电子科技大学微波工程2015-2016学年研究生考题
(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编
目 录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。
电子科技大学(成都)858信号与系统2016到2012五套考研真题
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
t
（2）画出 x2 ( )d 的图形
x1 (t )
1
t 0 0.5
y1 (t )
0.5 t
0
1
y2 (t) 1
0.5
1.5 2
t
0 0.5 1
0.5
图1 五、（10 分）已知离散时间线性时不变系统的单位冲激响应 h[n] (1)n u[n] ，若输入信号
4
x[n] (1)k [n k] ，求输出信号 y n 的傅里叶级数表达式 k
十、（15 分）一个因果 LTI 系统 S1 的单位冲激响应为 h(t) ，其输入 x(t) 、输出 y(t) 可以用以
下微分方程来描述
d 3 y(t) (1 2a) d 2 y(t) a(2 a) dy(t) a2 y(t) x(t)
dt 3
dt 2
dt
有另外一个 LTI 系统 S2，单位冲激响应为 g(t) ，两个系统的单位冲激响应有如下关系
第2页共4页
六、 （10 分）计算下列积分
（1）
5 5
(e2t u(t
1))u1(t)dt
（2）
ห้องสมุดไป่ตู้
[
sin(2t ) sin(3t t 2
)
]2
dt
七、 （12 分）已知连续时间信号 xt 如图 2 所示
x(t )
1
2
1 0
1
t
2
1
图2
（1）求 X ( j)e jd
（2）求 xt 的傅里叶变换 X ( j)
g(t) dh(t) h(t) dt
（1）确定实数 a 的范围，以确保 g(t) 所代表的系统是稳定的
2015-2016年电子科技大学考研试题840物理光学
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：840 物理光学注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、选择题（每小题3分、共60分）1.可以用复振幅表示光波的条件是。
A. 线性运算B. 非线性运算C. 单色光D. 复色光2. 部分偏振光可以表示为。
A. 两正交线偏振光的叠加B. 线偏振光和圆偏振光的叠加C. 线偏振光和自然光的叠加D. 线偏振光和椭圆偏振光的叠加3. 自然光正入射到界面，其反射光为。
A．椭圆偏振光B．线偏振光C．部分偏振光D．自然光4. 两振动方向正交、频率相同、振幅相等、相位差为p/2线偏振光叠加成电矢量为E的圆偏振光，则此线偏振光的振幅E0为。
A. EB. 2EC.D.5. 采用分波面法和分振幅法获得相干光是为了保证。
A. 叠加光的相位固定B. 叠加光的初相位固定C. 叠加光的相位差固定D. 叠加光的初相位差固定6. 双光束干涉条纹的可见度与下列因素有关的是。
A. 叠加光的光强B. 叠加光的光强之和C. 叠加光的光强之比D. 叠加光的光强之差共5页第1页共5页 第2页7. 如图所示，波长为l 的单色光正入射，若要完全消反射，此单层膜要满足的条件是 。
A. ()121, 21,0,1,2,3,4n n n h k k l <=+=×××B. ()11 21,0,1,2,3,4n n h k k l ==+=×××C. ()11 21,0,1,2,3,2n n h k k l ==+=××× D. ()121, 21,0,1,2,3,2n n n h k k l >=+=××× 8. 光栅光谱的干涉级次m 增大，则 。
A ．自由光谱范围增大B ．色散率增大C ．分辨本领降低D ．分辨本领不变9. 与光栅刻线数N 无关的量是 。
成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。
掺杂浓度越高，内建电势将越（）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。
4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。
5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。
6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。
7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。
（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。
13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。
14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。
一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。
（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。
电子科技大学研究生入学考试812历年真题（2007-2016）
电⼦科技⼤学研究⽣⼊学考试812历年真题（2007-2016）电⼦科技⼤学地理信息系统基础历年真题（2007-2016）2007年电⼦科技⼤学攻读硕⼠学位研究⽣⼊学试题考试科⽬：424 地理信息系统基础⼀、名词解释（每⼩题6分，共48分）1.地理信息2.栅格数据结构3.空间索引4.数字⾼程模型5.地图投影6.地理数据互操作7.⽮量数据结构8.空间关系⼆、分析并⽐较⽮量数据结构与栅格数据结构的优缺点。
（16分）三、简述WebGIS的实现技术。
（16分）四、简述格⽹DEM的应⽤领域。
（16分）五、简述什么是3S（GIS、RS、GPS）集成，并举例说明。
（16分）六、地理信息系统软件的体系结构与功能作⽤。
（16分）七、试综合利⽤空间分析⽅法，根据现有Roads（道路图）、Streams（河流图）、Forest（森林图），找出满⾜以下条件的可砍伐林⽊的适宜森林区域范围。
请绘出各步骤结果草图以及流程图，并进⾏简要说明。
条件如下：①在道路300⽶（假定⼤约相当于下图②中0.3厘⽶）范围内的林⽊不能砍伐；②在河流500⽶（假定⼤约相当于图③中0.5厘⽶）范围内的林⽊不能砍伐。
（22分）2008年电⼦科技⼤学攻读硕⼠学位研究⽣⼊学试题考试科⽬：812 地理信息系统基础⼀、名词解释（每⼩题8分，共48分）1.空间叠加分析是指在统⼀空间参照系统条件下，每次将同⼀地区两个地理对象的图层进⾏叠加，以产⽣空间区域的多重属性特征，或建⽴地理对象之间的空间对应关系。
2.游程编码结构是逐⾏将相邻同值的⽹格合并，并记录合并后⽹格的值，以及合并⽹格的长度，其⽬的是压缩栅格数据量，消除数据间的冗余。
3.栅格数据结构基于栅格模型的数据结构简称为栅格数据结构，指将空间分割成有规则的格⽹，在各个格⽹上给出相应属性值来表⽰地理实体的⼀种数据组织形式。
点由⼀个单元格⽹表⽰，其数值与邻近⽹格值明显不同；线段由⼀串有序的相互连接的单元⽹格表⽰，各个格⽹的值⽐较⼀致，但与领域的值差异较⼤；多边形由聚集在⼀起的相互连接的单元⽹格组成，区域内部的格⽹值相同或差异较⼩，但与领域的值差异较⼤。
杭州电子科技大学843信号与系统2015-2016年考研专业课真题试卷
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电子科技大学813电磁场与电磁波2015年考研专业课真题试卷
“电磁场与电磁波”试题 共 3 页 第 1 页 电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：813 电磁场与电磁波注：所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效。
一、填空题（每空2分，共30分） 1. 在介电常数02.5e e =的电介质中，已知电场强度23V/m x y z E e x e y e z =++r r r r ，则介质中的自由电荷体密度为r = 3C /m 、极化（束缚）电荷体密度为 p r = 3C /m 。
2. 如图1所示，由两平行的半无限长直线和半圆弧中的线电流I 在半圆弧的圆心P 点所产生的磁场强度H = A /m 。
3．设0>x 的半空间为空气、0<x 的半空间是磁导率02.5m m =的磁介质，在分界面上，已知空气中的磁场强度142A/m x z H e e =+r r r ，则磁介质表面上的磁化电流密度MS J =r A /m 。
4. 频率为30MHz 的均匀平面波在导电媒质中传播，已知05e e =、0m m =及410s we=，则此电磁波的波长l = m ，趋肤深度d = m 。
5．设0z <的半空间为空气、0z >的半空间为理想介质（介电常数03e e =、磁导率0m m =、电导率0s =），均匀平面波由空气中入射到与理想介质的分界平面上，已知入射波的磁场强度复矢量为2)i (,)0.1e A/m j z x H y z e p -+=r r ，则折射(透射)角t q = 、折射(透射)波磁场强度的振幅tm H = A/m 。
6．设0>x 的半空间为空气、0<x 的半空间为理想介质（介电常数04e e =、磁导率0m m =、电导率0s =），均匀平面波由理想介质中入射到与空气的分界平面上，已知入射波的电场强度(43)i (,)10V/m j x z y E x z e e p -+=r r ，则空气中折射(透射)波的相速度p v = m/s 。
西安电子科技大学研究生电波传播工程期末试题汇总
西安电子科技大学研究生电波传播工程期末试题汇总设计一条通信电路应考虑的基本内容 1 技术指标的确定与分配2 设备的选择（收、发系统、频率、天线系统等）3 传输特性的估算（传输损耗、干扰噪声、衰落、时延、交叉极化等）4 成本和应用性能的评估等 1、微波传播受对流层传输媒质的影响主要有哪些？大气折射率的随机变化，使信号随机起伏；大气分子对高频波的强烈吸收；云、雾、雨、雪等降水物和矿、砂、尘、烟等对微波的吸收和散射。
2. 什么是电波传播空间的非涅耳区？传输功率起主要作用的空间区域，若在此区域中符合自由空间传播的条件，则可认为电波在自由空间中传播，这个区域称为传播主区。
以收发点Q 、P 为焦点的椭球旋转面所包含的空间区域为电波传播空间的菲涅尔区。
3. 证明第n 非涅耳区半径的表达式为：121F n d d d n F n ==λ4. 什么是最大和最小非涅耳区半径？根据惠更斯－菲涅尔原理，只需要第一菲涅尔区面积的1/3，即可获得与自由空间相同的信号强度，与此对应的菲涅尔区半径为最小菲涅尔区半径0F ，即dd d F F F F 21102120577.0577.0)(31λππ===5. 在微波中继电路设计时，接收天线的高度越高，接收信号场强越大吗？为什么？不是。
天线高度是微波电路设计中的一个重要问题，它不仅取决于天线工作点场强干涉瓣的峰点或谷点，同时也与余隙的大小，反射点的位置落在何处有密切关系。
它的计算公式为：2211220201,2424t rd n d d d n d d h h K R d K R d λλ=+=+ K 为等效地球半径因子，0R 为地球半径；r t h h 、为收、发天线高度。
通过地面反射波影响的分析，当n 为奇数时，接收点场强出现最大，即0(1)E R +；n 为偶数时，接收点的场强出现最小值，即0(1)E R -。
18、试证明收、发天线的等效高度分别为： '210/2t t h h d R =-，'220/2r r h h d R =-若要通过反射点C 作一切面，视为等效平面地，自天线位置P 、Q 点向切面作垂线，得出天线等效高度/t h 和/r h 。
2016年电子科技大学813电磁场与电磁波真题
五、 （16 分）如题五图所示，无限长直导体圆柱由电导率不相同的两层导体构成，内层导体的 半径 a1 a ，电导率 1 2 0 ；外层导体的外半径 a2 2a ，电导率 2 0 。导体圆柱 中流过的电流为 I ，试求导体圆柱中的电场强度 E 和磁场强度 H 。
a
d
0
e 1 A A
2u
2
e A
ez ， z Az
er 1 A 2 r sin r Ar
re rA
r sin e r sin A
1 u 1 2u 2u ( ) 2 2 2 z
共 4 页第 2 页
d
O
题三图
X
四、 （14 分） 已知介电常数为 的无限大均匀介质中存在均匀电场分布 E ，介质中有一个底 面垂直于电场、半径为 a、高度为 d 的圆柱形空腔，如题四图所示。当 a d 和 a d 时，分别求出空腔中的电场强度 E0 、电位移矢量 D0 和介质表面的极化电荷分布（边缘效 应可忽略不计） 。
Er ( y , z ) 。
附： 圆柱坐标系和球坐标系的 A 、 A 和 2u
A A
1 1 A Az ( A ) z 1 2 1 1 A (r Ar ) (sin A ) 2 r r r sin r sin
，从而建立了完整的麦克斯韦方程组。
5. 时变电磁场可以用矢量位 A 和标量位 来描述， 但是位函数一般是不唯一的， 如要得到唯 一确定的位函数，可以规定 6. 。
均匀平面波在某一均匀媒质中传播，其电磁波的电场强度 E 与磁场强度 H 不同相位，则 这种媒质是 。
电子科技大学研究生微波工程试题
电⼦科技⼤学研究⽣微波⼯程试题电⼦科技⼤学研究⽣试卷(考试时间：⾄，共120分钟)课程名称微波⼯程教师学时 50 学分 2.5 教学⽅式课堂教学考核⽇期年⽉⽇成绩考核⽅式：__________(学⽣填写)⼀、填空（每空格1分，共36分）(1) 常规空波导中传输的TE 波称为_________波，TM 波称为_________波，它们的相速与光速的关系是______p v c ，称为_________波。
(2) c k 称为_________波数，波的传播条件是_____c k k ，_____c f f 。
(3) 若传输线上⽆反射波存在，则传输线⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；若反射波等于⼊射波，则⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；当01L 时，传输线⼯作于_______状态。
(4) 在E ⾯分⽀波导中，若微波功率从分⽀端（3⼝）输⼊，则在1⼝与2⼝将_______输出；在H ⾯分⽀波导中，若微波功率从1⼝与2⼝等幅反相输⼊，则从分⽀端（3⼝）将_________输出。
(5) 纵向磁场铁氧体微波元件利⽤的是铁氧体的_______效应，⽽利⽤_______效应做成的微波元件则称为横向磁场铁氧体微波元件。
(6) 传输系统的正常⾊散特性是指______________，异常⾊散特性是指________________，⽆⾊散特性是指_______________，微波传输系统的种类⼀般可以分为：______________，_____________________，__________________________。
(7) ⾏波管中电⼦向⾼频场交出能量的条件是：______________________________________，⽽回旋管此条件为：__________________________________________________________。
电子科技大学2015年硕士研究生微电子器件考研真题_电子科技大学专业课真题
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。
4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。
电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（）。
6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。
7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。
双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。
（第三、四个空填“大”或“小”）9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO（填“>”、“<”或“=”）10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏压（）零。
（填“>”、“<”或“=”）11、增加双极型晶体管的基区宽度将（）厄尔利电压，（）基极电阻，（）基区输运系数。
12、NMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。
当|V BS|增加时，其阈值电压将（）。
（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）13、MOSFET的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到（）散射及电离杂质散射作用外，还会受到（）散射，因此，通常沟道载流子的迁移率（）体内载流子迁移率。
西安电子科技大学微波技术基础07期末考试考题
西安电子科技大学考试时间 120 分钟试 题（A ）班级 学号 姓名 任课教师一、简答题（每题3分，共45分）1、 传输线解为z j z j e U e U U ββ21+=-，上面公式中哪个表示+z 方向传输波？哪个表示-z 方向传输波？为什么？2、 若传输线接容性负载（L L L jX R Z +=，0<L X ），那么其行驻波分布离负载端最近的是电压波节点，还是电压波腹点？3、 如图三个两端口网络级联，各自的A 参数分别是A 1，A 2和A 3，写出其组成网络的A 参数4、 如图单枝节匹配，可调参数为两段传输线的长度ｌ和ｄ，简要说明其工作原理和两段传输线的作用。
第2页 共4页Z 0lZ LZ inZ 0d5、矩形波导和圆波导的方圆转换中各自的工作模式是什么？6、带线宽度W ，上下板距离b ，当b W 增大时，带线特性阻抗如何变化？为什么？7、 微带或者带线的开口端是否相当于开路端？为什么？如果不是，如何等效？8、 一段矩形波导，尺寸b a ⨯， TE 10模的散射矩阵如下，写出其传输TE 20模时的散射矩阵。
[]⎥⎦⎤⎢⎣⎡=--00θθj j ee s 9、 金属圆波导的模式TE mnp 和TM mnp ，下标m, n, p 各自代表什么含义？10、写出如图双口网络的输入反射系数in Γ的表达式。
11、 环行器的端口定义和散射矩阵如下，该环行器环行方向是顺时针还是逆时针？12、说明下图E 面T 的工作特点13、写出如图理想两端口隔离器的S 矩阵14、 写出谐振腔品质因数Q 的普遍定义式。
15、 与低频ＬＣ谐振回路相比，微波谐振腔的主要特点是什么？二、（10分）如图传输线中求Z 为何值时可使输入阻抗Ω=50in Z 匹配，已知Ω=25L Z 。
→Ω=50in Z Ω=25L Z Zg λ41=Ω=500z题二图 传输线匹配问题三、（15分）证明：在任意负载条件下，传输线上反射系数和输入阻抗有下列关系：1、()()4λ±Γ-=Γz z2、()()400λ±=z Z Z Z z Z in in （其中，0Z 为特性阻抗，λ为工作波长）四、（15分）证明无耗网络匹配定理，即下图中|ΓL |≠1,采用无耗网络[]S 予以第4页 共4页匹配，其条件是*22L S Γ=题四图五、（15分）已知矩形谐振腔cm a 2.2=，cm b 0.1=，cm l 2.9=，内部工作在104TE 模式（空气填充）。
2015电子科大考研试题814电力电子技术
2015电子科大考研试题814电力电子技术电子科技大学2015 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：814 电力电子技术注：所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上均无效。
一、单项选择题(每小题 2 分，共 28 分。
从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码写在答题纸上。
) 1、经过直接交交变频的软启动器而接在交流电机上的电流频率不会超过A. 50Hz B. 5Hz C. 15Hz D. 400Hz 2、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是。
A.电容 B.电感 C.蓄电池 3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来 A. 分流 B. 降压 C. 过电压保护。
D.电动机。
D. 过电流保护4、逆导晶闸管是将大功率二极管与器件集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管 5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ 。
A.π-α B.π+α C.π-δ-α D.π+δ-α 6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin 选在下面那一种范围合理A.30o-35o B.10o-15o C.0o-10o D.0o 。
=7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。
A . α、负载电流 Id 以及变压器漏抗XB B. α以及负载电流IdC . α和U2 D. α、U2 以及变压器漏抗 XB 8、若增大 SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。
A.增大三角波幅度 B.增大三角波频率 C.增大正弦调制波频率 D.增大正弦调制波幅度 9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为 A.减小输出幅值 C.减小输出谐波。
B.增大输出幅值 D.减小输出功率负载。
10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于 A. 电阻性 B. 电感性 C. 反电动势 D. 阻感反电力电子技术试题第 1 页共 5 页11、功率晶体管 GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60° 13、晶闸管两端并联一个 RC 电路的作用是 A. 分流 B. 降压 C. 过电压保护。