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这就是“晶圆”，英文为“Wafer”
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名词解释
1、光刻：IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻 蚀电路。 2、线宽:4微米/1微米/0.6微米/0.35微米/035微米等,是指IC 生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主 要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电 路单元。 3、前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流 片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后, 其切割、封装等工序被称为后工序。
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中测（硅片的测试）
中测（Wafer test）是半导体后道封装测试的第一站。 中测有很多个名称，比如针测、晶圆测试、CP（Circuit Probing）、 Wafer Sort、Wafer Probing等等。 中测的目的是将硅片中不良的芯片挑选出来，然后打上红点或者是黑点。 所用到的设备有测试机（IC Tester）、探针卡（Probe Card）、探针台 （Prober）以及测试机与探针卡之间的接口（Mechanical Interface）。
集成电路的英文是：Integrated Circuit 简称为IC
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2、集成电路的分类
通用集成电路General IC 例如单片机、存储器等，通用都可以理解为一般常用的。
专用集成电路Application Specific Integrated Circuit 简称为ASIC ASIC是专门为了某一种或几种特定功能而设计的，它也 是相对于通用集成电路而言的，除通用的一些集成电路外， 都可称为专用集成电路。
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3、ASIC的分类
ASIC可以分为全定制（Full Custom）半定制（Semi-Custom）
“全定制(Full-Custom)”是一种基于晶体管级的ASIC设计方式，包 括在晶体管的版图尺寸、位置及布局布线等技术细节上的精心设计， 最后将设计结果交由厂家去进行掩模制造，制造成芯片。这种设计 方法的优点是芯片可以获得最优的性能，即面积利用率高、速度快、 功耗低，而缺点是开发周期长，费用高，只适合大批量产品开发。
IC Base Training
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一、集成电路的基本概念及分类
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第一节 集成电路的基本概念知识
1、什么是集成电路？
我们通常所说的“芯片”指集成电路, 那什么是集成电路呢？
所谓集成电路就是把一个单元电路或一些功能电路，甚至某一整机的功能电路集中 制作在一个晶片上，再封装在一个便于安装、焊接的外壳中的电路上。集成电路有膜 （薄膜、厚膜）、半导体集成电路及混合集成电路。半导体集成电路是利用半导体工艺 将一些晶体管、电阻器、电容器以及连线等制作在很小的半导体材料或绝缘基片上，形 成一个完整电路，封装在特制的外壳中，从壳内向壳外接出引线，半导体集成电路常用 IC表示。
半定制(Semi-Custom)”是一种约束性ASIC设计方式。半定制ASIC 通常是包含门阵列(Gata Array)和标准单元(Standard Cell)设计法， 这两种方法都是约束性的设计方法，其主要目的就是简化设计，牺 牲芯片性能为代价来缩短开发时间。
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电路设计
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版图设计
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集成电路芯片的显微照片
在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶 圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉 提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达 0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体 晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶 粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨，抛光， 切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片
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晶圆的介绍
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆； 它多指单晶圆片，由普通的硅沙提炼而成，是最常用的半导体材料。它的常用直径 尺寸分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格的， 晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本，但要求材料技术和生产技 术更高。
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集成电路的封装
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1、什么是集成电路的封装
集成电路的封装就是将封装材料和半导体芯片结合在一起， 形成一个以半导体为基础的电子功能块器件。封装材料除了保护 芯片不受外界灰尘、潮气、机械冲击外，还起到了机械支撑和散 热的功能。当今约有90%的芯片用模塑料进行封装。
随着IC高度集成化、芯片和封装面积的增大、封装层的薄壳 化以及要求价格的进一步降低，对于模塑料提出了更高且综合性 的要求。
1)双列直插封装-DIP (Dual In-line Package)
特点：常见封装方法，可以插入插座中(易于测试) ，也可永久焊接到 印刷电路板的小孔上 ，成本较低，适用范围广 。
胶体尺寸分为：300mil、600mil、750mil三种，常用的是300mil、600mil两种。 脚间距一般均为 2.54mm,一般情况下:
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2、集成电路封装形式的简介
集成电路的封装形式有很多，按封装形式可分 三大类，即双列直插型、贴片型和功率型。
在选择器件封装形式应首先考虑其胶体尺寸和 脚间距这两点。胶体尺寸是指器件封装材料部分的 宽度（H），一般用英制mil来标注；脚间距是指器 件引脚间的距离（L），一般用公制mm来标注。
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2、集成电路封装形式的简介
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集成电路制造流程
1、掩膜版加工 2、晶圆加工
前工序
3、中测（切割、减薄、挑粒）
4、封装或绑定
后工序
5、成测
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ຫໍສະໝຸດ Baidu
集成电路制造流程
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掩膜版加工
在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中 间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关 键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。 现代光刻依靠的一种类似于放大照片底片的投影印刷。图是简化的曝光过 程。透镜系统校准一个强UV光源，称为光罩的金属盘子会挡住光线。UV 光穿过光罩中透明的部分和另外的透镜在wafer上形成图像。
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名词解释
1、光刻：IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻 蚀电路。 2、线宽:4微米/1微米/0.6微米/0.35微米/035微米等,是指IC 生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主 要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电 路单元。 3、前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流 片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后, 其切割、封装等工序被称为后工序。
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中测（硅片的测试）
中测（Wafer test）是半导体后道封装测试的第一站。 中测有很多个名称，比如针测、晶圆测试、CP（Circuit Probing）、 Wafer Sort、Wafer Probing等等。 中测的目的是将硅片中不良的芯片挑选出来，然后打上红点或者是黑点。 所用到的设备有测试机（IC Tester）、探针卡（Probe Card）、探针台 （Prober）以及测试机与探针卡之间的接口（Mechanical Interface）。
集成电路的英文是：Integrated Circuit 简称为IC
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2、集成电路的分类
通用集成电路General IC 例如单片机、存储器等，通用都可以理解为一般常用的。
专用集成电路Application Specific Integrated Circuit 简称为ASIC ASIC是专门为了某一种或几种特定功能而设计的，它也 是相对于通用集成电路而言的，除通用的一些集成电路外， 都可称为专用集成电路。
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3、ASIC的分类
ASIC可以分为全定制（Full Custom）半定制（Semi-Custom）
“全定制(Full-Custom)”是一种基于晶体管级的ASIC设计方式，包 括在晶体管的版图尺寸、位置及布局布线等技术细节上的精心设计， 最后将设计结果交由厂家去进行掩模制造，制造成芯片。这种设计 方法的优点是芯片可以获得最优的性能，即面积利用率高、速度快、 功耗低，而缺点是开发周期长，费用高，只适合大批量产品开发。
IC Base Training
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一、集成电路的基本概念及分类
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第一节 集成电路的基本概念知识
1、什么是集成电路？
我们通常所说的“芯片”指集成电路, 那什么是集成电路呢？
所谓集成电路就是把一个单元电路或一些功能电路，甚至某一整机的功能电路集中 制作在一个晶片上，再封装在一个便于安装、焊接的外壳中的电路上。集成电路有膜 （薄膜、厚膜）、半导体集成电路及混合集成电路。半导体集成电路是利用半导体工艺 将一些晶体管、电阻器、电容器以及连线等制作在很小的半导体材料或绝缘基片上，形 成一个完整电路，封装在特制的外壳中，从壳内向壳外接出引线，半导体集成电路常用 IC表示。
半定制(Semi-Custom)”是一种约束性ASIC设计方式。半定制ASIC 通常是包含门阵列(Gata Array)和标准单元(Standard Cell)设计法， 这两种方法都是约束性的设计方法，其主要目的就是简化设计，牺 牲芯片性能为代价来缩短开发时间。
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电路设计
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版图设计
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集成电路芯片的显微照片
在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶 圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉 提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达 0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体 晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶 粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨，抛光， 切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片
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晶圆的介绍
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆； 它多指单晶圆片，由普通的硅沙提炼而成，是最常用的半导体材料。它的常用直径 尺寸分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格的， 晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本，但要求材料技术和生产技 术更高。
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集成电路的封装
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1、什么是集成电路的封装
集成电路的封装就是将封装材料和半导体芯片结合在一起， 形成一个以半导体为基础的电子功能块器件。封装材料除了保护 芯片不受外界灰尘、潮气、机械冲击外，还起到了机械支撑和散 热的功能。当今约有90%的芯片用模塑料进行封装。
随着IC高度集成化、芯片和封装面积的增大、封装层的薄壳 化以及要求价格的进一步降低，对于模塑料提出了更高且综合性 的要求。
1)双列直插封装-DIP (Dual In-line Package)
特点：常见封装方法，可以插入插座中(易于测试) ，也可永久焊接到 印刷电路板的小孔上 ，成本较低，适用范围广 。
胶体尺寸分为：300mil、600mil、750mil三种，常用的是300mil、600mil两种。 脚间距一般均为 2.54mm,一般情况下:
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2、集成电路封装形式的简介
集成电路的封装形式有很多，按封装形式可分 三大类，即双列直插型、贴片型和功率型。
在选择器件封装形式应首先考虑其胶体尺寸和 脚间距这两点。胶体尺寸是指器件封装材料部分的 宽度（H），一般用英制mil来标注；脚间距是指器 件引脚间的距离（L），一般用公制mm来标注。
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2、集成电路封装形式的简介
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集成电路制造流程
1、掩膜版加工 2、晶圆加工
前工序
3、中测（切割、减薄、挑粒）
4、封装或绑定
后工序
5、成测
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ຫໍສະໝຸດ Baidu
集成电路制造流程
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掩膜版加工
在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中 间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关 键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。 现代光刻依靠的一种类似于放大照片底片的投影印刷。图是简化的曝光过 程。透镜系统校准一个强UV光源，称为光罩的金属盘子会挡住光线。UV 光穿过光罩中透明的部分和另外的透镜在wafer上形成图像。