《模拟电子技术基础》第三版习题解答-放大电路的频率响应题解

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模电第4章频率响应答案资料

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4.1 已知某放大器的幅频特性如题图4.1所示。

(1) 试说明该放大器的中频增益、上限频率f H 和下限频率f L 、通频带BW 。

(2) 当()()()()mV t sin mV t sin u i 461022010410⨯+⋅=ππ和()()()()mV t sin mV t sin u i 4102205210⨯+⋅=ππ时,输出信号有无失真?是何种性质的失真?分别说明之。

解:(1)由题图4.1可得:中频增益为40dB ,即100倍,f H =106Hz, f L =10Hz (在f H 和f L 处,增益比中频增益下降30dB ),Hz BW 66101010≈-=。

(2)当()()()()mV t sin mV t sin u i 461022010410⨯+⋅=ππ时,其中f =104Hz 的频率在中频段,而Hz f 6102⨯=的频率在高频段,可见输出信号要产生失真,即高频失真。

当()()()()mV t sin mV t sin u i 4102205210⨯+⋅=ππ时,f =5Hz 的频率在低频段,f =104Hz 的频率在中频段,所以输出要产生失真,即低频失真。

4.2 某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。

设中频相移为零。

(1)写出A u (jf)频率特性的表达式。

(2)求f=107Hz 处的相移值。

(3)求下限频率f L 的值。

(4)求f=100Hz 处实际的dB 值。

(5)求f=10Hz 和f=105Hz 的相移值。

题图4.1解: (1)中频放大倍数为103,高频有一个极点频率为105Hz ,一个零点频率为106Hz ,低频有两个极点频率均为102Hz ,两个零点频率均为10Hz 。

所以)101()101()101()101(10)(522623f j f j f j f jjf A v +-+-=(2)f=107Hz 处的相移为零o Hz f o Hz f Hzf vL dBA Hz f 45|,90|)5(54lg 20)4(15512/10)3(51010100212-====-≈===ϕϕ4.3 已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图如题图4.3所示,试写出β的频率特性表达式,分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少?并画出其相频特性的近似波特图。

模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc

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模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一:模电资料】术基础是高等院校电气、信息类(包括原自动化、电气类、电子类)专业知识平台重要核心课程,是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。

课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容,工程实践性很强。

课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。

旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。

课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础;其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础;其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。

《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。

其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论,基本知识和基本技能。

本课程在介绍半导体器件的基础上,重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法,使学生具有一定的实践技能和应用能力。

培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。

教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时:60 学时(课内) 本课程学分: 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程,是实践性很强的技术基础课。

课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力。

通过本课程的学习,使学生具备应用电子技术的能力,为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。

六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二:模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系(院)课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论+实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称:模拟电子技术课时:72适用专业:应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1.课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程,是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程,是十分强调应用实践的工程性质的课程,对人才培养有着至关重要的作用。

5章 模电习题解 放大电路的频率响应题解

5章 模电习题解 放大电路的频率响应题解

第五章 放大电路的频率响应自 测 题☆一、(四版一)选择正确答案填入空内。

(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 。

A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。

A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。

A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。

A.3dBB.4dBC.5dB(4)对于单管共射放大电路,当f = f L 时,o U 与iU 相位关系是 。

A.+45˚B.-90˚C.-135˚当f = f H 时,o U 与iU 的相位关系是 。

A.-45˚ B.-135˚ C.-225˚ 解:(1)A (2)B ,A (3)B A (4)C C★二、(四版二)电路如图T5.2所示。

已知:V C C =12V ;晶体管的C μ=4pF ,f T = 50MHz ,'bb r =100Ω, β0=80。

试求解:(1)中频电压放大倍数smu A ; (2)'πC ; (3)f H 和f L ;(4)画出波特图。

图T5.2解:(1)静态及动态的分析估算:∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ(2)估算'πC :pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ(3)求解上限、下限截止频率:Hz14)π(21kHz175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥(4)在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。

模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答

模拟电子技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答

模拟电⼦技术基础学习指导与习题解答(谢红主编)第三章思考题与习题解答第三章思考题与习题解答3-1 选择填空(只填a 、b 、c 、d)(1)直接耦合放⼤电路能放⼤,阻容耦合放⼤电路能放⼤。

(a.直流信号,b.交流信号,c.交、直流信号)(2)阻容耦合与直接耦合的多级放⼤电路之间的主要不同点是。

(a.所放⼤的信号不同,b.交流通路不同,c.直流通路不同)(3)因为阻容耦合电路 (a1.各级Q 点互相独⽴,b1.Q 点互相影响,c1.各级Au 互不影响,d1.Au 互相影响),所以这类电路 (a2.温漂⼩,b2.能放⼤直流信号,c2.放⼤倍数稳定),但是 (a3.温漂⼤,b3.不能放⼤直流信号,c3.放⼤倍数不稳定)。

⽬的复习概念。

解 (1)a 、b 、c ,b 。

(2)a 、c 。

(3)a1,a2,b3。

3-2 如图题3-2所⽰两级阻容耦合放⼤电路中,三极管的β均为100,be1 5.3k Ωr =,be26k Ωr =,S 20k ΩR =,b 1.5M ΩR =,e17.5k ΩR =,b2130k ΩR =,b2291k ΩR =,e2 5.1k ΩR =,c212k ΩR =,1310µF C C ==,230µF C =,e 50µF C =,C C V =12 V 。

图题3-2(a)放⼤电路;(b)等效电路(答案)(1)求i r 和o r ;(2)分别求出当L R =∞和L 3.6k ΩR =时的S u A 。

⽬的练习画两级放⼤电路的微变等效电路,并利⽤等效电路求电路的交流参数。

分析第⼀级是共集电路,第⼆级是分压供偏式⼯作点稳定的典型电路,1V 、2V 均为NPN 管。

解 (1)求交流参数之前先画出两级放⼤电路的微变等效电路如图题3-2(b)所⽰。

注意图中各级电流⽅向及电压极性均为实际。

第⼀级中b1I 的⽅向受输⼊信号i U 极性的控制,⽽与1V 的导电类型(NPN 还是PNP)⽆关,i U 上正下负,因此b1I 向⾥流,输出电压o1U 与i U 极性相同;第⼆级中b 2I 的⽅向受o1U 极性的控制,o1U 上正下负,因此b 2I 向⾥流,也与2V 的导电类型⽆关,或者根据c1I 的⽅向(由1c 流向1e )也能确定b 2I 的⽅向是向⾥流。

(整理)《模拟电子技术基础》第三版习题解答第6章 放大电路中的反馈题解.

(整理)《模拟电子技术基础》第三版习题解答第6章 放大电路中的反馈题解.
6.11分别说明图6.5(a)(b)(c)(e)(f)(g)所示各电路因引入交流负反馈使得放大电路输入电阻和输出电阻所产生的变化。只需说明是增大还是减小即可。
解:图6.5(a)(b)(c)(e)(f)(g)所示各电路因引入交流负反馈使得放大电路输入电阻和输出电阻所产生的变化如下:
(a)输入电阻减小,输出电阻减小。
解:各电路中引入交流负反馈的组态及反馈系数分别如下:
(d)电流并联负反馈
(e)电压串联负反馈
(f)电压串联负反馈
(g)电压串联负反馈
(h)电压串联负反馈
6.7分别判断图P6.5(a)(b)(e)(f)(g)所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算它们的反馈系数。
解:各电路中引入交流负反馈的组态及反馈系数分别如下:
A.直流负反馈B.交流负反馈
1为了稳定静态工作点,应引入;
2为了稳定放大倍数,应引入;
3为了改变输入电阻和输出电阻,应引入;
4为了抑制温漂,应引入;
5为了展宽频带,应引入。
解:(1)B B(2)D(3)C(4)C
(5)A B B A B
6.2选择合适答案填入空内。
A.电压B.电流C.串联D.并联
(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入负反馈;
6.18以集成运放作为放大电路,引入合适的负反馈,分别达到下列目的,要求画出电路图来。
(1)实现电流-电压转换电路;
(2)实现电压-电流转换电路;
(3)实现输入电阻高、输出电压稳定的电压放大电路;
(4)实现输入电阻低、输出电流稳定的电流放大电路。
解:可实现题目(1)(2)(3)(4)要求的参考电路分别如解图P6.18(a)(b)(c)(d)所示。
6.15已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数Auf=20,其基本放大电路的电压放大倍数Au的相对变化率为10%,Auf的相对变化率小于0.1%,试问F和Au各为多少?

童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路的频率响应)

童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(放大电路的频率响应)

题 4.3 图
解:共射电路在中频带的相移为-180°,由波特图可看出中频放大倍数为 100,下限
频率为 1Hz 和 10Hz,上限频率为 250kHz。故电压放大倍数为:
Au
(1
1 jf
100 )(1 10)(1
jf
j
2.5
f 105
)
(1
jf
)(1
10 f 2 j f )(1 10
表 4-1-2 放大管高频等效电路
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三、单管放大电路的频率响应 1.频率响应 典型单管放大电路如图 4-1-1(a)所示,中频段交流等效电路如图(b),低频段如图 (c),高频段如图(d)。
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f
fL )(1 j
f
的折线化波特图如图 4-1-2 中
)
jf
fH
fL
fH
实线所示,虚线为实际曲线。
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图 4-1-2 单管共射放大电路折线化波特图 折线图中,截止频率为拐点,在截止频率处,增益与中频段相比下降 3dB,相移+45° 或-45°。Βιβλιοθήκη 3.放大电路频率特性的改善•

(1)高频特性改善:一定条件下,增益带宽积|Aumfbw|或|Ausmfbw|约为常量。要改善高
频特性,首先选择截止频率高的放大管,然后选择参数,使 Cπ′所在回路等效电阻尽量小。
(2)低频特性改善:应采用直接耦合的方式。
四、多级放大电路的频率响应(见表 4-1-3)
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童诗白《模拟电子技术基础》(第版)笔记和课后习题(含考研真题)详解(5-8章)【圣才出品】

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时间常数,从而降低下限频率。然而这种改善是很有限的,因此在信号频率很低的使用场合, 应考虑采用直接耦合方式。
(2)“带宽增益积”为中频放大倍数与通频带的乘积,即
晶体管选定后,增益带宽积近似常量。当 fH fL 时, fbw f H ,由此可知,fH r 的提高与|Ausm|的增大是相互矛盾的。改善高频特性的根本办法是选择 bb 和 Cob 均小的管
5.1 在图 5.1 所示电路中,已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ,Ri≈rbe。 填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。 (1)在空载情况下,下限频率的表达式 fL= 。当 Rb 减小时,fL 将 ;当带上负载 电阻后,fL 将 。 (2)在空载情况下,若 b-e 间等效电容为 C’π,则上限频率的表达式 fH= ;当 Rs 为零 时,fH 将 ;当 Rb 减小时,gm 将 ,C’π将 ,fH 将 。
子,同时尽量减小 C 所在回路的总等效电阻。 (3)场效应管的增益带宽积为
场效应选定后,增益带宽积近似常量。因此,改善高频特性的根本办法是选择 Cgb 小
的管子并减小 rg 的阻值。
四、多级放大电路的频率响应 1.多级放大电路频率特性的定性分析 设N级放大电路各级的电压放大倍数分别为Aul,Au2,…,AuN,则电路电压放大倍数:
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2.低通电路
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低通电路及其频率响应如图 5.2 所示。
图 5.2 低通电路及其频率响应
设输出电压Uo 与输入电压Ui
之比为
Au
,下限截止频率

模拟电子技术基础 第六章 频率响应讲解

模拟电子技术基础 第六章 频率响应讲解

1
jCb1
gm ( Rd
||
RL )
Rg Rg Rsi
1
1 1
j(Rd RL )Cb2
1
1 gm
jCs
1
1 1
j( Rsi Rg )Cb1
AVSL
gm (Rd
||
RL )
Rg Rg Rsi
1
1 1
j( Rd RL )Cb2
1
1 gm
jCs
1
1 1
j( Rsi Rg )Cb1

AVSM
gm (Rd
||
RL )
Rg Rg Rsi
通带内(中频)增益,与频率无关
f L1
2π( Rsi
1 Rg )Cb1
Cb1引起的下限截止频率
f L2
gm 2πCs
fL3
2π( Rd
1 RL )Cb2
Cs引起的下限截止频率 Cb2引起的下限截止频率
且 2πf

AVSL
AVSM
(Rc ||
rbe
RL )
rbe Rsi rbe
1
1 1
j(Rc RL )Cb2
1
1 1
j( Rsi rbe )C1
AVSL
Vo Vs
(Rc || RL )
rbe
rbe Rsi rbe
1
1 1
j(Rc RL )Cb2
1
1 1
j(Rsi
rbe )C1

AVSM
20lg|AV|/dB 低频区
(a)
幅频响应曲线,图b是相
频响应曲线。一般有 fH >> fL
0 fL

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章-基本放大电路题解

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章-基本放大电路题解

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模拟电子技术课程习题-第五章--放大电路的频率响应

模拟电子技术课程习题-第五章--放大电路的频率响应

模拟电⼦技术课程习题-第五章--放⼤电路的频率响应第五章放⼤电路的频率响应5.1具有相同参数的两级放⼤电路在组成它的各个单管的截⽌频率处,幅值下降[ ]A. 3dBB. 6dBC. 10dBD. 20dB5.2在出现频率失真时,若u i 为正弦波,则u o 为 [ ] A. 正弦波 B. 三⾓波 C. 矩形波 D. ⽅波5.3 多级放⼤电路放⼤倍数的波特图是 [ ] A. 各级波特图的叠加 B. 各级波特图的乘积C. 各级波特图中通频带最窄者D. 各级波特图中通频带最宽者 5.4 当输⼊信号频率为f L 或f H 时,放⼤倍数的幅值约为中频时的 [ ]倍。

A.0.7 B.0.5 C.0.9D.0.15.5 在阻容耦合放⼤器中,下列哪种⽅法能够降低放⼤器的下限频率?[ ]A .增⼤耦合电容B .减⼩耦合电容C .选⽤极间电容⼩的晶体管D .选⽤极间电容⼤的晶体管 5.6 当我们将两个带宽均为BW 的放⼤器级联后,级联放⼤器的带宽 [ ] A ⼩于BW B 等于BW C ⼤于BW D 不能确定 5.7 填空:已知某放⼤电路电压放⼤倍数的频率特性为6100010(1)(1)1010u fjA f f j j =++ (式中f 单位:Hz )表明其下限频率为,上限频率为,中频电压增益为 dB ,输出电压与输⼊电压在中频段的相位差为。

5.8 选择正确的答案填空。

幅度失真和相位失真统称为失真(a.交越b.频率),它属于失真(a.线性b.⾮线性),在出现这类失真时,若u i为正弦波,则u o为波(a.正弦b.⾮正弦),若u i为⾮正弦波,则u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。

饱和失真、截⽌失真、交越失真都属于失真(a.线性b.⾮线性),在出现这类失真时,若u i为⾮正弦波,则u o为波(a.正弦b.⾮正弦),u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。

5.9 选择正确的答案填空。

晶体管主要频率参数之间的关系是。

模拟电子技术基础试题与答案

模拟电子技术基础试题与答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

( )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×。

应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。

(4)×。

.(5) √。

设置合适的静态工作点。

(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电对交流信号均可视为短路。

,【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响。

(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章 基本放大电路题解

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章 基本放大电路题解

第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

()解:(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2解:(a)不能。

因为输入信号被V B B短路。

(b)可能。

(c)不能。

因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。

(d)不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

(e)不能。

因为输入信号被C2短路。

(f)不能。

因为输出信号被V C C短路,恒为零。

(g)可能。

(h)不合理。

因为G-S间电压将大于零。

(i)不能。

因为T截止。

三、在图T2.3所示电路中, 已知V C C =12V ,晶体管的β=100,'b R =100k Ω。

填空:要求先填文字表达式后填得数。

(1)当iU =0V 时,测得U B E Q =0.7V ,若要基极电流I B Q =20μA , 则'b R 和R W 之和R b= ≈ k Ω;而若测得U C E Q =6V ,则R c = ≈ k Ω。

(2)若测得输入电压有效值i U =5mV 时,输出电压有效值'o U =0.6V , 则电压放大倍数uA = ≈ 。

若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U = = V 。

模拟电子技术基础 第3章习题解答 (高吉祥 电子工业出版社)

模拟电子技术基础 第3章习题解答 (高吉祥 电子工业出版社)

f/MHz
3.5 已知一个三极管在低频时的共射电流放大系数 β0 =100,特征频率 fT =80MHz.
|≈70? (1)当频率为多大时,三极管的|
(2)当静态电流 IEQ=2mA 时,三极管的跨导 gm=?; (3)此时三极管的发射结电容 C b 'e =? 解:(1)
| 70 100 0 , f f T 80 0.8(MHz) | 0 100 2 2
10 100
100K 1M 10Mf来自Hzf/Hz(2)当 f=fL 时:
|=46-3=43(dB) ∵ 20lg| A u |=100 2 ∴| A u
135 O
当 f=fH 时:
|=46-3=43(dB) 20lg| A u |=100 2 ∴| A u
225 O
gm
(2)

rb'e

I EQ UT

2 77(ms) 26
(3)
Cb ' e
gm 77 10 3 153( pF ) 2f T 2 80 106
3.6 在图示放大电路中,已知三极管的β =50,
rbe=1.6kΩ , fT =100MHz, C b c =4pF,
Ủo
3KΩ
RL
2.2KΩ
1.5KΩ
I EQ 2 I CQ 2 1mA U EQ 2 I EQ 2 Re 2 1 1.5 1.5(V ) U BQ 2

Ri
Rb 3 VCC U EQ 2 U BE 2 Rb 2 Rb3
Rb 2 6.8( K)
2. 2 9 1.5 0.7 Rb 2 2.2

模拟电子技术基础简明教程(第三版)第三章放大电路的频率响应精品PPT课件

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其中fH是一个重要的频率点,称为上限截止频率。
15
第一节 频率响应的一般概念
2. RC高通电路
C
(1)频率响应表达式:
+
+
AUU O Ui
R1R /jC1j/1RC
ui

R
uo
-
令:
1
fL 2RC
幅频响应:
则:
A U
Uo
Ui
1 1 j
fL f
│AU│
1
1( fL f )2
相频响应: arctg(fL f )
四、 频率失真
由于放大电路通频带的宽度有限, 当输入信号包含有较高频率或较低频率成份时, 放大倍数不同、相移不同, 由此引起输出信号失真,称为频率失真
可分为:幅频失真与相频失真
9
第一节 频率响应的一般概念
幅频失真: 由于放大电路对不同谐波成分的放大倍数的幅值不同, 导致uO的波形产生的失真,称为幅频失真。
f fH | AU |0.70720 lg|AU|3dB
2l0 g |A U | 2l0 g fH /(f) 最大误差 -3dB
14
第一节 频率响应的一般概念
相频响应
20lg| AU( | dB)
arctgf(fH)
0
-20
当f fH时, 0
-40
当f fH时, 90
当f fH时,45

当 0.fH 1f10 fH时 ,-45°
二、 幅频特性和相频特性
由于电抗性元件的作用,
|Au |
使正弦波信号通过放大电路时, Aum 不仅信号的幅度得到放大, 0.707Aum
BW
而且还将产生一个相位移。

模拟电子技术基础第三版习题答案

模拟电子技术基础第三版习题答案

模拟电子技术基础第三版习题答案第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

(完整版)模拟电子技术5章习题答案

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5 放大电路的频率响应自我检测题一.选择和填空1.放大电路对高频信号的放大倍数下降,主要是因为 C 的影响;低频时放大倍数下降,主要是因为 A 的影响。

(A. 耦合电容和旁路电容;B. 晶体管的非线性;C. 晶体管的极间电容和分布电容)2.共射放大电路中当输入信号频率为f L 、f H 时,电路放大倍数的幅值约下降为中频时的 A ;或者说是下降了 D dB ;此时与中频相比,放大倍数的附加相移约为 G 度。

(A. 0.7,B. 0.5,C. 0.9); (D. 3dB ,E. 5dB ,F. 7dB); (G. -45°,H. -90°,I. -180°)3.某放大电路||v A 的对数幅频响应如图选择题3所示。

由图可见,该电路的中频电压增益M ||v A = 1000 ; 上限频率H f = 108 Hz ; 下限频率L f = 102 Hz ;当H f f =时电路的实际增益= 57 dB ;当L f f =时电路的实际增益= 57 dB 。

10410610101081012020lg /v A dB6040图选择题34.若放大电路存在频率失真,则当i v 为正弦波时,o v D 。

(A.会产生线性失真 B.为非正弦波 C.会产生非线性失真 D.为正弦波)5.放大电路如图选择题5所示,其中电容C1增大,则导致 D 。

(A.输入电阻增大 B. 输出电阻增大 C.工作点升高 D.下限频率降低)+V CCsv图选择题5二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)1.改用特征频率f T 高的晶体管,可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。

( √ )2.增大分布电容的容量,可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。

( × ) 3.幅度失真和相位失真统称为非线性失真。

( × )4.当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真,则输出电压波形将为非正弦。

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fT

0 rb'e (Cπ
Cμ )
C

0 rb'e f T

214pF
C' C (1 g m Rc )Cμ 1602pF
( 3) 求 解 上 限 、 下 限 截 止 频 率 :
R rb'e ∥ (rb'b Rs ∥ Rb ) rb'e ∥ (rb'b Rs ) 567

上限频率的表达式 fH =
;当 Rs 为零时,fH 将

当 Rb 减小时,gm 将
, C' 将
,fH 将

解:(1)
1
。①;①。
2π (Rs Rb ∥ rbe ) C1
(2)
1
;①;①,①,③。
2 [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]C'
第五章题解-6
5.2 已 知 某 电 路 的 波 特 图 如 图 P5.2 所 示 , 试 写 出 Au 的 表达式。
D.放 大 电 路 的 静 态 工 作 点 不 合 适
(3)当信号频 率等于放大电路的 fL 或 fH 时,放大倍 数的值约下降到中频时的 。
A.0.5 倍
B.0.7 倍
C.0.9 倍
即增益下降 。
A.3dB
B.4dB
C.5dB
( 4)对 于 单 管 共 射 放 大 电 路 ,当 f = fL 时 ,U o 与 U i 相
U CEQ VCC I CQ Rc 3V
rb'e
(1
)
26mV I EQ
1.17k
rbe rbb' rb'e 1.27k Ri rbe ∥ Rb 1.27k
gm
I EQ UT
69.2mA/V
A usm
Ri Rs Ri
rb'e rbe
(gm Rc )
178
( 2) 估 算 C' :
第五章 放大电路的频率响应
自测题
一、选择正确答案填入空内。
( 1) 测 试 放 大 电 路 输 出 电 压 幅 值 与 相 位 的 变 化 , 可 以
得到它的频率响应,条件是

A.输 入 电 压 幅 值 不 变 , 改 变 频 率
B.输 入 电 压 频 率 不 变 , 改 变 幅 值
C.输 入 电 压 的 幅 值 与 频 率 同 时 变 化
fH

1 RCπ'
175kHz
fL
2π(
1 Rs Ri )C
14Hz
( 4) 在 中 频 段 的 增 益 为
20 lg Ausm 45dB
频率特性曲线如解图 T5.2 所示。
第五章题解-3
解图 T5.2
三、 已知某放大电路的波特图如图 T5.3 所示,填空:
( 1) 电 路 的 中 频 电 压 增 益 20lg| Au m | =
频 率 为 250kHz。 故 电 路 Au 的 表 达 式 为
Au
(1
1 jf
100 )(1 10)(1
jf
j
2.5
f
105
)

Au
(1
jf
)(1
10 f 2 j f )(1 10
j
2.5
f
105
)
5.4 已知某电路的幅频特性如图 P5.4 所示,试问:
( 1) 该 电 路 的 耦 合 方 式 ;
位关系是 ˚
。 A.+ 45˚
B.- 90˚
C.- 135
当 f = fH 时 , U o 与 U i 的 相 位 关 系 是

A.- 45˚
B.- 135˚
C.- 225
˚
解 :( 1) A ( 2) B, A ( 3) B A ( 4) C C
第五章题解-1
二、电路如图 T5.2 所示。已知:VCC=12V;晶体管的 C μ = 4pF, fT = 50MHz, rbb' = 100Ω , 0= 80。 试 求 解 :
Ri≈ rbe。 填 空 :除 要 求 填 写 表 达 式 的 之 外 ,其 余 各 空 填 入 ① 增 大 、
②基本不变、③减小。
图 P5.1
( 1)在 空 载 情 况 下 ,下 限 频 率 的 表 达 式 fL= 当 Rs 减小时,fL 将 ;当带上负载电阻后,fL 将
。 。
( 2) 在 空 载 情 况 下 , 若 b-e 间 等 效 电 容 为 C' ,
( 2) 放 大 电 路 在 高 频 信 号 作 用 时 放 大 倍 数 数 值 下 降 的
原因是
,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因


A.耦 合 电 容 和 旁 路 电 容 的 存 在
B.半 导 体 管 极 间 电 容 和 分 布 电 容 的 存 在 。
C.半 导 体 管 的 非 线 性 特 性
( 1) 中 频 电 压 放 大 倍 数 Ausm ; ( 2) C' ; (3)fH 和 fL;
( 4) 画 出 波 特 图 。 图 T5.2
解 :( 1) 静 态 及 动 态 的 分 析 估 算 :
第五章题解-2
I BQ
VCC U BEQ Rb
22.6μ
A
I EQ (1 )I BQ 1.8mA
dB , Au m


( 2) 电 路 的 下 限 频 率 fL≈ kHz.
Hz, 上 限 频 率 fH≈
( 3 ) 电 路 的 电 压 放 大 倍 数 的 表 达 式 Au


第五章题解-4
图 T5.3
解 :( 1) 60
104
( 2) 10
10
(3)
103

100 jf
(1
10)(1 jf
( 2)该 电 路 由 几 级 放 大 电
路组成;
(3)当 f =104Hz 时,附 加相移为多少?当 f =105 时,
附加相移又约为多少?
解 :( 1) 因 为 下 限 截 止 频
率为 0,所以电路为直接耦合电路;
图 P5.2
解: 设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
A u
32 (1 10)(1
jf

j
f 10
5
)
A u
(1
3.2jf j f )(1 10
j
f 10
5
)
5.3 已知某共射放大电路的波特图如图 P5.3 所示,试
写 出 Au 的 表 达 式 。
第五章题解-7
图 P5.3
解 : 观 察 波 特 图 可 知 , 中 频 电 压 增 益 为 40dB, 即 中 频 放大倍数为-100;下限截止频率为 1Hz 和 10Hz,上限截止
j10f 4
)(1
j10f 5
)
(1
j f )(1 10
j10f 4
)(1
j10f 5
)
说 明 : 该 放 大 电 路 的 中 频 放 大 倍 数 可 能 为 “ + ”, 也 可 能 为 “ - ”。
第五章题解-5



5.1 在 图 P5.1 所 示 电 路 中 ,已 知 晶 体 管 的 rbb' 、Cμ 、Cπ ,
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