模拟电子电路基础 1~7章思考题 答案
(完整版)模拟电路第七章课后习题答案
第七章 习题与思考题◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω： ① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式；③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝？解：① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=-=，2226525.1)20101()1(I I I o u u u R R u =+=+=， 2121217932)5.1(1020)(I I I I o o o u u u u u u R R u +=---=--= ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=⨯+⨯=+=本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其输出电压u O 的表达式。
解：II I I o u R R u R Ru R R u R R u ])1[()()1(45124512++=--+=本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。
◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(11221I I o u u R R u -=）＋（解：1121)1(I o u R R u +=))(1()1()1()1()1()1(122122112122111221221121I I I I I I I o o u u R Ru R R u R R u R R u R R R R u R R u R R u -+=+++-=+++-=++-=本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)
题图 2.6
解： （1）Q1 点： β ≈ 50, Q2点：β ≈ 0。 （2） U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V （a） RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 （ μ A ） ，直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ，取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ，可得直流负载线如图 2.18（b）中①线，工作 1 1 = − ，可得图 2.18（b）中 点 Q( U CEQ = 6 V， I CQ = 2 mA)，交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V， β = 100 。判别电路的工
9V
（b） 题图 2.7
（c）
解： 在题图(a )中，由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图（b） ：
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )
模拟电子技术基础答案(刘润华、李震梅)中国石油大学出版社
第一章习题解答1.1解：由公式：可求得电流外加电压为时1.2解：①当R=1时假设二极管导通②当R=4K时，也假设二极管导通同①1.3解：a：刚接通均正向偏置而可能导通但由于V导通后，A点电位下降为-6V迫使V反向截止b：反向截至，c.刚接通均正向偏置而可能导通但由于V导通后，将使A、O点电位差为零。
电位相等,U导通，截止。
d.均正向反偏，导通公共端电位为零，能保证导通，A点电位也为零，。
1.4解：1.5解：变化时，相当于给6V直流电源串接一个变化范围为的信号源，由二极管的动态电阻为：1.6解：a：b：1.7解：S闭合S断开1.8解：(1)A点时，二极管导通：(2)B点时，二极管反向偏压截止，=0V。
（3）C点时，为正，二极管导通，为负，二极管截止。
1.9解：a.由于V管阴极电位为2.3V.V管的阳极为-2.3V，当u〉3V时，V导通，截止，其支路开路，，当-3V<<3V时，均截止，当<-3V时截止，导通，故传输特性：输入输出波形：b.截止，时导通，（锗）传输特性：输入输出波形：1.10解：①R=2K时求得由图得：②R=500求得：由图得：1.11解：⑴静态分析：令或是c断开用估算法得2：⑵动态分析：⑶合成电压电流1.12解：1.13解：①②1.14解：安全稳压工作时：稳定电流的最小值来知，可取由可求：由可求减小量为：1.15解：⑴稳压管正常工作⑵能安全工作。
⑶假设能正常工作：能工作在稳定状态。
1.16解：导通，稳压，,中有一截至，稳压，导通，1.17解：2CW103:当为最大，为最小时，稳压管上的电流为最大。
R值应保证，,R最小值为：R=当为最小，为最大时，流过稳压管上的电流最小。
R取值应满足,R 最大值为：取或,取本题取2CW53，算得取第二章习题答案2.1解：a.放大b.截止.c.饱和.d.放大.e.倒置.2.2解：3.5V基极. 2.8V发射极.5V集电极.NPN型硅管2.3解：a.①集电极.②发射极③基极NPN型b.①基极②集电极③发射极PNP型2.4解a.放大b.故饱和。
(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
《电路与模拟电子技术基础》课后习题答案
习题 11－1在题图1－1 所示电路中，（1）选d 为参考点，求Va、V b和V c；（2）选c 为参考点，求Va、V b和V d。
题图1－1解（1）当选d 为参考点时，V a =u ad = 3VV b =ubd=ubc+ucd= 2 - 1 = 1V ；Vc=ucd=-1V（2）当选c 为参考点时，V a =u ad +u dc = 3 + 1 = 4VV b =ubc= 2V ；Vd=udc= 1V1－2 求题图1－2 中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
题图1－2解I = 2A ；U = 5I - 3 + 3I = 13V电流源功率电压源功率P1=-2 ⋅U =-26W （产生）P2=-3 ⋅I =-6W （产生）1－3 试求题图1－3 (a)（b）所示电路的电流I 及受控源功率。
(a)(b)题图1－3解（a）2I + 4I + 6 = 0 ；I =-1A受控电压源功率6P = 4I ⋅I =-4W （产生）（b）I = = 2A3受控电流源功率P = 2I ⋅ (-3 ⨯ 2I + 2) =-40W （产生）1－4 求题图1－4 中的I 、U S 。
题图1－4解I = 2 - 3 +2 ⨯(2 - 3) + 2 ⨯5= 7A1US= 2I + 2 ⨯(2 - 3) + 5⨯ 2 = 14 - 2 +10 = 22V 1－5 试求题图1－5 中的I 、I X 、U 及U X 。
题图1－5解I = 3 -1= 2A ；I X =-1 -I =-3AU = 5 ⋅IX=-15VUX = 5 ⋅IX- 2 ⨯ 3 - 4 =-25V1－6 电路如题图1－6 所示，求图(a)中的ab 端等效电阻及图（b）中电阻R 。
(a)(b)题图1－6⎛ 6 + 6 ⨯ 6 ⎫ ⨯ 18⎪ 解 (a) R =⎝ 6 + 6 ⎭+ 4 = 6 + 4 = 10Ω 6 + 6 ⨯ 6 + 186 + 6(b) R =38 - 3 - 3 = 12 Ω72 41－7 电路如题图 1－7 所示，求图（a ）中的电压U S 和U 及图（b ）中U = 2V 时电压U S 。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术基础第七章部分答案
7.2电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。
解：当集成运放工作在线性区时，f O 1I I10R u u u R=-=-，f O 2I I(1)11R u u u R=+=7．4电路如图所示，试求其输入电阻和比例系数。
解：由图可知R i =50k Ω。
因为u M =-2u I ，243R R R i i i =+，即M OM M 243u u u u R R R --=+代入数据，得输出电压O M I 52104u u u ==7.5电路如图所示，集成运放输出电压最大幅值为±14V ，u I 为2V 的电压信号。
分别求出下列各种情况下的输出电压。
（1）R 2短路；（2）R 3短路；（3）R 4短路；（4）R 4断路。
解：（1）R 2短路时3O I I 124VR u u u R =-=-=-（2）R 3短路时2O I I 124VR u u u R =-=-=-（3）R 4短路时，电路无反馈，u O =-14V 。
（4）R 4断路时23O I I 148VR R u u u R +=-=-=-7.6试求下图电路输出电压与输入电压的运算关系。
解：（c ）f P I2N1fR u u u R R =-=+I1NN O1fu u u u R R --=联立求得：f O I1I2I1I21()8()R u u u u u R =-=-7.7如图所示电路中，集成运放的共模信号分别为多少？要求写出表达式。
解： 因为集成运放同相输入端和反相输入端之间净输入电压为零，所以它们的电位就是集成运放的共模输入电压。
（c ）图f IC I2I21f89R u u u R R ==+7.8如图所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳定状态，试求负载电阻中的电流。
解：N Z L 220.6m Au U I R R ===7.10求解下图电路的运算关系。
解：图（b ）所示的A 1组成同相比例运算电路，A 2组成加减运算电路。
模拟电子技术基础答案全解(第四版)
第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基本教程课后习题答案
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 （a ）放大区（b ）截止区（c ）放大区（d ）饱和区（e ）截止区（f ）临界饱和（g ）放大区（h ）放大区1-15 （a ）NPN 锗管（b ）PNP 硅管第二章2-1 （a ）无（b ）不能正常放大（c ）有（d ）无（e ）有（f ）无（g ）无（h ）不能正常放大（i ）无2-7 ②U BQ =3.3V ，I CQ = 2.6mA ，U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ，I CQ = 0.6mA ，U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =－51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点，然后在负载线上求Q 点附近的β，最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ，可得r be ≈1.6k Ω，uA =－80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω，uA =－0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω，当R L =∞时，R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时，R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。
③当R L =∞时，R i ≈282k Ω；当R L =1.2k Ω时，R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 （a ）共基组态（b ）共射组态（c ）共集组态（d ）共射组态（e ）共射－共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100，则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V101.1（ 1） A C （ 2）A（3） C（ 4）AtO1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
tO1.4u i和 u o的波形如图所示。
u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。
u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D＝（ V － U D） /R＝2.6mA ， r D≈ U T/I D＝ 10Ω， I d＝ U i/r D≈ 1mA 。
1.7（ 1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。
电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ， ；1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 不变、增加、减少；3.4.13 电阻性，电容性； 3.4.14 LC π21，阻抗，电流；3.4.15 1rad/s ，4；3.4.16 Ω10；3.4.17 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.18 P L 3U U =，P L I I =，超前。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答第一章
第一章思考题与习题解答1-1 名词解释半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体、PN结。
解半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。
例如硅(Si)和锗(Ge)，这两种半导体材料经常用来做晶体管。
载流子——运载电流的粒子。
在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。
空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。
最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。
当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。
空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。
自由电子——位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。
本征半导体——不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。
杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。
N型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷P)，就形成含有大量电子的N型杂质半导体，又称电子型杂质半导体，简称N型半导体。
P型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼B)，就形成含大量空穴的P型杂质半导体，又称空穴型杂质半导体，简称P型半导体。
PN结——将一块P型半导体与一块N型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面上形成一个结，称为PN结。
1-3 选择填空(只填a、b…以下类同)(1)在PN结不加外部电压时，扩散电流漂移电流。
(a.大于，b.小于，c.等于)(2)当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。
(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变)(3)当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
电子技术基础 模拟部分 课后复习思考题答案
Ar
vo 500mV 0.5V 11 5 1010 Ω ii 10pA 10 A
属于互阻放大电路
三、某电唱机拾音头内阻为 1MΩ，输出电压为 1V（有效值） ，如果直接将它与 10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻 Ri=1MΩ，输出电阻 Ro=10Ω， 电压增益为 1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与 10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压 Vo
电压增益 20lg Av dB 、 电流增益 20lg Ai dB 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为 10pA 时，输出为 500mV，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解：
R2 10 R1
解 ： 当 vi 1V 时，有
vi 2mA ，R1 0.5kΩ， R2 5kΩ R1
取 R1 510Ω ，R2 5.1kΩ
第三章 二极管及其基本电路
一、填空题： 1．制作电子器件的常用材料主要采用 硅和锗 。 2．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3． 本征半导体是指 完全纯净的、 结构完整的半导体晶体 。 P 型半导体中的少子是 电子 ， 多子是 空 穴 ， N 型半导体中的少子是 空穴 ，多子是 电子 。 4．半导体中参与导电的有 两 种载流子，分别是 电子 和 空穴 ，导体中参与导电的有 一 种载流 子，是 电子 。 5．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流 IS 将增大，这是因为此时 PN 结内部的 B 。 A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 6．半导体 PN 结中内电场 E，是由 空间电荷区 产生的，当将 反向 电压加在 PN 结两端时，其 PN 结内 电场 E 增强。PN 结 不易 （不易/容易）导通。 7．二极管导通时，其正向电压应该比门坎电压 高 （高/低） ，硅管的正向导通电压约为 0.7 V，锗管的 正向导通电压约为 0.2 V。
模拟电子电路及技术基础 第二版 答案 孙肖子 第1章
U o U i U o 0.8 4 Aus 4 U Us Us 1 0.8 i
(2) 电流放大倍数
I o U o / RL 4V 2mA Ai 10 U /R Ii 0.8V/4kΩ i L
第一章 绪 论
(3) 功率放大倍数
Auo=10, Ro=10 kΩ)； 第二级为高增益型(Ri=10 kΩ, Auo=100, Ro=1 kΩ); 第三级为低输出电阻型(Ri=10 kΩ,Auo=1,Ro=20 Ω)。现有信号源电势 (1) 负载得到的电压UL； (2) 流过负载的电流IL； (3) 负载得到的功率PL。 解 因为信号源内阻大(Rs=0.5 MΩ)、负载小(RL= 100 Ω)，所以为了有效传输与放大信号，三级放大器级联如 图P1-3所示。
U s=30 mV，内阻
Rs=0.5 MΩ，将三级放大器级联驱动100 Ω的负载，求：
第一章 绪 论
图 P1-3
第一章 绪 论
(1) 求负载得到的电压UL：
U L U i U o1 U o2 U L Aus U s U s U i U o1 U o2 Ri1 Ri2 Ri3 RL R R R R 10 R R 100 R R 1 i1 o1 i2 i3 L s o2 o1 1 10 10 100 10 100 1 0.5 1 10 10 1 10 20 100 0.66 5 90.0 0.833 250
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• 二极管折线化等效电路和微变等效电路的应用条件有何区别？ 答：二极管折线化等效电路应用于输入信号为直流电源或低频 交流信号源；微变等效电路应用于输入信号为直流电源叠加中、 低频微小交流信号源。
• 如何区分NPN型晶体管的三个工作区？ 答：当已知三个极的电位时，可通过两个结的偏置来判断； 当已知电路结构及电路参数时，可通过判断发射结的是否反偏 来判断晶体管是否工作在截止区；若发射结正偏，则可通过临 界放大（或临界饱和）状态的条件（UCE=UBE）来判断晶体管是 工作在放大状态还是饱和状态，或者通过比较IB与IBS的大小来 判断晶体管是工作在放大状态还是饱和状态。
• 放大电路有何特点？其中的交流信号与直流信号有何关系？ 答：放大电路中直流信号和交流信号共存，其中交流信号驮载 在直流信号上，直流信号影响交流信号的失真。
• 什么是静态工作点？静态工作点如何影响放大电路？ 答：静态时晶体管各电极的直流电流和直流电压常称为静态工 作点，简称为Q点(Q-point) 。Q点包括IBQ、ICQ、 IEQ、 UBEQ、 UCEQ 。只有设置合适的Q点，使晶体管在信号整个周期内全部 处于放大状态，放大电路的输出波形才不会失真。
UGS<0时有： N沟道JFET、P沟道增强型MOS管、 N沟 道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管；
UGS=0时有： N沟道JFET、 P沟道JFET 、 N沟道耗尽型 MOS管、P沟道耗尽型MOS管。
• 共射与共源放大电路比较各有何优缺点？ • 共集与共漏放大电路比较各有何优缺点？
答：共射与共源放大电路比较：共射放大电路电压放 大倍数一般比共源放大电路的大，并有电流放大作用， 但共源放大电路的输入电阻比共射放大电路的大。
利用直流通路可估算静态工作点。利用直流通路和交 流通路可理解放大电路能否正常放大（即理解放大电路的 组成原则）。另外还可利用直流通路和交流通路通过图解 法分析放大电路的静态和动态，利用交流通路和晶体管的 交流小信号模型分析放大电路的动态参数。
• 图解法有何优缺点？如何用图解法分析静态工作点、非 线性失真、最大不失真输出幅度？
答：图解法优点：能比较直观、全面地反映晶体管的工作 情况。
缺点：①不方便 晶体管特性曲线不易得到 ②当输入信号较小或者频率较高时不准确，只适用 于信号幅度比较大、变化比较慢的信号（低频大 幅值信 号）。 图解法分析静态工作点：画直流通路，列输入、输出 回路方程，在输入特性上作输入回路负载线确定IBQ、UBEQ， 在输出特性上作输出回路负载线确定IBQ、UBEQ。 图解法分析非线性失真、最大不失真输出幅度：在输 出特性上作直流负载线确定Q点，过Q点作交流负载线，画 uO波形，分析非线性失真和最大不失真输出幅度。
共集；共基；共基。
• 典型稳Q电路中为使基极电压基本恒定，要求
Rb1//Rb2<<(1+β)Re。试问Rb1//Rb2是否越小越好？ 答： Rb1//Rb2太小时，一方面会使稳Q电路的输入电阻 太小，另一方面会使Rb1和Rb2上的电流增大，使静态 功耗增大。
分析放大电路时需要考虑管子是否处于放大状态：
• N沟道JFET工作在放大状态的条件？
• N沟道增强型MOS管工作在放大状态的条件？
答： N沟道JFET工作在放大状态的条件： UGS(off)<UGS≤0, UDS> UGS- UGS(off)。 N沟道增强型MOS管工作在放大状态的条件： UGS>UGS(th) , UDS >UGS- UGS(th)。
• 为了使输入信号中没有共模成分，应采用何种输入方式？ 输入信号需有一端接地，应采用何种输入方式？
答：双端输入方式；单端输入方式。
• 为了使电路抑制共模能力更强，应采用何种输出方式？ 负载要求有一端接地，应采用何种输出方式？为了提高差 模放大倍数，应采用何种输出方式？ 答：双端输出方式；单端输出方式；双端输出方式。
• 放大电路的组成原则主要包括哪两个方面？ 静态时晶体管工作在放大区，有合适的Q点；动态保证交流信 号的有效传输，即 输入信号能作用到发射结以产生变化的∆iB和∆iC （ 或∆iE ） ， ∆iC（ 或∆iE ）能够产生输出信号作用到负载。
• 为何能将电子电路分解为直流通路和交流通路？如何画 直流通路和交流通路？直流通路和交流通路有何用途？
• 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合多级放大
电路各有何优缺点？分别何时选用？
直接耦合：
• 低频特性好 • 便于集成 •Q点互相影响 • 零点漂移
阻容耦合：
• 低频特性差 • 不便于集成 • Q点互相独立
变压器耦合：
• 低频特性差 • 不便于集成 • Q点互相独立 • 实现阻抗匹配
• 求多级放大电路的三个动态参数时，是否要
频率响应的本质是什么？ 耦合、旁路电容: 低频导致放大倍数下降并且产生相移； 半导体极间电容: 高频导致放大倍数下降并且产生相移。
高通、低通电路波特图的要点是什么？
高通电路要点：
低通电路要点：
•幅频：fL，-3dB，+20dB/10倍频•幅频：fH，-3dB，-20dB/10倍频 •相频：fL，+45o ， 超前0～+90o •相频：fH，- 45o ， 滞后0～-90o
• 直接耦合多级放大电路第一级为何采用差分放大电路？中 间级一般采用何种放大电路？如何给各级提供静态电流？ 答：直接耦合多级放大电路第一级采用差分放大电路是为了 抑制温漂；中间级一般采用共射或共源放大电路；采用恒流 源给各级提供静态电流。
• 镜像电流源、微电流源、加射极输出器的电流源各有何优 缺点？
考虑前后级之间的相互影响？答：要考虑。
• 已知uI1、uI2，如何求uId、uIc？
uID uI1 uI2
uIC
uI1
2
uI2
• 差分放大电路的四种接法中，哪些电路的静态和动态分 析方法分别相同。
答：双端输入双端输出与单端输入双端输出静态和动态分 析方法分别相同，双端输入单端输出与单端输入单端输出 静态和动态分析方法分别相同。
答：放大电路中交流信号和直流信号共存，但直流信号和 交流信号作用时半导体器件的模型不同，且电路中的电容、 电感等元件的等效电路也不同，从而使得交流信号和直流 信号流过的通路不同，因此可将电子电路分解为直流通路 和交流通路。
画直流通路时信号源、电感短路，电容开路；画交流 通路时直流电压源、容量较大的电容短路。
设计放大电路时需要考虑在某种条件下管子能否工作在 放大状态：
• UGS>0时能工作在恒流区的场效应管有哪些？ • UGS<0时能工作在恒流区的场效应管有哪些？ • UGS=0时能工作在恒流区的场效应管有哪些？ 答： UGS>0时有： P沟道JFET、N沟道增强型MOS管、 N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管；
• 为什么要采用恒流源式差分放大电路？ 答：恒流源电路在不高的电源电压下既为差分放大电路设 置了合适的静态工作电流，又大大增强了抑制共模信号的 能力。
• 设计输出级电路主要需要考虑哪两个问题？ 答：一是考虑使得最大不失真输出幅度尽可能大且对称，二 是考虑静态功耗。
• 单幅度不对称；互补 输出级电路输出幅度大且对称，但存在较越失真。
• 温度为什么会影响半导体器件的性能？ 答：由于温度影响载流子的浓度，而载流子的浓度决定了半 导体的导电性能，因此温度会影响半导体器件的性能。
• 如何从PN结电流方程来理解其单向导电性及其伏安特性？ 答：当PN结正向偏置且U>>UT时，i ≈ ISeU/UT ，电流随电压 按指数快速变化，呈现出很小的电阻，说明PN结正向偏置时 相当于开关导通，同时与伏安特性正向特性电流随电压的变 化相同。 当PN反向偏置且U<<-UT时, i ≈ -IS，流过PN结的反向电流很 小，说明PN结反向偏置时相当于开关断开，同时与伏安特性 反向特性电流随电压的变化相同。
• 放大电路的fL和fH分别决定于什么参数？ 下限截止频率fL决定于耦合或旁路电容所在回路的时间常数 上限截止频率fH决定于C’π所在回路的时间常数
• 多级放大电路的fL、fH、fbw与组成它的各级放大电路的 fLk、fHk、fbwk有何关系？
fL fLk , fH fHk , fbw fbwk
直接耦合放大电路的直流负载线与交流负载线斜率相 同，因而重合；阻容耦合放大电路直流负载线斜率比交流 负载线斜率小，因而交流负载线比直流负载线陡。
• PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相吗？ 如何根据波形判断其截止失真和饱和失真？ 答： PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相， 其输出波形出现的底部失真为截止失真，而顶部失真为饱 和失真。
共集与共漏放大电路比较：共集放大电路的电压跟随 能力和带负载能力比共漏放大电路的更强（即Au更大， Ro更小） ，且具有电流放大作用，但共漏放大电路输 入电阻比共集放大电路的大。
• 组成复合管的原则是什么？
• 保证每个管子工作在放大状态时各极电流方向正确； • 保证每个管子工作在放大状态时各极电位关系正确。 • 要有目的
答：镜像电流源简单，但当β较小时精度不高，当需要微小 电流时需要采用大电阻，不利于集成；微电流源利用小电阻 可以获得小电流，但比镜像电流源多了一个电阻，不利于集 成；加射极输出器的电流源当β较小时精度比镜像电流源高， 但多用了一个晶体管。
• 放大电路采用有源负载的原因是什么？ 答：在电源电压不变的情况下，即可获得合适的静态电流， 对于交流信号，又可得到很大的等效电阻，以提高电压放大 倍数。
• 如何画晶体管h参数等效模型？其使用条件是什么？ 答：晶体管h参数等效模型包括两部分：b-e间为rbe，c-e间为 受控电流源βib 。 h参数等效模型的使用条件是：输入信号为 中低频交流微小信号。