发展现状和趋势
随着半导体产业的快速发展，我国半导体气体产业也在不断壮大。
目前，我国半导体气体市场已经占据全球市场份额的较大部分，并且随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，我国半导体气体产业的发展前景非常广阔。
半导体行业产生的特种气体有哪些(半导体特种气体种类)
半导体属于高新技术产业，往往被误解为“清洁”产业，但事实上，在清洗、光刻、去胶、烘干等工艺中需使用大量的酸、碱及有机溶剂和多种特殊气体，整个生产过程三废产量大、种类多。
半导体工业用气体具有品种多、质量要求高、用量少等特点，大部分是有毒或腐蚀性气体，品种高达百余种。
本文将介绍半导体行业产生的特种气体有哪些？
半导体特种气体种类
半导体工业特种气体按照应用分类，主要包括：
1、硅族气体：含硅基的硅烷类，如硅烷（SiH4）、二氯二氢硅（SiH2Cl2）、乙硅烷（Si2H6）等。
2、掺杂气体：含硼、磷、砷等三族及五族原子之气体，如三氯化硼（BCl3）、三氟化硼（BF3）、磷烷（PH3）、砷烷（AsH3）等。
3、蚀刻清洗气体：以含卤素的卤化物及卤碳化合物为主，如氯气（Cl2）、三氟化氮（NF3）、溴化氢（HBr）、四氟化碳（CF4）、六氟乙烷（C2F6）等
4、反应气体：以碳系及氮系氧化物为主，如二氧化碳（CO2）、氨（NH3）、氧化亚氮（N2O）等。
5、金属气相沉积气体：含卤化金属及有机烷类金属，如六氟化钨（WF6）、三甲基镓（Ga （CH3）3）等。
以上就是《半导体行业产生的特种气体有哪些》的全部内容，希望对您有所帮助。
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137****8228。
半导体常见气体的用途
半导体常见气体的用途1、硅烷（SiH4）：有毒。
硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。
2、锗烷（GeH4）：剧毒。
金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。
3、磷烷（PH3）：剧毒。
主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。
同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。
4、砷烷（AsH3）：剧毒。
主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。
5、氢化锑（SbH3）：剧毒。
用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。
6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。
硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。
7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。
主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。
8、三氟化氮（NF3）：毒性较强。
主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。
三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。
9、三氟化磷（PF3）：毒性极强。
作为气态磷离子注入源。
10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。
主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（T aSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
11、五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。
用作气态磷离子注入源。
12、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。
半导体氟气-概述说明以及解释
半导体氟气-概述说明以及解释1. 引言1.1 概述概述半导体氟气是一种重要的化学气体，广泛应用于半导体制造过程中。
作为一种无色、无味、无毒的气体，它具有良好的化学稳定性和热稳定性，可以在高温和高压下维持较好的性能。
随着半导体技术的不断发展，半导体氟气在半导体行业中的重要性日益凸显。
它在半导体制造过程中起到了至关重要的作用，能够有效提高产品的质量和性能。
在本文中，我们将对半导体氟气进行详细的介绍和探讨。
首先，我们将阐述半导体氟气的定义，包括其化学性质和物理性质。
然后，我们将介绍半导体氟气的制备方法，包括传统的氟化物合成方法和先进的制备技术。
最后，我们将探讨半导体氟气在半导体制造过程中的应用领域，包括浸润剂、清洗剂和蚀刻剂等。
通过对半导体氟气的深入研究和应用，我们可以更好地理解和认识半导体制造过程中的关键环节，进而提高产品的制造质量和性能。
相信本文的内容将对半导体行业的从业人员和科研工作者具有一定的参考价值。
接下来我们将详细介绍半导体氟气的定义及其化学性质。
文章结构部分的内容可以包括以下内容：本文将按照以下结构展开讨论半导体氟气的相关内容：1. 引言1.1 概述1.2 文章结构1.3 目的2. 正文2.1 半导体氟气的定义2.2 半导体氟气的制备方法2.3 半导体氟气的应用领域3. 结论3.1 总结3.2 展望3.3 结论在引言部分，我们会对半导体氟气进行概述，包括介绍其基本概念和特点，并明确文章的目的。
在正文部分，我们将详细讨论半导体氟气的定义，解释其在半导体制备过程中的重要作用。
我们还会介绍目前常用的半导体氟气制备方法，包括化学合成和物理制备方法，并探讨它们的优缺点。
随后，我们将探讨半导体氟气在不同领域的应用，包括半导体器件制造、光电子学和材料研究等。
我们将介绍其在这些领域中的具体应用案例，并分析其优势和潜在的发展趋势。
最后，在结论部分，我们将对全文进行总结，回顾半导体氟气的重要意义和存在的问题，并展望其未来在半导体行业和相关领域的发展前景。
半导体常用气体颜色标示表
气 体 钢瓶接口
C2H2
CGA510
N2/O2
CGA590
NH3
CGA660
Ar
CGA580
AsH3
CGA350
BCl3
CGA660
BF3
CGA330
C4H10
CGA510
CO2
CGA320
CO
CGA350
Cl2
CGA660
ClF3
CGA670
D2
CGA350
B2H6（混合） CGA350
SiH2Cl2 CGA678
序号 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
气体 Xe/Ar
CH4 CH3SiH3
NO N2 NF3 N2O O2 C3F8 PH3 SiH4 SiCl4 SF6 TCS WF6 Xe CF4 CHF3 C4F8 He H2 HBr HCl HF H2S
钢瓶接口 CGA580 CGA350 CGA350 CGA660 CGA580 CGA330 CGA326 CGA540 CGA660 CGA350 CGA30 DISS636 CGA590 CGA678 CGA670 CGA580 CGA320 CGA320 CGA110 CGA580 CGA350 CGA330 CGA330 CGA670 CGA330
半导体常用气体颜色标示表半导体常用气体颜色标示表序号序号1122334455667788991010111112121313141415151616171718181919202021212222232324242525气体气体c2h2c2h2n2o2n2o2nh3nh3ararashash33bclbcl33bfbfcc钢瓶接口钢瓶接口cga510cga510cga590cga590cga660cga660cga580cga580cga350cga350cga660cga660cga330cga330cga510cga510cga320cga320cga350cga350cga660cga660cga670cga670cga350cga350cga350cga350cga678cga678cga350cga350cga351cga351cga679cga679cga679cga679cga350cga350cga660cga660cga320cga320cga580cga580cga330cga330cga580cga580颜色颜色红白红白绿白绿白黄黑黄黑绿白绿白橙黑橙黑黄黑黄黑黄黑黄黑红白红白绿白绿白红白红白黄黑黄黑黄黑黄黑红白红白红白红白红白红白红白红白红白红白橙黑橙黑橙黑橙黑红白红白绿白绿白绿白绿白绿白绿白橙黑橙黑绿白绿白序号序号2626272728282929303031313232333334343535363637373838393940404141424243434444454546464747484849495050气体气体xearxearchch44chch33sihsih33nononn22nfnf33nn22oooo22cc33ff88phph33sihsih44siclsicl44sfsf66tcstcswfwf66xexecfcf44chfchf33cc44ff88hehehh22hbrhbrhclhclhfhfhh22ss钢瓶接口钢瓶接口cga580cga580cga350cga350cga350cga350cga660cga660cga580cga580cga330cga330cga326cga326cga540cga540cga660cga660cga350cga350cga30cga30diss636diss636cga590cga590cga678cga678cga670cg
半导体行业常用气体介绍
半导体行业常用气体介绍集团标准化小组：[VVOPPT-JOPP28-JPPTL98-LOPPNN]半导体常见气体的用途1、硅烷（SiH4）：有毒。
硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。
2、锗烷（GeH4）：剧毒。
金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。
3、磷烷（PH3）：剧毒。
主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。
同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。
4、砷烷（AsH3）：剧毒。
主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。
5、氢化锑（SbH3）：剧毒。
用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。
6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。
硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。
7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。
主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。
8、三氟化氮（NF3）：毒性较强。
主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。
三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。
9、三氟化磷（PF3）：毒性极强。
作为气态磷离子注入源。
10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。
主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
11、五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。
电子半导体行业气体特性
2016/12/7
Hydrogen Colorless,Combustible,Flammable Hydrogen Sulfide Colorless,Combustible,Toxic Hydrogen Selenide Colorless,Combustible,Toxic 氦氣 Helium Colorless,Inert,Incombustible,nonflammable 氪氣 Krypton Colorless,Incombustible 氖氣 Neon Colorless,Incombustible 三氟化氮 Nitrogen Trifluoride Colorless,Oxidant,Toxic,nonflammable 氨氣 Ammonia Colorless,Combustible,Toxic 一氧化氮 Nitric Oxide Colorless,Combustible,Toxic,Oxidant 氮氣 Nitrogen Colorless,Incombustible,nonflammable 一氧化二氮(笑氣) Nitrous Oxide Colorless,Oxidant,nonflammable 氧氣 Oxide Colorless,Oxidant 磷化氟 Phosphorus Trifluoride Colorless,Toxic 磷化氟 Phosphorous Pentafluoride Colorless,Toxic 磷化氫 Phosphine Colorless,Combustible,Toxic,Flammable Phosphorus Oxychloride Colorless,Corrosive Trimethyl Phosphate Colorless,Combustible 六氟化硫 Sulfur Hexaflouride Colorless,Incombustible,nonflammable Tetraethoxysilane Colorless,Flammable 四氯化矽 Silicon Tetrachloride Colorless,Toxic,Corrosive,Incombustible 四氟化矽 Silicon Tetrafluoride Colorless,Toxic,Combustible 三氯矽烷 Trichlorosilane Colorless,Corrosive 二氯矽烷 Dichlorosilane Colorless,Combustible,Toxic 矽甲烷 Silane Colorless,Combustible,Toxic,Flammable Disilane Colorless,Combustible,Toxic 二氧化硫 Sulfur Dioxide Colorless,Toxic,Corrosive 氟化鎢 Tungsten Hexafluoride Toxic,Corrosive Xenon Colorless 氫氣 硫化氫 Incombustible
半导体高纯气体
半导体高纯气体
半导体高纯气体通常是指在半导体制造过程中使用的纯度较高的气体。
在半导体生产中，需要使用高纯度的气体来保证半导体材料的质量和性能。
半导体高纯气体通常包括氢气、氮气、氧气、氩气等。
这些气体需要经过严格的纯度控制，通常要达到ppb（十亿分之一）
级别的纯度水平。
在半导体制造过程中，高纯气体的应用非常广泛。
例如，在半导体晶片制造中，高纯气体用于清洗晶片表面、制造氧化层、沉积材料、控制反应等；在半导体封装过程中，高纯气体用于清洗封装材料、控制封装环境等。
高纯气体的制备可以通过多种方式实现，包括物理方法（如冷凝、吸附和分离等）、化学方法（如催化剂反应和纳米材料催化等）以及电化学方法（如电解、电化学气体传感等）。
同时，还需要对气体进行严格的纯度监控和质量控制，以确保所使用的气体符合产品要求。
mems晶圆工艺内腔气体
mems晶圆工艺内腔气体
晶圆工艺内腔气体通常是指在半导体晶圆制备过程中用于控制和调节工艺环境的气体。
这些气体在晶圆加工的各个阶段起着重要的作用。
常见的晶圆工艺内腔气体包括：
1. 高纯度氮气（N2）：用于清洗和吹扫晶圆表面，以去除杂
质和污染物。
2. 氢气（H2）：用于去除氧化物和有机物，以净化晶圆表面。
3. 氧气（O2）：用于产生氧化层，例如在制备氧化硅或其他
氧化物层时。
4. 氟化气体（例如SF6、CF4）：用于刻蚀或蚀刻晶圆表面，
达到制备精细结构的目的。
5. 氩气（Ar）：用于惰性氛围，稀释其他气体，防止氧化和
污染。
6. 氟化氢（HF）：用于蚀刻或去除硅表面的氧化层。
这些内腔气体的选择和使用通常取决于具体的晶圆制备工艺和需要达到的工艺目标。
不同的工艺和设备可能需要不同的气体组合和流量控制，以实现所需的反应和加工效果。
同时，为了确保晶圆质量和产品稳定性，内腔气体的纯度和控制也是非常重要的。
半导体制程气体介绍
一、半導體製程氣體介紹:A.Bulk gas:---GN2 General Nitrogen : 只經過Filter -80℃---PN2 Purifier Nitrogen---PH2 Purifier Hydrgen (以紅色標示)---PO2 Purifier Oxygen---He Helium---Ar Argon※“P”表示與製程有關※台灣三大氣體供應商: 三福化工(與美國Air Products)亞東氣體(與法國Liquid合作)聯華氣體(BOC)中普PraxairB.Process gas : Corrosive gas (腐蝕性氣體)Inert gas (鈍化性氣體)Flammable gas (燃燒性氣體)Toxic gas (毒性氣體)C.General gas : CDA : Compressor DryAir (與製程無關，只有Partical問題)。
ICA : Instrument Compressor Air (儀表用壓縮空氣)。
BCA: Breathinc Compressor Air (呼吸系統用壓縮空氣)。
二、氣體之物理特性:A.氣體分類:1.不活性氣體: N2、Ar、He、SF6、CO2、CF4 , ….. (惰性氣體)2.助燃性氣體: O2、Cl2、NF3、N2O ,…..3.可燃性氣體: H2、PH3、B2H6、SiH2Cl2、NH3、CH4 ,…..4.自燃性氣體: SiH4、SC2H6 ,…..5.毒性氣體: PH3、Cl2、AsH3、B2H6、HCl、SiH4、Si2H6、NH3 ,…..三、氣體供應系統:(一)Bulk gas --- 室外氣體名供應方式N2Cold EV A / N2 PlantAr ColdO2ColdHe gardle / Manifold (Manifold)H2Gas tank / gasdle ※氣瓶櫃之必要部份 1.電氣控制Array工業安全規定每一 2.配管櫃只能放兩支瓶。