实验二_3_RAM62256存储器的应用

I/O3 I/O2 I/O1
（读出）
8
实验中应该注意的问题
1. 把地址线A2~A0、数据线I/O3 ~ I/O1 、读写信号 线OE WR分别按顺序连接到几个拨码开关上，同 时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。
2. 写入数据时先置OE 、 WR信号为高电平，正确设 置地址和数据后，拨动WR开关，顺序为高—低— 高，依次往前8个RAM单元中写入数据00H~07H
RAM62256随机存储器的 应用
1
实验目的
熟 悉 RAM62256 的 管 脚 功 能 。 掌 握随机存储器的性能及使用方法。
2
实验内容
1. 对RAM62256中的存储单元进行写入操作。 （存储单元从000～111）
2. 读出RAM62256存储单元中的内容。（用发 光二极管显示状态）
3. 选做：用RAM62256随机存储器设计一个4 循环彩灯电路。
10 9 8 7 6 5 4 3 25 24 21 23 2 26 1
20
7
数据记录表格
A2 A1 A0 （地址）
0 00 0 01 0 10 0 11 1 00 1 01 1 10 1 11
I/O3 I/O2 I/O1
（写入） 0 00 0 01 0 10 0 11 1 00 1 01 1 10 1 11
3
实验器件
RAM62256 、 发光二极管、拨码开关
4
32k×8位静态随机存储器 RAM62256
A0～A14：地址输入端； I/O1～I/O8：数据输入
/输出端； WE：写使能输入端； OE：输出使能输入端； CS：片选输入端； Vcc：电源（ 5V ） Vss：地
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RAM62256引脚功能
3. 读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开，但 数据线仍需要和发光二极管相连，依次改变地址线 A2~A0，观察并记录读出的数据I/O3 ~ I/O1 。
4. 如果读出数据时发现个别地址的数据不正确，只需 要对此地址重新写入数据，不需要所有的地址全部 重写。
9
思考题
1．RAM62256有多少条地址线？有多少条数
据线？有多少个存储单元 ？
2．实验中写入RAM数据后，当读数据时会
发现某些单元的数据变化了，为什么？
3．如何使用RAM62256构成64K的静态数据 存储器？
10
CS OE WE I/O1～8 功能
H X X 高阻 片选无效
L H H 高阻 输出无效
L L H 输出
读
L X L 输入
写
6
实验原理图
状态显示
H
L
11 12 13 15 16 17 18 19
I/O1
…
I/O8ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
RAM62256
22 27
OE WE
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 CS