直拉硅单晶生长工艺流程与原理ppt课件

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度就大
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单晶生长界面变化过程 单晶的生长过程中,固液界面反映其径向温
度梯度变化过程。
dt/dx>0 dt/dx=0 dt/dx<0
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单晶炉冷却系统
1、炉壁都是夹层结构,夹层内有循环水道,保证炉子得 到均匀的水冷却;
2、炉子的总出水管上有流量开关;水冷套上有流量计; 断水后3分钟内控制系统会自动切断加热电源; 3、炉子各处设置了多个55℃超温开关,局部的过热会在
称重部件
快速升降 电机
配重块
慢速升降 电机
旋转伺服 电机
光电编码 计行程
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晶体/坩埚旋转传动机构调试重点
1、晶体、坩埚慢速电机和旋转电机速度标定,方向正确; 2、晶体、坩埚快速电机方向正确; 3、依照热场高度调节晶体、坩埚限位; 4、调整提拉头水平; 5、调整坩埚轴上端面水平; 6、用对中套调整坩埚轴对中; 7、用对中尖和对中盘调整钢缆对中; 8、标定晶体、坩埚的计程; 9、标定称重。
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单晶炉底座及地基和震源的隔离
外界震源包含: 1、真空泵运行振动 (措施:真空泵下用弹簧座主动隔震真空泵远离炉子) 2、基础所处土壤表层振动 (措施:基础四周挖减震槽隔离) 3、基础所处土壤深层振动 (措施:1、混凝土基础座在实土层2、混凝土基础不宜过高)
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二、直拉单晶炉的基本结构
副炉室
隔离阀室 (翻板阀
1、用高纯氩气保护(99.999%); 2、带走氧气等泄露进炉内的杂质,并带走熔液表面蒸发
的SiO(流动性); 3、顶上充入,用真空泵从炉底抽气抽空管道上设置电动
蝶阀以实现炉内压力的闭环控制(保护性气体的流 向); 4、气体进入真空泵之前经过过滤罐将杂质粉尘分离,减 少对泵油的污染(过滤罐的作用);
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氩气及真空系统部分
系统组成 1、氩气分流控制:三阀系统(氩气分流环(京运通 单晶炉只是转子流量计)); 2、炉压控制:节流阀; 3、真空测量:不同量程真空计检测真空; 4、真空泵组:副泵用于隔离操作,主泵用于正常拉 晶。
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单晶炉加热系统示意图
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单晶炉热系统
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单晶炉热系统实物图
内(石英护套)/外(石墨护套)
器产生高温,热量通过辐射加热石墨坩埚,由石墨坩埚加热石英坩埚和 多晶硅料,达到熔化和结晶所需的温度。调节加热器功率以控制熔体温 度; 3、保温结构用于构成下热上冷的温度梯度,以 及隔绝加热器对炉壁的 热辐射
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直拉单晶炉主炉室及内部热系统概图
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单晶炉热场不同系统温度分布对比
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直拉单晶炉在气氛下拉晶
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Biblioteka Baidu
单晶体/坩埚升降及旋转机构
1、快慢双电机结构: 提高拉速控制精度;实现易挥发杂质的掺杂;
2、配重块合理配重: 保证了晶体旋转时的动态平衡;
3、上/下轴旋转的作用: 固液界面热对称的获得;晶体断面良率的提高;
4、行程传感器: 长度的测量可把握剩料,做到及时收尾。
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单晶炉晶体提拉部分
单晶炉晶体提拉部分(功能结构示意)
1、静态热场 熔硅后引晶时的温度分布,由加热器、保温系统、坩埚位置等因素决定 。
2、动态热场 拉晶时的热场,由结晶潜热、液面下降、固体表面积增加等因素决定。
3、常用(温度梯度)从数量上描述热系统的温度分布情况。 4、温度梯度——指温度在某方向的变化率 5、一定距离内,某方向的温度相差越大,单位距离内的温度变化越大,梯
1、基座配合水平调整和防震设施为晶体提供良好的生长环境; 2、主炉室是晶棒生长的地方;副炉室是晶棒冷却的地方; 3、通过炉盖观察窗(主视窗、CCD窗)监控晶体生长全过程; 4、液压系统控制炉室打开与复位。 炉体调试重点: 1、炉子达到密闭性要求、极限真空和漏率合格; 2、调整调平垫块使炉底板达到水平度要求; 3、拧紧地脚螺栓; 4、液压系统运行平稳,限位调整,定位销检查。
顺畅气流流动对单晶硅生长非常重要!
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直拉单晶炉热系统及气氛流动示意图
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单晶炉对外界环境的要求
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直拉单晶炉上轴(软轴)对环境的要求
直拉单晶炉软轴长度约4-5m,直径2.5mm; 在炉子顶上有一个旋转的缆车机构(提拉头)拉 晶时不停旋转并缓慢的卷动钢缆提升单晶棒; 要求: 1、提拉头安装在水平的炉顶上; 2、提拉头自身旋转平稳,动平衡; 3、炉子可靠的座在基础上,地脚螺栓拉紧; 4、基础四周隔震,无机械振动; 5、软轴与炉子的旋转轴线;
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单晶炉热系统的材料构成及要求
1、加热器是热系统的主体,用高纯石墨制成,它是系统的热源。保温 系统用石墨制成,也有碳素纤维、碳毡、和高纯石墨混合组成;
2、热场内要提供通畅的气流通道,并使气流流过生长区域液面; 3、氧化物会在温度较低的热场零件上沉积,应避免氧化物沉积在液面 以上的位置。
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单晶炉热场
1、真空泵不断的对炉子抽气,形成真空; 2、炉子各部件之间都有密封件,其中旋转部件之间采用磁
流体密封; 3、每炉生长之前通过用真空泵对炉子抽极限真空,(抽真
空)关闭抽空阀门,测量炉内压力升高速度来判定炉子 是否达到密闭要求;(检漏)
单晶炉的真空度及真空的泄漏率对单晶硅生长 至关重要!
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直拉单晶炉内部的气氛环境特征
室)
主炉室 坩埚提升 旋转机构
晶体提升 旋转机构
炉盖
控制柜
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单晶炉的主要组成部分
1、炉体(基座、炉室、炉盖、液压系统) 2、晶体升降及旋转机构 3、坩埚升降及旋转机构 4、氩气和真空系统 5、加热系统(加热电源、热场) 6、冷却系统 7、控制系统
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炉体
炉体(炉体由基座、炉室、炉盖及液压系统组成)
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直拉单晶炉下轴(坩埚轴)对环境的要求
1、坩埚通过一根约1m长的硬轴(石墨)支撑并旋 转上升,熔液盛在石英坩埚内;
2、石墨埚杆通过螺丝固定在单晶炉下轴上; (硬轴固定在坩埚提升机构上) 3、坩埚提升机构导轨和丝杠要平顺; 4、带动的硬轴旋转要平稳; 5、冷炉时硬轴上端放一盆水,坩埚提升机构运行
时水面无明显波纹(机械调试时的一个方法);
直拉式单晶炉培训
(直拉法晶体硅生长流程与原理)
技术工艺部 报告人:丁永生 日期:2011.10.21
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培训内容
一、直拉法单晶硅生长环境 二、直拉式单晶炉基本结构 三、直拉法单晶硅生长工艺步骤
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一、直拉硅单晶的生长环境
高温环境的形成
1、硅的熔点1420℃左右; 2、主炉室内安装石墨加热器和保温材料(热场),低压大电流流过加热
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