ff4006ke3资料

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1 FF400R06KE3参数指标 (2)

2 FF400R06KE3特性曲线 (4)

2.1 IGBT逆变器输出特性曲线I C=F(V CE)（V GE=15V） (4)

2.2 IGBT的输出特性曲线I C=F(V CE) T VJ=150℃ (5)

2.3 IGBT转移特性曲线I C=F(V GE) V CE=20V (5)

2.4 IGBT的开关损耗E On=f(I C) (6)

2.5 IGBT的开关损耗E on=f(R G) (6)

2.6 IGBT的热阻抗 (7)

2.7 IGBT反偏电压安全工作区 (7)

2.8 二极管的正向导通特性 (8)

2.9 二极管的开关损耗E rec=f(I F) (8)

2.10 二极管的开关损耗E rec=f(R G) (9)

2.11 二极管的热电抗 (9)

1 FF400R06KE3参数指标

2 FF400R06KE3特性曲线

2.1 IGBT逆变器输出特性曲线I C=F(V CE)（V GE=15V）

从输出特性曲线可以看出在V GE=15V的条件下，IGBT在温度较低的情况下它的饱和电压较低。

2.2 IGBT的输出特性曲线I C=F(V CE) T VJ=150℃

从特性曲线可以看出子TVJ=150℃为常值的条件下，VGE越高饱和压降越低。

2.3 IGBT转移特性曲线I C=F(V GE) V CE=20V

集电极电流I C和门射电压的V GE的关系反映了输入电压和输出电流的关系，即输入电压对输出电流的控制能力，成为IGBT的转移特性，从图中可以看出在集电极电流较大时，I c与U GE的关系近似线性，曲线的斜率被定义为IGBT的跨导G fs,,IGBT是电压控制型器件，其输入阻抗极高，输入电流非常小。从图中可

以看出温度较低时跨导较高。

2.4 IGBT的开关损耗E On=f(I C)

E On=f(I C)，E off=f(I C),V GE=±15V,R Gon=1.5Ω，R Goff=1.5Ω，V CE=300v

从图中可以看出温度对开关损耗影响不大，在相同集电极电流的情况下关断损耗比开启损耗打的多。

2.5 IGBT的开关损耗E on=f(R G)

E on=f(R G),E off=f(R G),V GE=±15V，I C=400A,V CE=300V

从图中可以看出温度对开关损耗影响不大，在门极电阻较小时开启损耗比关断损耗小得多，在门极电阻较大时开启损耗比关断损耗大得多。

2.6 IGBT的热阻抗

Z th JC=F(t)

从图中可以看出在较短时间内热阻抗随着时间成线性增加，到达一定时间后热阻抗为恒值。

2.7 IGBT反偏电压安全工作区

V GE=±15V,R Goff=1.5Ω，T VJ=150℃

2.8 二极管的正向导通特性

I F=F(V F)

从图中可以看出二极管开启电压随着温度的升高而降低。

2.9 二极管的开关损耗E rec=f(I F)

E rec=f(I F), R Gon=1.5Ω，V CE=300V

从图中可以看出二极管的开关损耗随着电流的增加而增加，随着温度的增加稍有增加。

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2.10 二极管的开关损耗E rec =f(R G )

E rec =f(R G ),I

F =400A,V CE

=300V

从图中可以看出二极管的开关损耗随着电阻的增加而减小。

2.11 二极管的热电抗

Z th JC

=F(t)

从图中可以看出二极管的热电抗随着工作时间的增加逐渐增加，到达一定时间后电抗值为恒值。