【CN110010769A】一种取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910234418.1

(22)申请日 2019.03.26

(71)申请人 浙江大学

地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

(72)发明人 韩高荣　周迪逵　任召辉　张智宏　

刘开辉　

(74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公

司 33200

代理人 万尾甜　韩介梅

(51)Int.Cl.

H01L 51/48(2006.01)

H01L 51/42(2006.01)

B82Y 40/00(2011.01)

(54)发明名称

一种取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜的

制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种取向生长有机无机杂化

钙钛矿薄膜的制备方法。该方法主要步骤为：将

一定量的碘化铅和甲基碘化铵混合溶于N ,N -二

甲基甲酰胺中，充分振荡均匀形成溶液，取适量

溶液滴在石墨烯/铜基底上，用匀胶机进行旋涂，

最后进行真空热处理得到取向生长有机无机杂

化钙钛矿薄膜。本方法效果显著，成本低廉，工艺

简单，

实用性强。权利要求书1页 说明书2页 附图2页CN 110010769 A 2019.07.12

C N 110010769

A

权　利　要　求　书1/1页CN 110010769 A

1.一种取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)取碘化铅和甲基碘化铵，溶于N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，充分振荡、超声分散至少20min，使其形成均匀溶液；

2)取步骤1)得到的混合溶液滴在石墨烯/铜基底上，用匀胶机进行旋涂；

3)将旋涂完毕的基底放入真空干燥箱中进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述的碘化铅与甲基碘化铵的摩尔量比为1:1。

3.根据权利要求1所述的取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述的退火处理条件为100℃，保温至少10min。

4.一种取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜，其特征在于，采用权利要求1～3任一项所述方法制备得到。

5.根据权利要求4所述的取向生长有机无机杂化钙钛矿薄膜，其特征在于，所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜为一维取向织构排列。

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