电力电子试题及答案

电力电子试题及答案 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】

考试试卷(3)卷

一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）

1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：

电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的触发功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要

与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。

5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为180°导

电型

6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会减少；

7、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速快关、控制快速移相使

输出的电压降低。

二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）

1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（A）度。

A、180°

B、60°

C、360°

D、120°

2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界

状态。

A、0度

B、60度

C、30度

D、120度，

3、晶闸管触发电路中，若改变（B）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目

的。

A、同步电压

B、控制电压

C、脉冲变压器变比

D、以上都不能

4、可实现有源逆变的电路为（）。

A、三相半波可控整流电路

B、三相半控桥整流桥电路

C、单相全控桥接续流二极管电路

D、单相半控桥整流电路

5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（）。

A、30o-35o

B、10o-15o

C、0o-10o

D、0o。

6、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）

A、90°

B、120°

C、150°

D、180°

7、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）

A 、增大三角波幅度

B 、增大三角波频率

C 、增大正弦调制波频率

D 、增大正弦调制波幅度

8、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（）

A 、减小输出幅值

B 、增大输出幅值

C 、减小输出谐波

D 、减小输出功率

9、为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）

A 、dt du 抑制电路

B 、抗饱和电路

C 、dt di

抑制电路D 、吸收电路

10、一般认为交交变频输出的上限频率（）

A 、与电网有相同的频率

B 、高于电网频率

C 、可达电网频率的80%

D 、约为电网频率的1/2~1/3

三、判断题（正确打√，错误打×）：（本题共10小题，每小题1分，共10分）

1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（）

2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作

在整流状态，另一组工作在逆变状态。（） 3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（） 4、逆变角太大会造成逆变失败。（）

5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（）

6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（）

7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（） 8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（）

9、三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz 。（） 10、变频调速是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变转速的目的。（） 四、简答题（本题共3小题，共32分）

3、软开关电路可以分为哪几类各有什么特点（10分）

4、

五、作图题（本题共1小题，共16分）

1、在三相半波整流电路中，如果U 相的触发脉冲消失，试绘出在电阻负载下整流电压u d 的波形和V 相上晶闸管VT2上的管压降波形。设触发角分别为15o 和60o 。 （1）触发角为15o 时

（2）触发角为60o 时

六、计算题（本题共1小题，共12分）

1、单相桥式全控整流电路，U 2＝100V ，负载中R=20Ω，L 值极大，反电动势E ＝60V 。当α＝30°时，要求：

（1）作出u d 、i d 和i 2的波形；（3分）

（2）求整流输出平均电压U d 、电流I d ，变压器二次电流有效值I 2；（4分） （3）考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。（5分）

试卷参考答案及评分标准(3卷)

U

U V

U

U

一、填空题（本题共7小题，每空1分，共20分）

1、空1GTR；空2GTO；空3MOSFET；空4IGBT；空5MOSFET；空6GTR。

2、空1要有足够的驱动功率；空2触发脉冲前沿要陡幅值要高；

空3触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、空1均流；空2串专用均流电抗器。

4、空1正弦波；空2方波。

5、空1180。

6、空1增加；空2下降。

7、空1快速熔断器；空2串进线电抗器；空3接入直流快速开关；

空4控制快速移相使输出电压下降。

二、选择题（本题共10小题，每小题1分，共10分）

1、（A）

2、（C）

3、（B）

4、（A）

5、（A）

6、（D）

7、（C）

8、（C）

9、（B）10、（D）

三、判断题（本题共10小题，每小题1分，共10分）

1、（√）

2、（×）

3、（×）

4、（×）

5、（√）

6、（×）

7、（×）

8、（×）

9、（×）10、（√）

四、简答题（本题共3小题，共32分）

1、（12分）

答：对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：（每格分）