第四章 铁电陶瓷

合集下载

铁电陶瓷和它的应用

铁电陶瓷和它的应用

、 、
却 态 介 电常 数 长 二

于 声 宜
,
,
它 是 在直流 电锡 凡 它 是在 交洗 电 踢 凡
D 一 凡 一


电容 器 制 造 等 方 曲
,
都 得 到 了) 泛 的 应 用

`


] 定的 l 中m
2
.
有 效 介 电 常数

£、

一 上面 魏 过
。 , ,

铁 电 陶 瓷 的 一 般 特性
,

,



替《 嵘
有 效 介 电 常数 p _ 和 电 压 的 关系
一E 日 3
,
.
仁夕 粗录
在不. l 交流电压 q
. 1
E
.
下 丁 逆介 电常 数 几和 = F 喊流电压 : 的关系




常 在 接 近 居 里点 时 非 校 性 最大
电 璐的 作 用 下 居 里 温 度 下 移 平 消 如圆
2
十凡
3
·
,

,,
E
_
的 比例 等有
介 筑 潇后 现 象
加 电 玛 的 消 失 而 消失

一般 介 熨 的 威应 拯 化 都 随 外
但 铁 电 陶 瓷 具 有 自 登 拯 化的 特

,
关)


,
表示 对
E
_
B
a
T;0
B、 S
:
致 电陶 瓷在 不 利 不 卜 」
配 方下
, _
变 化的 情 形

铁电陶瓷材料的应用以及生产工艺之四

铁电陶瓷材料的应用以及生产工艺之四

铁电陶瓷材料的应用以及生产工艺之四铁电陶瓷材料,是指具有铁电效应的一类功能性陶瓷材料,它是热释电材料的一个分支。

可用于大容量的电容器、高频用微型电容器、高压电容器、叠层电容器和半导体陶瓷电容器等,可以制作介质放大器和相移器等。

利用其热释电性,可制作红外探测器等。

也用于制造光阀、光调制器、激光防护镜和热电探测器等。

广泛应用于航天、军工、新能源产品。

这里介绍,主要是参考它的加工工艺,比如为固体电解质的加工提供一定的参考。

另一方面是顺便了解一下这特种陶瓷的用途。

室温研磨法固相反应制备铁电陶瓷粉末铁电陶瓷(Ferroelectric ceramics)是主晶相为铁电体的陶瓷材料,具有高的直流电阻率、相对低的电介质损耗角正切(0.1%~7%)、中等介电击穿强度(100~120kV/cm)以及非线性的电、机电、电光学特性,与普通绝缘材料(5~100)相比具有高的介电常数(200—10000)。

铁电陶瓷的优良性能使其广泛应用于工业和商业中,如高介电常数电容器、压电声纳和超声传感器、无线电和信息过滤器、热释电装置、医疗诊断传感器、正温度系数(PTC)传感器、超声马达和电光光阀等。

铁电陶瓷中存在孔隙时会使损耗角正切增大,且一些特殊应用如压电传感器和致动器的机械强度直接与材料的密度有关,因此很多应用中都需要全致密的铁电陶瓷(理论密度>95%)以获得最佳的性能。

铁电陶瓷的密度通常随烧结温度的升高而增大。

然而,含铅、铋铁电材料的烧结温度不宜过高,因为铅、铋易挥发,而且高温也会导致晶粒反常长大,损害铁电陶瓷的性能。

而目前主要使用细或超细粉末及辅助烧结来降低铁电陶瓷的烧结温度。

因此,制备致密且晶粒大小适当的铁电陶瓷尤其重要,探讨新的铁电陶瓷粉末的制备方法具有重要意义。

铁电陶瓷粉末的制备方法A:常规制备方法材料的性能与其加工方法密切相关,故铁电陶瓷粉末的合成方法对铁电陶瓷的显微结构、电学和光学性能有很大影响。

对氧化物原料进行固态反应可合成铁电陶瓷粉末,但由于晶粒相对粗大,因而需要较高的烧结温度来获得目标成分和预期性能的铁电陶瓷。

4-5铁电陶瓷的老化与疲劳现象

4-5铁电陶瓷的老化与疲劳现象
‹#›/228
§4-5 铁电陶瓷的老化与疲劳现象
当温度高于居里点时,促使电荷积累的自发极化电场消 失。内偏置电场也将逐步消失。当对铁电体施加很强的外 电场时,外电场力将可能部分地克服空间电荷的牵制作用, 将自发极化调整到外电场方向上来,原来在老化过程中所 积累的电荷,由于自发极化改向而失去联系力,因而也将 逐步解散,即ε重新被激活。外施电场强度越高,则被激活 的程度也越大。
电子材料
国家级精品课程
§4-5 铁电陶瓷的老化与疲劳现象
什么叫做铁电老化? 什么叫铁电疲劳? 铁电老化的特点及机理
‹#›/228
§4-5 铁电陶瓷的老化与疲劳现象
什么叫做铁电老化?
初生产出来的铁电陶瓷,其某些介质参数会随储存时 间逐渐变化,尤其是铁电特性变弱,这种现象就称为铁 电老化(ferroelectric aging)。
‹#›/228
§4-5 铁电陶瓷的老化与疲劳现象
铁电老化的机理 铁电陶瓷的老化机制,目前还没有公允的模型。 • 从热力学的观点分析 • 空间电荷的作用
‹#›/228
§4-5 铁电陶瓷的老化与疲劳现象
• 从热力学的观点分析:
烧结后的铁电陶瓷降温到Tc附近时,通过电畴成核与成 长过程,出现了自发极化。这种在结构尚未调整到最佳状 态的晶粒中所形成的电畴,尚处于一种自由能较高的介稳 状态,故极易为外电场所定向,表现为较大的 ε 和 tgδ 。但 随着时间的增加,在热运动的激励之下,这种处于高能介 稳态之初生电畴将通过新畴成核,畴分裂,畴壁推移等方 式,以消除电畴初始形成瞬间残留下来的畴壁应力(主要 是 90°畴壁之间的应力),从而调整到自由能更低,更稳 定的电畴结构状态。
‹#›/228
§4-5 铁电陶瓷的老化与疲劳现象

介电功能材料PPT

介电功能材料PPT
相对介电常数和介电损耗是电子陶瓷材料中的 一个重要参数,不同用途的陶瓷,对它们有不同的要 求.
第四章 介电陶瓷
三、介电陶瓷电容器 陶瓷电容器以其体积小、容量大、构造简洁、优良的高
频特性、品种繁多、价格低廉,便于批量生产而广泛应用于 家用电器、通信设备、工业仪器等领域,是目前飞速进展的 电子技术的根底之一。
PMN-PT
〔~700℃〕
❖ 1/6P3N2 + 1/3MgO + 1/2PbO + PT
PMN-PT

(~800℃)


用MSS法制备PMN-PT陶瓷时,主要形成了一个富
Pb的、缺B位、不稳定的焦绿石相P3N,Mg2+很简洁占据
Nb5+的空位形成立方焦绿石相Pb2Nb4/3Mg2/3O6,而
❖ Pb〔Mg1/3Nb2/3〕O3是立方钙钛矿构造,因此,很简 洁发生转变。
第四章 介电陶瓷
〔2〕微波介电陶瓷 微波介电陶瓷主要用于制作微波电路元件,在微
波滤波器中用作介质谐振器。评价微波介电陶瓷材 料的主要参数是介电常数、品质因素和谐振频率温 度系数。
要求具有以下性能:适当大小的介电常数,且值 稳定;介电损耗小;有适当的介电常数温度系数; 热膨胀系数小。
其争论体系有:MgO-CaO-TiO2
第四章 介电陶瓷
虽然PMN具有高的介电 常数,tgδ也较小,成瓷温 度在1050~1100℃,可用来 制作低温烧结独石电容器。 但缺点是居里温度和负温损 耗较大。为此,通常使用 PbTiO3做为移峰剂。
第四章 介电陶瓷
Dielectric constant
10000 8000 6000
100Hz 1kHz 10kHz 100Hz 1kHz 10kHz

电容器陶瓷-低频(铁电)

电容器陶瓷-低频(铁电)

长,a,b轴略有缩短,c/a ≈1.01。该温度
范围沿c轴出现自发极化呈现铁电性。
钛酸钡晶胞与自发极化图
四方相BaTiO3
四方相十分重要,因为它存在的温度区 间(0~120℃)正是材料的使用温度。
铁 电 陶 瓷
立方相转变为四方相 时,a、b轴收缩,c轴 伸长,使c轴的O2-和 Ti4+发生位移,产生 极化,形成偶极子。
基本概念1. 铁电体
介电晶体在某温度范围内可以自发极化(介电常数很
高),而且极化强度可以随外电场反向而反向。同铁磁体具有
磁滞回线一样,把具有电滞回线的晶体称为铁电体。 虽然叫铁电体,但这些晶体并不含有铁。 铁电性(ferroelectricity)是指在一定温度范围内具有
自发极化,在外电场作用下,自发极化能重新取向,而且电位移
铁电陶瓷的特性决定了它的用途:
• 利用其高介电常数,可以制作大容量的电容器、高 频用微型电容器、高压电容器、叠层电容器和半导 体陶瓷电容器等,电容量可高达0.45µF/cm2。 • 利用其介电常数随外电场呈非线性变化的特性,可 以制作介质放大器和相移器等。 • 利用其热释电性,可以制作红外探测器等。 • 利用其压电性可制作各种压电器件。 • 此外,还有一种透明铁电陶瓷,其光学效应可用于 制造光阀、光调制器、激光防护镜和热电探测器等。
钛离子处于氧八面体中,
两个氧离子间的空隙为:4.01-2× 1.32= 1.37
钛离子的直径:2× 0.64= 1.28
结果分析:
氧八面体空腔体积大于钛离子体积,给钛离子位 移的余地。
较高温度时,热振动能比较大,钛离子难于在偏 离中心的某一个位臵上固定下来,接近六个氧离子的 几率相等,晶体保持高的对称性,自发极化为零。

铁电陶瓷改性方案

铁电陶瓷改性方案

铁电陶瓷改性方案引言铁电陶瓷是一类具有铁电性质的陶瓷材料,具有优异的电学性能和机械性能,被广泛应用于电子器件、传感器和储能装置等领域。

然而,传统的铁电陶瓷在一些方面存在局限性,比如其电学性能受温度和应力的影响较大、机械性能较差等。

为了克服这些问题,研究人员提出了一系列的铁电陶瓷改性方案,以改善其性能并拓宽其应用范围。

本文将介绍几种常见的铁电陶瓷改性方案,包括添加掺杂物、改变工艺和设计新型结构等。

通过这些改性方案,可以获得具有更好性能的铁电陶瓷材料,为相关领域的应用提供更好的支持。

添加掺杂物添加掺杂物是一种常见的铁电陶瓷改性方案,通过在陶瓷材料中引入其他元素,可以改变材料的结构和性质,提高其性能表现。

以下是几种常见的添加掺杂物的方案:1. 离子掺杂通过引入离子掺杂,可以改变铁电陶瓷的晶格结构和电荷分布,从而改变其电学性能。

例如,在铁酸钡(BaTiO3)中引入掺杂离子,可以减小晶格畸变,提高材料的铁电相变温度和极化强度。

2. 部分取代掺杂部分取代掺杂是指将一部分陶瓷材料的原子取代为其他元素或离子。

这种掺杂方式可以改变材料的组成和结构,从而调节其性能。

以钛酸铋(BiFeO3)为例,通过部分取代铁原子的方式,可以改善其畸变结构,提高其极化强度和压电性能。

3. 氧化物掺杂在铁电陶瓷中添加一定比例的氧化物掺杂物,可以改变材料的晶格缺陷和电子结构,从而影响材料的性能。

例如,在钛酸锆(PZT)陶瓷中添加微量的氧化铁(Fe2O3),可以改善其耐疲劳性能和压电性能。

改变工艺改变工艺是另一种常见的铁电陶瓷改性方案,通过改变陶瓷材料的制备过程和烧结工艺,可以调节其晶体结构和物理性能,从而达到改善材料性能的目的。

以下是几种常见的改变工艺的方案:1. 控制烧结条件烧结是陶瓷制备的关键步骤之一,通过控制烧结条件,可以影响陶瓷材料的致密度、晶体生长和相变行为。

例如,在铁酸钡陶瓷的制备过程中,控制烧结温度和时间,可以得到致密度较高且相变温度较稳定的材料。

功能陶瓷

功能陶瓷
离子导电常存在明显的各向异性。
例如β-Al2O3在c方向上的电导比在其他方向上大许多,这是由于离子 通道存在明显的方向性。
Dept. of MSE, CQU
15
重庆大学材料科学与工程学院
离子电导率与温度T的关系满足Arrhenius关系:
ion
E A exp( ) kT
(4-9)
晶格中导电离子可能占据的位置比实际填充的离子数目多得多; 临近导电离子间的势垒不太大; 晶格中存在有导电离子运动的通道,如各种体积较大的八面体间隙 和四面体间隙相互连通。
Dept. of MSE, CQU
14
重庆大学材料科学与工程学院
正离子在晶格中可能占据位置的投影图 (a)绝缘体;(b)离子导体
Dept. of MSE, CQU
11
重庆大学材料科学与工程学院 缺陷对陶瓷导电的影响
晶体缺陷对陶瓷导电行为的影响比较复杂。陶瓷中点缺陷对材 料电性能影响较大,一般都是陶瓷材料的电导有所增加。
例如立方ZrO2,其结构中的正离子作立方密堆积,负离子占据全部 四面体间隙,而全部八面体间隙空着,这就便于其他例子在其间移动。 如果在立方ZrO2中加入8at%的Y2O3,Y3+部分替代Zr4+后在晶格中形成部 分氧离子空位,可使ZrO2的立方相在低温时稳定和称为离子导电的固体 电解质。
Ag在AgI晶胞中 的位置
Dept. of MSE, CQU
21
重庆大学材料科学与工程学院
具有β-Al2O3结构的氧化物
β-Al2O3结构属于六角晶系。这种结构的导电性源于一价碱金属离子A+ 的高迁移性和高可交换性。晶胞中阳离子采取立方堆积,铝粒子处在八 面体和四面体间隙位置上。A+和氧层连接在一起,这种疏松的连接层是 无序的,它提供了原子通道,使晶格中的A离子很容易移动。 一价A离子的半径过大或过小均会 引起电导率的下降。这是因为离子 半径过大时,其迁移能力变差;而 离子半径过小会使正离子在电导通 道中作漩涡式的迅速移动,也会阻 碍其运动。 这类材料的导电行为是极端各向异 性的,垂直于c方向的电导率比于c 方向的电导率大得多。

铁电陶瓷的结构与性能

铁电陶瓷的结构与性能
PFW < PZ < PT
• 改善复合钙钛矿化合物的稳定性
• PZN和稳定PZN钙钛矿的电负性/容差因子
• 组成
X
t
• PZN
1.8
0.984
• 0.94PZN-0.6BT
1.83
0.988
• 0.9PZN-0.1BZN
1.845
0.988
• Pb1-yKy(Zn1/3Nb2/3)O3-y/2 (y=0.1) • 0.9PZN-0.1ST
• 反铁电体的特点:
• 反铁电体无宏观自发极化 • 反铁电体存在相变温度-Neel温度, PbZrO3的相变温度为230oC,. • TN处,介电反常, PbZrO3的顺电-反铁电相变属一级相变,有潜
热。 • 电场E可诱导反铁电体铁电体 • P ~ E非线性,双电滞回线 • 压力可诱导铁电体反铁电体 • T > TN, ~T 遵循Curie-Weiss 定律
• 晶粒尺寸对BT陶瓷介电常 数有显著影响, 细晶可提 高室温介电常数,而粗晶 有利于T>Tc介电常数的提 高
• T >Tc, coarse > fine,粗晶 多畴畴壁贡献。
• T < Tc, coarse < fine, 内应力 的贡献
(2) PbTiO3陶瓷
• 居里温度490oC, 室温四 方相的c/a=1.064, 相变时 产生应变 > 6%, 单晶在 室温下的自发极化强度 0.75C/m2
• 其缺陷方程也可简写为: La2O3 = 2 La●Ba + 2Oo + 1/2 O2(g) +2e
• 当高价离子的取代量较高时,如超过0.5mol%,BaTiO3陶瓷的电阻率又会 重新提高。目前对高浓度取代重新绝缘化的机制还有不同的认识,一般认 为是由于部分三价稀土离子占据了Ti4+位置,实现了电价补偿,如以Sm3+ 取代时:

04.强介铁电陶瓷

04.强介铁电陶瓷
第四章 强介铁电陶瓷
§4-1 概述
§4-2 陶瓷的铁电性与铁电陶瓷 §4-3 强介铁电瓷的改性机理 §4-4 铁电陶瓷的老化与疲劳现象 §4-5 铁电陶瓷材料确定原则
§ 4-1 概述
重点掌握的几个概念: 自发极化 剩余极化 矫顽场 铁电体 电滞回线 电畴 铁电陶瓷
§ 4-1 概述
OD:电场为零,剩余极化Pr
OE:自发极化Ps OF:矫顽场Ec
P总=P感+Ps
铁电体的电滞回线
电滞回线的形成与电畴的反转有关
§ 4-1 概述
电畴(domain) :在铁电体中,固有电偶极矩在 一定的子区域内取向相同的这些区域就称为电畴 或畴。 畴壁(domain wall):畴的间界。 铁电相变:铁电相与顺电相之间的转变。当温度 超过某一值时,自发极化消失,铁电体变为顺电 体。 居里温度(Curie temperature or Curie point): 铁电相变的温度。
本章着重介绍低频电容器介质用的铁电陶瓷。
§4-2 陶瓷的铁电性与铁电陶瓷
§4-2-1 BaTiO3的结构与自发极化 §4-2-2 BaTiO3的介电性能
§4-2 陶瓷的铁电性与铁电陶瓷
§4-2-1 BaTiO3的结构与自发极化
(1) 结构
(2) BaTiO3的相变 (3) 自发极化产生的原因
(4) 电畴结构及其运动方式
BaTiO3的自发极化起因在于钛离子的位移
§4-2 陶瓷的铁电性与铁电陶瓷
16 14 12 10 8 6 4 2 0
Ps×10 (C/cm )
2
转变点前后 T1 T2
-200 -150 -100 -50 T( C)
o
-6
Tc

第四章 铁电陶瓷

第四章 铁电陶瓷

第四章铁电陶瓷一、教学内容及要求掌握铁电体的基本概念,理解电滞回线的形成,理解BaTiO3的结构与自发极化特性以及其介电性能的特点,掌握电畴的基本概念,电畴的成核与生长过程,180°畴和90°畴的异同。

理解居里温区的相变扩张的机理,几种相变扩散的异同。

掌握展宽效应,移动效应,重叠效应的作用机制。

掌握铁电老化,铁电疲劳,去老化的概念。

二、基本内容概述4.1概述重点掌握的几个概念:自发极化、、剩余极化、、矫顽场、铁电体、电滞回线、电畴、铁电陶瓷1、感应式极化:离子晶体中最主要的极化形式是电子位移极化和离子位移极化,这两种极化都属于感应式极化,极化强度大小依赖于外施电场。

线性关系,E=0,P=0。

2、自发极化:铁电体所表现的自发极化,却是不依赖于外电场,并能随外电场反向而发生反转。

非线性关系,E=0,P≠0。

3、铁电体(ferroelectric):具有自发极化,且自发极化方向能随外场改变的晶体。

它们最显著的特征,或者说宏观的表现就是具有电滞回线。

4、电滞回线(hysteresis curve):铁电体在铁电态下极化对电场关系的典型回线。

5、电畴(domain):在铁电体中,固有电偶极矩在一定的子区域内取向相同的这些区域就称为电畴或畴。

6、畴壁(domain wall):畴的间界。

7、铁电相变:铁电相与顺电相之间的转变。

当温度超过某一值时,自发极化消失,铁电体变为顺电体。

8、居里温度(Curie temperature or Curie point):铁电相变的温度。

9、铁电体的分类:1)按结晶化学;2)按力学性质;3)按相转变的微观机构;4)按极化轴多少。

10、铁电陶瓷:在一定温度范围内具有自发极化,且自发极化能为外电场所转向的陶瓷称为铁电陶瓷。

4.2陶瓷的铁电性与铁电陶瓷1、BaTiO3的结构与自发极化BaTiO3为钙钛矿结构,由Ba2+离子与O2-离子一起立方堆积,Ti4+处于氧八面体体心。

功能陶瓷第4章磁性陶瓷教材

功能陶瓷第4章磁性陶瓷教材

18
铁氧体磁性材料的种类和应用
(4) 矩磁铁氧体材料 具有矩形磁滞回线,矫顽力较小的铁氧体材料。 一般密度高、晶粒均匀、结晶各向异性较大的尖晶石型。 Mg-MnFe2O4和Li-MnFe2O4等。 主要用于电子计算机、自动控制和远程控制等许多尖端科 学技术中。
19
铁氧体磁性材料的种类和应用
3
磁学基本概念
磁性陶瓷:含铁的铁氧体和不含铁的磁性陶瓷。 优点:多为半导体,电阻率10~106Ω.m。代替低电阻率10-8~106Ω.m的金属磁性材料,可以大大降低涡流损耗,适于高频场合。 较高的高频磁导率,远高于金属。 缺点:饱和磁化强度低,大约为纯铁的1/3~1/5。居里点也不高, 不宜高温或低频大功率条件下工作。 抗磁性和顺磁性 抗磁体(diamagnet):当原子或离子的电子结构为闭层时,磁性 相互抵消,原子不产生磁矩。 顺磁体(paramagnet):未成对电子具有磁矩,加上磁场,磁矩方 向性排列,产生磁化。 磁化率χ=磁化强度M/磁场强度H=C/T, 顺磁体χ>0,反磁体χ <0。 4
20
21
6.2
铁氧体的晶体结构和化学组成
①尖晶石型(spinel) MgO.Al2O3结构,MeFe2O4,Me+2价离子。 天然铁氧体-磁铁矿Fe3O4,Fe2+Fe3+2O4,铁铁氧体。 镁铁氧体Mg2+Fe3+2O4; A位氧四面体间隙,B位氧八面体间隙。 正尖晶石型: Me2+占据A位,Fe3+占据B位。不具有磁性 (总磁矩为零)。 反尖晶石型: Me2+占据B位,Fe3+占据A位及其余B位,且 B位被Me2+及Fe3+各占一半。亚铁磁性,呈现磁性。 中间尖晶石型:介于之间。 Me2+Fe3+2O4中Me2+及Fe3+可以被其它阳离子取代。 立方晶系的O147(F3dm),较复杂的面心立方结构每个晶胞 含有8个AB2O4的分子式。A、B分别代表二价和三价的金属 离子。

第四章 介电陶瓷 - 薄膜材料与技术实验室

第四章 介电陶瓷 - 薄膜材料与技术实验室

电子陶瓷第四章介电陶瓷1第四章介电陶瓷一高介电容器瓷二强介铁电陶瓷三独石电容器瓷2二强介铁电陶瓷1铁电陶瓷发展历程2铁电陶瓷特征3 强介铁电陶瓷改性3二强介铁电陶瓷1 铁电陶瓷发展历程:铁电体与铁磁体在许多性质上具有相似性(如铁磁体具有磁滞回线;铁电体具有电滞回线),“铁电体”之名即由此而来,其实它的性质与“铁”毫无关系。

在欧洲(如法国、德国)常称“铁电体”为“薛格涅特电性”(Seignett-electricity)或“罗息尔电性”(Rochell-electricity)。

因为历史上铁电现象是首先于1920年在罗H4O6⋅4H2O)中发现的,而息盐(酒石酸钾钠,NaKC4罗息盐是在1665年被法国药剂师薛格涅特在罗息这个地方第一次制备出来。

4二强介铁电陶瓷2 铁电陶瓷特征:¾铁电陶瓷概念是指具有自发极化,且自发极化方向为外电场所转向的一类陶瓷。

介电常数一般高达103~104,故又称为强介铁电陶瓷,适于制作小体积、大容量的低频电容器。

¾铁电陶瓷应用•高介电常数⇒大容量电容器•极化反转⇒铁电薄膜存储器•电光效应⇒电光器件•压电效应⇒压电器件(第五章压电陶瓷讲述)•PTC 效应⇒PTC热敏电阻•热释电效应⇒热释电传感器/探测器6钛酸钡结构相变8非对称性钛酸钡晶体的晶胞参数与温度的关系9畴壁铁电体中电畴结构12二强介铁电陶瓷2 铁电陶瓷特征:¾电畴铁电体中的高介电常数值是自发极化所产生的。

在BaTiO 3钙钛矿晶体顶角相连的三维[TiO 6]八面体族中,由于八面体内离子的位移形成电偶极子,通过其间的彼此传递、耦合乃至相互制约,最后形成了自发极化方向一致的若干小区域——电畴。

BaTiO 3BaTiO 3中的电畴(实验观测)Ti O Ba[TiO 6]八面体族钙钛矿13二强介铁电陶瓷2 铁电陶瓷特征:¾电滞回线电滞回线是铁电体的极化强度P随外加电场强度E的变化轨迹。

铁电陶瓷的特性,介绍其潜在应用

铁电陶瓷的特性,介绍其潜在应用

多层电容 压电变换器
压电马达 压电驱动器 电致伸缩驱
动器
块材
介电电容器 红外探测器
压电传感和 驱动器 电光快门
电光显示器
膜材
非易失随 机存储器
阻挡层 集成光学 抗反射膜
14
非易失随机存储器
普及型室内幕帘式被动红 外线移动探测器,尤其适 合于小区防盗使用,外形 时尚精致,线条流畅
压电陶瓷马达
高介电型陶瓷 电容器常数
图4 不同应力下的电滞回线
12
2.4 软硬性铁电陶瓷的比较
比较两条曲线[2]
相同点:包括初始近似线性段,曲
线斜率先从递减向递增转化的非线 性段,以及在应力增加到一定值时, 又变成曲线斜率较大的近似线性段. 并且,非线性曲线上从斜率递减向 递增转化的拐点G处应力值. 不同点:对于硬PZT4大约为 125MPa,软PZT4在70MPa左右.这 表明PZT铁电陶瓷在载荷作用下的
4
1、铁电陶瓷的电畴理论 900
↑ ↑ ↑ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ →→→
图中 小方格代表晶胞 箭头代表电矩方向
↑ ↑ ↑ ↓ ↓ ↓ ↓ → →→→ ↑ ↑ ↑ ↓ ↓ ↓ →→ →→→ ↑ ↑ ↑ ↓ ↓ →→→ →→→
↑ ↑ ↑ ↓ →→→→ →→→
1800 图1 BaTiO3电畴结构示意图
5
在同一晶粒内具有相同取向的自发极化和自发 应变的晶胞团称为电畴[4].
应力应变非线性响应与压电材料微 观电畴偏转密切相关.
图5 软硬铁电陶瓷的应力-电位移曲线
根据两者对应力的敏感性不同,可以在应用在不同的领域.
13
ห้องสมุดไป่ตู้
3、铁电陶瓷的特性及其应用
以上介绍了电滞回线的变化规律及其原因,我们深刻的认识到 电畴翻转是铁电陶瓷产生非线性曲线的原因,也正是有了这一 理论,使我们对铁电陶瓷产生了浓厚的兴趣,在对它的认识过 程中挖掘出了许多有利于人们生活的应用[3]。

【课件】第四章电容器介质陶瓷反铁电体PPT

【课件】第四章电容器介质陶瓷反铁电体PPT

反铁电体与铁电体
注意:除外电场外,温度、压力也能诱
导反铁电相向铁电相转变,呈现双电滞回
线——强迫相变
2 反铁电介质陶瓷用途
(1)优良的储能材料,利用反铁电相-铁 电相的相变可作储能电容器应用;
(2) 以PbZrO3 为基的反铁电材料相变 场强较高,一般为40-100KV/cm可用于 制作高压陶瓷电容器 ;
§4.4 反铁电介质陶瓷 ANTIFERROELECTRICS
反铁电介质陶瓷以PbZrO3或以 PbZrO3为基的固溶体为主晶相
一 反铁电体的晶体结构
线性介质的微观结构特征是没有自发极化; 铁电介质微观结构特征是具有很强的自发极化

C1
B1
A1
反铁电体宏观特征:具有双电滞回线
低压时:P与E呈线性关系 高压时: P与E呈明显的非线性关系
反铁电体微观结构特征:
居里温度以上为立方相 居里温度以下为反铁电相 PbZrO3Tc=230℃
反铁电体是这样一些晶体,晶体结构与同型铁
电体相近,但相邻离子沿反平行方向产生自发极
化 单位晶胞中总的自发极化为零
居里温度以上为立方相
(001)面投影 居里温度以下 转为反铁电相
反铁电体晶格特征:
1 离子有自发极化,以偶极子的形式存在; 方向相反(P1=-P2),单位 晶胞中总的自发极化为零。
二 反铁电介质陶瓷的特性和用途
反铁电体的宏观 特征:具有双电 滞回线
1 反铁电介质陶瓷特征:具有双电滞回线
E<E临:P与E呈线性关系
E临<E< E饱和:电滞回线
E饱和 E临
E> E临反铁电相被迫转 变为铁电相—强迫相变
E> E饱和:线性

铁电陶瓷材料介绍及其应用

铁电陶瓷材料介绍及其应用


Interrelationship of piezoelectric and subgroups on the basis of symmetry
书山有路勤为径, 学海无涯苦作舟

2 铁电体的分类
• 按结晶学分类
(a) 氢键晶体,如 KDP, RS 结构特征:[PO4],软铁电体 (b) 双氧化物晶体,如 BT, PT, 结构特点:[TiO6], 硬铁电体
• 按极性轴数目分类
(a) 单轴铁电体, 如 RS, KDP, LN, 自发极化强度平行或反平行于极化轴 (b) 多轴铁电体, 如 BT, Cd2Nb2O7
• 按铁电相变时原子的运动特点分类:
(a) 有序-无序型 (b) 位移型
• 按Curie-Weiss常数C的大小分类:
第一类铁电体,C ~105 K ,大多属位移型 第二类铁电体,C ~ 103 K, 多属有序-无序型 第三类铁电体,C ~ 10K, 或称非本征铁电体,其铁电相起因于压电性与弹性不 稳定性的耦合
书山有路勤为径, 学海无涯苦作舟
•ro+rTi = 1.96Å
•O-Ti = 2.005Å

书山有路勤为径, 学海无涯苦作舟

• 热释电体 (Pyroelectrics): 具有自 发极化的晶体--极性晶 体
• 热释电效应: dPi = pi dT (i = 1,2,3)
• pi ----热释电系数, 单位 : C/m2.K

书山有路勤为径, 学海无涯苦作舟

•电畴运动
•电场/应力--极化反转
•极化(poling)过程:电 场诱导自发极化定向 排列--压电陶瓷的应用 基础
•电场诱导极化反转-铁电存储/电光应用

铁电陶瓷

铁电陶瓷

铁电陶瓷材料的研究现状尤欣欣(渭南师范学院化学与生命科学学院,08级材料化学1班)摘要:本文论述了几种具有代表性的铁电陶瓷材料的研究现状,以及人们在研究过程中产生的新问题。

这几种材料主要包括层状铁电陶瓷,弛豫型铁电陶瓷,含铅型铁电陶瓷,无铅型铁电陶瓷,以及反铁电陶瓷材料。

最后,对未来的研究与应用前景进行了展望。

关键词:铁电陶瓷;铁电性;钙钛矿;研究0前言铁电陶瓷(ferroelectric ceramics)材料,是指具有铁电效应的一类材料,它是热释电材料的一个分支。

铁电陶瓷的主要特性为:(1)在一定温度范围内存在自发极化,当高于某一居里温度时,自发极化消失,铁电相变为顺电相;(2)存在电畴;(3)发生极化状态改变时,其介电常数-温度特性发生显著变化,出现峰值,并服从Curie-Weiss定律;(4)极化强度随外加电场强度而变化,形成电滞回线;(5)介电常数随外加电场呈非线性变化;(6)在电场作用下产生电致伸缩或电致应变。

其电性能:高的抗电压强度和介电常数。

在一定温度范围内(-55~+85℃)介电常数变化率较小。

介电常数或介质的电容量随交流电场或直流电场的变化率小。

铁电陶瓷的特性决定了它的用途。

利用其高介电常数,可以制作大容量的电容器、高频用微型电容器、高压电容器、叠层电容器和半导体陶瓷电容器等,电容量可高达0.45μF/cm2。

利用其介电常数随外电场呈非线性变化的特性,可以制作介质放大器和相移器等。

利用其热释电性,可以制作红外探测器等。

利用其压电性可制作各种压电器件。

此外,还有一种透明铁电陶瓷,具有电光效应,可用于制造光阀、光调制器、激光防护镜和热电探测器等。

目前,全球铁电元件的年产值己达数百亿美元。

铁电材料是一个比较庞大的家族,当前应用的最好的是陶瓷系列,其已广泛应用于军事和工业领域。

但是由于铅的有毒性及此类铁电陶瓷材料居里温度低、耐疲劳性能差等原因,应用范围受到了限制。

因此开发新一代铁电陶瓷材料己成为凝聚态物理、固体电子学领域最热门的研究课题之一。

功能陶瓷材料及应用铁电陶瓷篇4

功能陶瓷材料及应用铁电陶瓷篇4

• A=Bi, B=Mo, n=1Bi2MoO6 • A=Sr, B=Ta, n=2 SrBi2Ta2O9 • A=Bi, B=Ti, n=3 Bi4Ti3O12 • A=Ba,B=Ti, n=4 BaBi4Ti4O15
特性
• 因c轴方向的不连续性使材料中主要形成180o畴 • 铋氧层较小的面间应力,易补偿电极附近的空间电荷, • 空位缺陷形成的可能性小 • 铋层状类钙钛矿铁电陶瓷表现出优异的抗铁电疲劳特性 • 含铋层状铁电陶瓷薄膜成为铁电存储器的关键材料 • 目前,研究较多的主要有:Bi4Ti3O12、SrBi2Nb2O9、SrBi2Ta2O9
• 钨青铜结构铁电体一般为四方对称型4mm • 有些呈正交对称性,如Pb5-xBaxNb10O30在x>1.9时属四方对称型
4mm, x<1.9时属正交对称型mm2。 • 钨青铜型铁电体自发极化也起因于离子的相对位移,处于氧八面
体中心和A1、A2位置上的金属离子,相对于附近氧离子平面发 生位移, • 对于四方钨青铜结构,Ps沿c轴。
• 提高稳定性途径: 热力学:使容差因子 接近1,提高电负性差 (与BT、 PT等形成固容体) 动力学:
• 多次预烧 • 过量MgO和 PbO • 两步预产物合成法-目前被广泛采用 • 软化学合成法
两步预产物合成法
MgO + Nb2O5 MgNb2O5 @ 1000oC MgNb2O5 + 3PbO 3Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 @ 700~900oC
• 结构填充公式为: (A1)2(A2)4(C)4(B1)2(B2)8O30 • 非填满型:部分A1和A2位置均被正离子所填充
如(BaxSr5-xNb10O30, 1.25<x<3.75, Nb位于氧八面体内部,Sr,Ba 分布在6个A1和A2间隙,只有5/6的A位置被填充。 • 全填满型:全部A1和A2位置均被正离子所填充 如Ba2NaNb5O15和(KxNa1-x)2(SryBa1-y)4Nb10O30 • 完全填满型:全部的A1、A2和C位置都被正离子所填充 如K6Li4Nb10O30

电子陶瓷要求掌握内容附答案版

电子陶瓷要求掌握内容附答案版

电子陶瓷要求掌握内容附答案版《电子陶瓷》学习的基本要求第一章电子瓷瓷料的制备原理1、掌握机械粉碎(细磨)的方法、原理、粉碎方式及特点(适用范围)粉碎方式:冲击、研磨、劈裂、压碎1、球磨粉碎方式:以冲击和研磨作用为主2、振动磨——超细粉碎设备(快速磨)干磨:→1μm;湿磨:→0.1μm原理:利用研磨体在磨机内作高频振动而将物料粉碎,以冲击、研磨作用为主3、砂磨(搅拌磨,摩擦磨):超细粉碎设备,适合加工0.1μm的超细粉,入磨粒度一般≤1mm。

粉碎方式:以研磨作用为主4、气流磨(能流磨或无介质磨):超细粉碎设备粒度:→ 1μm2、理解、掌握影响球磨效率的因素①转速②研磨介质的形状、大小、比重③内衬材质:燧石、橡胶、瓷质④料球水比合理⑤干磨与湿磨⑥球磨机直径:直径大——好!⑦助磨剂3、掌握结合能、表面能(表面自由能)的概念结合能:等于离子由高度分散状态结合成晶体所放出的能量(KJ/mol),结合能越大,其坚固程度越大,越难破碎,耐火度也越高。

表面能(表面自由能):晶体表面离子比晶体内部离子多具有的那部分能量。

比表面能用γ表示,单位KJ/m24、熟悉、理解粉料粒度分析方法及特点(1)记数法:光学显微镜(1mm-1μm)、电子显微镜(10μm-1nm)、激光粒度分析仪、Zata 电位分析仪(→2nm)等;(2)筛分法(1mm-10μm );(3)沉降法(1mm-1μm );(4)吸附法(BET法)(10μm -1nm)5、掌握陶瓷原料合成的方法及特点一、固相法1、高温固相反应法(PZT\PLZT\PT等)▲优点:工艺简单,成本低▲缺点:合成原料纯度低,颗粒粗,活性差2、分解法▲优点:合成原料纯度高、颗粒较细、活性较好,工艺简单,成本低▲缺点:需选择合适的原料3、燃烧法4、低热固相反应二、液相法:1、沉淀法2、醇盐水解法3、水热法4、溶剂蒸发法▲液相法的优点:合成原料性能优异(纯度高、颗粒细、活性好等) ▲液相法的缺点:工艺较复杂,成本较高6、理解改善坯料性能的添加剂及其作用1、解胶剂(解凝剂,减水剂):用来提高泥浆的流动性。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

第四章铁电陶瓷一、教学内容及要求掌握铁电体的基本概念,理解电滞回线的形成,理解BaTiO3的结构与自发极化特性以及其介电性能的特点,掌握电畴的基本概念,电畴的成核与生长过程,180°畴和90°畴的异同。

理解居里温区的相变扩张的机理,几种相变扩散的异同。

掌握展宽效应,移动效应,重叠效应的作用机制。

掌握铁电老化,铁电疲劳,去老化的概念。

二、基本内容概述4.1概述重点掌握的几个概念:自发极化、、剩余极化、、矫顽场、铁电体、电滞回线、电畴、铁电陶瓷1、感应式极化:离子晶体中最主要的极化形式是电子位移极化和离子位移极化,这两种极化都属于感应式极化,极化强度大小依赖于外施电场。

线性关系,E=0,P=0。

2、自发极化:铁电体所表现的自发极化,却是不依赖于外电场,并能随外电场反向而发生反转。

非线性关系,E=0,P≠0。

3、铁电体(ferroelectric):具有自发极化,且自发极化方向能随外场改变的晶体。

它们最显著的特征,或者说宏观的表现就是具有电滞回线。

4、电滞回线(hysteresis curve):铁电体在铁电态下极化对电场关系的典型回线。

5、电畴(domain):在铁电体中,固有电偶极矩在一定的子区域内取向相同的这些区域就称为电畴或畴。

6、畴壁(domain wall):畴的间界。

7、铁电相变:铁电相与顺电相之间的转变。

当温度超过某一值时,自发极化消失,铁电体变为顺电体。

8、居里温度(Curie temperature or Curie point):铁电相变的温度。

9、铁电体的分类:1)按结晶化学;2)按力学性质;3)按相转变的微观机构;4)按极化轴多少。

10、铁电陶瓷:在一定温度范围内具有自发极化,且自发极化能为外电场所转向的陶瓷称为铁电陶瓷。

4.2陶瓷的铁电性与铁电陶瓷1、BaTiO3的结构与自发极化BaTiO3为钙钛矿结构,由Ba2+离子与O2-离子一起立方堆积,Ti4+处于氧八面体体心。

BaTiO3的相变:立方相、四方相、三角相、正交相。

自发极化产生的原因:Ti4+-O2-间距大(2.005A),故氧八面体间隙大,Ti4+离子能在氧八面体中振动。

T>120℃,Ti4+处在各方几率相同(稳定地偏向某一个氧离子的几率为零),对称性高,顺电相。

T<120℃,Ti4+由于热涨落,偏离一方,形成偶极矩,按氧八面体三维方向相互传递,耦合,形成自发极化的小区域,即电畴。

CaTiO3:a=3.80 A,Ti4+、O2-间距1.90 A,氧八面体空隙比Ti4+小得多,Ti4+与O2-电子壳层发生强烈渗透,当Ti4+运动时,受到的恢复力很大。

无自发极化。

SrTiO3:临界状态电畴的运动:在外电场的推动下,电畴会随外电场方向转向运动。

当外加电场足够强,电畴将尽可能地统一到外电场一致的方向。

电畴的反转过程分为新畴成核、畴的纵向长大、畴的横向扩张和畴的合并四个阶段。

2、 BaTiO3的介电性能介电常数与温度的关系无论是单晶还是陶瓷,都可在Tc或转变点找到ε的峰值。

ε大小可以认为正比于能为单位电场所反转(所定向)的自发极化矢量。

只有自发极化强度大,且又容易为外电场所转向时,ε才大。

a、a轴的ε比c轴大。

在电场作用下,极化尽可能沿电场取向。

单晶有明显的方向性,说明90°畴壁比180°畴壁更能为一般外电场所运动。

或者说与Ps正交的电场更容易使Ps转向,与Ps反平行的电场难以使Ps反转。

b、BaTiO3陶瓷的ε介于单晶的a轴与c轴之间,且峰值不如单晶尖锐。

c、在0℃,-90℃,120℃出现ε的峰值,说明相变点处新畴容易形成,或此时畴壁运动激活能或Ps的定向激活能下降。

d、温度越低,Ps越难定向,或畴壁越难运动,故Tc处ε最大。

e、T>Tc,ε按居里-外斯定律下降。

f、BT陶瓷:陶瓷的ε介乎单晶的a轴和c轴的数值之间;多晶:晶粒随机取向;多畴:多种取向。

转变点处峰值不如单晶尖锐:结构:多相体系,晶粒随机取向,不同热膨胀系数,产生内应力:导致Tc分散(居里区)。

g、Tc均为120℃,第二转变点:单晶:0 ℃;陶瓷:≈20 ℃。

●介电常数ε与电场的关系a、施加交流电场b、加上一个直流电场●介电常数ε与频率的关系●ρ与T的关系:4.3强介铁电瓷的改性机理1、对BaTiO3电容器的要求●介电常数ε:要求在工作温区的ε尽可能高,但ε随温度的变化率(△ε/ε25℃)要小。

ε随电场强度的变化率也要尽可能小。

●介电损耗tgδ:由于BaTiO3电容器主要用于低频电路中起滤波,旁路,隔直流,耦合等作用,因而,只要tgδ≤3%即可。

●绝缘电阻ρv:T↑→ρv↓,特别是工作在高温(≥85℃),高湿,长期在直流电场下(1000小时),Ti4+→Ti3+,造成ρv↓↓,故要求室温ρv≥1012Ω.cm●抗电强度E b:尽可能提高E b。

(因为铁电瓷抗电强度本来低,分散性又大)。

2、铁电瓷改性原理掌握几个概念:居里点&居里区;异相共存;相变扩散;展宽效应;移动效应;重叠效应。

(1) 居里区与相变扩散ε按居里区展开的现象,称为相变扩散(diffuse phase transition)或扩散相变。

其原因通常归为“异相共存”。

异相共存→Tc分散→居里区→相变扩散(说明材料的Tc或εmax都是一个统计结果。

产生上述异相共存的原因分为热起伏,应力起伏,成分起伏,结构起伏等。

●热起伏相变扩散温度是分子运动的平均动量的量度,在实际材料中,各微区的温度并不一定相同,存在“热起伏”或“热涨落”现象。

这种热起伏的微区称为“坎茨格区”,其线度约10~100nm,假设晶粒粒度为1μm,坎茨格区也仅为单个晶粒体积的10-3~10-6,故每个晶粒具有很多坎茨格区。

由于各坎茨格区的温度与宏观温度不同,故Tc由一点变成一个区间—居里区。

当T<Tc时,大部分微区属铁电相,电畴在转向过程中,内电场互相制约以及自发极化产生几何形变而引起应力制约→畴壁运动受阻→转向激活能↑→ε↓。

若施加足够强的交变电场,ε仍可恢复到最大值εeff。

当T>Tc时,大部分微区属顺电相,故ε↓,但仍然有少量铁电微区,由于定向容易,在一定温区内ε仍较大。

但强电场作用也无法使ε达到最大值。

●应力起伏相变扩散单晶:如果外加压应力在介质各个方向上均衡一致,则居里峰将基本保留原有形状向低温平移。

陶瓷晶粒的随机取向:各晶粒受力并不相同,各Tc移动量不同,因此Tc应随压应力↑而展宽。

多晶陶瓷的晶粒之间存在内应力:晶相,玻璃相,杂质,气孔,晶界的热膨胀系数不同;晶粒的热膨胀各向异性;各种缺陷的存在。

由于受外加压应力作用,立方→四方体积膨胀的形变受到约束,电畴难以运动,故随压应力↑,ε峰值↓。

●成分起伏相变扩散两种铁电相共存:在BaTiO3的固溶体中,采用Sr2+,Pb2+离子等价,等数,等位取代A位的Ba2+离子。

BaTiO3,SrTiO3,PbTiO3都属铁电体,但它们的居里点不同,因而形成固溶体后的Tc与其组成有关。

从宏观角度看,Ba2+,Sr2+,Pb2+离子分布是均匀的,但从微区来看并不均匀,存在成分起伏,因而各微区Tc不同,结果使居里点Tc→居里区,ε峰展宽。

铁电相与非铁电相共存:若加入Hf4+,Sn4+,Zr4+等离子取代BaTiO3中的Ti4+离子,由于BaHfO3,BaSnO3,BaZrO3等属非铁电体,加入量少时会形成铁电相“海”中的非铁电相“岛”,因而使铁电性有所下降,ε峰变低变宽。

加入量多时材料失去铁电性。

铁电体与非铁电体共存时相变扩散更加明显。

原因:●当整个固溶体均为铁电体时,电畴定向过程由于受内电场的相互制约和形变引起的应力制约,电畴运动的激活能很大,当温度略为偏离Tc,ε便显著下降。

●铁电相与非铁电相共存时,由于少量非铁电相的隔离与缓冲,使上述电场制约和应力不同程度的削弱,从而使电畴定向激活能↓,因而T偏离Tc时,ε下降慢,从而使ε峰变平。

并且,由于非铁电相的存在,有效自发极化强度下降,故居里峰下降。

●结构起伏相变扩散ABO3钙钛矿结构的A位或B位分别为两种以上不同电价的离子所占据;具有固定的成分,不是固溶体;这些不同电价的原子的分布是“无序”的,称为无序钙钛矿结构。

各微区,甚至是各元胞的Tc不同,因此出现相变扩散,它与成分起伏相变扩散类似,但产生的原因不同,并且效果更显著,居里区可达数百度。

(2) 铁电陶瓷居里峰的展宽效应●什么是展宽效应:指铁电陶瓷的ε与温度关系中的峰值扩张得尽可能的宽旷,平坦,即不仅使居里峰压低,而且要使峰的肩部上举,从而使材料既具有较小的温度系数αε,又具有较大的ε值。

●展宽效应的获得:前面介绍过相变扩散可使居里区展宽,但这不是唯一的展宽效应,虽然成分起伏和结构起伏引起的相变扩散作用较明显,但要使居里峰能大幅展宽,又能具有较大的ε数值,还必须考虑其他效应。

(a) 固溶缓冲型展宽效应:引入展宽剂(b) 粒界缓冲型展宽效应:铁电陶瓷多晶结构的微粒化,也能起到明显的展宽效应。

(3) 铁电陶瓷居里峰移动效应铁电体居里点及其他转变点,随着组成成分的变化,作有规律地移动现象。

(4) 铁电陶瓷重叠效应当两个转变点相互靠近时,不仅两峰值的高度本身有所提高,且两峰之间的区段也提高,类似于两分立峰的叠加,因而又叫重叠效应。

4.4铁电陶瓷的老化与疲劳现象1、铁电老化:初生产出来的铁电陶瓷,其某些介质参数会随储存时间逐渐变化,尤其是铁电特性变弱,这种现象就称为铁电老化(ferroelectric aging)。

2、铁电疲劳:初生产出来的铁电材料,在长时间的交变电场作用下,其铁电性随着电场交变次数的增加而削弱称为铁电疲劳(ferroelectric fatigue)。

4.5铁电陶瓷材料确定原则铁电陶瓷配方的确定原则:先移后展,有所侧重;单独考虑,综合调整。

三、重点、难点分析1、铁电体的基本概念铁电体是指具有自发极化,且自发极化方向能随外场改变的晶体。

这两个要素缺一不可。

也就是说,铁电体所表现的自发极化,是不依赖于外电场,并能随外电场反向而发生反转。

P与E具有非线性关系,即E=0,P≠0。

铁电体最显著的特征,或者说宏观的表现就是具有电滞回线。

2、电畴的基本概念在铁电体中,固有电偶极矩在一定的子区域内取向相同的这些区域就称为电畴或畴。

如果偶极子全部朝向一个方向(单畴),形成均匀极化,则不稳定,周围空间将储存相当大的静电能量。

因此要形成电畴。

均匀极化(单畴)的状态是不稳定的。

铁电体晶体中存在多个电畴。

比如:对BaTiO3而言,四方相:180°和90°电畴。

正交相:60°,90°,120°,180°电畴。

三角相:71°,109°,180°电畴。

相关文档
最新文档