模拟电子技术复习题填空选择

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大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1.PN 结反向偏置时,PN 结的内电场 。

PN 具有 特性。

2.硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压V th 约为 伏。

3.为了保证三极管工作在放大区,要求:发射结 偏置,集电结 偏置。

对于NPN型三极管,应使V BC 。

4.放大器级间耦合方式主要有阻容(RC )耦合、直接耦合和 耦合三大类。

5.在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,组态有电流放大作用, 组态有倒相作用; 组态带负载能力强。

6.将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 倍。

7.为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流:。

②当环境温度变化或换用不同值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定: 。

③稳定输出电流: 。

8.某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F =0.01,则闭环放大倍数≈⋅f A 。

二、选择题1.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V ,这说明放大电路的输出电阻为( )。

A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( )。

βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3.与甲类功率放大方式比较,乙类OCL互补对称功放的主要优点是()。

A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4.有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()。

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。

6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。

7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。

模拟电子技术综合复习

模拟电子技术综合复习
电。
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV,输出电压 UO=1V,该放大电路的电压放大倍数为 -100 , 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输
出端 相同 ,后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时,两输入端电压近似相等,称为
2. 在单相桥式整流电路中,若将 4 只二极管全部反接,试分析对输出有何影响?若将其中的 1 只二极管反接,对输出有何影响?
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100,RS= 1 k,RB1= 62 k,RB2= 20 k, RC= 3 k,RE = 1.5 k,RL= 5.6 k,VCC = 15 V。 求:“Q”,Au,Ri,Ro。
(√ )
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
( √)
四、判断三极管工作状态(每小题 4 分,共 12 分)
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.(截止
) b.( 饱和 )
3V
c.( 截止

五、分析题(每小题 9 分,共 18 分)
1. 试分析图示电路中,级间交流反馈 是正反馈还是负反馈,是电压反馈还是电 流反馈,是串联反馈还是并联反馈?
( ×)
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位,三极管一定处于放大状态。
(√ ) ( ×)
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关,而与输入信号源内阻无关。( × )

模拟电子技术复习试题二

模拟电子技术复习试题二

模拟电子技术复习试题二一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1.半导体中,由浓度差引起非平衡载流子运动,形成_________电流,由外加电场引起载流子运动形成_________电流。

2.温度升高时,晶体二极管的I s将_________,V D(on)将_________。

3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。

4.N沟道MOSFET中,为保证器件正常工作,_________极应接在电位的最低点,而P沟道的MOSFET,则该电极应接在电位的_________。

5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。

6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。

7.电流源电路的主要参数是_________和_________。

8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈,否则为_________反馈。

9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________,相位条件是_________。

10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。

二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度,几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时,正向电流I D为10mA,若V D增大到0.66V(即增加10%),则电流I D( )A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.某晶体三极管的I B为10μA,I C为1mA,I CEO为0.1mA则该管的β值为( )A. 100B. 110C. 90D. 804.已知某三极管V BE=0.7V,V CE=3V,则该管工作在_________区。

模拟电子技术基础复习资料

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模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是(空隙), 而少数载流子是(自由电子)。

2. 在N型半导体中, 多数载流子是(电子), 而少数载流子是(空隙)。

3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接( N )区, 电源的负极应接( P )区。

4.当PN结正向偏置时, 电源的正极应接( P )区, 电源的负极应接( N )区。

5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结(正向)偏置, 集电结(反向)偏置。

6.根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为(反向饱和)电流, 在室温下约等于( 26mV )。

7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极(漏极)、(栅极)和(源极)与之相应。

8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用(电压取样)负反馈, 为稳定输出电流, 应采用(电流取样)负反馈。

9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用(串联-电压求和)负反馈, 为减少输出电阻, 应采用(电压取样)负反馈。

10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. )。

11. 在BJT放大电路的三种组态中, (共集电极)组态输入电阻最大, 输出电阻最小。

(共射)组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。

12.在BJT放大电路的三种组态中,.共集电. )组态的电压放大倍数小于1,.共.)组态的电流放大倍数小于1。

13. 差分放大电路的共模克制比KCMR=(), 通常希望差分放大电路的共模克制比越(大)越好。

14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区(高掺杂), 二是基区很(薄)并掺杂浓度(最低)。

15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将(不变), 而共模放大倍数将(减小), 共模克制比将(增大)。

16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有(阻容), (变压器)和(直接)耦合三种。

17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是(零点漂移)。

模拟电子技术期末复习试题及答案

模拟电子技术期末复习试题及答案

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题(每空1分,共32分)1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。

2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。

3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。

4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。

5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是()控制文件。

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。

7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。

为了稳定输出电流,采用()负反馈。

8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。

9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。

10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。

11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。

12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。

13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),fδ=()fβ14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。

15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。

二、选择题(每空2分,共30分)1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是()A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。

A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了()而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ,输入电阻最小的电路是 ② ,输出电阻最小的电路是 ③ ,频带最宽的电路是 ② ;既能放大电流,又能放大电压的电路是 ① ;只能放大电流,不能放大电压的电路是 ③ ;只能放大电压,不能放大电流的电路是 ② 。

2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ,电流放大系数为β,B -E 间动态电阻为r be 。

填空:(1)静态时,I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ,I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=; ,U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=(2)电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ,输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ,输出电阻的表达式为 C R R =0;(3)若减小R B ,则I CQ 将 A ,r bc 将 C ,uA 将 C ,R i 将 C ,R o 将B 。

A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。

A.饱和B.截止3、如图1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数A = 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻u为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。

(2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。

(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。

4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。

模拟电子技术复习资料

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《模拟电子技术》复习资料一.选择题1.1在单级共射极放大电路中,输入电压信号和输出电压信号的相位是 B 。

A.同相B.反相C.相差90º1.2在单相桥式整流(有滤波时)电路中,输出电压的平均值U O与变压器副边电压有效值U2应满足 D 关系。

A.U0=0.45U2B.U0=1.4U2C.U0=0.9U2D.U0=1.2U21.3半导体的特性不包括 D 。

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.遗传性1.4在分压式偏置放大电路中,除去旁路电容C E,下列说法正确的是 D 。

A.输入电阻减小B.静态工作点改变C. 电压放大倍数增大D.输出电阻不变1.5晶体三极管内部结构可以分为三个区,以下那个区不属于三极管的结构 B 。

A.发射区B.截止区C.基区D.集电区1.6集成运放制造工艺使得同类半导体晶体管的 C 。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一致性好1.7工作在放大状态的NPN三极管,其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为 A 。

A. U BE>0,U BC<0B. U BE>0,U BC>0C. U BE<0,U BC<0D. U BE<0,U BC>01.8在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为 A 。

A. 1.4VB. 4.6VC. 5.3VD. 6V1.9在PN结中由于浓度的差异,空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这就是 A 。

A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.10在如图所示的稳压电路中,稳压管D1与D2相同,其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V,输出电压U0为 C 。

A. 1.4VB. 4.6VC. 0.7VD. 6V1.11半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 B 。

A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动1.12二极管的用途不包括 D 。

模拟电子技术复习题(填空选择)

模拟电子技术复习题(填空选择)

填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。

PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th 约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ增大,I CQ增大,U CEQ减小。

模拟电子技术复习考试题(填空选择)

模拟电子技术复习考试题(填空选择)

填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。

PN具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th 约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。

30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。

31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为1800;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为0。

、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。

39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。

41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。

模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)

模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)

习题1一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V VsD -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e T V V>>,于是T V V s e I I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1e T V V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

《模拟电子技术》复习题综合(第5章)

《模拟电子技术》复习题综合(第5章)

《模拟电子技术》复习题综合(第5章)一、填空题1.集成运算放大器工作在线性区时,两输入端的电位可以近似为U+U-。

2.理想运算放大器的“虚短”和“虚断”的概念,就是流进运放的电流为,两个输入端的电压为,为保证运放工作在线性状态,必须引入反馈。

3.为了工作在线性工作区,应使集成运放电路处于状态;为了工作在非线性区,应使集成运放电路处于状态。

4.输入电阻很大的运算电路是比例运算放大器,电路中引入的是负反馈。

5.电压比较器中的集成运放通常工作在区,电路工作在状态或引入反馈。

6.在模拟运算电路时,集成运算放大器工作在区,而在比较器电路中,集成运算放大器工作在区。

7.过零比较器可将正弦波变为波,积分器可将方波变为波。

二、选择题1.为了工作在线性工作区,应使集成运放电路处于状态;为了工作在非线性区,应使集成运放电路处于状态。

A.正反馈B.负反馈C.正反馈或无反馈D.负反馈或无反馈2.关于理想集成运放的输入电阻和输出电阻论述正确的是。

A.输入电阻为∞,输出电阻为0B.输入电阻为0,输出电阻为∞C.输入电阻和输出电阻均为∞D.输入电阻和输出电阻均为03.右图所示电路的反馈类型和极性是。

A.电压串联负反馈B.电压串联正反馈C.电压并联负反馈D.电压并联正反馈4.右图所示电路的电压放大倍数为。

A.RRA Fuf-= B.RRA Fuf= C.RRA Fuf+=1 D.RRA Fuf-=17.为了从信号中提取高频部分,应选用。

A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器8.为防止50Hz电网电压干扰混入信号之中,应选用。

A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器9.为获取信号中的直流成分,应选用。

A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器三、判断题:1.在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

()2.运算电路中一般均引入负反馈。

()3.电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。

模拟电子技术复习试题及答案解析

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。

半导体中中存在两种载流子:和。

纯净的半导体称为,它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。

场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。

10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。

模拟电子技术期末考试复习资料

模拟电子技术期末考试复习资料

《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

答案:错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。

答案:对3.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。

答案:错4.差动放大电路可以放大共模信号,抑制差模信号。

答案:错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。

答案:错一、单选题1.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V,UB=3.7V,UC=3.3V,则该管工作在()。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区答案:B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的,当输入信号的频率为Hf时,放大器增益的幅值将()。

A.降为1B.降为中频时的1/2倍C.降为中频时的1/D.降为中频时的倍答案:C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB,Av3=15dB,则总的电压增益为()dB。

A.35C.45D.60答案:A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。

A.放大B.饱和C.截止D.已损坏答案:D5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。

(设二极管的导通压降为0.7V)A.-5VB.-4.3VC.-5.7VD.-10V答案:C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为()。

A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管答案:B7.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共集电极放大电路时,则vo和vi的相位()。

A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:A8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共发射放大电路时,则vo和vi的相位()。

A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:B9.理想运放的开环差模增益AOd为()。

模电复习试题及答案(选择、填空、判断)

模电复习试题及答案(选择、填空、判断)

《模拟电子技术》复习题综合(半导体基础知识、单管共射放大电路)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。

A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。

图1为 D ;图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(六)

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(六)

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电路的电压放大倍数大,可选用组态;若希望带负载能力强,应选用组态;若希望从信号源索取的电流小,应选用组态;若希望高频性能好,应选用组态。

2.一个放大电路,空载输出电压为6V,负载电阻为4Ω时输出电压为4V,则其输出电阻为。

3.集成运算放大器是多级放大电路,其第一级通常采用,因为这种电路能有效抑制现象。

4.一个放大电路,为稳定输出电流和减小输入电阻,应引入负反馈。

5.乙类互补推挽功率放大电路会产生失真。

二、选择题1.()藕合放大电路具有良好的低频特性。

A、阻容B、直接C、变压器2.某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。

A、P 沟道增强型MOS 管B、P 沟道耗尽型MOS 管C、N 沟道增强型MOS 管D、N 沟道耗尽型MOS 管图1 图23.在如图2所示电路中,电阻R E的主要作用是()。

A、提高放大倍数B、稳定直流静态工作点C、稳定交流输出D、提高输入电阻4.在串联负反馈电路中,信号源的内阻(),负反馈的效果越好。

A、越大,B、越小,C、越恒定,D、越适当5.用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是()。

A、(B、C 、E)B、(C 、B、E) C 、(E、C 、B)6.PN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A、变窄B、基本不变C、变宽D、不定7.稳压管的稳压区是其工作在()。

A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、热击穿8.功率放大电路的效率是指()。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、以上说法均不正确9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U o=()U z。

A、0.45B、0.9C、1.210. 一个晶体管的极限参数为P CM=100mW,I CM=20mA,U(BR)CEO=15V,则下列( )是正常工作状态。

电子技术试题

电子技术试题

《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是[ C ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流I CBO将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中,不属三极管的参数是[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流I FC.集电极最大允许电流I CMD.集电极最大允许耗散功率P CM8、温度升高时,三极管的β值将[ A ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中,多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P 型半导体中,多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质二、填空1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ,而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。

2、温度升高时,晶体管的电流放大系数β 增大 ,反向饱和电流I CBO 增大 ,正向结电压U BE 变小 。

(a.变大,d.变小,c.不变)3、在本征半导体中,电子浓度 等于 空穴浓度;4、在P 型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度;5、在N 型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度。

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填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。

PN具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。

30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合,阻容耦合,变压器耦合。

31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O和V I的波形,则V O和V I的相位差为1800;当为共集电极电路时,则V O和V I的相位差为0。

、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。

39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。

41、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

52、差动放大电路中的长尾电阻Re或恒流管的作用是引人一个共模负反馈。

53、已知某差动放大电路A d =100、K CMR =60dB ,则其A C = 0.1 。

集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。

54、差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对 差模信号 具有放大能力,它对 共模信号 具有抑制能力。

55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号。

56、电路如图1所示,T 1、T 2和T 3的特性完全相同,则I 2≈ 0.4 mA ,I 3≈0.2mA ,则R 3≈ 10 k Ω。

57、集成运放通常由 输入级 、中间级;输出级、 偏置级 四个部分组成。

58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ;负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。

59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ,同时使输入电阻 减小 。

、负反馈对放大电路性能的改善体现在:提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制 反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。

61、为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流: 串联负反馈 。

②当环境温度变化或换用不同β值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定: 直流负反馈 。

③稳定输出电流: 电流负反馈 。

62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ,同时使输入电阻 大 。

63、某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F=0.01,则闭环放大倍数f A &≈ 100 。

64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 01=+FA && 。

65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。

66、为稳定电路的输出信号,电路应采用 负 反馈。

为了产生一个正弦波信号,电路应采用 正 反馈。

67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 068、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷 ,K CMR = 无穷 。

69、电流源电路的特点是,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。

70、电流源的特点是输出电流 恒定 ,直流等效电阻 小 ,交流等效电阻 大 。

71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。

72、理想运算放大器,A d = 无穷大 、R i = 无穷大 、R o = 0 。

73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。

74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器;如果希望500 Hz 以下的有用信号,可选用 低通 滤波器。

75、选取频率高于1000Hz 的信号时, 可选用 高通 滤波器;抑制50 Hz 的交流干扰时,可选用 带阻 滤波器;如果希望抑制500 Hz 以下的信号,可选用 高通 滤波器。

76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰,可选用 带阻 滤波器;如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号,可选用 带通 滤波器。

77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为:低通滤波器、 高通滤波器 、带通滤波器及 带阻滤波器 。

78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下,得出两个重要结论,它们是: 虚断 和 虚短 。

79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路, 输出级大多采用 共集 电路。

80、正弦波振荡电路是由 放大电路 、 反馈网络 、选频网络、 稳幅环节 四个部分组成。

81、正弦波振荡电路产生振荡时,幅度平衡条件为1=F A && ,相位平衡条件为 πn F A 2±=Φ+Φ n=0、1、2… 。

82、信号发生器原理是在电路负反馈时••F A = -1 ,例如 自激 电路。

在正反馈时••F A = 1 ,例如 文氏 振荡电路。

83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路 的特殊形式,因而振荡频率具有很高的稳定性。

图184、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 1=F A && 、其中相位平衡条件是=φ+φf a πn 2,n 为整数 、为使电路起振,幅值条件是 1>FA && 。

85、正弦波振荡电路必须由 放大电路 、 反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。

86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:V A &= 3 、V F &= 31 、0ωω== RC 1 。

87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是1=F A && 、 πϕϕn f a 2=+ n 为整数 。

88、正弦波振荡电路起振的条件是1>FA &&和 πn F A 2±=Φ+Φ n 为整数。

89、有用信号频率高于1000Hz, 可选用 高通 滤波器。

文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数 A f≥3 ,才能满足起振条件。

90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用 交流负 反馈。

为了产生一个正弦波信号,电路应采用 正 反馈。

91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路。

92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V ,7915输出电压 -15 V 。

93、直流电源一般由下列四部分组成,他们分别为:电源变压器、滤波电路、 稳压 电路和 整流 电路。

稳压集成电路W7810输出电压 +10 V 。

94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 0.45 倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 0.9 倍。

95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏。

96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电压 。

97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状态不同 。

98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波器 、 稳压电路 等四部分构成。

99、 幅度失真 和 相位失真 总称为频率失真。

100、串联反馈式稳压电路由 调整管 、 比较放大 、 基准电压 、 取样环节 四部分组成。

单项选择题1、半导体二极管加正向电压时,有( A )A 、电流大电阻小B 、电流大电阻大C 、电流小电阻小D 、电流小电阻大2、PN 结正向偏置时,其内电场被( A )A 、削弱B 、增强C 、不变D 、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( A )A 、反向偏置击穿状态B 、反向偏置未击穿状态C 、正向偏置导通状态D 、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入( A )构成P 型半导体。

A 、3价元素B 、4价元素C 、5价元素D 、6价元素5、 PN 结V —I 特性的表达示为( A )A 、)1(/-=T D V v S D e I iB 、D v S D e I i )1(-=C 、1/-=TD V v S D e I i D 、T D V v D e i /=6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带( B )A 、变宽B 、变窄C 、不变D 、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ,接入12k Ω的负载电阻后,输出电压降为3V ,这说明放大电路的输出电阻为( C )A 、 10k ΩB 、2k ΩC 、4k ΩD 、3k Ω8、三极管工作于放大状态的条件是( A )A 、发射结正偏,集电结反偏B 、发射结正偏,集电结正偏C 、发射结反偏,集电结正偏D 、发射结反偏,集电结反偏 9、三极管电流源电路的特点是( B ) A 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小D 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC 应当( A )A 、短路B 、开路C 、保留不变D 、电流源11、带射极电阻R e 的共射放大电路,在并联交流旁路电容C e 后,其电压放大倍数将( B )A 、减小B 、增大C 、不变D 、变为零12、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A 放大器的输出电压小,这说明A 的( B )A 、输入电阻大B 、输入电阻小C 、输出电阻大D 、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )A 、共射电路B 、共基电路C 、共集电路D 、共集-共基串联电路14、某NPN 型三极管的输出特性曲线如图1所示,当V CE =6V ,其电流放大系数β为( B )A 、β=100 B 、β=50 C 、β=150 D 、β=2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ,(见图2所示)则此三极管为( D )A 、PNP 型锗三极管B 、NPN 型锗三极管C 、PNP 型硅三极管D 、NPN 型硅三极管16、多级放大电路的级数越多,则其( A )A 、放大倍数越大,而通频带越窄B 、放大倍数越大,而通频带越宽图2 图1C、放大倍数越小,而通频带越宽D、放大倍数越小,而通频带越窄17、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为( D )A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求( A )A、独立信号源短路,负载开路B、独立信号源短路,负载短路C、独立信号源开路,负载开路D、独立信号源开路,负载短路19、场效应管放大电路的输入电阻,主要由( C )决定A、管子类型B、g mC、偏置电路D、V GS20、场效应管的工作原理是( D )A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流21、场效应管属于( A )A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件C、单极性电流控制型器件D、双极性电压控制型器件26、通用型集成运放适用于放大( B )A、高频信号B、低频信号C、任何频率信号D、中频信号27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是( A )A、反相输入端为虚地B、输入电阻大C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是( D )A、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路29、共模抑制比K CMR越大,表明电路( C )A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大C、抑制温漂能力越强D、输入信号中的差模成分越大30、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益是( C )A、增加一倍B、为双端输入时的一半C、不变D、不确定31、电流源的特点是直流等效电阻( B )A、大B、小C、恒定D、不定32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的( A )A、1+AF倍B、1/(1+AF)倍C、1/F倍D、1/AF倍33、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应当采用( A )A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流,并增大输入电阻,应当引入( A )A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈D、电压并联负反馈35、如图4为两级电路,接入R F后引入了级间( A )A 、电流并联负反馈B 、电流串联负反馈C 、电压并联负反馈D 、电压串联负反馈 36、某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( A )A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流),经过放大后希望输出电压与信号成正比,此放大电路应选( D )A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈 38、某电路有用信号频率为2kHz ,可选用( C ) A 、低通滤波器 B 、高通滤波器 C 、带通滤波器D 、带阻滤波器 39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数( C )才能满足起振条件A 、为1/3时B 、为3时C 、>3D 、>1/340、LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为( C )A 、LC f 10=B 、LC f 10=C 、LC f π210= D 、LC f π210=41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是( A )A 、2n π,n 为整数B 、(2n+1)π,n 为整数C 、n π/2,n 为整数D 、不确定42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为( B )A 、RC f 621π=B 、RC f π21= C 、RC f π21= D 、RC f π41=43、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102=V ,则每个整流管所承受的最大反向电压为(A ) A 、210V B 、220V C 、20V D 、2V44、图5为单相桥式整流滤波电路,u i 为正弦电压,其有效值为U i =20V ,f=50Hz 。

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