【CN110010760A】一种InBiSb相变薄膜材料及其制备方法和应用【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910193766.9

(22)申请日 2019.03.14

(71)申请人 江苏理工学院

地址 213001 江苏省常州市中吴大道1801

号

(72)发明人 胡益丰　孙松　邹华　朱小芹　

(74)专利代理机构 常州佰业腾飞专利代理事务

所(普通合伙) 32231

代理人 高姗

(51)Int.Cl.

H01L 45/00(2006.01)

(54)发明名称

一种In-Bi-Sb相变薄膜材料及其制备方法

和应用

(57)摘要

本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种

In -Bi -Sb相变薄膜材料及其制备方法和应用。

In -Bi -Sb相变薄膜材料中In -Bi -Sb的结构通式

为In x Bi y Sb 100-x -y ，其中0.1

磁控溅射方法，将InSb靶材和BiSb靶材共溅射得

到具有不同原子比例的In x Bi y Sb 100-x -y 相变薄膜

材料。本发明制备的In -Bi -Sb相变薄膜材料具有

较低的熔点、较好的热稳定性和较快的相变速

度，有利于应用在高稳定性和低功耗相变存储器

方面。权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 110010760 A 2019.07.12

C N 110010760

A

权　利　要　求　书1/1页CN 110010760 A

1.一种I n-B i-S b相变薄膜材料，其特征在于，所述I n-B i-S b的结构通式为In x Bi y Sb100-x-y，其中0.1

2.根据权利要求1所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，10≤x<30，15≤y< 40。

3.根据权利要求1所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，所述In-Bi-Sb为In10Bi15Sb75、In15Bi20Sb65、In20Bi25Sb55或In25Bi30Sb45。

4.根据权利要求1所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，所述In-Bi-Sb相变薄膜材料的厚度为150～250nm。

5.根据权利要求1所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料，其特征在于，所述In-Bi-Sb相变薄膜材料的厚度为200nm。

6.一种权利要求1所述的In-Bi-Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)磁控溅射的准备，将洗净的待溅射的基片放置在样品盘上，将InSb靶材、BiSb靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

(2)磁控溅射制备In x Bi y Sb100-x-y相变薄膜：

清洁InSb靶材和BiSb靶材表面，然后打开InSb靶材和BiSb靶材上的射频电源进行共溅射，生成In x Bi y Sb100-x-y相变薄膜材料。

7.根据权利要求6所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤

(2)具体为：

a、将空基托旋转到InSb靶位，打开InSb靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对InSb靶材表面进行溅射，清洁InSb靶材表面；

b、InSb靶材表面清洁完成后，关闭InSb靶材上所施加的射频电源，将空基托旋转到BiSb靶位，开启BiSb靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对BiSb靶材表面进行溅射，清洁BiSb靶材表面；

c、将待溅射的样品盘打开，同时打开InSb靶材和BiSb靶材上的射频电源，设定好溅射的功率，调整好靶材倾斜角度，设置通入的气体流量和气压，开始共溅射，生成In x Bi y Sb100-x-y相变薄膜材料。

8.根据权利要求6所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述高纯氩气中Ar的体积百分比≥99.999％，高纯氩气的流量为70SCCM～80SCCM，高纯氩气溅射气压为0.60Pa～0.80Pa。

9.根据权利要求6所述的一种In-Bi-Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述磁控溅射所采用射频电源的功率为100W～300W。

10.一种权利要求1～5任一项所述的In-Bi-Sb相变薄膜材料在相变存储器中的应用。

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