陶瓷基板制造技术
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强烈的放热反应，反应过程难以控制，产品质量不 稳定；
制得的AlN粉往往有自烧结现象，一般难以得到颗 粒微细、粒度均匀的AlN粉，需要后处理；
转化率：铝粉氮化后表面形成的AlN层会阻碍N2向 铝颗粒内部的扩散，阻碍反应继续进行，需长时间 才能反应完全；
为了得到高纯度的AlN粉，就需要采用高纯度的原 料，相应的成本也高。
厚膜混合IC用基板 表面粗糙度，价格 、与布线导体结合力; 常用96wt%的Al2O3基板。
薄厚膜混合IC用基板 厚度几百nm以下，薄膜的物理性能、电气性能受表面 粗糙度影响很大; 保证表面平滑，表面被覆玻璃釉（几十微米）。
薄膜混合IC用基板 纯度99%以上，表面粗糙度小
17
(b) LSI用基板 同时烧成技术制作的LSI封装，气密性好、可靠性高； 机械强度高、热导率高，在多端子、细引脚节距、高 散热性等高密度封装中，Al2O3基板作用重大。
得颗粒度一致的超细AlN粉。
34
(4) AlN 基板的制造
AlN自扩散系数小 常压下2440℃升华
常规烧结
35
(a) 使用超细粉制备基板：
纳米尺度的颗粒，在比该材料的熔化温度低的条件下 熔融。颗粒的尺度越小，熔化温度越低。在超细状态 下的AlN粉可以在比它的升华温度低得多的时候完成 烧结。
AlC13与NH3反应一般在600~1100℃的温度范围内进 行。
33
随着温度的升高和NH3的相对浓度的增大，转化率及 生成AlN粉的结晶程度随之提高。(HCl产生影响）
Al(C2H5)3 克服HCl影响，反应温度较低(400℃即可迅 速反应生成高纯AlN粉)。
气溶胶法适合进行连续化生产的AlN粉制造工艺。 方便地控制AIN颗粒的成核和生长速率，从而可以获
14
（6）Al2O3 陶瓷基板的应用
(a) 混合集成电路用基板
15
Al2O3%
①抗弯强度/10M ②热导率/(W/m·K) ③绝缘耐压/(kV/mm)
④r
⑤莫氏硬度 ⑥表观密度/(103kg/m3) ⑦弹性模量/105MPa ⑧比热容/(10-1kcal/kg·ºC) ⑨tan/10-4
16
机械强度、热导率比Al2O3低； 介电常数比Al2O3低，有利提高传输速度； 制造、金属化方法与Al2O3基本相同；
21
日立公司开发莫来石用于多层电路板； 导体层：W，44层
22
3、氮化铝基板
（1） AlN 陶瓷性质
热导率高（> Al2O3） 热膨胀系数与Si匹配 (适用高密度封装、MCM)
艺会受到很大的局限性，无法用于电子封装基板的生 产。
37
(c) 常压烧结法：
助烧剂
选择原则:
在较低的温度与AlN颗粒表层的A12O3发生共溶，形 成液相，这样才能降低烧结温度;
产生的液相对AlN颗粒能够具有良好润湿性，有效起 到烧结作用;
助烧剂与A12O3有较强地结合能力，有利于去除氧杂 质，净化AlN晶格。
因素。
28
(a) 铝粉直接氮化法
2Al + N2 → AlN 简单易行，已经用于大规模生产； 能够合成大量纯度较高的AlN粉，无副反应； 金属铝在660℃熔化，大约在800℃时开始与N2
反应；(铝在2490℃完全气化) 强烈的放热反应，能够保证反应的顺利进行。
29
铝粉直接氮化法缺点：
Mn + H2O MnO + H2 MnO + Al2O3 MnO ·Al2O3 此外，在表面电镀Ni、Au、Ag等，改善导体膜的 焊接性能。
12
MnO -Al2O3系相图
13
经Mo-Mn法处理的Al2O3基板焊接截面结构
焊料 Ni电镀层 Mo-Mn 中间层（MnO ·Al2O3） Al2O3基板
42
(6) AlN 基板的应用 (a) LSI封装
43
(b) 超高频（VHF)频带功率放大器模块
散热基板结构剖面
(c) 大功率器件、激光二极管基板
44
4、碳化硅(SiC)基板
(1) SiC基板的特性
热扩散系数大（> 铜1.1cm2/s); 热膨胀系数与Si更加接近; 缺点： 介电常数高，不适用高频电路板； 绝缘耐压差。
1100-1200 ºC
a-Al2O3
8
（5）Al2O3 陶瓷基板制作方法 (a) Al2O3 陶瓷成型 助烧剂
厚膜用：Al2O3-SiO2-MgO、CaO，提高金属化层 的浸润性； 薄膜用：0.2 w% MgO, 得到密度高、表面平滑基 板，MgO抑制烧成时Al2O3颗粒长大（Cr2O3抑制 MgO表面蒸发）。
通过点阵或晶格振动，即借助晶格波或热波进行 热传递;
载热声子通过结构基元(原子、离子或分子)间进行 相互制约、相互协调的振动来实现热的传递；
如果晶体为具有完全理想结构的非弹性体，则热 可以自由地由晶体的热端不受任何干扰和散射向 冷端传递，热导率可以达到很高的数值；
热导率主要由晶体缺陷和声子自身对声子散射控 制。
30
(b) Al2O3碳热还原法：
Al2O3 + N2 + 3C → 2AlN + 3CO 两步完成: 第一步由C还原生成气相中间产物Al(g)、
Al2O (g)；第二步氮化生成AlN； 常加入CaO、CaF2、Y2O3等作为催化剂；有效地降低
活化能，提高反应速率；
加适当过量的碳，既能加快反应速率，提高转换率， 也有助于控制粉末团聚，获得理想的粒径分布；
第三章 陶瓷基板制造技术
第一节 陶瓷基板概论
1、陶瓷基板具备条件 2、陶瓷基板的制造方法 3、流延成型工艺 4、陶瓷基板的金属化 第二节 各类陶瓷基板 1、氧化铝基板2、莫来石基板 3、氮化铝基板4、碳化硅基板 5、氧化铍基板
1ຫໍສະໝຸດ Baidu
1、氧化铝基板
（1）Al2O3陶瓷的基本性质 优良的机械强度； 良好导热特性，适用于高温环境； 具有耐抗侵蚀和磨耗性； 高电气绝缘特性。
11
(c) Al2O3基板表面金属化 — 难熔金属法
1938年德利风根（德）、西门子公司 Mo法、Mo-Mn法、Mo-Ti法 Mo-Mn法 （常用）: 以耐热金属Mo粉为主成分，
易形成氧化物Mn为副成分，混合成浆料，涂布在 表面已研磨、处理的Al2O3基板表面，在加湿气氛 高温烧成金属层。
25
AlN的热导率理论值：320 W／(m·K）；实际值：< 200 W／(m·K）;
AlN主要靠声子传热，在热传输过程中，晶体中的缺 陷、晶界、气孔、电子以及声子本身都会产生声子散 射，从而影响A1N基板的热导率;
声子散射对热导率K的影响关系式为:
K =1/3cvl
c: 比热容；v = 声子运动速度； l: 声子平均自由程
2
良好表面特性，提供优异平面度与平坦度； 抗震效果佳； 低曲翘度； 高温环境下稳定性佳； 可加工成各种复杂形状。
3
（2）Al2O3晶体结构 具有多种同质异晶体; a(三方)、b(六方)、g(四方)、h(等轴)、r(晶系 未定)、χ (六方)、κ(六方)、δ(四方)、θ(单斜)Al2O3等10多种变体； 主要有a(三方)、b(六方)、g(四方)相； a-Al2O3为高温稳定相，工业上使用最多。
18
(c) 多层电路基板
IBM308X, TCM， 基板：90mm × 90mm, 布线：共烧Mo； L：120 m
19
NEC, 100 mm 100mm, PI布线;
PI介电常数低，提高信号传输速度。
20
2、莫来石基板
3Al2O3 ·2SiO2, 是Al2O3-SiO2体系最稳定晶相之 一；
26
为了提高AlN的热导率： 必须对陶瓷的微结构进行控制，排除点阵畸变、位 错、层错、非平衡点缺陷等晶体缺陷，尽量保证晶 体的完整性； 减少气孔、第二相析出。
27
(3) AlN 粉的制备
电子级AlN粉要求纯度高、烧结性活性好； AlN粉中的杂质特别是氧的含量，对陶瓷基板的性能
有显著影响；氧含量提高会严重降低基板的热导率； 粉体粒度、颗粒形态则是影响成型和烧结条件的关键
AlN粉的纯度较高，成型和烧结性能都比较好；
缺点：合成温度高，反应时间长，颗粒度比较大。 31
Al2O3碳热还原机理：
C还原Al2O3 Al2O3(s) + 3C(s) 2Al(g) + 3CO(g) Al2O3(s) + 2C(s) Al2O(g) + 2CO(g) 2Al(g) + N2(g) 2AlN(s) [或 Al2O(g) + N2(g) + C(s) 2AlN(s) + CO(g) ] Al2O3分解 2Al2O3(s) 4Al(g) + 3O2(g) 2C(s) + O2(g) 2CO(g) 2Al(g) + N2(g) 2AlN(s) CO还原氧化铝
39
低温烧结 （ 1600 – 1800 ℃ ）： 近几年，出于减少能耗，降低成本，以及AIN与
金属浆料共烧等方面的考虑，AlN低温烧结技术 的研究工作取得了一些成果。 采用多元复合体系，降低助烧液相的熔点。
40
41
(5) AlN 基板的金属化
薄膜金属化; 厚膜金属化; 低温金属化(如Ag-Pd导体、Cu导体、Au导体金属化; 高温金属化(如Mo-Mn金属化和W金属化); 直接键合铜金属化; AlN-W共烧金属化。
38
液相的流动性要好，烧结后期在AlN晶粒生长过程的 驱动下向三角晶界处流动，而不致于在AIN晶粒间形 成热阻层。
进一步的在烧结的过程中能够从三角晶界处流向基板 表面，从而净化AlN的晶界;
助烧剂最好不与AlN发生反应，否则产生晶格缺陷， 难以形成AlN完整晶形。
助烧剂：碱土金属或稀土金属的氧化物、氟化物等， 如Y2O3、CaO、CaF2等。
23
AlN晶体结构
a = 0.31 nm; c = 0.498 nm; 属六方晶系，是以【AlN4】四方体
为结构单元的纤维矿型； 共价键化合物； AIN晶体呈白色或灰色； 常压下分解温度为2 200～2 450℃； 理论密度为3.26 g／cm3。
24
(2) AlN 的导热机理
Al2O3(s) + 2CO(g) Al2O(g) + 2CO(g) Al2O(g) + 2CO(g) + N2(g) 2AlN(s) + CO(g)
32
(c) 气溶胶(或气相反应)法：
用AlC13或金属铝的有机化合物为原料，通过与NH3 进行气相反应合成AlN超细粉: AlCl3 + NH3 → AlN + 3 HCl Al(C2H5)3 + NH3 → AlN + 3C2H6
9
粘结剂：
PVB(聚乙烯醇聚丁醛树脂）
分散剂：
DBP（邻苯二甲酸二丁酯）、鱼油、合成油
烧成温度：
1500-1600 ºC
气氛：
加湿H2、H2-N2、NH3的分解混合气
10
(b) Al2O3陶瓷金属化 共烧法 厚膜法 薄膜法 难熔金属法
难熔金属法 厚膜法 薄膜法
共烧法
（3）Al2O3 陶瓷的分类及性能
按含量来分：
99瓷：~99% 95瓷：~95% 90瓷：~90%
高铝瓷：> 85% 刚玉瓷：> 99%
按颜色来分：
白色 紫色 黑色
6
7
（4）Al2O3 陶瓷原料生产 Buyer法
铝矾土
NaOH aq.
铝酸苏 打溶液
成核剂
水铝矿
Al2O3 ·3H2O
过滤、煅烧、脱水
4
a-Al2O3
Al3+与O2-之间为强固的离子键； O2-阴离子近似于密排六方排列； Al3+阳离子占据了2/3的八面体空
隙位置，即每个Al3+位于6个O2-构 成的八面体的中心; a-Al2O3结构的填充极为密实，其 物理性能，化学性能稳定， 具有 密度高、机械强度大等特性。
5
受粉体的性能影响较大，如果小粒径的AlN粉没有达 到一定的含量，是无法在设定的温度下完成烧结;
生产大量的纳米状态的AlN粉会提高生产成本;
需要解决超细粉的团聚问题，（给后续工艺带来一定 的困难，比如流延成型等）。
36
(b) 热压(或热等静压)烧结法：
用于制造高性能的块体AlN陶瓷材料的制备; 工艺条件复杂，不适合进行批量生产； 只能制作简单形状的瓷体，并且共烧基板采用这种工
制得的AlN粉往往有自烧结现象，一般难以得到颗 粒微细、粒度均匀的AlN粉，需要后处理；
转化率：铝粉氮化后表面形成的AlN层会阻碍N2向 铝颗粒内部的扩散，阻碍反应继续进行，需长时间 才能反应完全；
为了得到高纯度的AlN粉，就需要采用高纯度的原 料，相应的成本也高。
厚膜混合IC用基板 表面粗糙度，价格 、与布线导体结合力; 常用96wt%的Al2O3基板。
薄厚膜混合IC用基板 厚度几百nm以下，薄膜的物理性能、电气性能受表面 粗糙度影响很大; 保证表面平滑，表面被覆玻璃釉（几十微米）。
薄膜混合IC用基板 纯度99%以上，表面粗糙度小
17
(b) LSI用基板 同时烧成技术制作的LSI封装，气密性好、可靠性高； 机械强度高、热导率高，在多端子、细引脚节距、高 散热性等高密度封装中，Al2O3基板作用重大。
得颗粒度一致的超细AlN粉。
34
(4) AlN 基板的制造
AlN自扩散系数小 常压下2440℃升华
常规烧结
35
(a) 使用超细粉制备基板：
纳米尺度的颗粒，在比该材料的熔化温度低的条件下 熔融。颗粒的尺度越小，熔化温度越低。在超细状态 下的AlN粉可以在比它的升华温度低得多的时候完成 烧结。
AlC13与NH3反应一般在600~1100℃的温度范围内进 行。
33
随着温度的升高和NH3的相对浓度的增大，转化率及 生成AlN粉的结晶程度随之提高。(HCl产生影响）
Al(C2H5)3 克服HCl影响，反应温度较低(400℃即可迅 速反应生成高纯AlN粉)。
气溶胶法适合进行连续化生产的AlN粉制造工艺。 方便地控制AIN颗粒的成核和生长速率，从而可以获
14
（6）Al2O3 陶瓷基板的应用
(a) 混合集成电路用基板
15
Al2O3%
①抗弯强度/10M ②热导率/(W/m·K) ③绝缘耐压/(kV/mm)
④r
⑤莫氏硬度 ⑥表观密度/(103kg/m3) ⑦弹性模量/105MPa ⑧比热容/(10-1kcal/kg·ºC) ⑨tan/10-4
16
机械强度、热导率比Al2O3低； 介电常数比Al2O3低，有利提高传输速度； 制造、金属化方法与Al2O3基本相同；
21
日立公司开发莫来石用于多层电路板； 导体层：W，44层
22
3、氮化铝基板
（1） AlN 陶瓷性质
热导率高（> Al2O3） 热膨胀系数与Si匹配 (适用高密度封装、MCM)
艺会受到很大的局限性，无法用于电子封装基板的生 产。
37
(c) 常压烧结法：
助烧剂
选择原则:
在较低的温度与AlN颗粒表层的A12O3发生共溶，形 成液相，这样才能降低烧结温度;
产生的液相对AlN颗粒能够具有良好润湿性，有效起 到烧结作用;
助烧剂与A12O3有较强地结合能力，有利于去除氧杂 质，净化AlN晶格。
因素。
28
(a) 铝粉直接氮化法
2Al + N2 → AlN 简单易行，已经用于大规模生产； 能够合成大量纯度较高的AlN粉，无副反应； 金属铝在660℃熔化，大约在800℃时开始与N2
反应；(铝在2490℃完全气化) 强烈的放热反应，能够保证反应的顺利进行。
29
铝粉直接氮化法缺点：
Mn + H2O MnO + H2 MnO + Al2O3 MnO ·Al2O3 此外，在表面电镀Ni、Au、Ag等，改善导体膜的 焊接性能。
12
MnO -Al2O3系相图
13
经Mo-Mn法处理的Al2O3基板焊接截面结构
焊料 Ni电镀层 Mo-Mn 中间层（MnO ·Al2O3） Al2O3基板
42
(6) AlN 基板的应用 (a) LSI封装
43
(b) 超高频（VHF)频带功率放大器模块
散热基板结构剖面
(c) 大功率器件、激光二极管基板
44
4、碳化硅(SiC)基板
(1) SiC基板的特性
热扩散系数大（> 铜1.1cm2/s); 热膨胀系数与Si更加接近; 缺点： 介电常数高，不适用高频电路板； 绝缘耐压差。
1100-1200 ºC
a-Al2O3
8
（5）Al2O3 陶瓷基板制作方法 (a) Al2O3 陶瓷成型 助烧剂
厚膜用：Al2O3-SiO2-MgO、CaO，提高金属化层 的浸润性； 薄膜用：0.2 w% MgO, 得到密度高、表面平滑基 板，MgO抑制烧成时Al2O3颗粒长大（Cr2O3抑制 MgO表面蒸发）。
通过点阵或晶格振动，即借助晶格波或热波进行 热传递;
载热声子通过结构基元(原子、离子或分子)间进行 相互制约、相互协调的振动来实现热的传递；
如果晶体为具有完全理想结构的非弹性体，则热 可以自由地由晶体的热端不受任何干扰和散射向 冷端传递，热导率可以达到很高的数值；
热导率主要由晶体缺陷和声子自身对声子散射控 制。
30
(b) Al2O3碳热还原法：
Al2O3 + N2 + 3C → 2AlN + 3CO 两步完成: 第一步由C还原生成气相中间产物Al(g)、
Al2O (g)；第二步氮化生成AlN； 常加入CaO、CaF2、Y2O3等作为催化剂；有效地降低
活化能，提高反应速率；
加适当过量的碳，既能加快反应速率，提高转换率， 也有助于控制粉末团聚，获得理想的粒径分布；
第三章 陶瓷基板制造技术
第一节 陶瓷基板概论
1、陶瓷基板具备条件 2、陶瓷基板的制造方法 3、流延成型工艺 4、陶瓷基板的金属化 第二节 各类陶瓷基板 1、氧化铝基板2、莫来石基板 3、氮化铝基板4、碳化硅基板 5、氧化铍基板
1ຫໍສະໝຸດ Baidu
1、氧化铝基板
（1）Al2O3陶瓷的基本性质 优良的机械强度； 良好导热特性，适用于高温环境； 具有耐抗侵蚀和磨耗性； 高电气绝缘特性。
11
(c) Al2O3基板表面金属化 — 难熔金属法
1938年德利风根（德）、西门子公司 Mo法、Mo-Mn法、Mo-Ti法 Mo-Mn法 （常用）: 以耐热金属Mo粉为主成分，
易形成氧化物Mn为副成分，混合成浆料，涂布在 表面已研磨、处理的Al2O3基板表面，在加湿气氛 高温烧成金属层。
25
AlN的热导率理论值：320 W／(m·K）；实际值：< 200 W／(m·K）;
AlN主要靠声子传热，在热传输过程中，晶体中的缺 陷、晶界、气孔、电子以及声子本身都会产生声子散 射，从而影响A1N基板的热导率;
声子散射对热导率K的影响关系式为:
K =1/3cvl
c: 比热容；v = 声子运动速度； l: 声子平均自由程
2
良好表面特性，提供优异平面度与平坦度； 抗震效果佳； 低曲翘度； 高温环境下稳定性佳； 可加工成各种复杂形状。
3
（2）Al2O3晶体结构 具有多种同质异晶体; a(三方)、b(六方)、g(四方)、h(等轴)、r(晶系 未定)、χ (六方)、κ(六方)、δ(四方)、θ(单斜)Al2O3等10多种变体； 主要有a(三方)、b(六方)、g(四方)相； a-Al2O3为高温稳定相，工业上使用最多。
18
(c) 多层电路基板
IBM308X, TCM， 基板：90mm × 90mm, 布线：共烧Mo； L：120 m
19
NEC, 100 mm 100mm, PI布线;
PI介电常数低，提高信号传输速度。
20
2、莫来石基板
3Al2O3 ·2SiO2, 是Al2O3-SiO2体系最稳定晶相之 一；
26
为了提高AlN的热导率： 必须对陶瓷的微结构进行控制，排除点阵畸变、位 错、层错、非平衡点缺陷等晶体缺陷，尽量保证晶 体的完整性； 减少气孔、第二相析出。
27
(3) AlN 粉的制备
电子级AlN粉要求纯度高、烧结性活性好； AlN粉中的杂质特别是氧的含量，对陶瓷基板的性能
有显著影响；氧含量提高会严重降低基板的热导率； 粉体粒度、颗粒形态则是影响成型和烧结条件的关键
AlN粉的纯度较高，成型和烧结性能都比较好；
缺点：合成温度高，反应时间长，颗粒度比较大。 31
Al2O3碳热还原机理：
C还原Al2O3 Al2O3(s) + 3C(s) 2Al(g) + 3CO(g) Al2O3(s) + 2C(s) Al2O(g) + 2CO(g) 2Al(g) + N2(g) 2AlN(s) [或 Al2O(g) + N2(g) + C(s) 2AlN(s) + CO(g) ] Al2O3分解 2Al2O3(s) 4Al(g) + 3O2(g) 2C(s) + O2(g) 2CO(g) 2Al(g) + N2(g) 2AlN(s) CO还原氧化铝
39
低温烧结 （ 1600 – 1800 ℃ ）： 近几年，出于减少能耗，降低成本，以及AIN与
金属浆料共烧等方面的考虑，AlN低温烧结技术 的研究工作取得了一些成果。 采用多元复合体系，降低助烧液相的熔点。
40
41
(5) AlN 基板的金属化
薄膜金属化; 厚膜金属化; 低温金属化(如Ag-Pd导体、Cu导体、Au导体金属化; 高温金属化(如Mo-Mn金属化和W金属化); 直接键合铜金属化; AlN-W共烧金属化。
38
液相的流动性要好，烧结后期在AlN晶粒生长过程的 驱动下向三角晶界处流动，而不致于在AIN晶粒间形 成热阻层。
进一步的在烧结的过程中能够从三角晶界处流向基板 表面，从而净化AlN的晶界;
助烧剂最好不与AlN发生反应，否则产生晶格缺陷， 难以形成AlN完整晶形。
助烧剂：碱土金属或稀土金属的氧化物、氟化物等， 如Y2O3、CaO、CaF2等。
23
AlN晶体结构
a = 0.31 nm; c = 0.498 nm; 属六方晶系，是以【AlN4】四方体
为结构单元的纤维矿型； 共价键化合物； AIN晶体呈白色或灰色； 常压下分解温度为2 200～2 450℃； 理论密度为3.26 g／cm3。
24
(2) AlN 的导热机理
Al2O3(s) + 2CO(g) Al2O(g) + 2CO(g) Al2O(g) + 2CO(g) + N2(g) 2AlN(s) + CO(g)
32
(c) 气溶胶(或气相反应)法：
用AlC13或金属铝的有机化合物为原料，通过与NH3 进行气相反应合成AlN超细粉: AlCl3 + NH3 → AlN + 3 HCl Al(C2H5)3 + NH3 → AlN + 3C2H6
9
粘结剂：
PVB(聚乙烯醇聚丁醛树脂）
分散剂：
DBP（邻苯二甲酸二丁酯）、鱼油、合成油
烧成温度：
1500-1600 ºC
气氛：
加湿H2、H2-N2、NH3的分解混合气
10
(b) Al2O3陶瓷金属化 共烧法 厚膜法 薄膜法 难熔金属法
难熔金属法 厚膜法 薄膜法
共烧法
（3）Al2O3 陶瓷的分类及性能
按含量来分：
99瓷：~99% 95瓷：~95% 90瓷：~90%
高铝瓷：> 85% 刚玉瓷：> 99%
按颜色来分：
白色 紫色 黑色
6
7
（4）Al2O3 陶瓷原料生产 Buyer法
铝矾土
NaOH aq.
铝酸苏 打溶液
成核剂
水铝矿
Al2O3 ·3H2O
过滤、煅烧、脱水
4
a-Al2O3
Al3+与O2-之间为强固的离子键； O2-阴离子近似于密排六方排列； Al3+阳离子占据了2/3的八面体空
隙位置，即每个Al3+位于6个O2-构 成的八面体的中心; a-Al2O3结构的填充极为密实，其 物理性能，化学性能稳定， 具有 密度高、机械强度大等特性。
5
受粉体的性能影响较大，如果小粒径的AlN粉没有达 到一定的含量，是无法在设定的温度下完成烧结;
生产大量的纳米状态的AlN粉会提高生产成本;
需要解决超细粉的团聚问题，（给后续工艺带来一定 的困难，比如流延成型等）。
36
(b) 热压(或热等静压)烧结法：
用于制造高性能的块体AlN陶瓷材料的制备; 工艺条件复杂，不适合进行批量生产； 只能制作简单形状的瓷体，并且共烧基板采用这种工