模拟电子基础复习题与答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术期末复习题及答案
《电子技术基础2》复习题一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分）1、N型半导体的多数载流子是空穴。
（）2、P型半导体的多数载流子是空穴。
（）3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。
（）4、运算电路中一般引入负反馈。
（）5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（）6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。
（）8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。
（）9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
（）10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。
（）11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。
（）12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。
（）13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。
（）14、共发射极放大电路输出与输入反相。
（）15、共基极放大电路输出与输入反相。
（）16、共集电极放大电路输出与输入反相。
（）17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
（）18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。
（）20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。
（）21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。
（）22、运放的共模放大倍数越小越好。
（）23、运放的差模放大倍数越小越好。
（）24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（）26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。
（）27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。
（）29、用于滤波的电容通常串联连接。
模拟电子技术基本概念复习题与答案
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最小的电路是 ② ，输出电阻最小的电路是 ③ ，频带最宽的电路是 ② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ① ；只能放大电流，不能放大电压的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流的电路是 ② 。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B -E 间动态电阻为r be 。
填空：（1）静态时，I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ，I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=； ，U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=（2）电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ，输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ，输出电阻的表达式为 C R R =0；（3）若减小R B ，则I CQ 将 A ，r bc 将 C ，uA 将 C ，R i 将 C ，R o 将B 。
A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A = 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻u为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
《模拟电子技术基础》复习资料
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的（）组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。
A. 减小；B. 增大；C. 不变；D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. （）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. （）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
模电复习有答案
A．微分运算 B．积分运算 C．同相比例
2、为了获得输入电压中的低频信号，应选用
B 电路。
A．HPF B．LPF C．BPF D．BEF
3、某滤波电路的传递函数为
请问该滤波电路是 C
A（ u s） 132sss2
。
，
A．HPF B．LPF C．BPF D．BEF
精选课件
21
例题
4、某滤波电路的传递函数为
A．—3V
B．3V C．12V
精选课件
4
例题
7、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为
5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电
路的输出电压Vo为____C_____。
A．4.3V B. 8V C. 5V
D. 0.7V
精选课件
5
半导体三极管及其放大电路基础
放大电路的组成原则与工作特点 用估算法计算放大电路的静态工作点 工作点合理的设置对实现不失真放大的影响 用小信号模型分析法计算放大电路的增益、输
RC正弦波振荡电路的组成及起振、稳幅条 件、振荡频率的计算
LC正弦波振荡的相位条件、振荡频率的计 算
单门限电压比较器、滞回比较器工作原理及 应用
精选课件
24
例题
1、正弦波振荡器的振荡条件为 A
A．A•
•
F
1
B．A• F• 1
C．A•
•
F
0
2、石英晶体发生串联谐振时，呈现
。
D．A•
•
F
1
B。
A．电感性
8
例题
8、放大电路如图所示。已知Rb1=10kΩ，Rb2=2.5kΩ， Rc=2kΩ，Re=750Ω，RL=1.5kΩ，Rs=10kΩ，VCC=15V， β =150，rbb′=200Ω。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用
模拟电子技术基本概念复习考试题及答案
模拟电⼦技术基本概念复习考试题及答案模电基本概念复习题⼀、判断下列说法是否正确1、凡是集成运算电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
√×2、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N= v P。
×3、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。
×4、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。
×5、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。
√6、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。
√7、因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
×8、因为P型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。
×9、在N型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
√10、放⼤电路必须加上合适的直流电源才能正常⼯作。
√11、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。
×12、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
×13、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。
×14、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。
√15、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。
√16、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。
×17、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
×18、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。
×19、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
×20、放⼤器的输⼊电阻是从输⼊端看进去的直流等效电阻。
×21、在由双极型三极管组成的三种基本放⼤电路中，共射放⼤电路的输⼊电阻最⼩。
×22、在由双极型三极管组成的三种基本放⼤电路中，共基放⼤电路的输出电阻最⼩。
×23、阻容耦合多级放⼤电路各级的Q点相互独⽴，它只能放⼤交流信号。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模电复习题 - 答案
2 / 26
A.增加一倍
B.为双端输入时的 1/2
C.不变
D.不确定
24. 串联反馈的反馈量是以（ A ）形式反馈输入回路，和输入电压相比较而产生净输入量。并联反馈的
反馈量是以（ B ）形式反馈输入回路，和输入电压相比较而产生净输入量。
A.电压
B.电流
C.电压或电流
D.电阻
25. 两个 β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（ B ）。
A.双端输入、双端输出
B.双端输入、单端输出
输入、单端输出
D.电流串联负反馈电路 E.功率放大
C.单端输入、双端输出
D.单端
图1
图2
37. 在如图 2 所示电路中电源 V=5V 不变，当温度为 20OC 时测得二极管的电压 UD=0.7V，当温度上生到
为 40OC 时，则 UD 的大小将是( C )。
E.有反馈通路
19. 产生高频正弦波可用( B )振荡电路，产生低频正弦波可用( C )振荡电路，产生稳定频率正弦波可用( A )
振荡电路。
A.石英晶体
B.LC
C.RC
D替 Re 是为了( C )，电流源电路作集电极有源负载是为了( A )。
A.提高差模电压放大倍数
B.共集电极放大电路
C.共基极放大电路
D.共源极放大电路
28. 双极型晶体三极管工作时参与导电的是( C )，场效应管工作时参与导电的是（ A ）。
A.多子
B.少子
C.多子和少子
D.多子或少子
29. 在 OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为 1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为( C )。
A.1W
以获得稳定的闭环增益。 ( ) 57. 乙类互补对称电路，其功放管的最大管耗出现在输出电压幅度约为 0.6VCC 的时候。 ( ) 58. 负反馈放大电路的反馈系数|������̇ |越大，越容易引起自激振荡。 ( ) 59. 同类晶体管（例如都是 NPN 管）复合，由于两管的 UBE 叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂
《模拟电子技术基础》复习题
模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。
填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，A 将，R i将，R o将。
uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A =；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则u放大电路的输入电阻R i=。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。
模拟电子技术复习题及答案
一、填空题：1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流子：电子和空穴。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截止区、放大区区和饱和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。
当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体，加入 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数提高；负反馈使放大倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点，交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保持稳定，因而增大了输出电阻。
串联负反馈增大了放大电路的输入电阻；并联负反馈则减小了输入电阻。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)
模拟电子技术基础复习题（基础知识填空和简答）习题1一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要依赖于混入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度存有非常大关系。
2、当pn结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在n型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于p型半导体中所含大量空穴载流子，n型半导体中所含大量电子载流子，所以p型半导体拎正电，n型半导体拎负电。
（×）2、在n型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为p型半导体。
（√）3、蔓延电流就是由半导体的杂质浓度引发的，即为杂质浓度小，蔓延电流小；杂质浓度大，蔓延电流大。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、pnl并无光照并无另加电压时，结电流为零。
（√）6、温度增高时，pn吴厝庄的逆向饱和电流将增大。
（×）7、pn结加正向电压时，空间电荷区将变窄。
（×）三．简答题1、pn吴厝庄的伏安特性有何特点？v答：根据统计物理理论分析，pn结的伏安特性可用式id?is?(evt?1)表示。
式中，id为穿过pn吴厝庄的电流；is为pn吴厝庄的逆向饱和电流，就是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与i的单位一致；v为另加电压；vt=kt/q，为温度的电压当量（其单位23与v的单位一致），其中玻尔兹曼常数k?1.38?10j/k，电子电量q?1.60217731?10?19c(库伦)，则vt?t4951.2(v)，在常温（t=300k）下，vt=25.875mv=26mv。
vv当外加正向电压，即v为正值，且v比vt大几倍时，evt??1，于是i?is?evt，这时正向电流将随着正向电压的减少按指数规律减小，pn结成正凡塘通在状态.另加逆向电压，即v为v负值，且|v|比vt大几倍时，evt??1，于是i??is，这时pn结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随其另加电压而变，pn吴厝庄呈圆形逆向截至状态。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模拟电子电路复习考试题
模拟电子电路试题一、选择题（单选）1.一个由两级共射放大电路组成的放大链路中，已知中频电压放大倍数为60dB，则上限频率处的电压放大倍数为（）A. 57dBB. 60dBC. 54dBD. 42Db答案：A2.（）电路可以将输入的方波，转换成三角波输出A. 积分电路B. 微分电路C. 电压比较器D. 加减法电路答案：A3.相同形式的滤波电路，阶数的增加主要是为了改善（）A. 带外滤波特性B. 带宽C. 带内滤波特性D. 通带增益答案：A4.模拟电信号的特点是（）A. 在时域上是连续的B. 在时域上是离散的C. 在频域上是连续的D. 只能是正弦或余弦函数形式答案：A5.集总假设下的模拟电路，对于拓扑约束（KCL、KVL）和元件约束（VCR），以下描述正确的是（）A. 二者都满足B. 只满足拓扑约束C. 只满足元件约束D. 二者都不满足答案：A6.以下对放大器描述错误的是（）A. 放大器中因输出比输入大，所以能量不守恒B. 放大的对象是电压、电流、功率等电信号C. 放大的本质是能量的控制D. 放大的基本要求是不失真的幅度增大答案：A7.对通带电压放大倍数描述错误的是（）A. 若绝对值大于1，表示输出电压幅度较输入增加B. 若数值为实数且大于0，表示同相放大C. 若数值为实数且小于0，表示反相放大D. 若绝对值小于1，表示放大器自激答案：A8.放大电路中引入负反馈的原因是（）A. 改善放大器性能B. 防止放大器自激C. 提升放大倍数D. 实现滤波效果答案：A9.二极管最典型的特性是（）A. 单向导电性B. 可以发光C. 内部结构复杂D. 输出电流受控答案：A10.对于二极管的恒压模型，以下描述错误的是（）A. 可用于分析小信号电路B. 可用于分析含二极管电路的直流通路C. 可用于分析大信号电路D. 考虑了二极管的开启电压和导通电压答案：A11.对于小信号电路而言，二极管上的结电容，会影响电路的（）A. 高频特性B. 中频特性C. 低频特性D. 以上皆错答案：A12.BJT或MOS管，最典型的特点是（）A. 输出电流受控B. 内部有PN结C. 单向导电性D. 输出电流与温度有关答案：A13.由MOS管构成的单管小信号放大器而言，能够实现反相电压放大的组态是（）A. 共源B. 共漏C. 共栅D. 以上皆对答案：A14.对偏置电路的描述，以下说法错误的是（）A. 对交流信号性能没有影响B. 让非线性元件工作在特定的工作区间C. 为电路提供能量D. 可以是偏置电压，也可以是偏置电流答案：A15.BJT的微变等效模型中，be之间用（）代替A. rbe动态电阻B. 受控电压源C. 受控电流源D. 恒定电压源答案：A16.已知某BJT的增益带宽积为3GHz（3000MHz），用它构成共射放大电路的通带电压放大倍数约为-100，则该放大电路的3dB上限频率约为（）A. 30MHzB. 3000MHzC. 300MHzD. 3MHz答案：A17.对于单管小信号放大器中的失真描述错误的是（）A. 线性失真会产生了输入信号所没有的新的频率成分B. 截止失真和饱和失真属于非线性失真C. 单管共射放大电路输出电压出现顶部失真为截止失真D. 合理的Q点设置，可以获得最大的不失真电压答案：A18.系统中采用级联放大器的原因，最不可能的是（）A. 扩展频带B. 提升电压放大倍数C. 提升输入电阻D. 降低输出电阻答案：A19.对于A类功放，描述正确的是（）A. 波形好B. 效率高C. 导通角为180°D. 只能是共射或共源组态答案：A20.为了使集成运放工作在线性区，需（）A. 引入负反馈B. 引入正反馈C. 增加平衡电阻D. 级联使用答案：A21.若要测量低频放大器的3dB工作带宽，最不可能用到的仪器设备是（）A. 万用表B. 示波器C. 频谱分析仪D. 波特仪答案：A22.用仿真软件分析放大器输出电阻，最可行的方法是（）A. 改变负载，分析电压变化量与电流变化量的比值B. 用虚拟万用表电阻档位，直接在输出端测量输出电阻C. 作扫频分析，找3dB带宽与中心频率D. 对输出信号作频域分析答案：A23.射极输出器（）。
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模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。
填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；（3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。
7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电路，而负载电流较大时应采用电感滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用串联型稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“×√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。
（√）2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（√）3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（×）4、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
（×）5、稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U z。
（）6、若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。
（）7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。
（）8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。
（）9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（）10、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E均可视为短路。
（对）11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。
（）12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。
（））13、功率放大电路中，输出功率最大时功放管的管耗也最大。
（ X ）14、零点漂移就是静态工作点的漂移。
（对）15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（对）16、只有直接耦合放大电路才有温漂。
（X ）17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差；（）共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。
（）18、不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用；（√）R E越大，抑制温漂能力越强；（）因此，R E可想取多大就取多大。
（）19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。
（X ）20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（对）21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。
（X ）22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（对）23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（对）24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数；（√）同时，也可增大共模抑制比。
（√）25、只有输出与输入反相的放大电路，才可能引入负反馈。
（）26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈，对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。
（）27、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。
（对）28、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（X ）29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（对）30、负反馈越深，电路的性能越稳定。
（X ）31、实现运算电路不一定非引入负反馈。
（X ）32、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（×）33、在深度负反馈条件下，运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。
（）34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。
（）35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。
（对）36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。
（X）37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（对）38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入，而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。
（）39、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
（X ）40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
（对）41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。
（）42、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（×）43、具有选频网络的放大电路引入正反馈，就将产生正弦波振荡。
（）44、在组成正弦波振荡电路时，若没有稳幅环节，则输出电压幅值将为无穷大。
（）45、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。
（）46、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。
（）47、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与两级共射放大电路相接，并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。
（）48、只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
（x ）49、在振荡频率特别高时，应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。
（对）50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。
（对）51、桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。
（）52、直流稳压电源是能量转换电路，是将交流能量转换成直流能量。
（对）53、在输出电压平均值相同的情况下，单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。
（对）54、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（对）55、在电网电压波动和负载电阻变化时，稳压电路的输出电压绝对不变。
（）三、选择填空题1、P型半导体中的多数载流子是 B ，N型半导体中的多数载流于是A 。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度 C 本征半导体中载流子浓度。
A.大于B.等于C.小于3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中 C 浓度明显增加。
A.载流子B.多数载流子C.少数载流子4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管 B 。
A.大B.小C.相等5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 A 。
A.增大B.减小C.不变6、工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是 A 电流，流过集电结的是B 电流。
A.扩散B.漂移7、当晶体管工作在放大区时，PNP管的，各极电位关系为：NPN管的u C＞u B＞u E，PNP管的u C＜u B＜u E；工作在饱和区时i C＜i B；工作在截止区时，若忽略I CBO和I CEO，则i B＝0，i C＝0。
A.＞B.＜C.＝8、晶体管通过改变A 来控制 C ；而场效应管是通过改变B 控制D ，是一种 F 控制器件。
A.基极电流B.栅-源电压C.集电极电流D.漏极电流E.电压F.电流9、晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成。
因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。
A.一种载流子B.两种载流子C.大D.小10、JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时 A 导电沟道，而增强型MOS管则 B 导电沟道。
A.存在B.不存在11、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越A 。
A.严重B.轻微C.和放大倍数无关12、电路的A d越大表示 C ，A c越大表示 A ，K CMR越大表示 B 。
A.温漂越大B.抑制温漂能力越强C.对差模信号的放大能力越强.13、复合管组成的电路可以 B 。
A.展宽频带B.提高电流放大系数C.减小温漂D.改变管子类型14、由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ，而等效的直流电阻 B 。
A.很大B.很小C.不太大D.等于零15、集成运放有 B 个输入端和 A 个输出端。
A.1B.2C.316、集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过U Icmax时，集成运放将A ，当其差模输入电压超过U Idmax时，集成运放B 。
A.不能正常放大差模信号B.输入级放大管将击穿17、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了 C 。
A.放大变化缓慢信号B.放大共模信号C.抑制温漂18、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E可视为B 。
A.开路B.短路C.2R E19、两个相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 C 。
A. B.2 C.20、OCL电路中，输出功率最大时 A 。
A.输出电压幅值最大B.功放管管耗最大C.电源提供的功率最大21、通用型集成运放的输入级多采用 B ，中间级多采用 A ，输出级多采用 C 。
A.共射放大电路B.差分放大电路C.OCL电路D.OTL电路22、集成运放的互补输出级采用 C 。
A.共射接法B.共基接法C.共集接法D.差分电路其原因是 C 。
A.频带宽B.放大电压的能力强C.带负载能力强D.输入电阻大23、集成运放的A od越大，表示 D ；K CMR越大，表示 B 。
A.最大共模输入电压越大B.抑制温漂能力越强C.最大差模输入电压越大D.对差模信号的放大能力越强24、集成运放的输入失调电压U IO是，失调电流I IO是；A.使输出电压为零在输入端所加补偿电压B.两个输入端电位之差C.两个输入端静态电流之和D.两个输入端静成电流之差它们的数值越大，说明集成运放。
A.输入级参数对称性差B.放大差模信号能力差C.高频特性差D.最大共模输入电压大25、通用型集成运放上限截止频率很低的原因是。