大学物理第13章 静电场中的导体与电介质

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静电场中的导体与电介质习题课

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∞ ∞
静电场中的导体和介质习题课
全部分布在外表面。 (2)连接后电荷 +q全部分布在外表面。 )连接后电荷Q+ 全部分布在外表面
Q+q U1 = U 2 = 4πε 0 R3
(3)内球接地,U1=0。内球带电 ´,外球壳内表面- q´, )内球接地, 。内球带电q´ 外球壳内表面- ´ 外表面Q+ ´ 外表面 + q´,
− q′ Q + q′ U1 = + + =0 4πε 0 R1 4πε 0 R2 4πε 0 R3 R1 R2Q q′ = R1 R2 + R3 ( R2 − R1 )
U 2 = −∫
R1 R2
q′
− q′( R2 − R1 ) Edr = ∫ dr = R2 4πε r 2 4πε 0 R1 R2 0
静电场中的导体和介质习题课
例:计算机键盘的键结构如图。按键连有一可移动的金属片。 计算机键盘的键结构如图。按键连有一可移动的金属片。 下面是一固定的金属片,中间是软的绝缘介质( )。两 下面是一固定的金属片,中间是软的绝缘介质(εr=2)。两 )。 块金属片就构成一个平板电容器。当键按下时, 块金属片就构成一个平板电容器。当键按下时,电容器的电容 发生变化,与之相连的电路就能检测出哪一个键被按下, 发生变化,与之相连的电路就能检测出哪一个键被按下,从而 给出相应的信号。设金属片面积为50mm2,两金属片间距 给出相应的信号。设金属片面积为 0.6mm。如果电路能检测出的电容的变化是 。如果电路能检测出的电容的变化是0.25pF,那么需要 , 将键按下多大的距离才能给出必要的信号? 将键按下多大的距离才能给出必要的信号? 解:按键前电容 C = ε r ε 0 S 1 d ε rε 0 S 按键后电容 C2 = d − ∆d

静电场中的导体与电介质

静电场中的导体与电介质
出现:极化电荷或束缚电荷,分子电矩 p=ql
在静电场中平衡时: 1.内部电场强度不为零;2.电介质表面出现极化电荷
真空中的导体和电介质
P
pi
ΔV
P0eE
01
02
实验证
电 考 真空和P 偶 虑 中电c的介o 导质sS 极 一 P,体ln矩 电 pi, 0介 S 极 2质 l, 化 P 斜 0 . 极度定面 化:义V 圆 和 强:p 2i 电 柱 S 0 ,c荷 L So 体 明 各 性 介l0 : 向 质的 s密 在 同 中电co s度
此式对其它情况仍然适 用
D
义:电位移矢量D可, 得:D Dd0ESP S
q0
此既电介质中的高斯定理:通过电场中任意闭合曲面的电位移通量, 等于该闭合曲面所包围的自由电荷的代数和。
仿照电场线,用电位移线来描述电位移在空间的分布。但两者有 区别: 电场线起始于正电荷,终止于负电荷(包括极化电荷) 电位移线只起始于自由正电荷,终止于自由负电荷
在国际单位制中,D 的单位是: 库/米2(C/m2)
对各向同性电介质,因
所以 P0 eE
D 0EP 0 ( 1 ) E
式中 ε = ε0εr 叫电介质的介电常数, εr 称电介质的相对介电常数。
引入D,避免了求极化电荷的复杂问题,可使有电介质存在时解题简化。 只要有电介质,均应先求D 再求E 等。
E E0 E E0 与E 方 向 相 反 :
E
P
E0 // n
E
0 0
0
P cos
P
n
P
e 0E
E
E0
- E
10.4
E0 -
电介
质中0 静电E场0的-基本e
E

静电场中的导体和电解质

静电场中的导体和电解质

Q + + + + ++ + + + + E= 0 S+ + + + + + + + ++
Q q + + + +++ + +-q + + - E= 0 S + 结论: 电荷分布在导体外表面, 导体 + q + + 内部和内表面没净电荷. + - - + + + + ++ 腔内有电荷q: E 0 q 0

i
结论: 电荷分布在导体内外两个表面,内表面感应电荷为-q. 外表面感应电荷为Q+q.
NIZQ
第 5页
大学物理学 静电场中的导体和电介质
结论: 在静电平衡下,导体所带的电荷只能分布在导体的 表面,导体内部没有净电荷. • 静电屏蔽 一个接地的空腔导体可以隔离内 外电场的影响. 1. 空腔导体, 腔内没有电荷 空腔导体起到屏蔽外电场的作用. 2. 空腔导体,腔内存在电荷 接地的空腔导 体可以屏蔽内、 外电场的影响.
NIZQ
第 3页
大学物理学 静电场中的导体和电介质
• 静电平衡时导体中的电场特性
E内 0
场强:
ΔVab
b
a
E dl 0
• 导体内部场强处处为零 E内 0 • 表面场强垂直于导体表面 E表面 // dS
• 导体为一等势体 V 常量 • 导体表面是一个等势面
S
0 E P dS qi

大学物理——静电场中的导体和电介质

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v E
二、导体上电荷的分布 由导体的静电平衡条件和静电场的基本性 dV 质,可以得出导体上的电荷分布。 1.导体内部无静电荷 证明:在导体内任取体积元 dV
E内 = 0
r r 由高斯定理 E dS ⋅ = 0 ∫
S
∑q = ∫ ρ dV = 0
i i V
Q体积元任取 导体带电只能在表面!
ρ =0
证毕
A B σ1 σ 2σ 3
场 两板之间 强 分 布 两板之外
Q E = ε0S
r E
E=0
练习
已知: 两金属板带电分别为q1、q2 求:σ1 、σ2 、σ3 、σ4
q1
q2
q1 + q2 σ1 = σ 4 = 2S
σ1
σ2
σ3
σ4
q1 − q2 σ 2 = −σ 3 = 2S
2.导体表面电荷 表面附近作圆柱形高斯面
r r σΔS 0 ∫ E • dS = E ⋅ ΔS ⋅ cos 0 =
σ
r E
ΔS
ε0
σ ∴E = ε0
r σ ^ ^ E表 = n n :外法线方向
ε0
3.孤立带电导体表面电荷分布 一般情况较复杂;孤立的带电导体,电荷 分布的实验的定性的分布: 曲率较大,表面尖而凸出部分,电荷面密度较大 曲率较小,表面比较平坦部分,电荷面密度较小 曲率为负,表面凹进去的部分,电荷面密度最小
例3.已知:导体板A,面积为S、带电量Q,在其旁边 放入导体板B。 求:(1)A、B上的电荷分布及空间的电场分布 (2)将B板接地,求电荷分布
σ1 σ 2 σ 3 σ4 − − − =0 a点 2ε 0 2ε 0 2ε 0 2ε 0
A B σ1 σ 2σ 3 σ 4

静电场中的导体与电介质

静电场中的导体与电介质

§2 静电场中的导体和电介质§2-1 静电场中的导体1. 导体的静电平衡条件当电荷静止不动时,电场散布不随转变,该体系就达到了静电平衡。

在导体中存在自由电荷,它们在电场的作用下可以移动,从而改变电荷的散布……导体内自由电荷无宏观运动的状态。

导体的静电平衡的必要条件是其体内图2-1导体的静电平衡场强处处为零。

从静电平衡的条件动身可以取得以下几点推论:推论1)导体是等位体,导体表面是等位面:2)导体表面周围的场强处处与它的表面垂直:因为电力线处处与等位面正交,所以导体外的场强必与它的表面垂直。

(注意:本章所用的方式与第一章不同,而是假定这种平衡以达图2-2导体对等位面的控制作用到,以平衡条件动身结合静电场的普遍规律分析问题。

)2.电荷散布1) 体内无电荷,电荷只散布在导体的表面上:当带电导体处于静电平衡时,导体内部不存在净电荷(即电荷的体密度)电荷仅散布在导体的表面。

可以用高斯定理来证明:设导体内有净电荷,则可在导体内部作一闭合的曲面,将包围起来,依静电条件知S面上处处, 即由高斯定理必有q=02) 面电荷密度与场强的关系:当导体静电平衡时,导体表面周围空间的 与该处导体表面的面电荷密度 有如下关系:论证: 在电荷面密度为 的点取面元设 点为导体表面之外周围空间的点,面元。

充分小,可以为 上的面电荷密度 是均匀的,以为横截面作扁圆柱形高斯面(S ),上底面过P 点,把电荷q= 包围起来. 通太高斯面的电通量是:3) 表面曲率的影响、尖端放电导体电荷如何散布,定量分析研究较复杂,这不仅与这个导体的形状有关,还和它周围有何种带电体有关。

对孤立导体,电荷的散布有以下定性的规律:图2-3导体表面场强与电荷面密度曲率较大的地方(凸出而尖锐处),电荷密度e 较大;曲率较小的地方(较平坦处)电荷密度e 较小;曲率为负的地方(凹进去向)电荷密度e 更小。

1) 端放电的利和弊3 导体壳(腔内无带电体情况)大体性质:当导体壳内无带电体时,在静电平衡当导体壳内无 带电体时,在静电平衡下:导体壳内表面上处处无电荷,电荷仅散布在外 表面;空腔内无带电场,空腔内电位处处相等。

2.3 静电场中的导体与电介质

2.3  静电场中的导体与电介质

被积函数 代入原式
r r r r r r P(r ') ∇′ ⋅ P(r ')) 1 P(r ') ⋅∇′ = ∇′ ⋅ − R R R
r r r r P (r ') r 1 ∇′ ⋅ P (r ') ϕ p (r ) = ∇′ ⋅ dV ′ − ∫ dV ′ ∫V ′ V′ 4π ε0 R R
+
+++ +
+
+ + +
感应电荷
CQU
+ + + +
+ + + +
+ + + +
v E0
CQU
v E0
v E=0
v' E
+ + + + + + + +
v E0
v v v' E = E0 + E = 0
导体内电场强度 外电场强度 感应电荷电场强度
CQU
静电平衡条件: 静电平衡条件 (1)导体内部任何一点处的电场强度为零; )导体内部任何一点处的电场强度为零; 都与导体表面垂直; (2)导体表面处的电场强度的方向 都与导体表面垂直 )导体表面处的电场强度的方向,都与导体表面垂直 (3)导体为一等位体,导体表面为等位面; )导体为一等位体,导体表面为等位面; (4)电荷(或感应电荷)分布在导体表面上,形成面电荷 )电荷(或感应电荷)分布在导体表面上,形成面电荷. 导体表面是等势面
2.3 静电场中的导体与电介质
CQU
导体与介质放在电场中会发生什么现象? 导体与介质放在电场中会发生什么现象? 导体:静电感应; 介质:极化现象。 导体:静电感应; 介质:极化现象。

第章静电场中的导体和电介质PPT课件

第章静电场中的导体和电介质PPT课件

q2
EA
1 2 o
2 2 o
3 2 o
4 2 o
0
EB
1 2 O
2 2 O
3 2 o
4 2 o
0
1
23
4
由电荷守恒:
1S 2 S q1
A
B
3S 4S q2
1
4
q1 q2 2S
2
3
q1 q2 2S
20
1
4
q1 q2 2S
q1
2
3
q1 q2 2S
1
2
上述结果表明:平板相背的两面带电等
R3 R2
R3
RR11
qq1 1
RR33
问题:电势表
达式能直接写
R2 R1
q1
4 or
2
dr
R3
(q q1 )
4 or 2
dr
出来吗?
q1
4 o
1 R1
1 R2
q q1
4 o R3
V1 V2
同理,球壳的电势为:
V2
E dl
R3
R3
(q
4
q1 ) or 2
dr
q q1
2.内屏蔽
+
+
壳外表面上的电荷分布与腔内带电体的位置无关,只 取于导体外表面的形状。
若将空腔接地,则空腔外表面上的感应电荷被大地电荷 中和,腔外电场消失,腔内电荷不会对空腔外产生影响。即 接地空腔对内部电场起到了屏蔽作用,这是静电屏蔽的另外 一种——内屏蔽。
高压设备用金属导体壳接地做保护。 14
五、利用静电平衡条件和性质作定量计算
例1:半径为R和r的球形导体(R>r),用很长的细导线连 接起来,使两球带电Q、q,求两球表面的电荷面密度。

第13章-静电场中的导体和电介质汇总

第13章-静电场中的导体和电介质汇总

(2)空腔内电场强度处处为零,或者说,空腔内的电势处处相等。
证明:在导体内部作一个包围内表面的闭
q
合曲面,由静电平衡v条件,此曲面
上各点的电场强度 E 0,则通过
Ò闭S合Ev曲d面Sv的 0电通量所为以零,即q:i 0
S
假设导体空腔内表面上分布有等量异号的 电荷,是否可以?
屏蔽作用──导体壳内所包围的区域不受外电场的影响。
第13章 静电场中的导体和电介质
本章重点: 本章作业:
§13.1 静电场中的导体
一、导体的静电平衡条件
导体在静电场中,两侧出现正、负电
荷的现象叫做静电感应现象。产生的
电荷称为感应电荷。产生外电场的
电荷称为施感电荷。
静电平衡时:
E E0 E 0
E0
E0
E0
静电平衡时,要求表面电荷也不能移动.即表面处的静电场
( R1 r R2 ) (r R2 )
q
R2
R1
R
(2)根据静电平衡条件和电势的定义可得电势的分布为
R
R1
R2
R1 q
qQ
U1
r
E1dr
R
E2dr
E3dr
R1
E4dr
R2
R
4π0r 2 dr
R2
4π0r 2 dr
1
4π 0
q R
q R1
qQ R2
(r R)
U2
R1
E2dr
E2
则面元dS所受的电场力为 单位面积上受到的电场力为
F
2
2 0
E2 en
dS
2 2 0
d Sen
例题13-3 半径为R的孤立金属球,接 地,与球心相距 l 处有一点电荷+q, 求球 上的感应电荷q′。

大学物理13章答案

大学物理13章答案

第13章 静电场中的导体和电介质13.1一带电量为q ,半径为r A 的金属球A ,与一原先不带电、内外半径分别为r B 和r C 的金属球壳B 同心放置,如图所示,则图中P 点的电场强度如何?若用导线将A 和B 连接起来,则A 球的电势为多少?(设无穷远处电势为零)[解答]过P 点作一个同心球面作为高斯面,尽管金属球壳内侧会感应出异种,但是高斯面内只有电荷q .根据高斯定理可得 E 4πr 2 = q /ε0, 可得P 点的电场强度为204q E r πε=.当金属球壳内侧会感应出异种电荷-q 时,外侧将出现同种电荷q .用导线将A 和B 连接起来后,正负电荷将中和.A 球是一个等势体,其电势等于球心的电势.A 球的电势是球壳外侧的电荷产生的,这些电荷到球心的距离都是r c ,所以A 球的电势为04c q U r πε=.13.2 同轴电缆是由半径为R 1的导体圆柱和半径为R 2的同轴薄圆筒构成的,其间充满了相对介电常数为εr 的均匀电介质,设沿轴线单位长度上导线的圆筒的带电量分别为+λ和-λ,则通过介质内长为l ,半径为r 的同轴封闭圆柱面的电位移通量为多少?圆柱面上任一点的场强为多少?[解答]介质中的电场强度和电位移是轴对称分布的.在内外半径之间作一个半径为r 、长为l 的圆柱形高斯面,根据介质中的高斯定理,通过圆柱面的电位移通过等于该面包含的自由电荷,即 Φd = q = λl . 设高斯面的侧面为S 0,上下两底面分别为S 1和S 2.通过高斯面的电位移通量为 ⎰⋅=ΦSdD d 012d d d 2S S S rlDπ=⋅+⋅+⋅=⎰⎰⎰D S D S D S ,可得电位移为 D = λ/2πr , 其方向垂直中心轴向外.电场强度为 E = D/ε0εr = λ/2πε0εr r , 方向也垂直中心轴向外.13.3 金属球壳原来带有电量Q ,壳内外半径分别为a 、b ,壳内距球心为r 处有一点电荷q ,求球心o 的电势为多少? [解答]点电荷q 在内壳上感应出负电荷-q ,不论电荷如何分布,距离球心都为a .外壳上就有电荷q+Q ,距离图13.3球为b .球心的电势是所有电荷产生的电势叠加,大小为000111444o q q Q q U r a b πεπεπε-+=++13.4 三块平行金属板A 、B 和C ,面积都是S = 100cm 2,A 、B 相距d 1 = 2mm ,A 、C 相距d 2 = 4mm ,B 、C 接地,A 板带有正电荷q =3×10-8C ,忽略边缘效应.求(1)B 、C 板上的电荷为多少? (2)A 板电势为多少? [解答](1)设A 的左右两面的电荷面密度分别为σ1和σ2,所带电量分别为σ1S 和q 2 = σ2S ,q 1 = 在B 、C 板上分别感应异号电荷-q 1和-q 2,由电荷守恒得方程q = q 1 + q 2 = σ1S + σ2S . ① A 、B 间的场强为 E 1 = σ1/ε0, A 、C 间的场强为 E 2 = σ2/ε0.设A 板与B 板的电势差和A 板与C 板的的电势差相等,设为ΔU ,则ΔU = E 1d 1 = E 2d 2, ②即 σ1d 1 = σ2d 2. ③解联立方程①和③得σ1 = qd 2/S (d 1 + d 2),所以 q 1 = σ1S = qd 2/(d 1+d 2) = 2×10-8(C);q 2 = q - q 1 = 1×10-8(C).B 、C 板上的电荷分别为q B = -q 1 = -2×10-8(C); q C = -q 2 = -1×10-8(C). (2)两板电势差为ΔU = E 1d 1 = σ1d 1/ε0 = qd 1d 2/ε0S (d 1+d 2), 由于 k = 9×109 = 1/4πε0, 所以 ε0 = 10-9/36π,因此 ΔU = 144π = 452.4(V). 由于B 板和C 板的电势为零,所以U A = ΔU = 452.4(V).13.5 一无限大均匀带电平面A ,带电量为q ,在它的附近放一块与A 平行的金属导体板B ,板B 有一定的厚度,如图所示.则在板B 的两个表面1和2上的感应电荷分别为多少?[解答]由于板B 原来不带电,两边感应出电荷后,由电荷守恒得 0. ①q 1 + q 2 = 虽然两板是无限大的,为了计算的方便,不妨设它们的面积为S ,则面电荷密度分别为σ1 = q 1/S 、σ2 = q 2/S 、σ = q/S ,图13.42 图13.5它们产生的场强大小分别为E 1 = σ1/ε0、E 2 = σ2/ε0、E = σ/ε0.在B 板内部任取一点P ,其场强为零,其中1面产生的场强向右,2面和A 板产生的场强向左,取向右的方向为正,可得E 1 - E 2 – E = 0,即 σ1 - σ2 – σ = 0,或者说 q 1 - q 2 + q = 0. ② 解得电量分别为q 2 = q /2,q 1 = -q 2 = -q /2.13.6 两平行金属板带有等异号电荷,若两板的电势差为120V ,两板间相距为 1.2mm ,忽略边缘效应,求每一个金属板表面的电荷密度各为多少?[解答]由于左板接地,所以σ1 = 0. 由于两板之间的电荷相互吸引,右板右面的电荷会全部吸引到右板左面,所以σ4 = 0. 由于两板带等量异号的电荷,所以 σ2 = -σ3.两板之间的场强为E = σ3/ε0,而 E = U/d , 所以面电荷密度分别为σ3 = ε0E = ε0U/d = 8.84×10-7(C·m -2),σ2 = -σ3 = -8.84×10-7(C·m -2).13.7一球形电容器,内外球壳半径分别为R 1和R 2,球壳与地面及其他物体相距很远.将内球用细导线接地.试证:球面间电容可用公式202214R C R R πε=-表示. (提示:可看作两个球电容器的并联,且地球半径R >>R 2)[一:并联电容法.在外球外面再接一个半径为R 3壳,外壳也接地.内球壳和外球壳之间是容为 104C πε=壳之间也是一个电容器,电容为2023141/1/C R R πε=-.外球壳是一极,由于内球壳和大外球壳都接地,共用一极,所以两个电容并联.当R 3趋于无穷大时,C 2 = 4πε0R 2.并联电容为12120022144R R C C C R R R πεπε=+=+-图13.6202214R R R πε=-.方法二:电容定义法.假设外壳带正电为q ,则内壳将感应电荷q`.内球的电势是两个电荷产生的叠加的结果.由于内球接地,所以其电势为零;由于内球是一个等势体,其球心的电势为0201`044q q R R πεπε+=,因此感应电荷为12`R q q R =-.根据高斯定理可得两球壳之间的场强为122002`44R q q E r R r πεπε==-,负号表示场强方向由外球壳指向内球壳.取外球壳指向内球壳的一条电力线,两球壳之间的电势差为1122d d R R R R U E r=⋅=⎰⎰E l121202()d 4R R R qr R rπε=-⎰1212021202()11()44R q R R q R R R R πεπε-=-=球面间的电容为202214R q C U R R πε==-.13.8球形电容器的内、外半径分别为R 1和R 2,其间一半充满相对介电常量为εr 的均匀电介质,求电容C 为多少?[解答]球形电容器的电容为12012211441/1/R R C R R R R πεπε==--.对于半球来说,由于相对面积减少了一半,所以电容也减少一半:0121212R R C R R πε=-.当电容器中充满介质时,电容为:0122212r R R C R R πεε=-.由于内球是一极,外球是一极,所以两个电容器并联:01212212(1)r R R C C C R R πεε+=+=-.13.9设板面积为S 的平板电容器析板间有两层介质,介电常量分别为ε1和ε2,厚度分别为d 1和d 2,求电容器的电容.[解答]假设在两介质的介面插入一薄导体,可知两个电容器串联,电容分别为 ε1S/d 1和C 2 = ε2S/d 2. C 1 = 总电容的倒数为122112*********d d d d C C C S S S εεεεεε+=+=+=,总电容为122112SC d d εεεε=+.13.10 圆柱形电容器是由半径为R 1的导线和与它同轴的内半径为R 2的导体圆筒构成的,其长为l ,其间充满了介电常量为ε的介质.设沿轴线单位长度导线上的电荷为λ,圆筒的电荷为-λ,略去边缘效应.求:(1)两极的电势差U ;(2)介质中的电场强度E 、电位移D ; (3)电容C ,它是真空时电容的多少倍? [解答]介质中的电场强度和电位移是轴对称分布的.在内外半径之间作一个半径为r 、长为l 的圆柱形高斯面,侧面为S 0,上下两底面分别为S 1和S 2.通过高斯面的电位移通量为 ⎰⋅=ΦS d S D d12d d d 2S S S rlDπ=⋅+⋅+⋅=⎰⎰⎰D S D S D S ,高斯面包围的自由电荷为 q = λl ,根据介质中的高斯定理 Φd = q , 可得电位为 D = λ/2πr , 方向垂直中心轴向外.电场强度为 E = D/ε = λ/2πεr , 方向也垂直中心轴向外.取一条电力线为积分路径,电势差为21d d d 2R LLRU E r r r λπε=⋅==⎰⎰⎰E l21ln 2R R λπε=.电容为212ln(/)q l C U R R πε==.在真空时的电容为00212ln(/)l q C U R R πε==,所以倍数为C/C 0 = ε/ε0.13.11在半径为R 1的金属球外还有一层半径为R 2的均匀介质,相对介电常量为εr .设金属球带电Q 0,求:(1)介质层内、外D 、E 、P 的分布;(2)介质层内、外表面的极化电荷面密度.[解答](1)在介质内,电场强度和电位移以及极化强度是球对称分布的.在内外半径之间作一个半径为r 的球形高斯面,通过高斯面的电位移通量为 Dr S D SSd 24d d π==⋅=Φ⎰⎰S D高斯面包围的自由电荷为q = Q 0, 根据介质中的高斯定理 Φd = q , 可得电位为 D = Q 0/4πr 2, 方向沿着径向.用矢量表示为D = Q 0r /4πr 3.电场强度为E = D /ε0εr = Q 0r /4πε0εr r 3, 方向沿着径向.由于 D = ε0E + P ,所以 P = D - ε0E =031(1)4rQ r επ-r .在介质之外是真空,真空可当作介电常量εr = 1的介质处理,所以 D = Q 0r /4πr 3,E = Q 0r /4πε0r 3,P = 0.(2)在介质层内靠近金属球处,自由电荷Q 0产生的场为E 0 = Q 0r /4πε0r 3;极化电荷q 1`产生的场强为E` = q 1`r /4πε0r 3;总场强为 E = Q 0r /4πε0εr r 3. 由于 E = E 0 + E `,解得极化电荷为`101(1)rq Q ε=-,介质层内表面的极化电荷面密度为``01122111(1)44r Q q R R σπεπ==-. 在介质层外表面,极化电荷为``21q q =-,面密度为``02222221(1)44r Q q R R σπεπ==-.13.12 两个电容器电容之比C 1:C 2 = 1:2,把它们串联后接电源上充电,它们的静电能量之比为多少?如果把它们并联后接到电源上充电,它们的静电能之比又是多少?[解答]两个电容器串联后充电,每个电容器带电量是相同的,根据静电能量公式W = Q 2/2C ,得静电能之比为W 1:W 2 = C 2:C 1 = 2:1.两个电容器并联后充电,每个电容器两端的电压是相同的,根据静电能量公式W = CU 2/2,得静电能之比为W 1:W 2 = C 1:C 2 = 1:2.13.13一平行板电容器板面积为S ,板间距离为d ,接在电源上维持其电压为U .将一块厚度为d 相对介电常量为εr 的均匀介电质板插入电容器的一半空间内,求电容器的静电能为多少?[解答]平行板电容器的电容为C = ε0S/d ,当面积减少一半时,电容为C 1 = ε0S /2d ; 另一半插入电介质时,电容为C 2 = ε0εr S /2d .两个电容器并联,总电容为C = C 1 + C 2 = (1 + εr )ε0S /2d ,静电能为W = CU 2/2 = (1 + εr )ε0SU 2/4d .13.14 一平行板电容器板面积为S ,板间距离为d ,两板竖直放着.若电容器两板充电到电压为U 时,断开电源,使电容器的一半浸在相对介电常量为εr 的液体中.求:(1)电容器的电容C ;(2)浸入液体后电容器的静电能; (3)极板上的自由电荷面密度.[解答](1)如前所述,两电容器并联的电容为C = (1 + εr )ε0S /2d .(2)电容器充电前的电容为C 0 = ε0S/d , 充电后所带电量为 Q = C 0U .当电容器的一半浸在介质中后,电容虽然改变了,但是电量不变,所以静电能为 W = Q 2/2C = C 02U 2/2C = ε0SU 2/(1 + εr )d .(3)电容器的一半浸入介质后,真空的一半的电容为 C 1 = ε0S /2d ; 介质中的一半的电容为 C 2 = ε0εr S /2d . 设两半的所带自由电荷分别为Q 1和Q 2,则Q 1 + Q 2 = Q . ①由于C = Q/U ,所以U = Q 1/C 1 = Q 2/C 2. ②解联立方程得01112211/C U C Q Q C C C C ==++,真空中一半电容器的自由电荷面密度为00112122/2(1/)(1)r C U U Q S C C S d εσε===++.同理,介质中一半电容器的自由电荷面密度为0021222(/1)(1)r r C U UC C S d εεσε==++.13.15平行板电容器极板面积为200cm 2,板间距离为 1.0mm ,电容器内有一块1.0mm 厚的玻璃板(εr = 5).将电容器与300V 的电源相连.求:(1)维持两极板电压不变抽出玻璃板,电容器的能量变化为多少?(2)断开电源维持板上电量不变,抽出玻璃板,电容器能量变化为多少? [解答]平行板电容器的电容为C 0 = ε0εr S/d ,静电能为 W 0 = C 0U 2/2. 玻璃板抽出之后的电容为C = ε0S/d .(1)保持电压不变抽出玻璃板,静电能为 W = CU 2/2, 电能器能量变化为ΔW = W - W 0 = (C - C 0)U 2/2 = (1 - εr )ε0SU 2/2d = -3.18×10-5(J). (2)充电后所带电量为 Q = C 0U , 保持电量不变抽出玻璃板,静电能为W = Q 2/2C ,电能器能量变化为2000(1)2C C U W W W C ∆=-=-20(1)2r r SU dεεε=-= 1.59×10-4(J).13.16设圆柱形电容器的内、外圆筒半径分别为a 、b .试证明电容器能量的一半储存在半径R[解答]设圆柱形电容器电荷线密度为λ,场强为 E = λ/2πε0r , 能量密度为 w = ε0E 2/2, 体积元为 d V = 2πrl d r , 能量元为 d W = w d V .在半径a 到R 的圆柱体储存的能量为20d d 2V V W w V E Vε==⎰⎰2200d ln 44Ral l R r r a λλπεπε==⎰. 当R = b 时,能量为210ln4l b W a λπε=;当R =22200ln48l l b W a λλπεπε==,所以W 2 = W 1/2,即电容器能量的一半储存在半径R13.17 两个同轴的圆柱面,长度均为l ,半径分别为a 、b ,柱面之间充满介电常量为ε的电介质(忽略边缘效应).当这两个导体带有等量异号电荷(±Q )时,求:(1)在半径为r (a < r < b )、厚度为d r 、长度为l 的圆柱薄壳中任一点处,电场能量体密度是多少?整个薄壳层中总能量是多少?(2)电介质中总能量是多少(由积分算出)?(3)由电容器能量公式推算出圆柱形电容器的电容公式?[解答](1)圆柱形内柱面的电荷线密度为 λ = Q/l , 根据介质是高斯定理,可知电位移为D = λ/2πr = Q /2πrl ,场强为 E = D/ε = Q /2πεrl , 能量密度为w = D ·E /2 = DE /2 = Q 2/8π2εr 2l 2.薄壳的体积为d V = 2πrl d r , 能量为 d W = w d V = Q 2d r /4πεlr .(2)电介质中总能量为22d d ln44bV aQ Q bW W r lr l a πεπε===⎰⎰. (3)由公式W = Q 2/2C 得电容为222ln(/)Q l C W b a πε==.13.18 两个电容器,分别标明为200PF/500V 和300PF/900V .把它们串联起来,等效电容多大?如果两端加上1000V 电压,是否会被击穿?[解答]当两个电容串联时,由公式211212111C C C C C C C +=+=,得1212120PFC C C C C ==+.加上U = 1000V 的电压后,带电量为Q = CU ,第一个电容器两端的电压为U 1 = Q/C 1 = CU/C 1 = 600(V); 第二个电容器两端的电压为U 2 = Q/C 2 = CU/C 2 = 400(V).由此可知:第一个电容器上的电压超过它的耐压值,因此会被击穿;当第一个电容器被击穿后,两极连在一起,全部电压就加在第二个电容器上,因此第二个电容器也接着被击穿.。

大学物理13 静电场中的导体和电介质

大学物理13 静电场中的导体和电介质

不是都平行于E

有极分子也有位移极化,不过在静电场中主要是取向极化,
但在高频场中,位移极化反倒是主要的了。
34
均匀电介质在静电 场中
E0



E'
+– +–
E0
+ E' +
– 取向极化
+
P分

?
位移极化
+
电介质极化:在外电场作用下,电介质产生一附加电场或电
介质表面出现束缚电荷的现象。
B
上的电荷消失。两球的电势分别为
Qq
A
UA

q
4 0

1 R0

1 R1

q R0
U B U R1 U R2 0
R2 R1 q
两球电势差仍为:
UA
UB

q
4 0

1 R0

1 R1

由结果可以看出,不管外球壳接地与否,两球的电势 差恒保持不变。当q为正值时,小球的电势高于球壳;当q 为负值时,小球的电势低于球壳。
3
§1 导体的静电平衡
一. 导体的静电平衡
1. 静电感应现象:
电场一般利用带电导体形成。
有导体存在时电场的性质?
在静电场力作用下,导体中自由电子在电场力的作用下
作宏观定向运动,使电荷产生重新分布的现象。
Ε 0
-
Ε 0
- + -+
E内 0
-
-+
2. 静电平衡状态:
导体内部和表面无自由电荷的定向移动 —称电场和导体之间达到静电平衡

大学物理:第 13 章 电介质

大学物理:第 13 章 电介质
一、带电体系的静电能
若点电荷 q0 处于q 的电场中,
静电能为:
把q0从P点移到无限远时 静电场力作的功,就是 “系统”的静电势能。 或:把q0从无限远移动到P点的过 程中,外力反抗静电力作的功。
* 对于点电荷体系(或连续带电体),系统的能 量可以有类似的定义: 把点电荷体系无限分离到彼此间相距无限远的 过程中静电场力作的功,叫作该系统时的静电势 能。 对连续带电体,可以把带电体看成是由无限多 电荷元组成的点电荷体系。这样,连续带电体的 静电能量的定义同上。
一、电介质的分类
1. 有极分子: 无外场时,分子等效正、负电荷中心 不重合分子固有电偶极矩。
O-H+
-q H+
+
H 2O
=
+q
2. 无极分子: 无外场时,分子等效正、负电荷中心 重合无分子பைடு நூலகம்有电偶极矩。
-
+
+
-
=
±
-
O2
二、电介质的极化
1. 无极分子的位移极化 O2
-
- +
-
- -
+
-
-
- + + - + -+ p
四、电容器储存的静电能量(带电 Q)
+q
A
B
-q
dq +
uAB
+
电容器的静电能:
1Q 1 1 2 QU CU 2 C 2 2
2
五、电场的能量,能量密度
设带电系统静电作用能量是以电场能量 的形式储存在电场中的。 以平板电容器为例:
其中:
电容器体积:V = Sd
电场的能量密度: 单位体积电场所具有的能量

大学物理---静电场中的导体和电介质

大学物理---静电场中的导体和电介质

, E ; E
+
+ + + +
++ ++
E 0
注意 导体表面电荷分布与导体形状以及周围环境有关. 导体凸出部分的表面曲率越大处, 电荷面密度越大, 附近 电场也越强。孤立导体表面的电荷密度与曲率之间不存 在单一的函数关系。
尖端放电现象
E
带电导体尖端附近电场最强
B A
Q RB (4)电容 C 2 π 0 r l ln U RA
2 π 0 r lRA 0 r S d RB RA RA , C d d 2
en
+
+
E
d+ l
+

导体内部电势相等
U AB
AB
E dl 0
A
B

静电平衡时导体上电荷的分布
1 实心导体
E 0
2
q E dS 0
S
+
+ + + +
+
S
+
q 0
有空腔导体
空腔内无电荷
0
+
+ +
结论 导体内部无电荷
结论 电荷分布在外表面上(内表面无电荷)
空腔内有电荷
E dS 0, qi 0
S1
Qq
电荷分布在表面上
E d S 0 , q 0 i
S2
内表面上有电荷吗?
S2
q
q
S1
q内 q
结论 当空腔内有电荷 q 时,内表面因静电感应出 现等值异号的电荷 q ,外表面有感应电荷 q (电荷 守恒)

静电场中的导体和电介质(IV)

静电场中的导体和电介质(IV)

方向表示电场对电荷的作用力。
02
电位移矢量与极化的关系
在电介质中,由于极化的存在,电位移矢量的大小和方向会发生改变。
同时,电位移矢量的大小和方向也会影响电介质的极化状态。
03
电位移矢量的测量
通过测量电位移矢量的大小和方向,可以了解电介质在静电场中的极化
状态和电场分布。
Part
04
电介质在静电场中的极化现象
STEP 01
当导体受到的电场力与导体内 部电荷产生的电场力相平衡时 ,导体达到静电平衡状态。
STEP 03
导体内部的电场为零,导体表 面的电场与外部电场相切,且 方向与外部电场相反。
在静电平衡状态下,导体表 面电荷的分布是稳定的,不 会发生宏观的电流流动。
导体的电场分布
01
导体的电场分布由外部静电场和导体表面的感应电场共同决定。
在静电悬浮技术中,静电平衡也被用来实现物体的无接触悬浮,这种技术在材 料科学、精密测量等领域有广泛的应用。
03
静电平衡还可以用于微电子制造中,通过控制电荷分布来稳定微电子器件的性 能。
电介质极化的应用
电介质极化是电介质在电场作用下的重要现象,它具有广泛的应用价值。例如,在电容器中,电介质 极化被用来存储电能;在电缆和绝缘材料中,电介质极化被用来防止电流的泄漏。
静电场中的导体和电 介质(iv)
• 引言 • 静电场中的导体 • 电介质在静电场中的性质 • 电介质在静电场中的极化现象 • 电介质在静电场中的电导现象 • 静电场中的导体和电介质的应用
目录
Part
01
引言
主题简介
导体和电介质在静电场中的行为是物 理学中的一个重要主题,涉及到电荷 分布、电场强度、电势等概念。

大学物理静电场中的导体和电介质

大学物理静电场中的导体和电介质

03
在静电场中,导体和电介质的 性质和行为表现出显著的差异 ,因此了解它们的特性是学习 大学物理静电场的重要基础。
学习目标
01
掌握导体和电介质的定义、性质和分类。
02
理解静电场中导体和电介质的电场分布和电荷分布。
03
掌握导体和电介质在静电场中的行为和相互作用, 以及它们在电路中的作用。
02
导体
导体的定义与性质
感应电荷的产生是由于导体内 部自由电荷受到电场力的作用 而重新分布,这种效应称为静 电感应现象。
静电感应现象在生产和生活中 的应用十分广泛,如静电除尘、 静电喷涂等。
导体的静电平衡状态
当导体放入静电场中并达到稳定状态时,导体内部的自由电荷不再发生定向移动, 此时导体的状态称为静电平衡状态。
在静电平衡状态下,感应电荷在导体内、外表面产生附加电场,该电场与外界电场 相抵消,使得导体内部的总电场为零。
应用
了解电场强度在电介质中 的分布和变化规律,有助 于理解电子设备和器件的 工作原理。
电介质的电位移矢量
01
02
03
04
定义
电位移矢量是指描述电场中电 荷分布情况的物理量。
特点
在静电场中,电位移矢量与电 场强度之间存在线性关系,可
以用介电常数表示。
计算
根据电位移矢量的定义和电场 强度的计算公式,可以计算出
定义
导体是指能够让电流通过的物质。在 静电场中,导体内部自由电荷会受到 电场力的作用而发生移动,从而形成 电流。
性质
导体具有导电性,其导电能力与温度 、光照、化学状态等因素有关。金属 导体是电导率最高的物质之一,而绝 缘体则几乎不导电。
导体的静电感应现象
当导体放入静电场中时,导体 表面会产生感应电荷,感应电 荷的分布与外界电场有关。

第13章 静电场中的导体和电介质

第13章 静电场中的导体和电介质

思考题13-1 尖端放电的物理实质是什么?答: 尖端放电的物理实质,是尖端处的强电场致使附近的空气分子电离,电离所产生的带电粒子在电场的作用下急剧运动和相互碰撞,碰撞又使更多的空气分子电离,并非尖端所带的电荷直接释放到空间去。

13-2 将一个带电+q 半径为R B 的大导体球B 移近一个半径为R A 而不带电的小导体球A ,试判断下列说法是否正确?并说明理由。

(1) B 球电势高于A 球。

答: 正确。

不带电的导体球A 在带电+q 的导体球B 的电场中,将有感应电荷分布于表面。

另外,定性画出电场线,在静电场的电力线方向上电势逐点降低,又由图看出电场线自导体球B 指向导体球A ,故B 球电势高于A 球。

(2) 以无限远为电势零点,A 球的电势: V A < 0答: 不正确。

若以无穷远处为电势零点V ∞=0,从图可知A 球的电力线伸向无穷远处。

所以,V A >0。

13-3 怎样能使导体净电荷为零 ,而其电势不为零?答:将不带电的绝缘导体(与地绝缘并与其它任何带电体绝缘)置于某电场中,则该导体有∑=0q 而导体的电势V ≠0。

图13-37 均匀带电球体的电场能13-4 怎样理解静电平衡时导体内部各点的场强为零?答: 必须注意以下两点:(1) 这里的“点”是指导体内的宏观点,即无限小体积元。

对于微观点,例如导体中某电子或某原子核附近的一个几何点,场强一般不为零;(2) 静电平衡的这一条件,只有在导体内部的电荷除静电场力以外不受其他力(如“化学力”)的情况下才能成立。

13-5 怎样理解导体表面附近的场强与表面上对应点的电荷面密度成正比?答: 不应产生这样的误解:导体表面附近一点的场强,只是由该点的一个面电荷元S ∆σ产生的。

实际上这个场强是导体表面上全部电荷所贡献的合场强。

如果场中不止一个导体,则这个场强应是所有导体表面上的全部电荷的总贡献。

13-6 为什么不能使一个物体无限制地带电?答: 所谓一个物体带电,就是指它因失去电子而有多余的净的正电荷或因获得电子而有多余的负的净电荷。

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UB
qA QA 40 R3
解得
R1R2QA qA 2.12108 C R1R2 R2 R3 R1R 3
U B 7.92 102 V
导体的接地使各导体的电势分布发生变化,打破了原有 的静电平衡,导体表面的电荷将重新分布, 以建立新的静电平衡。
9
2. 一平行板电容器中充满相对介电常量为 r 的各向同性均匀电介 质.已知介质表面极化电荷面密度为±′,则极化电荷在电容器中 产生的电场强度的大小为: (A) . (B) . (C) . (D) . 0 0 r 2 0 r
1. 导体的静电平衡 静电感应:在静电场力作用下,导体中自由电子在电场力的作用下作宏
观定向运动,使电荷产生重新分布的现象。 导体内部和表面无自由电荷的定向移动,—— 导体处于静电平衡状态。
导体静电平衡的条件
E内 0
P
S
导体各点电势相等,即导体是等势体,表面是等势面。
dS
ˆ E表 n 0
U 12
R
R1
1 R R2 R 1 lM lM RE ln ln dr dr r2 M R 2 r R R 2 0 r1r 1 r2 r1 0 r2
2
15
7. 电容为C0的平板电容器,接在电路中,如图所示.若将相对介电常 量为r的各向同性均匀电介质插入电容器中(填满空间),则此时电容 器的电容为原来的______倍,电场能量是原来的______倍.
介质中的电场强度和极化强度的大小分别为
S
E
D
0 r
2.5 106 V m 1
P D 0 E 2.3 105 C m2
D、P、E方向相同,均由正极板指向负极板(图中垂直向下)。
12
5.某介质的相对电容率r=2.8,击穿电场强度为18×106 V· m-1 ,如果 用它来作平板电容器的电介质,要制作电容为0.047 F,而耐压为 4.0 kV的电容器,它的极板面积至少要多大。 解:介质内电场强度
(b)
qA QA
R1 R3
qA q QA UA A 40 R1 40 R2 40 R3 qA
由 UA= 0 可解出球A所带的电荷qA,再由带电球面 电势的叠加,可求出球A和球壳B的电势。
A B
R2
qA
qA
(c)
8
此时球A的电势可表示为
qA q QA UA A 40 R1 40 R2 40 R3 qA
[ (A) ] 参考解答:本题可做类比法处理 E0 (空气)平板电容器 极板上自由电荷面密度.


E 0
E
电介质极化后边缘出现极化电荷面 分布,在本例中为均匀面分布,设 极化电荷面密度为′,其产生的电 场可由类比法得到。


E 0
10
3. C1和C2两个电容器,其上分别标明 200 pF(电容量)、500 V(耐压值)和 300 pF、900 V.把它们串连起来在两端加上1000 V电压,则 (A) C1被击穿,C2不被击穿. (C) 两者都被击穿. 参考解答: 电容器串连,总电容
导体接地,表明导体与大地等电势(大地电 势通常取为零)。球壳B接地后,外表面的 电荷 与从大地流入的负电荷中和,球壳内 表面带电-QA (图(b))。
R1
R3
A
B
R2
QA QA
再将球A接地,球壳内表面带电-QA?
断开球壳B的接地后,再将球A接地,此时球A的电势 为零。电势的变化必将引起电荷的重新分布,以保持 导体的静电平衡、不失一般性可设此时球A带电qA, 根据静电平衡时导体上电荷的分布规律,可知球壳B 内表面感应qA,外表面带电qAQA(图(c))。此 时球A的电势可表示为
C 0 r S / d
U Ed
1 1 1 2 2 W CU 0 r E Sd 0 r E 2V 2 2 2
能量密度
W e V
1 1 2 e 0 r E D E 2 2
对电场空间积分
电场能量
W e dV
V
5
1.在一半径为R1 =6.0 cm的金属球A外面套有一个同心的金属球壳B。 已知球壳B的内、外半径分别为R2 =8.0 cm,R3 =10.0 cm。设球A带有 总电荷QA= 3.010-8C ,球壳B带有总电荷QB= 2.010-8C。 (l)求球壳B内、外表面上所带的电荷以及球A和球壳B的电势; (2)将球壳B接地然后断开,再把金属球A接地,求球A和球壳B内、 外表面上所带的电荷以及球A和球壳B的电势。
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6. 如图所示,一圆柱形电容器,内筒半径为R1,外筒半径为R2 (R2<2
R1),其间充有相对介电常量分别为r1和r2=r1/2的两层各向同性均匀 电介质,其界面半径为R.若两种介质的击穿电场强度EM相同,问: (1) 当电压升高时,哪层介质先击穿? (2) 该电容器能承受多高的电压? 解:(1) 设内、外筒单位长度带电荷为+l和 -l.两筒间电位移的大小为 D=l / (2r) 在两层介质中的场强大小分别为 E1 = l / (20 r1r), E2 = l / (20 r2r) 在两层介质中的场强最大处是各层介质的内表面处,即 E1M = l / (20 r1R1), E2M = l / (20 r2R) 可得 E1M / E2M = r2R / (r1R1) = R / (2R1)
r2 r1
R2 R1
O
解: (1) E1M = l / (20 r1R1),E2M = l / (20 r2R)
R
R1<2 R1,可见 E1M<E2M,因此外层介质先击穿.
(2) 当内筒上电量达到lM,使E2M=EM时,即被击穿,
lM = 20 r2REM
此时.两筒间电压(即最高电压)为:
R1
R3
A B
o
QA QA
R2
(a )
UA
QA QA Q QB A 5.6 103V 40 R1 40 R2 40 R3
Q A QB UB 4.5 103V 40 R3
7
(2)将球壳B接地然后断开,再把金属球A接地,求球A和球壳B内、 外表面上所带的电荷以及球A和球壳B的电势。
由 UA= 0 可解出球A所带的电荷qA,再由带电球面 电势的叠加,可求出球A和球壳B的电势。
R1 R3
R2
qA QA
A B
qA
qA
解:(2)将球壳B接地后断开,再把球A接地, 设球A带电qA,球A和球壳B的电势为
(c)
UA
40 R1
qA

qA q QA A 0 40 R2 40 R3
C C1C2 200 300 120(PF) 120 10 12 (F), C1 C2 500
(B) C2被击穿,C1不被击穿. (D) 两者都不被击穿. [ (C) ]
12 7 电容器串连,电量相同:q1 q2 q CU 120 1000 10 1.2 10 (C),
E Eb 18 106 V m 1
电容耐压Um = 4.0 kV,因而电容器极板间最小距离
d U m Eb 2.22 104 m
要制作电容为0.047F 的平板 电容器,其极板面积
S
Cd
0 r
0.42 m 2
显然,这么大的面积平铺开来所占 据的空间太大了,通常将平板电容 器卷叠成筒状后再封装。
C rC0
C — 充满介质时电容
C0 —真空中电容
r — 相对介电常数(相对电容率)
几种常见电容器及其电容 平板电容器 圆柱形电容器 球形电容器
C
0 r S
d
C
2 0 r l ln RB RA
C
4 0 r RA RB RB RA
4
4.静电场的能量 电容器是一种储能元件,在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁 路、能量转换和延时。 以平行板电容器为例
11
4.一平板电容充电后极板上电荷面密度为0=4.510-5Cm-2。现将两 极板与电源断开,然后再把相对电容率为r=2.0的电介质插人两极板 之间。此时电介质中的D、E和P各为多少?
解:介质中的电位移矢量的大小 由有电介质的高斯定理
DS 0S
D 0 4.5 105 C m2 D 0 r E E, D ε0 E P
r2 r1
R2 R1
O
R
已知
R1<2 R1, 可见 E1M<E2M,因此外层介质先击穿.
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6. 如图所示,一圆柱形电容器,内筒半径为R1,外筒半径为R2 (R2<2
R1),其间充有相对介电常量分别为r1和r2=r1/2的两层各向同性均匀 电介质,其界面半径为R.若两种介质的击穿电场强度EM相同,问: (1) 当电压升高时,哪层介质先击穿? (2) 该电容器能承受多高的电压?
大学物理
教师:郑采星
课程指导课二
第13章 静电场中的导体与电介质
§1 §2 §3 §4 §5 导体的静电平衡 电介质的极化 电极化强度 电位移矢量 电介质中的静电场 电容与电容器 静电场的能量
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第13章 静电场中的导体与电介质
基本要求 理解导体的静电平衡条件及平衡时导体上的电荷分布、电场和电势分布。 理解静电屏蔽。理解电介质的极化、电极化强度;电位移矢量。理解D、E、 P 三个矢量之间的关系,电介质中的高斯定理。掌握电容器电容的计算。 理解电场能量,电场能量密度并会进行简单计算。 教学基本内容、基本公式
QA QB
外表面带电荷QA+ QB,电荷在导体表面均 匀分布(图(a)),由带电球面电势的叠加 可求得球A和球壳B的电势。
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