半导体器件物理第三章PN结作业PPT课件
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别为ND=1015cm-3， NA＝1019cm-3，求在反偏电压为1V和5V时的 二极管势垒电容（忽略二极管截面积的影响） 。
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7.一理想硅p-n结二极管，NA=1016cm-3， ND=1018cm-3，p0= n0= 10-6 s，ni=9.65×109cm-3， Dn=30 cm2/s， Dp=2 cm2/s，器件面 积为2×10-4 cm2，计算室温下饱和电流的理论值及±0.7V时的 正向和反向电流值。 8.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结空间电荷区的形成。 9.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。
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第二章作业答案
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n
.
JqnnExqDnd dn x0
D n kT n q
Ex kT dn
qn dx
nN DN 0expax
E x akT
q
.
.
.
• 超量载流子注入一厚度为W的薄n型硅晶的 一个表面上，并于另一个表面上取出，而 其pn(W)=pno,在0<x<W的区域里没有电场。
p(xn)pn0expqkTV
.
4.推导杂质分布公式：
N(W) 2
qs
[d(1/C12j )/dV]
5.长PN结二极管处于反偏压状态，求解下列问题： （1）解扩散方程求少子分布np（x）和pn（x），并画出他们
的分布示意图。 （2）计算扩散区内少子存储电荷。
6.把一个硅二极管用做变容二极管，在结的两边的掺杂浓度分
第三章作业题
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1.推导PN结空间电荷区内建电势差公式：
Vbi
n
Fra Baidu bibliotek
p
kT q
ln(
NAND ni2
)
2.硅突变结二极管的掺杂浓度为ND=1015cm-3， NA＝4×1020cm-3 ，在室温下计算：（1）内建电势差；（2）零偏压时的耗尽区
宽度;(3)零偏压下的最大内建电场。
3.推导加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式：
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感谢亲观看此幻灯片，此课件部分内容来源于网络， 如有侵权请及时联系我们删除，谢谢配合！
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7.一理想硅p-n结二极管，NA=1016cm-3， ND=1018cm-3，p0= n0= 10-6 s，ni=9.65×109cm-3， Dn=30 cm2/s， Dp=2 cm2/s，器件面 积为2×10-4 cm2，计算室温下饱和电流的理论值及±0.7V时的 正向和反向电流值。 8.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结空间电荷区的形成。 9.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。
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第二章作业答案
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JqnnExqDnd dn x0
D n kT n q
Ex kT dn
qn dx
nN DN 0expax
E x akT
q
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• 超量载流子注入一厚度为W的薄n型硅晶的 一个表面上，并于另一个表面上取出，而 其pn(W)=pno,在0<x<W的区域里没有电场。
p(xn)pn0expqkTV
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4.推导杂质分布公式：
N(W) 2
qs
[d(1/C12j )/dV]
5.长PN结二极管处于反偏压状态，求解下列问题： （1）解扩散方程求少子分布np（x）和pn（x），并画出他们
的分布示意图。 （2）计算扩散区内少子存储电荷。
6.把一个硅二极管用做变容二极管，在结的两边的掺杂浓度分
第三章作业题
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1.推导PN结空间电荷区内建电势差公式：
Vbi
n
Fra Baidu bibliotek
p
kT q
ln(
NAND ni2
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2.硅突变结二极管的掺杂浓度为ND=1015cm-3， NA＝4×1020cm-3 ，在室温下计算：（1）内建电势差；（2）零偏压时的耗尽区
宽度;(3)零偏压下的最大内建电场。
3.推导加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式：
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