VASP自旋轨道耦合计算错误汇总

VASP自旋轨道耦合计算错误汇总静态计算时，报错：VERY BAD NEWS!Internal内部error in subroutine子程序IBZKPT:Reciprocal倒数的lattice and k-lattice belong to different class of lattices.Often results are still useful (48)INCAR参数设置：对策：根据所用集群，修改INCAR中NPAR。

将NPAR=4变成NPAR=1，已解决！错误：sub space matrix类错误报错：静态和能带计算中出现警告：WARNING:Sub-Space-Matrix is not hermitian共轭in DAV结构优化出现错误：WARNING:Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV4-4.681828688433112E-002对策：通过将默认AMIX=0.4，修改成AMIX=0.2（或0.3），问题得以解决。

以下是类似的错误：WARNING:Sub-Space-Matrix is not hermitian in rmm-3.00000000000000RMM:22-0.167633596124E+02-0.57393E+00-0.44312E-0113260.221E+00BRMIX:very serious problems the old and the new charge density differ old charge density:28.00003new28.060930.111E+00错误：WARNING:Sub-Space-Matrix is not hermitian in rmm-42.5000000000000ERROR FEXCP:supplied Exchange-correletion table is too small,maximal index:4794错误：结构优化Bi2Te3时，log文件：WARNING in EDDIAG:sub space matrix is not hermitian1-0.199E+01RMM:2000.179366581305E+01-0.10588E-01-0.14220E+007180.261E-01BRMIX:very serious problems the old and the new charge density differ old charge density:56.00230new124.70394 66F=0.17936658E+01E0=0.18295246E+01d E=0.557217E-02curvature:0.00expect dE=0.000E+00dE for cont linesearch0.000E+00ZBRENT:fatal error in bracketingplease rerun with smaller EDIFF,or copy CONTCAR to POSCAR and continue但是，将CONTCAR拷贝成POSCAR，接着算静态没有报错，这样算出来的结果有问题吗？对策1：用这个CONTCAR拷贝成POSCAR重新做一次结构优化，看是否达到优化精度！对策2：用这个CONTCAR拷贝成POSCAR，并且修改EDIFF（目前参数EDIFF=1E-6）,默认为10-4错误：WARNING:Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV1-7.626640664998020E-003网上参考解决方案：对策1：减小POTIM:IBRION=0，标准分子动力学模拟。

报错解决

设置：初始值收敛值结果AMIX =0.0100；BMIX =0.0001 AMIX = 0.01; BMIX = 0.00 计算无误AMIX = 0.1000；BMIX = 0.0010 AMIX = 0.10; BMIX = 0.00 计算无误AMIX =0.20; BMIX = 0.01 AMIX =0.20; BMIX = 0.01 计算无误AMIX=0.2、BMIX=0.001 AMIX=0.2、BMIX=0.001 计算无误AMIX=0.3、BMIX=0.1 AMIX=0.3、BMIX=0.1 计算无误AMIX=0.4 AMIX = 0.40; BMIX = 1.00 静态log: WARNING in EDDRMM: call toZHEGV failed, returncode = 6 3 **,能带一样AMIX=0.02 AMIX = 0.02; BMIX = 1.00 计算无误AMIX=0.1 AMIX = 0.10; BMIX = 1.00 静态log: WARNING in EDDRMM: call toZHEGV failed, returncode = 6 3 **,能带一样AMIX=0.3 AMIX = 0.30; BMIX = 1.00 静态log: WARNING in EDDRMM: call toZHEGV failed, returncode = 6 3 **,能带一样BMIX=0.0001 AMIX = 0.40; BMIX = 0.00 计算无误以上参数设置，得到的能带图都一样，如下图:综上：设置AMIX=0.2（或0.3）,BMIX默认（省事，等于1.0），可以保证计算过程无误。

还需进一步调整其他参数，算出正确的能带。

警告：算1QL弛豫、静态、能带时，都有这个提示：ADVICE TO THIS USER RUNNING 'V ASP/V AMP' (HEAR YOUR MASTER'S VOICE ...): You have a (more or less)'small supercell' and for smaller cells it is recommended to use the reciprocal-space projection scheme! The real space optimization is not efficient for small cells and it is also less accurate ... Therefore set LREAL=.FALSE. in the INCAR file对策：对于较小的晶胞（原子数小于20），设置LREAL=.FALSE.，计算结果比较精确。

VASP自旋轨道耦合计算错误汇总

VASP自旋轨道耦合计算错误汇总自旋轨道耦合是描述电子自旋和轨道运动之间相互作用的物理概念。

在VASP计算中，自旋轨道耦合是通过GGA+U方法处理的，但在实际计算中可能会出现一些错误。

下面是一些可能导致VASP自旋轨道耦合计算错误的原因及解决方案的汇总。

1.参数设置错误：在VASP计算中，轨道耦合的计算需要将INCAR文件中的参数设置正确。

首先，需要将ISPIN参数设置为2，以便考虑自旋极化。

其次，需要通过LDAU参数将自旋-轨道耦合效应的影响引入计算中。

在计算过程中，可以尝试不同的U值，并观察计算结果的变化。

2.缺乏足够的k点网格：自旋轨道耦合计算需要在倒空间中计算，因此需要足够高的k点网格密度。

如果k点网格密度过低，可能会导致计算结果不准确。

解决方法是增加k点网格密度，可以通过增加KPOINTS文件中的MP或MONKHORST参数来实现。

3.收敛条件设定不合理：VASP计算中，自旋轨道耦合的计算需要满足一定的收敛条件。

如果计算结果不收敛，则可能需要调整计算过程中的一些参数。

可以尝试增加ENCUT参数来提高计算精度，减小EDIFF参数来提高计算收敛性。

同时，还可以尝试改变电荷密度和波函数的混合策略，选择更合适的算法来解决计算问题。

4.初始结构选择不合理：不合理的初始结构选择可能导致计算结果不准确。

建议根据实验已知的结构或先前的计算结果来选择初始结构，并合理设置INCAR文件中的ISIF参数来优化结构。

5.系统对称性的处理错误：自旋轨道耦合计算过程中，VASP通常假设系统具有一定的对称性，因此在计算中会利用结构的对称性进行优化。

如果对称性处理错误，可能会导致计算结果的不准确。

建议在计算前进行空间群和点群对称性的分析，并在INCAR文件中正确设置ISYM参数来处理对称性。

总之，VASP自旋轨道耦合计算错误的原因有很多，可能是参数设置错误、收敛条件设定不合理、初始结构选择不合理、系统对称性处理错误等。

Vasp出错信息及解决方法

Vasp出错信息及解决方法使用vasp的过程中难免会出现一些警告、报错信息，现在将这样的信息和一些解决办法列出来。

欢迎大家一起讨论，把解决问题的办法记录下来，让我们在一起解决问题中前行。

欢迎补充~讨论~1.warning:the distance between some ions is very small一种可能的错误是因为：在poscat中的坐标类型（Direct 或者 car）没有顶格写（也就是说开头空格），如果你是笛卡尔坐标的话，它会识别为ｄｉｒｅｃｔ坐标，从而出现这样的警告。

2.WARNING: CHECK: NIOND is too smalldyna.F中的NIOND 默认值是 256，如果体系中的原子数大于256时将出现这个警告信息。

所以解决办法就是：将 NIOND 的值改成一个大于你计算体系的原子数，然后重新编译一下。

3.ERROR: there must be 1 or 3 items on line 2 of POSCARFORTRAN STOP造成这个错误的原因是上传POSCAR文件的时候是windows的格式，传到unix 系统下造成回车符不对。

最简单的解决方法为：试着在unix下直接写一个。

或者dos2unix filename4.VASP计算出现Segmentation Fault而终止运算在makefile中 FFLAGS 后面添加-heap-arrays，例如：FFLAGS = -FR -lowercase -assume byterecl -heap-arrays5.WARNING: aliasing errors must be expected set NGX to 154 to avoid them WARNING: aliasing errors must be expected set NGY to 158 to avoid them WARNING: aliasing errors must be expected set NGZ to 126 to avoid themaliasing errors are usually negligible using standard VASP settingsand one can safely disregard these warnings当设置PREC=LOW,NORMAL时会出现这样的警告信息，当PREC=high和accurate时就没有了，或者直接将NGX,NGY,NGZ设置成警告信息中给出的数值即可。

VASP磁性计算总结篇

在线说明书整理出来的非线性磁矩和自旋轨道耦以下是从VASP合的计算说明。

非线性磁矩计算：和CHGCAR文件。

1）计算非磁性基态产生WAVECAR）然后INCAR中加上2ISPIN=2文件和CHGCAR11 ！读取WAVECAR ICHARG=1 或LNONCOLLINEAR=.TRUE. MAGMOM=注意：①对于非线性磁矩计算，要在x, y 和 z方向分别加上磁矩，如MAGMOM = 1 0 0 0 1 0 ！表示第一个原子在x方向，第二个原子的y方向有磁矩②在任何时候，指定MAGMOM值的前提是ICHARG=2（没有WAVECAR和CHGCAR文件）或者ICHARG=1 或11（有WAVECAR和CHGCAR文件），但是前一步的计算是非磁性的（ISPIN=1）。

磁各向异性能（自旋轨道耦合）计算：注意： LSORBIT=.TRUE. 会自动打开LNONCOLLINEAR= .TRUE.选项，且自旋轨道计算只适用于PAW赝势，不适于超软赝势。

．自旋轨道耦合效应就意味着能量对磁矩的方向存在依赖，即存在磁各向异性能（MAE），所以要定义初始磁矩的方向。

如下：LSORBIT = .TRUE.SAXIS = s_x s_y s_z (quantisation axis for spin)默认值： SAXIS=(0+,0,1)，即x方向有正的无限小的磁矩，Z方向有磁矩。

要使初始的磁矩方向平行于选定方向，有以下两种方法：MAGMOM = x y z ! local magnetic moment in x,y,zSAXIS = 0 0 1 ! quantisation axis parallel to zorMAGMOM = 0 0 total_magnetic_moment ! local magnetic moment parallel to SAXIS （注意每个原子分别指定）SAXIS = x y z ! quantisation axis parallel to vector (x,y,z)，如 0 0 1两种方法原则上应该是等价的，但是实际上第二种方法更精确。

自旋轨道耦合计算探索过程分析

自旋轨道耦合计算过程探索1.经验总结1）对于Bi2Se3家族材料，QL内是强的共价结合作用，QL之间是范德瓦尔斯作用力。

所以，在优化结构的时候，需要考虑范德瓦尔斯相互作用。

一般，对于一种没有算过的新材料，可以尝试以上五种方法，哪一种最合理就用哪个。

Bi2Se3家族材料，经测试最合适的是optPBE-vdW方法。

3）测试发现，对于1QL和块体，范德瓦尔斯作用的影响不是很影响；对于多个QL厚度的薄膜，QL之间范德瓦尔斯作用的影响比较明显。

5）算soc加入LSORBIT=.TRUE.和LORBMOM=.TRUE.，比LSORBIT=.TRUE.和GGA_COMPAT = .FALSE.得到的结果更合理。

6）薄膜优化的时候，可以用ISIF=2。

7）计算静态的时候输出CHARG，能带的时候ISTART可以等于0，ICHARG等于11。

7）薄膜的结构需要中心对称，切得时候需要注意。

8）计算vdW，需要vasp5.2.12以上的版本，并且将vdw_kernel.bindat文件放到计算的文件夹中。

9）vdW相互作用对结构的影响比较大，对后面的静态计算和能带计算电子态的影响比较小。

10）取合适的K点，可以得到较为合理的结构，对后面电子态的计算影响也不是很大。

2. 结构优化赝势：PAW_GGA_PBE E cut=340 eV Kpoints=10×10×10ISMER取-5，计算能带时，取0，对应SIGMA=0.05在MS中可以在build-Symmetry -中把Bi2Se3 rhombohedral representation（菱形表示）和hexagonal representation（六角表示）相互转换图中黑色t 1、t 2、t 3基矢围成菱形原胞，用于计算块体，红色方框包含一个五元层计算能带的布里渊区高对称点：块体:文献中倒空间高对称点坐标Г(0 0 0)-Z(π π π)-F(π π 0)-Г(0 0 0)-L(π 0 0)，根据正空间和倒空间坐标的转换关系，得到正空间中高对称点的坐标： Г(0 0 0)-Z(0.5 0.5 0.5)-F(0.5 0.5 0)-Г(0 0 0)-L(0 0 -0.5) KPOINTS 20 Line-mode Rec0.0 0.0 0.0 !Г 0.5 0.5 0.5 ! Z 0.5 0.5 0.5 ! Z 0.5 0.5 0.0 ! F 0.5 0.5 0.0 ! F 0.0 0.0 0.0 !Г 0.0 0.0 0.0 !Г 0.0 0.0 -0.5 ! L[通过比较结构，发现Ecut=580，KPOINTS=151515，得到的结构比较靠谱]3. 块体soc 的计算文献能带结构图：块体（Bi 2Se 3-VASP-GGA-PAW-PBE ）我们的结果（未考虑vdW+静态和能带都加soc计算结果与文献基本符合）：4.薄膜的计算薄膜：Kpoints=10×10×1计算能带的K点和石墨烯（六角晶胞的）的K点一样:KPOINTS20Lone-modeRec0.66666667 0.33333333 0.0 !K0.0 0.0 0.0 !Г0.0 0.0 0.0 !Г0.5 0.0 0.0 !M考虑薄膜的对称性由MS六角结构，沿（001）方向切割，可以得到两种以Se原子作为表面原子的薄膜，如下图，分别为1QL和3QL的两种切法，右图比左图对称性要更好一些，这一区别在计算过程中会导致巨大的区别，我们通过比较，发现，只有右图的结果，才可以得到合理的结果，尤其是在多个QL的情况。

VASP自旋轨道耦合计算

VASP 自旋轨道耦合计算已有4532 次阅读2011-9-13 20:37|个人分类:VASP|系统分类:科研笔记将VASP 的makefile 文件中的 CPP 选项中的 -DNGXhalf, -DNGZhalf, -DwNGXhalf, -DwNGZhalf 这4个选项去掉重新编译VASP才能计算自旋轨道耦合效应。

以下是从VASP在线说明书整理出来的非线性磁矩和自旋轨道耦合的计算说明。

非线性磁矩计算：1）计算非磁性基态产生WAVECAR和CHGCAR文件。

2）然后INCAR中加上ISPIN=2ICHARG=1 或 11 ！读取WAVECAR和CHGCAR文件LNONCOLLINEAR=.TRUE.MAGMOM=注意：①对于非线性磁矩计算，要在x, y 和 z方向分别加上磁矩，如MAGMOM = 1 0 0 0 1 0 ！表示第一个原子在x方向，第二个原子的y方向有磁矩②在任何时候，指定MAGMOM值的前提是ICHARG=2（没有WAVECAR和CHGCAR文件）或者ICHARG=1 或11（有WAVECAR和CHGCAR文件），但是前一步的计算是非磁性的（ISPIN=1）。

磁各向异性能（自旋轨道耦合）计算：注意： LSORBIT=.TRUE. 会自动打开LNONCOLLINEAR= .TRUE.选项，且自旋轨道计算只适用于PAW赝势，不适于超软赝势。

自旋轨道耦合效应就意味着能量对磁矩的方向存在依赖，即存在磁各向异性能（MAE），所以要定义初始磁矩的方向。

如下：LSORBIT = .TRUE.SAXIS = s_x s_y s_z (quantisation axis for spin)默认值： SAXIS=(0+,0,1)，即x方向有正的无限小的磁矩，Z方向有磁矩。

要使初始的磁矩方向平行于选定方向，有以下两种方法：MAGMOM = x y z ! local magnetic moment in x,y,zSAXIS = 0 0 1 ! quantisation axis parallel to zorMAGMOM = 0 0 total_magnetic_moment ! local magnetic moment parallel to SAXIS （注意每个原子分别指定）SAXIS = x y z !quantisation axis parallel to vector (x,y,z)，如 0 0 1两种方法原则上应该是等价的，但是实际上第二种方法更精确。

vasp计算报错解决

报错Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed. Returncode = 7 1 8Serial version problems:Problem 1 : Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed.Problem 2 : lib-4201 : UNRECOVERABLE library errorProblem 3 : WARNING in EDDRMM: call to ZHEGV failed, returncode = 6 3 9Parallel version problems:Will be added at some later dateProblem 1)The test calculation for copper system (benchmark.tar.gz, download from the VASP ftp-server) stops with an error message:"Error EDDDAV: Call to ZHEGV failed. Returncode = 9 1 8".The actual numbers change at the end of the error, but the message means that a LAPACK library call failed.Solution:The subroutine davidson.F must be handled with lower optimization settingAdd the following lines to the end of the VASP Makefile:davidson.o : davidson.F$(CPP)$(FC) $(FFLAGS) -O1 -c $*$(SUFFIX)(You remembered to use the TAB key instead of spaces with the second and the third line, right?)Problem 2)After lowering the davidson subroutine optimization level the calculation ends with another error:"lib-4201 : UNRECOVERABLE library error: Unable to find error message (check NLSPATH, file lib.cat)Encountered during a direct access unformatted READ from unit 21. Fortran unit 21 is connected to a direct unformatted unblocked file: "TMPCAR"/opt/gridengine/default/spool//compute-0-4/job_scripts/10170: line 31: 16997 Aborted (core dumped) ./vasp_path_serial >vasp_path_serial.out" Solution:Change/add the IWAVPR=10 line to your INCAR file. This is from the VASP manual, FAQ section, page 149"Question: I am running VASP on a SGI Origin, and the simple benchmark (benchmark.tar.gz) fails with lib-4201 : UNRECOVERABLE library error READ operation tried to read past theend-of-record.Encountered during a direct access unformatted READ from unit 21 Fortran unit 21 is connected to a direct unformatted unblocked file: "TMPCAR" IOT TrapAbort (core dumped)Answer: VASP extrapolates the wave functions between molecular dynamics time steps. To store the wave functions of the previous time steps either a temporary scratch file (TMPCAR) is used (IWAVPR=1-9) or large work arrays are allocated (IWAVPR=11-19).On the SGI, the version that uses a temporary scratch file does not compile correctly, and hence the user has to set IWAVPR to 10."Problem 3)When running the Hg benchmark (bench.Hg.tar.gz), the OUTCAR file has numerous lines saying:"WARNING in EDDRMM: call to ZHEGV failed, returncode = 6 3 9" Solution:This issue is addressed in the VASP support forum(http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp-forum/forum_viewtopic.php?3.214) Short summary is given here. Possible reasons (this may, once again, be connected to failures calling LAPACK routines):1) The diagonalization algorithm is not stable for your system-> Change ALGO = Normal or ALGO = Fast in your INCAR file2) Your geometry is not reasonable. Maybe your initial structure or the algorithm handling ion relaxation is giving a bad structure-> Switch to a different ion relaxation scheme (IBRION line in your INCAR)-> Reduce the step size of the first step by reducing the POTIM value in your INCAR你的几何学不合理。

VASP正常运行时的错误

vasp运行中常见错误的解决(2010-02-03 02:15)有时，VASP在电子自洽计算的中间步骤中会出现如下的错误WARNING: DENTET: can't reach specified precisionNumber of Electrons is NELECT = 196.0137087990377 RMM: 7 -0.461353114525E+03 0.15540E+03 -0.29356E+0 2 6562 0.456E+01BRMIX: very serious problemsthe old and the new charge density differold charge density: 195.99999 new 196.013700.758E+01RMM: 8 -0.228026134405E+03 0.23333E+03 -0.10404E+0 2 4963 0.286E+01BRMIX: very serious problemsthe old and the new charge density differold charge density: 196.01370 new 195.999990.376E+01出现此警告(DENTET)的原因是因为无法通过tetrahedron方法得到足够精确的费米能级。

也就是将态密度积分到费米面的电子数和体系的价电子数目不一致。

可以尝试采用以下方法得以解决此问题：a)选择另一种布里渊区内的积分方法(改变ISMEAR)VASP计算中Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV的错误我在计算界面体系时候，其他计算条件不变，仅改变了一些k格点数，就一直提示如下的错误：DAV: 13 -0.242323773333E+03 0.98155E+02 -0.87140E+01 48832 0.949E+01BRMIX: very serious problemsthe old and the new charge density differold charge density: 252.00012 new 252.299790.809E+01DAV: 14 -0.392866843695E+03 -0.15054E+03 -0.76122E+01 50857 0.731E+01BRMIX: very serious problemsthe old and the new charge density differold charge density: 252.29979 new 252.482570.484E+01WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV 90.133520549894753WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV 17495.153990161108WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV 60.250235927490523WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV 91876.75162244581解决办法只需调整 AMIX, BMIX的值，把他们设置小一些。

Vasp出错信息及解决方法

Vasp出错信息及解决方法使用vasp的过程中难免会出现一些警告、报错信息，现在将这样的信息和一些解决办法列出来。

欢迎大家一起讨论，把解决问题的办法记录下来，让我们在一起解决问题中前行。

欢迎补充~讨论~1.warning:the distance between some ions is very small一种可能的错误是因为：在poscat中的坐标类型（Direct 或者 car）没有顶格写（也就是说开头空格），如果你是笛卡尔坐标的话，它会识别为ｄｉｒｅｃｔ坐标，从而出现这样的警告。

2.WARNING: CHECK: NIOND is too smalldyna.F中的NIOND 默认值是 256，如果体系中的原子数大于256时将出现这个警告信息。

所以解决办法就是：将 NIOND 的值改成一个大于你计算体系的原子数，然后重新编译一下。

3.ERROR: there must be 1 or 3 items on line 2 of POSCARFORTRAN STOP造成这个错误的原因是上传POSCAR文件的时候是windows的格式，传到unix 系统下造成回车符不对。

最简单的解决方法为：试着在unix下直接写一个。

或者dos2unix filename4.VASP计算出现Segmentation Fault而终止运算在makefile中 FFLAGS 后面添加-heap-arrays，例如：FFLAGS = -FR -lowercase -assume byterecl -heap-arrays5.WARNING: aliasing errors must be expected set NGX to 154 to avoid them WARNING: aliasing errors must be expected set NGY to 158 to avoid them WARNING: aliasing errors must be expected set NGZ to 126 to avoid themaliasing errors are usually negligible using standard VASP settingsand one can safely disregard these warnings当设置PREC=LOW,NORMAL时会出现这样的警告信息，当PREC=high和accurate时就没有了，或者直接将NGX,NGY,NGZ设置成警告信息中给出的数值即可。

Bi2Se3自旋轨道耦合计算

Bi 2Se 3自旋轨道耦合性质的计算一、模型和基本参数：图（a ）黑色t 1、t 2、t 3基矢围成Bi 2Se 3菱形原胞，用于计算块体，红色方框包含一个五元层，是构成薄膜的一个QL 。

计算能带的布里渊区高对称点：Г(0 0 0)-Z(π π π)-F(π π 0)-Г(0 0 0)-L(π 0 0)，根据正空间和倒空间坐标的转换关系，得到正空间中高对称点的坐标：Г(0 0 0)-Z(0.5 0.5 0.5)-F(0.5 0.5 0)-Г(0 0 0)-L(0 0 -0.5)空间群： 166号~ R-3M （MS ） )3(53m R D d（文献）结构分为：六角晶胞和菱形原胞（Rhombohedral ）两种形式六角晶胞(hexagon)：含三个五元层，15个原子菱形原胞（Rhombohedral ）：含5个原子晶格参数t=9.841, α=24.275 原子坐标：弛豫值实验值Bi(2c) (0.400,0.400,0.400) Bi(2c) (0.398, 0.398, 0.398) Se(1a) (0,0,0) Se(1a) (0,0,0)Se(2c) (0.210, 0.210, 0.210) Se(2c) (0.216, 0.216, 0.216)赝势：PAW_GGA_PBE E cut =340 eV 块体：Kpoints=11×11×11 薄膜：Kpoints=11×11×1块体结构优化时，发现Ecut=580，KPOINTS=151515，得到的结构比较合理计算薄膜真空层统一： 15 ÅISMER取-5（或取0，对应SIGMA=0.05）二、计算过程描述：1）范德瓦尔斯作用力的影响。

手册中一共有5种方法：Correlation functionals：LUSE VDW = .TRUE.the PBE correlation correction AGGAC = 0.0000Exchange交换functionalsvdW-DF vdW-DF2 方法一方法二方法三方法四方法五revPBE optPBE optB88 optB86b rPW86GGA = RE LUSE_VDW = .TRUE.AGGAC = 0.0000GGA = ORLUSE_VDW = .TRUE.AGGAC = 0.0000GGA = BOPARAM1 = 0.1833333333PARAM2 = 0.2200000000LUSE_VDW = .TRUE.AGGAC = 0.0000GGA = MKPARAM1 = 0.1234PARAM2 = 1.0000LUSE_VDW = .TRUE.AGGAC = 0.0000GGA = MLZab_vdW = -1.8867LUSE_VDW = .TRUE.AGGAC = 0.0000经测试，发现方法二optimized Perdew-Burke-Ernzerhof-vdW (optPBE-vdW)是最合适的。

VASP计算前的验证

V ASP计算前的验证一、检验赝势的好坏：检验赝势的好坏：（一）方法：对单个原子进行计算；（二）要求：1、对称性和自旋极化均采用默认值；2、ENCUT 要足够大；3、原胞的大小要足够大，一般设置为15 Ǻ足矣，对某些元素还可以取得更小一些。

（三）以计算单个Fe原子为例：1、INCAR 文件：SYSTEM = Fe atomENCUT = 450.00 eVNELMDL = 5 ! make five delays till charge mixing，详细意义见注释一ISMEAR = 0SIGMA=0.12、POSCAR 文件：atom15.001.00 0.00 0.000.00 1.00 0.000.00 0.00 1.001Direct0 0 03、KPOINTS 文件：AutomaticGamma1 1 10 0 04、POTCAR 文件：（略）注释一：关键词“NELMDL”:A）此关键词的用途：指定计算开始时电子非自洽迭代的步数（即NELMDL gives the number of non-selfconsistent steps at the beginning），目的是make calculations faster。

“非自洽”指的是保持charge density 不变，由于Charge density is used to set up the Hamiltonian, 所以“非自洽”也指保持初始的哈密顿量不变。

B）默认值（default value）:NELMDL = -5 (当ISTART=0, INIW A V=1, and IALGO=8 时)NELMDL = -12 (当ISTART=0, INIW A V=1, and IALGO=48 时)NELMDL = 0 (其他情况下)NELMDL might be positive or negative. A positive number means that a delay is applied after each ionic movement -- in general not a convenient option. （在每次核运动之后）A negative value results in a delay only for the start-configuration. （只在第一步核运动之前）C）关键词“NELMDL”为什么可以减少计算所需的时间？Charge density is used to set up the Hamiltonian, then the wavefunctions are optimized iteratively so that they get closer to the exact wavefunctions of this Hamiltonian. From the optimized wavefunctions a new charge density is calculated, which is then mixed with the old input-charge density. A brief flowchart is given below.（参自Manual P105 页）一般情况下，the initial guessed wavefunctions 是比较离谱的，在前NELMDL次非自洽迭代过程中保持charge density不变、保持初始的哈密顿量不变，只对wavefunctions进行优化，在得到一个与the exact wavefunctions of initial Hamiltonian较为接近的wavefunctions后，再开始同时优化charge density。

VASP遇到一些问题总结

VASP 计算过程中遇到的问题总结01、第一原理计算的一些心得（1）第一性原理其实是包括基于密度泛函的从头算和基于Hartree-Fock自洽计算的从头算，前者以电子密度作为基本变量（霍亨伯格-科洪定理），通过求解Kohn-Sham方程，迭代自洽得到体系的基态电子密度，然后求体系的基态性质；后者则通过自洽求解Hartree-Fock方程，获得体系的波函数，求基态性质；评述：K-S方程的计算水平达到了H-F水平，同时还考虑了电子间的交换关联作用。

（2）关于DFT中密度泛函的Functional，其实是交换关联泛函包括LDA，GGA，杂化泛函等等一般LDA为局域密度近似，在空间某点用均匀电子气密度作为交换关联泛函的唯一变量，多数为参数化的CA-PZ方案；GGA为广义梯度近似，不仅将电子密度作为交换关联泛函的变量，也考虑了密度的梯度为变量，包括PBE,PW,RPBE等方案，BL YP泛函也属于GGA；此外还有一些杂化泛函，B3L YP等。

（3）关于赝势在处理计算体系中原子的电子态时，有两种方法，一种是考虑所有电子，叫做全电子法，比如WIEN2K中的FLAPW方法(线性缀加平面波)；此外还有一种方法是只考虑价电子，而把芯电子和原子核构成离子实放在一起考虑，即赝势法，一般赝势法是选取一个截断半径，截断半径以内，波函数变化较平滑，和真实的不同，截断半径以外则和真实情况相同，而且赝势法得到的能量本征值和全电子法应该相同。

赝势包括模守恒和超软，模守恒较硬，一般需要较大的截断能，超软势则可以用较小的截断能即可。

另外，模守恒势的散射特性和全电子相同，因此一般红外，拉曼等光谱的计算需要用模守恒势。

赝势的测试标准应是赝势与全电子法计算结果的匹配度，而不是赝势与实验结果的匹配度，因为和实验结果的匹配可能是偶然的。

（4）关于收敛测试（a）Ecut，也就是截断能，一般情况下，总能相对于不同Ecut做计算，当Ecut增大时总能变化不明显了即可；然而，在需要考虑体系应力时，还需对应力进行收敛测试，而且应力相对于Ecut的收敛要比总能更为苛刻，也就是某个截断能下总能已经收敛了，但应力未必收敛。

Vasp出错信息及解决方法

Vasp出错信息及解决方法使用vasp的过程中难免会出现一些警告、报错信息，现在将这样的信息和一些解决办法列出来。

欢迎大家一起讨论，把解决问题的办法记录下来，让我们在一起解决问题中前行。

欢迎补充~讨论~1.warning:the distance between some ions is very small一种可能的错误是因为：在poscat中的坐标类型（Direct 或者 car）没有顶格写（也就是说开头空格），如果你是笛卡尔坐标的话，它会识别为ｄｉｒｅｃｔ坐标，从而出现这样的警告。

2.WARNING: CHECK: NIOND is too smalldyna.F中的NIOND 默认值是 256，如果体系中的原子数大于256时将出现这个警告信息。

所以解决办法就是：将 NIOND 的值改成一个大于你计算体系的原子数，然后重新编译一下。

3.ERROR: there must be 1 or 3 items on line 2 of POSCARFORTRAN STOP造成这个错误的原因是上传POSCAR文件的时候是windows的格式，传到unix 系统下造成回车符不对。

最简单的解决方法为：试着在unix下直接写一个。

或者dos2unix filename4.VASP计算出现Segmentation Fault而终止运算在makefile中 FFLAGS 后面添加-heap-arrays，例如：FFLAGS = -FR -lowercase -assume byterecl -heap-arrays5.WARNING: aliasing errors must be expected set NGX to 154 to avoid them WARNING: aliasing errors must be expected set NGY to 158 to avoid them WARNING: aliasing errors must be expected set NGZ to 126 to avoid themaliasing errors are usually negligible using standard VASP settingsand one can safely disregard these warnings当设置PREC=LOW,NORMAL时会出现这样的警告信息，当PREC=high和accurate时就没有了，或者直接将NGX,NGY,NGZ设置成警告信息中给出的数值即可。

自旋轨道耦合计算探索过程

自旋轨道耦合计算过程探索1.经验总结1）对于Bi2Se3家族材料，QL内是强的共价结合作用，QL之间是范德瓦尔斯作用力。

所以，在优化结构的时候，需要考虑范德瓦尔斯相互作用。

一般，对于一种没有算过的新材料，可以尝试以上五种方法，哪一种最合理就用哪个。

Bi2Se3家族材料，经测试最合适的是optPBE-vdW方法。

3）测试发现，对于1QL和块体，范德瓦尔斯作用的影响不是很影响；对于多个QL厚度的薄膜，QL之间范德瓦尔斯作用的影响比较明显。

4）文献上，很多人直接不优化结构，用实验上的参数，这样算，得到的结果也比较合理。

5）算soc加入LSORBIT=.TRUE.和LORBMOM=.TRUE.，比LSORBIT=.TRUE.和GGA_COMPAT = .FALSE.得到的结果更合理。

6）薄膜优化的时候，可以用ISIF=2。

7）计算静态的时候输出CHARG，能带的时候ISTART可以等于0，ICHARG等于11。

7）薄膜的结构需要中心对称，切得时候需要注意。

8）计算vdW，需要vasp5.2.12以上的版本，并且将vdw_kernel.bindat文件放到计算的文件夹中。

9）vdW相互作用对结构的影响比较大，对后面的静态计算和能带计算电子态的影响比较小。

10）取合适的K点，可以得到较为合理的结构，对后面电子态的计算影响也不是很大。

2. 结构优化赝势：PAW_GGA_PBE E cut=340 eV Kpoints=10×10×10ISMER取-5，计算能带时，取0，对应SIGMA=0.05在MS中可以在build-Symmetry -中把Bi2Se3 rhombohedral representation（菱形表示）和hexagonal representation（六角表示）相互转换图中黑色t1、t2、t3基矢围成菱形原胞，用于计算块体，红色方框包含一个五元层计算能带的布里渊区高对称点：块体:文献中倒空间高对称点坐标Г(0 0 0)-Z(π π π)-F(π π 0)-Г(0 0 0)-L(π 0 0)，根据正空间和倒空间坐标的转换关系，得到正空间中高对称点的坐标：Г(0 0 0)-Z(0.5 0.5 0.5)-F(0.5 0.5 0)-Г(0 0 0)-L(0 0 -0.5)KPOINTS20Line-modeRec0.0 0.0 0.0 !Г0.5 0.5 0.5 ! Z0.5 0.5 0.5 ! Z0.5 0.5 0.0 ! F0.5 0.5 0.0 ! F0.0 0.0 0.0 !Г0.0 0.0 0.0 !Г0.0 0.0 -0.5 ! L[通过比较结构，发现Ecut=580，KPOINTS=151515，得到的结构比较靠谱]3.块体soc的计算文献能带结构图：块体（Bi2Se3-VASP-GGA-PAW-PBE）Sb2Te3Bi2Te3Bi2Se3晶格参数六角a (Å) 4.250 4.383 4.138 六角c (Å) 30.35 30.487 28.64 菱形T(Å) 10.41 10.473 9.841原子位置μ (2Bi)0.400 0.400 0.399 v (2Se2) 0.211 0.212 0.206 0 (Se1) 0 0 0我们的结果（未考虑vdW+静态和能带都加soc计算结果与文献基本符合）：4.薄膜的计算薄膜：Kpoints=10×10×1计算能带的K点和石墨烯（六角晶胞的）的K点一样:KPOINTS20Lone-modeRec0.66666667 0.33333333 0.0 !K0.0 0.0 0.0 !Г0.0 0.0 0.0 !Г0.5 0.0 0.0 !M考虑薄膜的对称性由MS六角结构，沿（001）方向切割，可以得到两种以Se原子作为表面原子的薄膜，如下图，分别为1QL和3QL的两种切法，右图比左图对称性要更好一些，这一区别在计算过程中会导致巨大的区别，我们通过比较，发现，只有右图的结果，才可以得到合理的结果，尤其是在多个QL的情况。

vasp运行中常见错误的解决

vasp运⾏中常见错误的解决有时，VASP在电⼦⾃洽计算的中间步骤中会出现如下的错误WARNING: DENTET: can't reach specified precisionNumber of Electrons is NELECT = 196.0137087990377RMM: 7 -0.461353114525E+03 0.15540E+03 -0.29356E+02 6562 0.456E+01BRMIX: very serious problemsthe old and the new charge density differold charge density: 195.99999 new 196.013700.758E+01RMM: 8 -0.228026134405E+03 0.23333E+03 -0.10404E+02 4963 0.286E+01BRMIX: very serious problemsthe old and the new charge density differold charge density: 196.01370 new 195.999990.376E+01出现此警告(DENTET)的原因是因为⽆法通过tetrahedron⽅法得到⾜够精确的费⽶能级。

也就是将态密度积分到费⽶⾯的电⼦数和体系的价电⼦数⽬不⼀致。

可以尝试采⽤以下⽅法得以解决此问题：a)选择另⼀种布⾥渊区内的积分⽅法(改变ISMEAR)VASP计算中Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV的错误我在计算界⾯体系时候，其他计算条件不变，仅改变了⼀些k格点数，就⼀直提⽰如下的错误：DAV: 13 -0.242323773333E+03 0.98155E+02 -0.87140E+01 48832 0.949E+01BRMIX: very serious problemsthe old and the new charge density differold charge density: 252.00012 new 252.299790.809E+01DAV: 14 -0.392866843695E+03 -0.15054E+03 -0.76122E+01 50857 0.731E+01BRMIX: very serious problemsthe old and the new charge density differold charge density: 252.29979 new 252.482570.484E+01WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV 90.133520549894753WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV 17495.153990161108WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV 60.250235927490523WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV 91876.75162244581解决办法只需调整AMIX, BMIX的值，把他们设置⼩⼀些。

自旋轨道耦合计算探索过程

自旋轨道耦合计算过程探索1.经验总结1）对于Bi2Se3家族材料，QL内是强的共价结合作用，QL之间是范德瓦尔斯作用力。

所以，在优化结构的时候，需要考虑范德瓦尔斯相互作用。

一般，对于一种没有算过的新材料，可以尝试以上五种方法，哪一种最合理就用哪个。

Bi2Se3家族材料，经测试最合适的是optPBE-vdW方法。

3）测试发现，对于1QL和块体，范德瓦尔斯作用的影响不是很影响；对于多个QL厚度的薄膜，QL 之间范德瓦尔斯作用的影响比较明显。

4）文献上，很多人直接不优化结构，用实验上的参数，这样算，得到的结果也比较合理。

5）算soc加入LSORBIT=.TRUE.和LORBMOM=.TRUE.，比LSORBIT=.TRUE.和GGA_COMPAT = .FALSE.得到的结果更合理。

6）薄膜优化的时候，可以用ISIF=2。

7）计算静态的时候输出CHARG，能带的时候ISTART可以等于0，ICHARG等于11。

7）薄膜的结构需要中心对称，切得时候需要注意。

8）计算vdW，需要vasp5.2.12以上的版本，并且将vdw_kernel.bindat文件放到计算的文件夹中。

9）vdW相互作用对结构的影响比较大，对后面的静态计算和能带计算电子态的影响比较小。

10）取合适的K点，可以得到较为合理的结构，对后面电子态的计算影响也不是很大。

2. 结构优化赝势：PAW_GGA_PBE E cut=340 eV Kpoints=10×10×10ISMER取-5，计算能带时，取0，对应SIGMA=0.05在MS中可以在build-Symmetry -中把Bi2Se3 rhombohedral representation（菱形表示）和hexagonal representation（六角表示）相互转换图中黑色t 1、t 2、t 3基矢围成菱形原胞，用于计算块体，红色方框包含一个五元层计算能带的布里渊区高对称点：块体:文献中倒空间高对称点坐标Г(0 0 0)-Z(π π π)-F(π π 0)-Г(0 0 0)-L(π 0 0)，根据正空间和倒空间坐标的转换关系，得到正空间中高对称点的坐标： Г(0 0 0)-Z(0.5 0.5 0.5)-F(0.5 0.5 0)-Г(0 0 0)-L(0 0 -0.5) KPOINTS 20 Line-mode Rec0.0 0.0 0.0 !Г 0.5 0.5 0.5 ! Z 0.5 0.5 0.5 ! Z 0.5 0.5 0.0 ! F 0.5 0.5 0.0 ! F 0.0 0.0 0.0 !Г 0.0 0.0 0.0 !Г 0.0 0.0 -0.5 ! L[通过比较结构，发现Ecut=580，KPOINTS=151515，得到的结构比较靠谱]3. 块体soc 的计算文献能带结构图：块体（Bi 2Se 3-VASP-GGA-PAW-PBE ）我们的结果（未考虑vdW+静态和能带都加soc计算结果与文献基本符合）：4.薄膜的计算薄膜：Kpoints=10×10×1计算能带的K点和石墨烯（六角晶胞的）的K点一样:KPOINTS20Lone-modeRec0.66666667 0.33333333 0.0 !K0.0 0.0 0.0 !Г0.0 0.0 0.0 !Г0.5 0.0 0.0 !M考虑薄膜的对称性由MS六角结构，沿（001）方向切割，可以得到两种以Se原子作为表面原子的薄膜，如下图，分别为1QL和3QL的两种切法，右图比左图对称性要更好一些，这一区别在计算过程中会导致巨大的区别，我们通过比较，发现，只有右图的结果，才可以得到合理的结果，尤其是在多个QL的情况。

VASP磁性计算总结篇

VASP磁性计算总结篇以下是从vasp在线说明书整理出来的非线性磁矩和自旋轨道耦合的计算说明。

非线性磁矩计算：1）计算非磁性基态产生wavecar和chgcar文件。

2）然后incar中加上ispin=2icharg=1或11！读取wavecar和chgcar文件lnoncollinear=.true.妈妈=注意：①对于非线性磁矩计算，要在x,y和z方向分别加上磁矩，如magmom=100010！表示第一个原子在x方向，第二个原子的y方向有磁矩② 在任何时候，指定magmom值的前提是icharg=2（不含wavecar和chgcar文件）或icharg=1或11（含wavecar和chgcar文件），但上一步的计算是非磁性的（ispin=1）。

磁各向异性能（自旋轨道耦合）计算：注意：lsorbit=true。

将自动打开lnoncollinear=true。

选项，自旋轨道计算只适用于paw赝势，不适用于超软赝势。

自旋轨道耦合效应就意味着能量对磁矩的方向存在依赖，即存在磁各向异性能（mae），所以要定义初始磁矩的方向。

如下：lsorbit=。

符合事实的saxis=s_xs_ys_z(quantisationaxisforspin)默认值：Saxis=（0+，0,1），即X方向存在正的无穷小磁矩，Z方向存在正的磁矩。

要使初始的磁矩方向平行于选定方向，有以下两种方法：magmom=xyz!localmagneticmomentinx,y,zsaxis=001!quantisationaxisparalleltozormagmom=00总磁力矩！局部磁矩平行轴（注意每个原子是单独指定的）saxis=xyz!quantisationaxisparalleltovector(x,y,z)，如001两种方法原则上应该是等价的，但是实际上第二种方法更精确。

第二种方法允许读取已存在的wavecar（来自线性或者非磁性计算）文件，并且继续另一个自旋方向的计算（改变saxis值而magmom 保持不变）。