《宽禁带半导体发光材料》3.1MOCVD设备与氮化物材料生长基础
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生长,可在位监测.
弱点
规模经济性差可控性差
无Al合金,Sb合金困难,界面 粗糙度>20Å
无Al合金,Sb合金困难,加工 过程/反应室复杂,控制困难
源危险
As/P合金困难,Sb合金困难 ,N材料困难,产率低,昂贵(资
金)
反应物昂贵,需精确控制的 参数最多,源危险
反应物昂贵,需精确控制的 参数最多,源危险
外延技术概述
技术 LPE ClVPE HVPE
MBE
CBE MOVPE/ MOCVD
优势
简单纯度高 简单纯度高
技术成熟 ，大规模
过程简单,均匀性好,界面陡峭, 可在位监测
均匀性好,界面陡峭,可直接控 制流量,可在位监测,选择生长 灵活性最佳,界面陡峭,纯度高, 反应室简单,反应充分,均匀性 好,尺寸大,生长速率快,可选择
MBE原位检测技术
MBE设备
MOCVD设备与氮化物材料生长基础
薄膜生长简介 MOCVD原理
MOCVD生长的关键过程 MOCVD生长系统 MOCVD生长的步骤
衬底材料的选择 氮化物材料生长
MOCVD基本原理
金属有机化学气相沉淀是20世纪60年代末发展起来的利用金属有 机化合物进行金属输运的一种化合物半导体气相外延新技术。 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢 化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气 相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多 元固溶体的薄层单晶材料。
动力学
质量输运驱动力：通常的生长条件，受扩散过程（质量输运 ）限制，生长速率几乎与生长温度无关。高质量外延层一般 要在扩散控制的区域内进行生长。
质量输运：
流体力学是整个MOCVD过程的最基础的部分； 流体力学问题包括三维的质量（源）、动量、及能量在适当边界条件
下的联立；
质量輸运影响反应物生长速率的最广泛应用的模型是边界层模型：在 外延界面上方存在一个真实的滞留层，穿过此层质量輸运仅仅通过扩 散；
杂剂两者的扩散系数； 限制着合金的两个（或多个）组分的互溶度；
合金无序和自然超晶格；
静态与外延生长时的表面重构。
通 常，在MOCVD系统中，生长速率与热力学计算值相比慢得多。这是因
为生长速率还受到表面反应速率和气相质量输运的限制。表面过程和质量
输运的速度远远不能满足热力学平衡建立所需要的时间。
MOCVD基本原理
MOCVD是制备化合物半导体薄膜 单晶的一项新技术，该技术是将Ⅱ 或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族 元素的氢化物相混合后通入反应腔
，混合气体流经加热的衬底表面时
，在衬底表面发生热分解反应，并 外延生长成化合物单晶薄膜。
TMG a
NH
Boundary
3
Layer
Diffusion
Adduct formation TMGa-NH3
MOCVD技术由于能在纳米尺度上精确控制外延层的厚度、组分 、掺杂及异质结构界面，所以其与分子束外延技术（MBE）一起 成为制备化合物半导体异质结、低维结构材料的重要方法。
MOCVD技术是一种动态非平衡生长技术，外延生长是高度受控 的相转变。因此，热力学完全决定着所有生长过程的驱动力，进 而确定最大生长速率。此外，在许多生长条件下对于外延热力学 的了解，可以确定合金的组分以及固体的化学配比。
高灵活性
同一系统可生长多种不同材料体系
陡峭界面适宜生长异质结
MQW，SLs
MOCVD生长的关键过程
化学反应
单相反应─气相中形成内核
源的高温分解及其加合物 复杂的激活反应
多相反应─衬底表面
台阶,结,及其引起的“缺陷”的性质和密度 源及其中间态的吸附和解吸作用 高温分解,包括复杂的激活反应 产品的吸附作用
晶体极性的不同常常会引起反向畴缺陷 衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，会产生位错的延伸，增殖，
有的也会减少，从而引起杂质的重新分布 外延过程中，可以进行故意掺杂，形成不同类型的p-n结构 可以形成不同的组分结构，如量子阱，超晶格，异质结等
外延技术的种类
金属有机化学气相外延
MOCVD：Metalorganic Chemical Vapor Deposition; MOVPE：MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy; OMVPE：OrganoMetallic Vapor Phase Epitaxy
不同厂商的MOCVD系统间最大差异在于反应室设计和温度控制。
MOCVD通常的性能指标
硬件性能参数
衬底温 度
反应室 压力
衬底转速 范围
稳定性 均匀性 升温速率
范围
控制精度
系统气 密性
管路系统漏气率 反应室漏气率
0-2000转/分钟 100～1200℃
±1℃ ±3℃（在1000℃）
0.5 ℃-3℃/s 20-760Torr
分子束外延（MBE） 氢化物气相外延（HVPE） 液相外延（LPE） 化学束外延（CBE）
外延技术
液相外延：由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方 法。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的 主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。
气相外延：将含有组成外延层元素的气态化合物输运到衬底上，进行 化学反应而获得单晶的方法。氯化物气相外延（ClVPE），氢化物气 相外延（HVPE）和后来发展起来的金属有机化学气相外延（MOCVD ）都属于气相外延。
MOCVD系统简介
MOCVD是 LED产业链上 最关键的设备 。
VEECO
AIXTRON
国
外
THOMAS SWAN
垄
Nippon SANSO
断
EMF
NICHIA
MOCVD设备国内外技术对比
美国Veeco公司
MBE技术原理
MBE的基本原理如图所示。在超高真空（<10－10 Torr）系统中相应地 放置衬底和几个分子束源炉，将组成化合物的各种元素和掺杂剂元素 分别放入不同的源炉内，加热使它们的分子（或原子）以一定的热运 动速度和一定的束流强度比例喷射到加热的衬底表面上，与表面相互 作用并进行单晶薄膜的外延生长。其生长过程主要是由一种或多种热 的原子束或分子束在晶体表面的反应动力学过程来控制。各源炉前的 挡板用来改变外延膜的组分和掺杂。根据设定的程序开关挡板、改变 源温和控制生长时间，则可生长出不同厚度的化合物或不同组分比例 的三元、四元固溶体及其异质结构，制备各种超微结构材料。
Desorption
Diffusion
Pyrolysis
Adsorption
Surface reaction
Substrate
NH3
H
N
Ga(CH3)3
CH3
Ga
MOCVD的优势
高质量外延层
高生长速率 掺杂均一 重复性好
高量产，不需要超高真空（对比MBE）
成本优势 降低生长周期
同质和异质外延
同质外延：衬底和外延层属于同一种材料，如硅上外延生长硅。 异质外延：衬底材料和外延层是不同种材料，则称为异质外延。
异质外延中的主要问题：
晶格失配：由于衬底与外延晶体晶格参数的差异引起的失配位错 热失配：由于衬底与外延材料热膨胀系数的差别在变温过程中产生热应力，
导致失配位错
2Torr（200～760Torr）
<1×10-9Pa·L/S <3×10-9Pa·L/S
自动控制功能： 配方运行 人机界面，全自 动控制 数据实时监测与 记录
MOCVD系统简介
国外主要厂家MOCVD设备
美国 VEECO
德国 AIXTRO
N
英国 THOMA
S SWAN
日本 Nippon Sanso
热力学
热力学驱动力：在较低温度下生长时，生长速率受表面反应 限制（∆ms），生长速率随温度成指数变化。
热力学的作用：
外延生长是高度受控的相转变，因此热力学完全决定着所有生长过程 的驱动力；
确定合金的组分以及固体的化学配比； 控制着本征缺陷，如空穴、空位和反位缺陷的浓度，决定着基质和掺
MOCVD设备与氮化物材料生长基础
薄膜生长简介 MOCVD原理 衬底材料的选择 氮化物材料生长
MOCVD设备与氮化物材料生长基础
薄膜生长简介
基本概念 同质和异质外延 外延技术种类 外延技术概述
MOCVD原理 衬底材料的选择 氮化物材料生长
基本概念
外延生长早在1928年就已经出现，但在半导体领域得到应用则是1960年。 英文中外延一词Epitaxy是由希腊文“ep”“taxio”延伸而来的，意思是“在 ………之上排列”。它指的是在一定条件下使某种物质的原子(或分子)有 规则排列，定向生长在经过仔细加工的晶体(一般称为衬底)表面上。它是 一种连续、平滑并与衬底晶格结构有对应关系的单晶层，这个单晶层称为 外延层；把生长外延层的过程叫做外延生长。早期的外延生长通常选用单 晶材料做衬底，而外延层是原来衬底晶面平行向外延伸的结果，故取名为 外延。
MBE设备示意图
MBE原位检测技术
由于生长室具备了超高真空条件，因而可以配置多种原位分析仪器。 目前我们配备了MBE常用的几种原位分析仪器：反射式高能电子衍射 仪（RHEED）和红外测温计，可以实时监测衬底的表面温度。
反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction简 称 RHEED)是最重要的原位分析仪器，可在原位观察样品表面的清洁 度，平整度，表面结构和确定合适的生长条件。RHEED由高能电子枪 和荧光屏组成。从电子枪射出来的高能电子束以小角度掠射到样品表 面，经衍射打在荧光屏上形成衍射图形。由于电子沿样品法向的动量 分量很小，受库仑场的散射，电子束的透入深度仅1～2个原子层，因 此RHEED所反映的完全是样品表面的结构信息。
影响生长速率的主要因素
实验参数 质量輸运控制 扩散控制 动力学控制
生长温度 总气流量
V Tm
m-1
增加
V Tm
M=3/2- 2
增加
V em-E/RT 无关
气体流速
无关百度文库
增加
无关
衬底晶向
影响小
影响小
影响大
衬底表面积
无关
有关
有关
衬底位置
影响小
影响大
影响大
MOCVD生长系统
因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多 组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上 ，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统 要紧凑等。不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。 基 本组成一般由 源供给系统 、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制 系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及监控系统。
MBE技术
分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，简称MBE)是60年代末70年代初 由贝尔实验室的Arthur和卓以和等人发展起来的一种用途广泛的薄膜 制备技术，可用来外延生长半导体、金属与绝缘体的极薄单层和多层 单晶薄膜。MBE技术是在以往的真空蒸发技术上发展起来的新技术， 是在超高真空条件下，构成晶体的各个组分的原子（分子）以一定的 热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底表面上进行的晶体外延生 长。它能够精密地控制束流和沉积条件。用MBE外延生长时，外延层 的组份和掺杂水平取决于组分元素和掺杂剂的相对到达速率，而这些 参数又依赖于相应源的蒸发速率。MBE生长速率比较慢，通常为 1µm/h，或1 Monolayer/s；生长温度低。
外延技术
分子束外延：在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产 生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度 的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体 排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。
化学束外延：化学束外延(CBE)是美国贝尔实验室曾焕添(W T Sang)博士 将分子束外延(MBE)和金属有机化学气相淀积(MOCVD)的主要优点相结 合，在l984年首先提出的一种新的外延技术． 该技术采用了类似于 MOCVD 的能对源气体进行精密电子质量流速控制的多路气态源系统， 以及与MBE类似的高真空生长室，使进入生长室薄膜诸组分元素的气态 源以分子束的形式直接喷射到村底表面从而在其上面形成外延层。 由于 采用气态化合物作为源材料，所以称这种技术为化学束外延。
弱点
规模经济性差可控性差
无Al合金,Sb合金困难,界面 粗糙度>20Å
无Al合金,Sb合金困难,加工 过程/反应室复杂,控制困难
源危险
As/P合金困难,Sb合金困难 ,N材料困难,产率低,昂贵(资
金)
反应物昂贵,需精确控制的 参数最多,源危险
反应物昂贵,需精确控制的 参数最多,源危险
外延技术概述
技术 LPE ClVPE HVPE
MBE
CBE MOVPE/ MOCVD
优势
简单纯度高 简单纯度高
技术成熟 ，大规模
过程简单,均匀性好,界面陡峭, 可在位监测
均匀性好,界面陡峭,可直接控 制流量,可在位监测,选择生长 灵活性最佳,界面陡峭,纯度高, 反应室简单,反应充分,均匀性 好,尺寸大,生长速率快,可选择
MBE原位检测技术
MBE设备
MOCVD设备与氮化物材料生长基础
薄膜生长简介 MOCVD原理
MOCVD生长的关键过程 MOCVD生长系统 MOCVD生长的步骤
衬底材料的选择 氮化物材料生长
MOCVD基本原理
金属有机化学气相沉淀是20世纪60年代末发展起来的利用金属有 机化合物进行金属输运的一种化合物半导体气相外延新技术。 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢 化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气 相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多 元固溶体的薄层单晶材料。
动力学
质量输运驱动力：通常的生长条件，受扩散过程（质量输运 ）限制，生长速率几乎与生长温度无关。高质量外延层一般 要在扩散控制的区域内进行生长。
质量输运：
流体力学是整个MOCVD过程的最基础的部分； 流体力学问题包括三维的质量（源）、动量、及能量在适当边界条件
下的联立；
质量輸运影响反应物生长速率的最广泛应用的模型是边界层模型：在 外延界面上方存在一个真实的滞留层，穿过此层质量輸运仅仅通过扩 散；
杂剂两者的扩散系数； 限制着合金的两个（或多个）组分的互溶度；
合金无序和自然超晶格；
静态与外延生长时的表面重构。
通 常，在MOCVD系统中，生长速率与热力学计算值相比慢得多。这是因
为生长速率还受到表面反应速率和气相质量输运的限制。表面过程和质量
输运的速度远远不能满足热力学平衡建立所需要的时间。
MOCVD基本原理
MOCVD是制备化合物半导体薄膜 单晶的一项新技术，该技术是将Ⅱ 或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族 元素的氢化物相混合后通入反应腔
，混合气体流经加热的衬底表面时
，在衬底表面发生热分解反应，并 外延生长成化合物单晶薄膜。
TMG a
NH
Boundary
3
Layer
Diffusion
Adduct formation TMGa-NH3
MOCVD技术由于能在纳米尺度上精确控制外延层的厚度、组分 、掺杂及异质结构界面，所以其与分子束外延技术（MBE）一起 成为制备化合物半导体异质结、低维结构材料的重要方法。
MOCVD技术是一种动态非平衡生长技术，外延生长是高度受控 的相转变。因此，热力学完全决定着所有生长过程的驱动力，进 而确定最大生长速率。此外，在许多生长条件下对于外延热力学 的了解，可以确定合金的组分以及固体的化学配比。
高灵活性
同一系统可生长多种不同材料体系
陡峭界面适宜生长异质结
MQW，SLs
MOCVD生长的关键过程
化学反应
单相反应─气相中形成内核
源的高温分解及其加合物 复杂的激活反应
多相反应─衬底表面
台阶,结,及其引起的“缺陷”的性质和密度 源及其中间态的吸附和解吸作用 高温分解,包括复杂的激活反应 产品的吸附作用
晶体极性的不同常常会引起反向畴缺陷 衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，会产生位错的延伸，增殖，
有的也会减少，从而引起杂质的重新分布 外延过程中，可以进行故意掺杂，形成不同类型的p-n结构 可以形成不同的组分结构，如量子阱，超晶格，异质结等
外延技术的种类
金属有机化学气相外延
MOCVD：Metalorganic Chemical Vapor Deposition; MOVPE：MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy; OMVPE：OrganoMetallic Vapor Phase Epitaxy
不同厂商的MOCVD系统间最大差异在于反应室设计和温度控制。
MOCVD通常的性能指标
硬件性能参数
衬底温 度
反应室 压力
衬底转速 范围
稳定性 均匀性 升温速率
范围
控制精度
系统气 密性
管路系统漏气率 反应室漏气率
0-2000转/分钟 100～1200℃
±1℃ ±3℃（在1000℃）
0.5 ℃-3℃/s 20-760Torr
分子束外延（MBE） 氢化物气相外延（HVPE） 液相外延（LPE） 化学束外延（CBE）
外延技术
液相外延：由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方 法。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的 主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。
气相外延：将含有组成外延层元素的气态化合物输运到衬底上，进行 化学反应而获得单晶的方法。氯化物气相外延（ClVPE），氢化物气 相外延（HVPE）和后来发展起来的金属有机化学气相外延（MOCVD ）都属于气相外延。
MOCVD系统简介
MOCVD是 LED产业链上 最关键的设备 。
VEECO
AIXTRON
国
外
THOMAS SWAN
垄
Nippon SANSO
断
EMF
NICHIA
MOCVD设备国内外技术对比
美国Veeco公司
MBE技术原理
MBE的基本原理如图所示。在超高真空（<10－10 Torr）系统中相应地 放置衬底和几个分子束源炉，将组成化合物的各种元素和掺杂剂元素 分别放入不同的源炉内，加热使它们的分子（或原子）以一定的热运 动速度和一定的束流强度比例喷射到加热的衬底表面上，与表面相互 作用并进行单晶薄膜的外延生长。其生长过程主要是由一种或多种热 的原子束或分子束在晶体表面的反应动力学过程来控制。各源炉前的 挡板用来改变外延膜的组分和掺杂。根据设定的程序开关挡板、改变 源温和控制生长时间，则可生长出不同厚度的化合物或不同组分比例 的三元、四元固溶体及其异质结构，制备各种超微结构材料。
Desorption
Diffusion
Pyrolysis
Adsorption
Surface reaction
Substrate
NH3
H
N
Ga(CH3)3
CH3
Ga
MOCVD的优势
高质量外延层
高生长速率 掺杂均一 重复性好
高量产，不需要超高真空（对比MBE）
成本优势 降低生长周期
同质和异质外延
同质外延：衬底和外延层属于同一种材料，如硅上外延生长硅。 异质外延：衬底材料和外延层是不同种材料，则称为异质外延。
异质外延中的主要问题：
晶格失配：由于衬底与外延晶体晶格参数的差异引起的失配位错 热失配：由于衬底与外延材料热膨胀系数的差别在变温过程中产生热应力，
导致失配位错
2Torr（200～760Torr）
<1×10-9Pa·L/S <3×10-9Pa·L/S
自动控制功能： 配方运行 人机界面，全自 动控制 数据实时监测与 记录
MOCVD系统简介
国外主要厂家MOCVD设备
美国 VEECO
德国 AIXTRO
N
英国 THOMA
S SWAN
日本 Nippon Sanso
热力学
热力学驱动力：在较低温度下生长时，生长速率受表面反应 限制（∆ms），生长速率随温度成指数变化。
热力学的作用：
外延生长是高度受控的相转变，因此热力学完全决定着所有生长过程 的驱动力；
确定合金的组分以及固体的化学配比； 控制着本征缺陷，如空穴、空位和反位缺陷的浓度，决定着基质和掺
MOCVD设备与氮化物材料生长基础
薄膜生长简介 MOCVD原理 衬底材料的选择 氮化物材料生长
MOCVD设备与氮化物材料生长基础
薄膜生长简介
基本概念 同质和异质外延 外延技术种类 外延技术概述
MOCVD原理 衬底材料的选择 氮化物材料生长
基本概念
外延生长早在1928年就已经出现，但在半导体领域得到应用则是1960年。 英文中外延一词Epitaxy是由希腊文“ep”“taxio”延伸而来的，意思是“在 ………之上排列”。它指的是在一定条件下使某种物质的原子(或分子)有 规则排列，定向生长在经过仔细加工的晶体(一般称为衬底)表面上。它是 一种连续、平滑并与衬底晶格结构有对应关系的单晶层，这个单晶层称为 外延层；把生长外延层的过程叫做外延生长。早期的外延生长通常选用单 晶材料做衬底，而外延层是原来衬底晶面平行向外延伸的结果，故取名为 外延。
MBE设备示意图
MBE原位检测技术
由于生长室具备了超高真空条件，因而可以配置多种原位分析仪器。 目前我们配备了MBE常用的几种原位分析仪器：反射式高能电子衍射 仪（RHEED）和红外测温计，可以实时监测衬底的表面温度。
反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction简 称 RHEED)是最重要的原位分析仪器，可在原位观察样品表面的清洁 度，平整度，表面结构和确定合适的生长条件。RHEED由高能电子枪 和荧光屏组成。从电子枪射出来的高能电子束以小角度掠射到样品表 面，经衍射打在荧光屏上形成衍射图形。由于电子沿样品法向的动量 分量很小，受库仑场的散射，电子束的透入深度仅1～2个原子层，因 此RHEED所反映的完全是样品表面的结构信息。
影响生长速率的主要因素
实验参数 质量輸运控制 扩散控制 动力学控制
生长温度 总气流量
V Tm
m-1
增加
V Tm
M=3/2- 2
增加
V em-E/RT 无关
气体流速
无关百度文库
增加
无关
衬底晶向
影响小
影响小
影响大
衬底表面积
无关
有关
有关
衬底位置
影响小
影响大
影响大
MOCVD生长系统
因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多 组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上 ，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统 要紧凑等。不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。 基 本组成一般由 源供给系统 、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制 系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及监控系统。
MBE技术
分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，简称MBE)是60年代末70年代初 由贝尔实验室的Arthur和卓以和等人发展起来的一种用途广泛的薄膜 制备技术，可用来外延生长半导体、金属与绝缘体的极薄单层和多层 单晶薄膜。MBE技术是在以往的真空蒸发技术上发展起来的新技术， 是在超高真空条件下，构成晶体的各个组分的原子（分子）以一定的 热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底表面上进行的晶体外延生 长。它能够精密地控制束流和沉积条件。用MBE外延生长时，外延层 的组份和掺杂水平取决于组分元素和掺杂剂的相对到达速率，而这些 参数又依赖于相应源的蒸发速率。MBE生长速率比较慢，通常为 1µm/h，或1 Monolayer/s；生长温度低。
外延技术
分子束外延：在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产 生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度 的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体 排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。
化学束外延：化学束外延(CBE)是美国贝尔实验室曾焕添(W T Sang)博士 将分子束外延(MBE)和金属有机化学气相淀积(MOCVD)的主要优点相结 合，在l984年首先提出的一种新的外延技术． 该技术采用了类似于 MOCVD 的能对源气体进行精密电子质量流速控制的多路气态源系统， 以及与MBE类似的高真空生长室，使进入生长室薄膜诸组分元素的气态 源以分子束的形式直接喷射到村底表面从而在其上面形成外延层。 由于 采用气态化合物作为源材料，所以称这种技术为化学束外延。