模电第5章 放大电路的频率响应
电子技术精品课程模拟电第5章 放大电路的频率响应 40页-PPT课件
1 (
f
)2
1 L fL 2 2 RC
fL arctg( ) f
回首页
5.1.3 RC低通电路 1. 频率响应表达式:
第5章 放大电路的频率响应
R
1
. Av =
Vo
Vi
.
1 1 j RC
1 j
H
+ . Vi -
C
RC低通电路
+ . Vo -
1 式中 H RC
(Cπ)
回首页
用
g m代替 V b' e
.
.
Ib
.
.
第5章 放大电路的频率响应
用 g m V代替 b' e 无关。
I b0 β 与频率有关,而g 与频率 ,因为 m
可画出混合π型高频小信号模型:
Cμ
(Cμ )
(Cπ)
回首页
2. 简化的混合π模型
Cμ
第5章 放大电路的频率响应
rb’c很大,可以忽略。 rce很大,也可以忽略。
回首页
第5章 放大电路的频率响应
将Cμ 折合到输入和输出回路,条件是流过电容器Cμ 的电流不变。
回首页
第5章 放大电路的频率响应
合并电容
很小去 掉!
简化的混合π模型
回首页
3. 混合π参数gm 的估算
低频时, 混合π模型与H参数模型等效
第5章 放大电路的频率响应
r r r be b b b e
回首页
5.2 三极管的高频等效模型
5.2.1 三极管的混合π型模型 1.物理模型(完整模型)
rbb' ---基区的体电阻,b'是假想的 基区内的一个点。 re --- 发射结电阻
《模拟电子技术》课件第5章放大电路的频率响应
中频增益或通 带源电压增益
f
H
1 2πRC
上限频率
②高频响应和上限频率
共射放大电路
A VSH A VSM 1
1 j( f
/
fH )
RC低通电路
A VH
1
1 j( f
/
fH )
频率响应曲线变化趋势相同
幅频响应
20l g|A VSH | 20l g|A VSM |
20lg
1
1 ( f / fH )2
最大误差 -3dB
1 fH 2 πRC
fH称转折频率,上限截止 频率(上限频率),AVH(s) 的极点频率。
10
2. 低频特性
---- RC高通电路
RC高通电路
RC电路的电压增益:
AVH
Vo Vi
R
R
1
j ωC
1
1 1
j 2 πfR C
令
fL
1 2 πR
C
AVH
Vo Vi
1
1 j(fL /
f)
gmV b'e rce—c-e间的动态电阻(约100kΩ)
Cbe --发射结电容
互导
gm
iC vBE
VCE
iC vBE
VCE
2.混合等效电路中各元件的讨论: 简化模型 rce RL 略去rce
rbc
1 jω Cbc
略 去rbc
混合型高频小信号模型
晶体管的混合Π型等效电路
3.混合型等效电路的获得 低频时,混合模型与H参数模型等价
β0
1 ( f / fβ )2
的相频响应 arctg f
fβ fβ ——共发射极截止频率
模电第5章
低通电路: 二. 低通电路:频率响应
f<<fH时放大 倍数约为1 倍数约为
fH
1 Uo 1 jω C = Au = = 1 1 + jωRC Ui R+ jω C
1 1 = 令f H = ,则Au 2 πRC 1+ j f fH
1 Au = 1 + ( f fH )2 = arctan( f f ) H
fL
= 1 , = 45 0; f = f L : Au 2 f f
f << f L : A << 1, u ≈
fL fL Au 也下降10倍;当 f 趋于0时, u 趋于0,趋于90 0 。 A
,表明 f 每下降10倍,
画出特性曲线如图, 称为下限截止频率。 画出特性曲线如图, fL称为下限截止频率。
' 高频段: 的影响, 开路。 高频段:考虑 Cπ 的影响,C 开路。 '
'
一. 中频电压放大倍数
Uo Ausm = Us U i U b'e U o = U U Us i b'e
带负载时: 带负载时: Ausm = 空载时: 空载时:
rb'e Ri [ g m ( Rc ∥ RL )] Rs + Ri rbe
5.2 晶体管的高频等效电路
5.2.1 混合π模型:形状像Π,参数量纲各不相同 混合π模型:形状像Π
完整的混合π模型 一. 完整的混合 模型 结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。 结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。
因面积大 而阻值小
因多子浓 度高而阻 值小
rbb’:基区体电阻 rb’e’:发射结电阻 Cπ:发射结电容 re:发射区体电阻 rb’c’:集电结电阻 C:集电结电容 rc:集电区体电阻
模电:放大电路的频率响应-用人话解释什么是频率响应
模电:放⼤电路的频率响应-⽤⼈话解释什么是频率响应⼀:1.什么是频率响应?⼀句话解释:频率响应就是频率和放⼤系数的关系。
由于⼀些元件的作⽤,信号的频率过⾼或者过低,都会导致这个放⼤电路的放⼤倍数改变,同时信号的相位也会改变,超前或者滞后。
在⼀个放⼤电路⾥,信号的频率会影对于任何⼀个具体的放⼤电路都有⼀个确定的通频带,因此在设计电路时,必须要⾸先了解信号的频率范围,以便使所设计的电路具有适应该信号频率范围的通频带。
响这个放⼤电路的放⼤系数。
这两者之间有⼀个函数关系。
2.耦合电容、下限频率、⾼通电路第⼀个问题:什么是耦合电容?耦合电容就是指的两个信号直接通过⼀个电容连接。
如图所⽰,电容连接在uo和ui之间。
在这样的连接⽅式之下,电容可以通过频率⾼的信号,当频率降低到⼀定程度后,将会阻⽌他的通过,导致放⼤倍数下降。
所以这样的电路是⼀个⾼通电路,可以通过⾼频率的信号,⽽频率的下限就是下限频率。
如图所⽰:3.同理,我们来讨论⼀下低通电路,极间电容,上限频率⾸先先解释⼀下极间电容:指的是两个电源电极(+,—)之间的电容。
如图:这样的连接⽅式导致了他只能通过低频率的信号,当频率慢慢增加到⼀个⾼频率的信号后,就会被截⾄。
因此,他有⼀个上限频率。
还有⼀个概念:传输特性。
指的是输出⽐上输⼊。
输出和输⼊的关系化简得到的式⼦:需要交代的是:Fl 和 Fh 分别指的是下限截⽌频率对应⾼通电路,反之亦然。
两者都是取的相位偏移45°时的值。
式⼦之间的R指的是从电容端⼝看进去的戴维南等效。
⼆:波特图⼀句话简单理解:波特图就是上⾯那两种图。
额外做了⼀点变换。
⾄于是什么变换?⾸先:上⾯的图是来⾃于Au 和 f 的函数式。
这个变换就是对这个函数左右两边取对数。
变换后的式⼦就是:把⼀个线性的变量,变成了对数。
可以看出,当f=fl 的时候,这个函数值肯定⼩于0, 算出来是3 当信号频率等于下限频率 fL 或上限频率 fH 时,放⼤电路的增益下降 3 dB,且产⽣+ 45°或 - 45°相移。
山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术_ ( 放大电路的频率响应)_
频率响应的基本概念1.绪论2.晶体二极管及应用电路3.晶体三极管及基本放大电路4.场效应管及基本放大电路5.放大电路的频率响应(4学时)6.负反馈放大电路7.双极型模拟集成电路8.双般型模拟集成电路的分析与应用 9.MOS 模拟集成电路(自学) 10.直流稳压电源电路课程主要内容1/68主讲:刘颖第五章放大电路的频率响应问题:1.什么是电路的频率响应?2.工程上如何绘制频率响应曲线?3. 三极管的高频模型与低频模型(h参数模型)有何不同?4.耦合电容、旁路电容、三极管结电容对电路频率特性有怎样的影响?第五章放大电路的频率响应5.1 频率响应的基本概念5.2 晶体三极管的高频模型5.3 频率响应的分析方法5.4 单管共射放大电路的频率响应5.5 共集、共基放大电路的频率响应5.6 多级放大电路的频响5.1 频率响应的基本概念CE 组态基本放大电路5.1.1. 放大电路频率响应概念 概念:放大电路增益随着频率变化而变化的特性称为频率响应特性,可表示为 其中:()()()j U U A j A j f f feϕ=()()U A j f f ϕ称为增益的幅频特性 称为增益的相频特性4/685/68 -180° -90° -270°A U|A U (j f )|fφ(f )f中频段:A U =常数 低频段高频段A U 下降中频段:相位差 φ =常数 低频段高频段φ 改变增益幅度|A U (j f )∣与频率f 的关系称为幅频特性。
增益相位φ(j f )与频率f 的关系称为称为相频特性。
幅频特性曲线相频特性曲线说明:放大电路的频率响应特性是增益幅频特性和相频特性统称。
幅度频率失真:幅频特性偏离中频值的现象相位频率失真:相频特性偏离中频值的现象♦ 中频增益: 中间频率段的增益♦ 频率失真f L f h 0.707A UA UA (j f )f幅频特性曲线-180° -90° -270°φ(f )f相频特性曲线5.1.2. 放大电路的带宽放大电路的带宽:也称通频带、有效带宽,带宽BW=f h -f L上限截止频f h 、下限截止频f L 定义:增益下降到中频增益的0.707倍(即3dB 处)所对应的频率。
《模拟电子技术基础》第5章 放大电路的频率响应
Au
1 1 ( f fH)2
arctan( f fH )
频率响应概述
【 】 内容 回顾
(3)几个结论
① 电路低频段的放大倍数需乘因子
jf fL 1 jf fL
1
电路高频段的放大倍数需乘因子 1 jf fL
② 当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍,相角超前45º; 当 f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍,相角滞后45º。
③ 截止频率决定于电容所在回路的时间常数
f L(H)
1
2π
④ 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。
放大电路的频率参数
高通 电路
低通 电路
下限频率
fbw fH fL 上限频率
在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、旁路电 容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。
在高频段,随着信号频率逐渐升高,晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小,使动态信号 损失,放大能力下降。
适应任何频率信号的等效电路
高频等效电路
用三极管高频等效 模型代替三极管; 保留电路中的电容; 其他部分画成交流通 路。
1、中频电压放大倍数 Aum、Ausm 断路
短路
Aum
Uo Ui
g mUbe rbe rbe
RC // U be
RL
中频电压 放大倍数 的计算与 h参数交 流等效电 路法计算 结果完全 相同!
rb'e
(1
) UT
IE
gm
0
rb'e
I EQ UT
0 gm rb'e
0Ib gmUb'e gmIbrb'e
•
5.2.2 晶体管电流放大倍数 的频率响应
模拟电子技术课程习题-第五章--放大电路的频率响应
模拟电⼦技术课程习题-第五章--放⼤电路的频率响应第五章放⼤电路的频率响应5.1具有相同参数的两级放⼤电路在组成它的各个单管的截⽌频率处,幅值下降[ ]A. 3dBB. 6dBC. 10dBD. 20dB5.2在出现频率失真时,若u i 为正弦波,则u o 为 [ ] A. 正弦波 B. 三⾓波 C. 矩形波 D. ⽅波5.3 多级放⼤电路放⼤倍数的波特图是 [ ] A. 各级波特图的叠加 B. 各级波特图的乘积C. 各级波特图中通频带最窄者D. 各级波特图中通频带最宽者 5.4 当输⼊信号频率为f L 或f H 时,放⼤倍数的幅值约为中频时的 [ ]倍。
A.0.7 B.0.5 C.0.9D.0.15.5 在阻容耦合放⼤器中,下列哪种⽅法能够降低放⼤器的下限频率?[ ]A .增⼤耦合电容B .减⼩耦合电容C .选⽤极间电容⼩的晶体管D .选⽤极间电容⼤的晶体管 5.6 当我们将两个带宽均为BW 的放⼤器级联后,级联放⼤器的带宽 [ ] A ⼩于BW B 等于BW C ⼤于BW D 不能确定 5.7 填空:已知某放⼤电路电压放⼤倍数的频率特性为6100010(1)(1)1010u fjA f f j j =++ (式中f 单位:Hz )表明其下限频率为,上限频率为,中频电压增益为 dB ,输出电压与输⼊电压在中频段的相位差为。
5.8 选择正确的答案填空。
幅度失真和相位失真统称为失真(a.交越b.频率),它属于失真(a.线性b.⾮线性),在出现这类失真时,若u i为正弦波,则u o为波(a.正弦b.⾮正弦),若u i为⾮正弦波,则u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
饱和失真、截⽌失真、交越失真都属于失真(a.线性b.⾮线性),在出现这类失真时,若u i为⾮正弦波,则u o为波(a.正弦b.⾮正弦),u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
5.9 选择正确的答案填空。
晶体管主要频率参数之间的关系是。
模拟电子技术基础--第5章--放大电路的频率响应
等效变换后电流不变
X C 'µ
ɺ X Cµ U b'e = ≈ ' ɺ I Cµ 1 + g m RL
' ' Cµ ≈ (1 + g m RL )Cµ
k −1 ⋅ Cµ 同理可得,C ≈ k
'' µ
晶体管简化的高频等效电路
' 为什么不考虑 Cµ'?
如何得到模型中的参数?
' ' C π = C π + Cµ
≈
I EQ UT
=?
低中频时 C
b ′c
和 C
b ′e
视为开路
rbe = rbb′ + rb′e
又因为
所以
gm =
ɺ V b ′e = ɺ g mVb′e β
rb′e
ɺ I b rb ′e ɺ = βI b
IE = VT
UT rbe = rb + (1 + β ) re = rb + (1 + β ) IE
3. 晶体管的频率参数
共基截 止频率 共射截 止频率
ɺ β=
特征 频率
集电结电容
β0
1+ j
f fβ
ɺ f β 、fα、f T、Cob (C µ )。 使 β = 1时的频率为f T f T ≈ fα ≈ β 0 f β 1 fβ = 2 π rb'e ( C π + Cµ )
手册 查得 通过以上分析得出的结论: 通过以上分析得出的结论: 低频段和高频段放大倍数的表达式; ① 低频段和高频段放大倍数的表达式; 截止频率与时间常数的关系; ② 截止频率与时间常数的关系; 波特图及其折线画法; ③ 波特图及其折线画法; 的求法。 ④ Cπ的求法。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详放大电路的频率响应)【圣才出品】
十万种考研考证电子书、题库视频学习平 台
2.场效应管的高频等效模型
(a)场效应管的高频等效模型
(b)简化模型 图 5.6 场效应管的高频等效模型
三、单管放大电路的频率响应 1.单管共射放大电路的频率响应 (1)中频电压放大倍数:
其中,
。
(2)低频电压放大倍数:
其中,fL 为下限频率,
fbw fH fL
3.波特图 (1)横坐标取频率,幅频纵轴取 20 lg | Au | dB ,相频纵轴取度数(°)。 (2)高通电路波特图,如图 5.3 所示。
2 / 25
圣才电子书
对数幅频特性:
十万种考研考证电子书、题库视频学习平 台
相频特性:f ? fL 时, =0°;f=fL 时, =+45°;f = fL 时, =+90°。
f fL
为 A&u 的相频特性。可知,当 f ?
fL 时,
| A&u | ,≈00;当 f=fL 时, | A&u | ,≈450;当 f = fL 时,| A&u | f / fL ,表示
f 每下降 10 倍, | A&u | 降低 10 倍;当 f 趋于零时, | A&u | 趋于零, 趋于+900。
十万种考研考证电子书、题库视频学习平
台
设一个N级放大电路各级的下限频率分别为
,上限频率分别为
,通频带分别为 率、上限频率和通频带分别为
,则该放大电路的下限频
2.截止频率的估算 (1)下限截止fL:
(2)上限截止fH:
5.2 课后习题详解
5.1 在图 5.1 所示电路中,已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。
模电基础第5章 频率响应
第5章 频率响应
5–1 频率响应的概念 5–2 单级共射放大器的高频响应 5–3 共集电路的高频响应 5–4 共基电路的高频响应 5–5 差分放大器的频率响应 5–6 场效应管放大器的高频响应 5–7 放大器的低频响应 5–8 多级放大器的频率响应 5–9 建立时间tr与上限频率fH的关系 5–10 举例及计算机仿真
b rbb′
b′
Cb′e
Rs
Cb′e
rb′e
.
Us
. gmUb′e
第5章 频率响应
R′L c +
rce
RC
RL
. Uo
-
e
(b)
图5–6 (a)电路;(b)等效电路(设RB1‖RB2>>Rs)
AuI
0.707 AuI
(5–4)
BW fH fL fH
(5–5)
GH 20lg Au ( jfH ) 20lg AuI 3dB
(5–6)
GL 20lg Au ( jfL ) 20lg AuI 3dB
G BW AuI BW AuI fH
(5–7)
第5章 频率响应
5–2单级共射放大器的高频响应
第5章 频率响应
三、不失真条件––理想频率响应 综上所述,若放大器对所有不同频率分量信号的 放大倍数相同,延迟时间也相同,那么就不可能产生 频率失真,故不产生频率失真的条件为
Au ( j ) Au ( j ) /_ ( j ) _ Au ( j ) K (常数) ( j ) td (td也为常数)
第5章 频率响应
|Au(jω)| 0.7 07A| uI|
|AuI|
L 半功率点
半功率点 H
理想幅频特性 实际幅频特性
模电 第五章 放大电路的频率响应
图5.3.1场效应管的高频等效模型(a)
一般情况下 rgs和 rds比外接电阻大得多,可认为是开路
Cgd可进行等效变化,使电路单向化
第五章
Cgd等效变化
g-s之间的等效电容为
C gs (1 K )C gd ) C gs ( K g m RL
0 3dB 20
高通特性:
20dB/十倍频
40
图 5.1.3(a)
幅频特性
1 A u 1 当 f < fL (低频), A u
当 f ≥ fL(高频),
的值愈小, 且频率愈低,A u
最大误差为 3 dB, 发生在 f = fL处
低频信号不能通过。
第五章
对数相频特性
f 相角: 90 arctan( ) fL
f
O
f 0.1f
fT
对数相频特性
f arctan f
0 45º 90º
10 f
f
的波特图 图 5.2.4
第五章
几个频率的分析 1.共射截止频率 f
1 0 )时的频率。 值下降到 0.707 0 (即 2
当 f = f 时,
1 0 0.707 0 2
0
f 1 T f
2
1;
得:
fT 0 f
第五章
3.共基截止频率 f
值下降为低频 0 时 的 0.707 时的频率。
0
f 1 j f
第五章
f 与 f 、 fT 之间关系:
因为
1
,
模电课件第五章放大电路的频率响应
2
f 当f =fH时, 20lg Au 20lg 2 3dB , arctan 45 fH
f 当f >>fH时, 20 lg Au 20 lg , 90,表明f 每上升10倍, fH
增益下降20dB,即对数幅频特性在此区间可等效成斜率为 (-20dB/十倍频)的直线。
2019/1/10 模电课件
A u
f j fL
3、波特图
在画频率特性曲线时采用对数坐标,称为波特图。波特图由 对数幅频特性和对数相频特性两部分组成,它们的横轴采用对数 u 表示,单位是分贝(dB); 刻度lgf,幅频特性纵轴采用 20 lg A 相频特性纵轴仍用 表示。 2 f f 高通电路的对数幅频特性为: 20 lg Au 20 lg 20 lg 1 fL fL f 90 arct an fL u 0dB , 0 当f >>fL时,20 lg A
u 20 lg f , 90 ,表明f 每下降10倍,增 当f <<fL时,20 lg A fL 益下降20dB,即对数幅频特性在此区间可等效成斜率为(20dB/ 模电课件 2019/1/10 十倍频)的直线。
★低通电路的波特图
f 20 lg Au 20 lg 1 fH u 0dB , 0 当f <<fH时,20 lg A
§5.2 晶体管的高频等效模型
一、晶体管的混合π模型 1、完整的混合π模型
π模型
晶体管结构示意图
rc和re分别是集电区和发射区的体电阻,数值比较小,常忽略
不计。Cμ为集电结电容,Cπ为发射结电容。 rbc为集电结电阻,
rbb 为基区体电阻, rbc rbc , rbe rbe 。 rbe 为发射结电阻, be 成线性关系,与频率无关。gm为 c 与U I 根据半导体物理的分析, c 的控制关系,I be 对 I c g mU be。 跨导,是一个常数,表明 U
《模拟电子技术基础》第三版习题解答第5章放大电路的频率响应题解
第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空。
(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 。
A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降。
A.3dBB.4dBC.5dB(4)对于单管共射放大电路,当f = f L 时,o U 与iU 相位关系是。
A.+45˚B.-90˚ C.-135˚当f = f H 时,o U 与iU 的相位关系是。
A.-45˚ B.-135˚ C.-225˚ 解:(1)A (2)B ,A (3)B A (4)C C二、电路如图T5.2所示。
已知:V C C =12V ;晶体管的C μ=4pF ,f T =50MHz ,'bb r =100Ω, β0=80。
试求解:(1)中频电压放大倍数smu A ; (2)'πC ;(3)f H 和f L ; (4)画出波特图。
图T5.2解:(1)静态与动态的分析估算:∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ(2)估算'πC :pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ(3)求解上限、下限截止频率:Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥(4)在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
一、 RC高通电路
RC高通电路如图所示。 其电压传输函数 Au 为:
Au
Uo Ui
j / L 1 j / L
jf / 1 jf
fL / fL
式中 L
1 RC
1
。
下限截止频率、模和相角分别为
f0
fL
1
2RC
Au
f / fL 1 ( f fL)2
RC 高通电路
90o arctg( f fL )
由此可做出RC高通电 路的近似频率特性曲线。
RC 高通电路
Au
f / fL 1 ( f fL)2
90o arctg( f fL ) RC高通电路的近似频率特性曲线
图5.1.1 高通电路及频率响应
二、 RC低通电路
R
RC低通电路如图所示。 + 其电压放大倍数(传递函数)为 UV.ii
+
C
Au = Au(f) Φ(f) 其中 Au(f) 为幅频响应、Φ(f)为相频响应。
放大电路的频率特性包括两部分:
幅度频率特性
幅频特性是描绘输入信号幅度
固定,输出信号的幅度随频率变化
而变化的规律。即
相位频率特性 ∣A∣= ∣Uo /U∣i = f ( )
相频特性是描绘输出信号与输入
信号之间相位差随频率变化而变化
2.三极管的()是频率的函数。 在研究频率特性时,三极管的低频小信号
模型不再适用,而要采用高频小信号模型。
5.1 RC电路的频率响应 5.2 双极型三极管的高频小
信号模型 5.3 共发射极接法放大电路
的频率特性 5.4 多级放大器的频率响应
5.1.2 频率响应的基本概念
• 一、 RC高通电路 • 二、 RC低通电路
UV.oo
Au
Uo Ui
1
1
jRC
1 1 j
式中
H
1 RC
1
0
-
-
RC低通电路
上限截止频率、模、和相角分别为:
1
f0 fH 2RC
Au
1 1 ( f fH)2
arctg( f f H )
R
+
+
UV.ii
C
UV.oo
-
-
RC低通电路
由以上公式可做出RC低 通电路的近似频率特性曲线:
Av
1 1 ( f fH)2
第5章 放大电路的频率响应
[问题提出] 前面所讲述的均以单一频率的正弦信号来研
究,事实上信号的频率变化比较宽(例如声音信 号、图象信号),对一个放大器,当Ui 一定时,f 变化 Uo变化,即Au=Uo/Ui 变化,换句话说: Au与f有关。
为什么Au与f有关呢?什么是频率响应?
频率响应:指放大器对不同频率的正弦信号 的稳态响应。其表示方法:
注意:
此C' 是 uce 0 条件下的 C' 。 在 uce 0的条件下: 有 C' C C
否则:
C' C C' C' C (1 K)
由此可做出β的幅频特性和相频特性曲线, 如05.10图所示。
当20lgβ下降3dB时,频率f 称为共发射极接法的截止频率
当β=1时对应的频率称为 特征频率fT,且有fT≈β0f
-45/dec的斜率。在0.1 fH 和10 fH 处与实际的相频 特性有最大的误差,其值分别为+5.7°和-5.7°。 这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图,是
分析放大型三极管的高频小信号模型
5.2.1.混合π型高频小信号模型 5.2.2 电流放大系数β的频响
r
b
'e
jC' )
此式中 C' 为K=0时的值
1
g m rb' e
jrb' eC'
0
1 j
f
f
求 C
C' C Cu'
的分析
Ic Ib UCE
Ic Irb'e Ic'
gmU b'e
1
U
b'
e
(
r
b
'e
jC' )
f
1
2rb' eC'
为共射截止频率(手册)
此式中 C' 为K=0时的值
1
g m rb' e
电路中存在着电抗器件是影响频响的主要因 素,研究频响实际上是研究电抗元件的存在,对 放大器放大倍数的影响。
当 f 低时,主要是耦合电容、旁路电容起作用。 当 f 高时,主要是PN结电容起作用。
产生频率失真的原因是: 1.放大电路中存在电抗性元件,例如
耦合电容、旁路电容、分布电容、变压 器、PN结电容、分布电感等;
arctg( f f H )
RC低通电路的频率特性曲线
低通电路及其频率响应
对于放大电路,通频带为 fbw
fbw fH fL
幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标,fH 称为上限截止频率。当 f≥fH时,幅频特性将以
十在倍频20dB的斜率下降,或写成-20dB/dec。f =fH
处的误当差最f =大fH,时有,-相3频dB特。性将滞后45°,并具有
的规律。即
∠A ∠Uo ∠Ui f ()
这些统称放大电路的频率响应。
幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真; 相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。
放大电路的幅频特性和相频特性,也称为 频率响应。因放大电路对不同频率成分信号的 增益不同,从而使输出波形产生失真,称为幅 度频率失真,简称幅频失真。放大电路对不同 频率成分信号的相移不同,从而使输出波形产 生失真,称为相位频率失真,简称相频失真。 幅频失真和相频失真是线性失真。
图05.10 三极管β的幅频特性和相频特性曲线
5.3 场效应管的高频等效模型(共源)
Cg' s Cgs (1 K)Cgd K gm (RC // RL )
K
Uce Ub'e
gm (RC // RL )
gm
0 Ib
Ub'e
0
Ub'e
0
rb'e
Ib
rb'e
(1
0 )
26 mv I EQ
0
26 mv I EQ
IC gm Ub'e 0 Ib
gm
I EQ 26 mv
的分析
Ic Ib UCE
Irb'e
Ic Ic'
gmU b'e
1
U
b'
e
(
jrb' eC'
0
1 j
f
f
求 C
C' C C u
C
C'
Cu
的波特图
fT≈β0 f 可由下式推出
gmrb'e 0 1 jrb'eC' 1 j f
f
当 f = fT 时, 有
( fT )
g m rb' e
1 [ rb'e C' ]2
0
1
1 ( f T )2
f
因fT>> f ,所以, fT ≈β0 f
(2)用
代替 .
gm U b'e
.
Ib
根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型,如图所示。
这一模型中用
.
gm U b'e
代替
.
I b0
,这是因
为β本身就与频率有关,而gm与频率无关。
简化的混合π模型
简化的混合π模型参数计算
C' C Cu'
Cu' (1 K)Cu
Cu Cob
.
K 为中频段电压增益