模电复习资料判断选择填空讲课讲稿

判断题

第一章

半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。（对）

二极管

1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。（对）

2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（错）

3、晶体二极管击穿后立即烧毁。（错）

三极管

1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。（错）

2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）

3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。（错）

4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c 极可以互换使用。（错）

5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。（错）

6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。（错）

场效应管

1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。（错）

第二章

1、技术指标

放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。（对）

2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（对）

3、放大电路的三种组态

射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错）

三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。（对）

射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错）

射极输出器不具有电压放大作用。（对）

4、多级放大电路

直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。（错）

直流放大器只能放大直流信号。（错）

现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。（错）

多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。（错）。多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。（错）

多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。（错）

第四章

在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（对）

第五章

差动放大器有单端输出和双端输出两大类，它们的差模电压放大倍数是相等的。（）差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移。（）

从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。（错）

差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。（错）

一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（）

一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）

差动放大电路的A VD越大越好，而A VC则越小越好。（）

放大器级间耦合方式有三种：阻容耦合；变压器耦合；直接耦合；在集成电路中通常采用阻容耦合。（错）

集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。（）

第六章

射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。（）

电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。（）

若放大电路的Au小于1，则接入的反馈一定是负反馈；若放大电路的Au大于1，则接入的反馈一定是正反馈。（错）

第八章

电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，滞回比较器的输出状态发生 2 次跃变。（错）

第九章

振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（）。

稳定振荡器中的晶体三极管静态工作点，有利于提高频率稳定度（）。

放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（）。

石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。（）

振荡电路中只要引入了负反馈，就不会产生振荡信号。（）

第十章

1、判断图所示的电路是否能正常稳压，说明原因。

不能稳压，电路中缺少限流电阻R。

2、图所示的稳压电路采用两只硅稳压管串联，万用表测得输出电压V o为7V，判断稳压管V z1的稳压值是多少？

稳压管V Z1的稳压值是6.3V。

填空题

第一章

半导体

1、自然界的各种物质，根据其导电能力的差别，可以分为_____________、_____________及_____________三大类。导体；绝缘体；半导体

2、导电性能介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为____________。半导体

3、最常用的半导体材料有和。（硅、锗）

4、纯净的、不含其他杂质的半导体称为____________________。本征半导体

5、杂质半导体可以分为_____________和_____________两大类。

N型半导体；P型半导体

6、在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且还有，这是半导体区别于导体导电的重要特征。

（自由电子、自由电子、空穴）

7、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成_______________，其多子为___________，少子为__________。

N型半导体（电子型半导体）；自由电子；空穴

8、P型半导体中是多数载流子。（空穴）

9、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是。

（自由电子、空穴）

10、P型半导体中多数载流子是；N型半导体中少数载流子是。空穴；空穴

11、N型半导体中是多数载流子，是少数载流子，P型半导体中是多数载流子，是少数载流子。

（自由电子、空穴、空穴、自由电子）

12、如果在本征半导体晶体中掺入三价元素的杂质，就可以形成________________型半导体，其多子为________________。P、空穴

13、在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的__________，少子的浓度主要取决于__________。浓度；温度

PN结