半导体专业英语
半导体专业术语英语..
1. acceptance testing （WAT：wafer acceptance testing）2。
acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3。
ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4。
Acid：酸5. Active device:有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6。
Align mark(key)：对位标记7。
Alloy：合金8。
Aluminum：铝9. Ammonia:氨水10。
Ammonium fluoride：NH4F11。
Ammonium hydroxide：NH4OH12。
Amorphous silicon：α-Si，非晶硅(不是多晶硅）13。
Analog：模拟的14。
Angstrom：A（1E—10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH)16。
AQL(Acceptance Quality Level）:接受质量标准，在一定采样下，可以95％置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17。
ARC（Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony（Sb)锑19. Argon(Ar）氩20. Arsenic（As）砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22。
Arsine（AsH3）23。
Asher:去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25。
Autodoping:自搀杂（外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26。
Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27。
Baseline：标准流程28. Benchmark:基准29。
Bipolar:双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体专业术语英语
1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）6.Alignmark(key)：对位标记7.Alloy：合金8.Aluminum：铝9.Ammonia：氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13.Analog：模拟的14.Angstrom：A（1E-10m）埃15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18.Antimony(Sb)锑19.Argon(Ar)氩20.Arsenic(As)砷21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去胶机24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27.Baseline：标准流程28.Benchmark：基准29.Bipolar：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。
电子专业英语词汇参考
电子专业英语词汇参考半导体（Semiconductors）本征半导体（Intrinsic Semiconductor）杂质半导体（Impurity Semiconductor）电子（Electron）空穴（Cavity）硅Si（Silicon）锗Ge（Germanium）N 型半导体 (Negative Semiconductor)P 型半导体（Positive Semiconductor）PN 结（PN junction）自由电子（Free electron）自由空穴（Free hole）耗尽层（Depletion layer）电荷（Electric charge）单向导电性（One-way conductive）漏电流（Leakage current）整流（Rectifier）滤波（Filtering）稳压（Regulator）参数（Parameter）穿透电流（Shoot-through currents）发光二极管 LED (Light Emitting Diode)双极型晶体管BJT (Bipolar Junction Transistor) 发射结（Emitter junction）集电结（Collector junction）发射极E（Emitter）基极 B（Base）集电极C（Collector）输出（Output ）输入（Input ）输入曲线（Input curve）输出曲线（Output curve）负载（Load）短路（Short-circuit）开路（Open circuit）交流电AC（Alternating Current）直流电DC（Direct Current）通频带BW（Frequency bandwidth）反应（Feedback）耦合（Coupling）截止频率（Cut-off frequency）波形（Waveform）失真（Distortion）波形失真（Waveform distortion）。
电子工程专业英语词汇(整理版)
电子工程专业英语词汇(整理版)本文档旨在提供电子工程专业所涵盖的一些常用英语词汇，帮助读者增强在该领域的英语沟通能力。
以下是一些相关词汇的介绍和解释：1. Circuit（电路）2. Semiconductor（半导体）A semiconductor is a material that has a conductivity between that of an insulator and a conductor. It can control the flow of electric current and is widely used in electronic devices, such as diodes and transistors.3. Microcontroller（微控制器）4. Signal（信号）A signal refers to any form of information that can be transmitted, such as sound, light, or electron flow. In electronic engineering, signals are often manipulated and processed to carry information or control electronic devices.5. Amplifier（放大器）6. Integrated Circuit（集成电路）7. Digital Signal Processing（数字信号处理）Digital signal processing (DSP) refers to the manipulation of digital signals using algorithms and techniques. It involves converting an analog signal into a digital form, processing it using digital systems, and then converting it back to an analog signal if needed.以上是一些电子工程专业常用的英语词汇，希望对读者有所帮助。
半导体专业术语英语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体行业专业英语名词解释
英文名称
中文名称
1
Active Area
主动区（工作区）
2
ACETONE
丙酮
3
ADI
显影后检查
4
AEI
蚀刻后检查
5
AIR SHOWER
空气洗尘室
6
ALIGNMENT
对准
7
ALLOY/SINTER
熔合
8
AL/SI
铝/硅靶
9
AL/SI/CU
铝/硅/铜
10
ALUMINUN
铝
11
ANGLE LAPPING
63
ESD
ELECTROSTATIC DAMAGE
ELECTROSTATIC DISCHARGE
静电破坏
静电放电
64
ETCH
蚀刻
65
EXPOSURE
曝光
66
FABRICATION（FAB）
制造
67
FBFC（FULL BIT FUNCTION CHIP）
全功能芯片
68
FIELD/MOAT
场区
69
FILTRATION
生产周期时间
41
DEFECT DENSITY
缺点密度
42
DEHYDRATION BAKE
去水烘烤
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
电浆预处理
45
DESIGN RULE
设计规范
46
EDSIGN RULE
设计准则
47
DIE BY DIE ALIGNMENT
每FIELD均对准
48
DIFFUSION
半导体专业英语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
微电子专业英语词汇
Chapter One 第一章Semiconductor fundamental 半导体基础1.1 Semiconductor Materials 半导体材料1 Solid stare 固态2 insulator 绝缘体3 electrical conductivity电导率4 conductor 导体5 semicoductor 半导体6 Fused quartz熔融石英7 order 有序8 impurity 杂质9 element semiconductor元素半导体10 illumination 阐明11 silicon 硅12 Periodic table周期表13 germanium 锗14 gallium 嫁15two-terminal 两端16 Arsenic 砷17 silica 石英18bipolar transistor 双极晶体管19 rectifier 整流器20 optical 光21photodiodes 光电二极管22silicates 硅酸盐23dimension 维度24 Gallium arsenide 砷化镓25 microwave 微波26compound semicondutor 化合物半导体1.2 Crystal Structure 晶体结构1 Crystal 晶体2 amorphous 非晶的3 formlessness 无定形的4 solar cell 太阳能电池5 polycrystalline 多晶的6 silicon dioxide 二氧化硅7 gate 门栅8 lattice 晶格9 single crystal 单晶10 Fashion 方式11 vibration 振动12 unit cell 原胞13 cubic-crystal 立方晶体14 fcc 面心立方15 lattice constant 晶格常数16 Polonium 钋17 bcc 体心立方18 Miller indices 密勒指数19 sodium 钠20 tungsten 钨21 gallium phosphide 磷化镓22 Aluminum 铝23 copper 铜24 diamondlattice 金刚石点阵25 platinum 铂26 Sublattice 子格27 interpenetrate 互相贯通28 diagonal 对角式29 terahedron 四面体30 zincblende lattice 闪锌矿晶格31 zincsulfide 硫化锌32 anisotropic 各向异性33 crystal orientation 晶向34 interceot 截距35 reciprocal 倒数36 perpendicular垂直37 integer 完整38 Cartesian coordinate 笛卡尔坐标系1.3 Bohrˊs Atom Model 波尔原子模型1 nucleus 原子核2 discrete 分立3 engery level 能级4 electronvolt 电子伏5 wavelength 波长6 binding engery 结合能7 shell 壳8 force 力9 angular momentum 角动量10 photon 光子11 joule 焦耳12 excited state 激发态13 potential 电势14 MKS system米千克秒制15 kinetic energy 动能16 ground state 基态17 valence electron 价电子18 principal quantum number 主量子数1.4 V alence Bonds Model of Solid 固体材料价键模型1 current 电流2 resistivity 电阻率3 electric field 电场4 covalent bond 共价键5 nuclei 核6 metallic conductor 金属导体7 electrostatic 静电的8 deficiency 缺陷9 ionic bond 离子键10 hole 空穴11 vacancy 空位1.5 Energy Bonds Model of Solid 固体材料的能带模型1 gaseous 气态2 mass 质量3 plank constant 普朗克常量4 permittivity 介电常数5 bandgap频带间隙6 energy band 能带7 valence band 价带8 conduction band 导带9 band diagram 能带图10 at rest 静态11 discrete energy level 不连续能级离散能级12 quantum mechanics 量子力学13 doubly degenerate energy lever1.6 Free-Carrier Density in Semicondutor 半导体中的自由载流子的密度1 standing-wave 驻波2 wavelength 波长3 momentum 动量4 sphere 球面5 volume 体积6 electron spin 电子自旋7 agitation 振荡8 intrinsic 本征的9 allowed state 允态10 product 乘积11 integrate 集成12 Fermi level 费米能级13 function 函数14 concentration 浓度15 forbidden-gap 禁带16 unity 单元17 exponential 指数函数18 infinity 无穷大19 excitation 激发20 recombination 复合21 deviation 误差22 extrinsic 非本征的23 term 项24 mass-action law 质量守恒定律1.7Donors and Acceptors1 donor 施主2 accepter 受主3 dope 掺杂4 negative 负的5 positive 正的6 boron 硼7 ionization 电离第二章mobility [məu'biliti]迁移率drift [drift] 漂移diffusion [di'fju:ʒən] 扩散gradient ['greidiənt] 梯度generation [,dʒenə'reiʃən]Injection [in'dʒekʃən] 注入None-equilibrium 非平衡Excess carrier 过剩载流子Recombination 符合Lifetime 寿命Thermal equilibrium 热平衡particle ['pɑ:tikl] 粒子质点motion 运动Equipartition 均分Degree of freedom 自由度Three-dimensional ['θri:di'menʃənəl] 三维的kinetic energy 动能collision [kə'liʒən] 碰撞deflect [di'flekt] 偏转挠曲phonon ['fəunɔn] 声子mechanism ['mekənizəm] 机制，机理，操作机构coulomb force 库仑力displacement 位移，迁移mean free path 平均自由行程component [kəm'pəunənt] 子件，组件vacuum ['vækjuəm] 真空，负压proportionality [prəu,pɔ:ʃə'næliti] 比例性factor因素、因数subscript ['sʌbskript] 下标valley 谷最小值cross-sectional area 截面积conductivity [,kɔndʌk'tiviti] 电导率linearity [lini'ærəti] 线性度convection [kən'vekʃən] 对流stationary ['steiʃənəri] 固定的molecule ['mɔlikju:l] 分子spatial ['speiʃəl] 空间的half-width 半角Fick's first law：菲克（扩散）第一定理；菲克第一定律carrier injection 载子注入forward bias 正向偏压；前向偏移optical excitation 光激励electron hole pair 电子空穴对majority carrier 多数载流子injection level 注入水平order of magnitude 数量级low level injection 低水平注入low level injection 高水平注入dissipate 使消散,驱散；驱散；浪费；耗散radiative ['reidieitiv] 辐射的band to band带间direct-bandgap 直接带隙transient trænʃənt] 瞬态response 响应decay 衰减photoconductivity fəutəu,kɔndʌk'tiviti] 光电导性setup 装置pulse 脉冲propagation 传播传导generation 产生世代carrier scattering 载流子散射Chapter Three3.1Device 器件diode 二极管wafer 晶片Alloying 合金epitaxy 外延implantation 注入Substrate 沉底vacuum chamber 真空室furnace 熔炉Eutectic 共晶体dopant 掺杂剂VPE气象外延LPE 液相外延MBE 分子束外延slice 切片Solubility 溶解度range 范围incident ion 入射离子Anneal 退火oven 恒温炉metallurgical 冶金Clectrostatic 静电的dashed line 虚线homojunction 同质结Huterojunction 异质结3.2Electron affinity 电子亲和势work function 功函数reference 基准点Built-in 内建depletion region 耗尽区polarity 极性Quasi-neutral 准中性reverse bias 反偏tunneling current 漏电流3.3Numenclature 命名，命名法sterdy-state 稳态counterintuitive 违反直觉地Avalanche 雪崩interband 带间extrapolate 外推Quality factot 品质因子zener tunneling 齐纳隧道multiplication factor 倍增因子Impedance 阻抗differential 差分dimension 量纲维数Trap 陷阱rectangle 长方的，矩形Chapter FourBJT---双极结式晶体管Collector---集电极Saturation mode---饱和状态Cut off mode---截止状态Minority carrier---少数载流子Qualitatively---质量上Diode---二极管Injection efficiency---注入系数Tunneling---隧道（穿）Ionized acceptor---离子化受主Approximation---近似Barrier---势垒Simulation---仿真Lateral---横向Sheet resistance---表面电阻MOS---金属氧化半导体Gate---栅极Buried layer---势垒层Forward biased---正向偏压Nondegenerate---非简并Injection---注入Milliampere---毫安培Lifetime---寿命Terminal---终端Capacitance---电容Width---宽度Substitute---代替Uniform doping---均匀掺杂Horizontal axis---水平轴Intrinsic---本征的Slope---斜面，坡度，跨导Terminal---电极Transistor---晶体管Active mode---有源状态Reverse biased---反向偏压Assumption---假想，假设Recombination---复合Leakage current---漏电电流Diffusion length---扩散长度Quantitatively---数量上Breakdown---击穿Flux---通量Simplify---简化Doping profile---掺杂分布Normalization---正规化，标准化Extrinsic---非本征的Avalanche---电子雪崩Emitter---发射极Junction---结Common base configuration---共基极组态Common emitter configuration-共射极组态Degenerate---简并的Extract---提取Base contact---基极接点Micrometer---千分尺Principle---原理Steady-state---平衡状态Concentration---集中，浓度Denominator---分母Semilog---半对数的Extrapolation---外推法Lumped resistance---集中电阻Interdigitated structure---交互式结构Base---基极Well---井Boundary condition---边界条件Generation---产生，代Order of magnitude---数量级Current gain---电流增益Collection efficiency---收集效率Neutrality---中性Hyperbolic function---双曲函数Multiplication---乘Gradient---坡度，斜率Depletion layer---耗尽层Polarity---极性，偏极Chapt 5frequency 频率analog模拟digital数字transient瞬态的/过渡的uppercase大写字母lowercase小写字母load resistance负载电容supply voltage供给电压load line 负载电路equivalent circuit 等效电路differential 微分measure 测量reciprocal 交互的/倒数Transconductance跨导series resistance串联电阻Infinite无穷的shaded area 阴影区operating speed工作速度Response反应figure of merit品质因数Delay延时Parasitic寄生的Oscillation振动self-aligned自动对准ion implantation离子注入heat treatment热处理Polysilicon多晶硅Discontinuity中断Switch开关Pulse脉冲Waveform 波形charging time充电时间Parallel并联State状态Chapt 6dielectric constant电介质常数channel 沟道Macroscopic宏观的work function自由能Equilibrium平衡Substrate衬底Interface接触面Permittivity介电常数Thickness 厚度Electrode电极Accumulation积聚Dc直流电Ac交流电space charge空间电荷inversion layer反型层Source源Length长度Conductance 电导率Drain漏Subthreshold次于最低限度的Perpendiculat垂直的Threshold阈值Bulk体积surfacepotential表面势flat-band voltage平能带电压Symbol符号Longitudinal 纵向的Transverse横向的Expression表达式NFET n沟道场效应晶体管Derivation推论/起源Mobility迁移率Constant 常数Bias偏压enhancement-type增强型parallel plate并联板ground 地V ariable变量Modulation调制Scattering散射Collision碰撞kinetic energy动能mean free path 平均自由能mean free time 平均自由时间Parameter参数Integral积分Minimum最小的Maximum 最大的Evaluate赋值dangling bond悬空键electrostatic potential静电势。
半导体行业专业英语名词解释
70
（FITFAILURE IN TIME）
71
FOUNDRY
客户委托加工
72
FOUR POINT PROBE
四点侦测
73
FINESONIC CLEAN（F/S）
超音波清洗
74
FTIR
傅氏转换红外线光谱分析仪
75
FTY（FINAL TEST YIELD）
76
FUKE DEFECT
77
GATE OXIDE
缺陷分析软件
157
SEM ELECTRON（SCANNING
MICROSCOPE）
电子显微镜
158
SELECTIVITY
选择性．
159
SILICIDE
硅化物
160
SILICIDE
金属硅化物
161
SILICON
硅
162
SILICON NITRIDE
氯化硅
163
SMS (SEMICODUCTOR MANUFACTURING
生产周期时间
41
DEFECT DENSITY
缺点密度
42
DEHYDRATION BAKE
去水烘烤．
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
电浆预处理
45
DESIGN RULE
设计规范
46
EDSIGN RULE
设计准则
47
DIE BY DIE ALIGNMENT
每FIELD均对准
48
DIFFUSION
扩散
光罩护膜
130
PELLICLE
光罩保护膜
131
PH3
半导体专业术语英语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体专业术语英语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
半导体行业专业英语名词解释
110
MISALIGN
对准不良
111
MOS
金氧半导体
112
）MULTI PROBE YIELDMPY（
多功能侦测良率
113
BETWEEN MEAN（MTBFTIME
FAILURE）
114
N2,NITROGEN
氮气
115
N,P TYPE SEMICONDUCTOR
N,P型半导体
116
NSG）（NONDOPED SILICATE GLASS
生产周期时间
41
DEFECT DENSITY
缺点密度
42
DEHYDRATION BAKE
去水烘烤．
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
电浆预处理
45
DESIGN RULE
设计规范
46
EDSIGN RULE
设计准则
47
DIE BY DIE ALIGNMENT
每FIELD均对准
48
DIFFUSION
扩散
空气洗尘室
进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
光罩护膜
130
PELLICLE
光罩保护膜
131
PH3
氢化磷
132
PHOTORESIST
光阻
133
PILOT WAFER
试作芯片
134
PINHOLE
针孔
135
PIRANHA CLEAN
过氧硫酸清洗
136
PIX
聚醯胺膜
137
PLASMA ETCHING
半导体行业专业英语名词解释
缺陷分析软件
157
SEM
（SCANNING ELECTRON MICROSCOPE）
电子显微镜
158
SELECTIVITY
选择性
159
SILICIDE
硅化物
160
SILICIDE
金属硅化物
161
SILICON
硅
162
SILICON NITRIDE
氯化硅
二氟化硼
20
BOAT
晶舟
21
B.O.E
缓冲蚀刻液
22
BONDING PAD
焊垫
23
BORON
硼
24
BPSG
含硼及磷的硅化物
25
BREAKDOWN VOLTAGE
崩溃电压
26
BURN IN
预烧试验
27
CAD
计算机辅助设计
28
CD MEASUREMENT
微距测试
29
CH3COOH
醋酸
30
CHAMBER
真空室,反应室
（TI MEMORY PROTOTYPE，TMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT）
TI记忆产品样品（原型），TI内存标准产品
184
TOX
氧化层厚度
185
TROUBLE SHOOTING
故障排除
186
UNDERCUT
底切度
187
UNIFORMITY
均匀度
188
VACUUM
真空
系统暂时性失效比率测试
173
STEP COVERAGE
半导体专业术语英语
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA〔Engineering Data Analysis〕系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET〔非线性，可以对信号放大〕6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅〔不是多晶硅〕13. Analog：模拟的14. Angstrom：A〔1E-10m〕埃15. Anisotropic：各向异性〔如POLY ETCH〕16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准〔不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率〕17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层〔用于METAL等层的光刻〕18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比〔ETCH中的深度、宽度比〕25. Autodoping：自搀杂〔外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层〕26. Back end：后段〔CONTACT以后、PCM测试前〕27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用〔石英〕舟31. CD：〔Critical Dimension〕临界〔关键〕尺寸。
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1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS： EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB 的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
32. Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design ：电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。
向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。
一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。
在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact：孔。
在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart：控制图。
一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage：损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density：缺陷密度。
单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant：耗尽注入。
一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
）52. Depletion layer：耗尽层。
可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width：耗尽宽度。
53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition：淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（DOF）：焦深。
56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程） 58. developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源 60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。
在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer：外延层。
半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. fab：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（FET）：场效应管。
包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat：平边 79. flatband capacitanse：平带电容 80. flatband voltage：平带电压 81. flow coefficicent：流动系数 82. flow velocity：流速计 83. flow volume：流量计 84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数 85. forbidden energy gap：禁带 86. four-point probe：四点探针台 87. functional area：功能区 88. gate oxide：栅氧 89. glass transition temperature：玻璃态转换温度 90. gowning：净化服 91. gray area：灰区 92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪 93. hard bake：后烘 94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产 96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒 97. host：主机 98. hot carriers：热载流子 99. hydrophilic：亲水性 100. hydrophobic：疏水性 101. impurity：杂质 102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体 103. inert gas：惰性气体 104. initial oxide：一氧 105. insulator：绝缘 106. isolated line：隔离线 107. implant : 注入 108. impurity n : 掺杂 109. junction : 结 110. junction spiking n :铝穿刺 111. kerf :划片槽 112. landing pad n AD 113. lithography n 制版 114. maintainability, equipment : 设备产能 115. maintenance n :保养 116. majority carrier n :多数载流子 117. masks, device series of n : 一成套光刻版 118. material n :原料 119. matrix n 1 :矩阵 120. mean n : 平均值 121. measured leak rate n :测得漏率 122. median n :中间值 123. memory n : 记忆体 124. metal n :金属 125. nanometer (nm) n ：纳米 126. nanosecond (ns) n ：纳秒 127. nitride etch n ：氮化物刻蚀 128. nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体 129. n-type adj ：n型 130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻 131. orientation n：晶向，一组晶列所指的方向 132. overlap n ：交迭区 133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应 134. phosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素 135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版 136. photomask, negative n：反刻 137. images：去掉图形区域的版 138. photomask, positive n：正刻 139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺 142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS 的一种工艺 143. pn junction n：pn结144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物，解决高阻的复合栅结构147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。