室温下不同偏压与掺杂浓度对非对称量子阱隧穿系数的影响

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中图分类号：０４６９；ＴＢ３８３文献标志码：Ａ文章编号：１６７１—７１４７（２０１３）０１—０１２２—０５
ＳｔｕｄｙｏｆＤｉｆｆｅｒｅｎｔＢｉａｓａｎｄＤｏｐｉｎｇＣｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｎＡｓｙｍｍｅｔｒｉｃ
Ｖｏ１．１２Ｎ（）．１
Ｆｅｂ．２Ｏ１３
室温下不同偏压与掺杂浓度对非对称量子阱隧穿系数的影响
赵瑞娟，安盼龙，许丽萍，杨艳
（１．中北大学电子测试技术国家重点实验室，山西太原０３００５１；２．中北大Fra Baidu bibliotek学仪器科学与动态测试
Ｑｕａｎｔｕｍ— ＷｅｌｌＴｕｎｎｅｌｉｎｇＣｏｅｉｃｆｉｅｎｔｓａｔＲｏｏｍＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
ＺＨＡＯＲｕｉ－ｊｕａｎ，ＡＮＰａｎ — ｌｏｎｇ，ＸＵＬｉ — ｐｉｎｇ，ＹＡＮＧＹａｎ
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｑｕａｎｔｕｍ— ｗｅｌｌｍｏｄｅｌｉｓｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄｆｏｒａｓｙｎｍａｅｔｒｉｃｔｈｒｅｅｐｏｔｅｎｔｉａｌｂａｒｒｉｅｒｓ．Ｔｈｒｏｕｇｈａｎａｌｙｚｉｎｇａｎｄｓｉｍｕｌａｔｉｎｇｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆａｎｙｓｉｎｇｌｅｐｏｔｅｎｔｉａｌｂａｒｒｉｅｒｆｏｒｔｈｅａｓｙｍｍｅｔｒｉｃｔｈｒｅｅｐｏｔｅｎｔｉａｌｂａｒｒｉｅｒｓｕｎｄｅｒｔｈｅｒｏｏｎｌ
（１．ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＮｏｒｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＣｈｉｎａ，Ｔａｉｙｕａｎ０３００５１，Ｃｈｉｎａ；２．ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔＳｃｉｅｎｃｅ＆ＤｙｎａｍｉｃＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ（ＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ），ＮｏｒｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＣｈｉｎａ，Ｔａｉｙｕａｎ０３００５１，Ｃｈｉｎａ；３．ＳｃｈｏｏｌｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，ＮｏｒｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＣｈｉｎａ，Ｔａｉｙｕａｎ０３００５１，Ｃｈｉｎａ）
教育部重点实验室，山西太原０３００５１；３．中北大学理学院，山西太原０３００５１）摘要：建立了非对称三势垒量子阱模型，通过对任意单势垒透射系数理论分析，模拟研究了非对称三势垒在室温下，其器件衬底掺杂，在不同浓度与不同偏压下，其透射系数随电子入射能量发生变化的曲线，并进行了分析讨论，得到了内建电场等因素制约量子阱隧穿效应的理论。关键词：偏压；掺杂浓度；非对称量子阱；隧穿系数
第１２卷第１期２０１３年２月
江南大学学报（自然科学版）ＪｏｕｒｎａｌｏｆＪｉａｎｇｎａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ）
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆｔｈｅｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｄｏｐｉｎｇａｎｄｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔｂｉａｓ，ｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓｖｅｒｓｕｓ