中国集成电路制造产线汇总

经认定后新创办软 件企业
0.8微米及以下
自获利年度起，第一年至第五年免征企业所得
经营期在15年以上
税，第六年至第十年按照25%的法定税率减半
0.25微米及以下或投资
征收企业所得税
额超过80亿元
第一年至第十年免征企业所得税
小于0.25微米或投资额 超过80亿元
2020年 经营期在10年以上
130纳米及以下
武汉 Wuhan 武汉新芯: NOR Flash 长江存储 Fab2: DRAM/3D NAND Flash
成都 Chengdu 德州仪器 CFAB: 8’’, 0.35-0.13um 紫光存储 Fab CD：3D NAND Flash 重庆 Chongqing 华润微电子 Fab: 8’’ 万国半导体 Fab X: 12’’
资料来源：国务院官网，中金公司研究部
线宽65纳米及以下逻辑电路,存储 器; 线宽小于0.25微米（含）的 特色工艺；线宽0.5微米及以下的 化合物集成电路；先进封装测试 企业
图表 2: 中国集成电路制造产线汇总
Hale Waihona Puke Baidu
图例 已投产产线 在建/规划中产线
天津 Tianjin 中芯国际 Fab7: 8’’, 0.35-0.15um 罗姆 Fab1: 6’’, >0.5um 罗姆 Fab2: 6’’, >0.5um
经营期在15年以上 且65纳米及以下 经营期在15年以上 且28纳米及以下
130纳米及以下,总结转年限最长 不得超过10年
“两免三减半” 五免再减到10%
集成电路生产以外企业
设计
设计、装备、材料、封装、测试 企业
国家鼓励的重点集成电路设计企 业和软件企业
免除进口税
进口税 进口自用生产设备,原材料及零配件
大连 Dalian 英特尔 Fab68: NAND
南京 Nanjing 台积电 Fab16: 12”, 16nm 紫光存储 Fab NJ: NAND Flash/DRAM
无锡 Wuxi 华润上华 Fab1: 6’’, 2um 华润上华 Fab2: 8’’, 0.25-0.13um 华润上华 Fab5: 6’’, 0.6-0.5um 华虹宏力合资 Fab7: 12’’, 90-55nm SK 海力士 HC1: DRAM SK 海力士 HC1-二期: DRAM 苏州 Suzhou 联电 Fab 8N: 8’’, 0.35-0.11um
珠海 Zhuhai 珠海南科集成电子 Fab1: 6’’, 0.8 - 0.25um
广州 Guangzhou 粤芯半导体 Fab: 12’’, 65-40nm 深圳 Shenzhen 中芯国际 Shenzhen9: 8’’, 0.18/0.13/0.11um
资料来源：各公司官网，SEMI，中金公司研究部
上海 Shanghai 中芯国际 Fab1: 8”, 0.35-0.18um 中芯国际 Fab2: 8’’, 0.35-0.11um 中芯国际 Fab8: 12’’, 45/40/28nm 中芯南方 SN1: 12’’, 14nm and under 华虹宏力 Fab1: 8’’, 0.35-0.18um 华虹宏力 Fab2: 8’’, 0.18-0.11um 华虹宏力 Fab3: 8’’, 0.25/0.22/0.18/0.13um 华力微 Fab1: 12’’, 55/40/28nm 华力微 Fab2: 12’’, 28nm 华力微 Fab X: 12’’, 28-14nm 上海先进 Fab1: 5’’, 1.5um 上海先进 Fab2: 6’’, 0.5um 上海先进 Fab3: 8’’, 0.35/0.25um 达尔科技 Fab1: 6’’, 1.2um 杭州 H台an积gz电hoFuab10: 8’’, 0.35-0.13um 士兰微电子 Fab1: 5’’ 士兰微电子 Fab2: 6’’ 士兰微电子合资 Fab 3: 8’’
设备装机中产线
北京 Beijing 中芯国际 Fab B1: 12’’, 65nm 中芯国际合资 Fab B2: 12’’,
40/28nm 中芯国际合资 FabX 40/28nm
西安 Xi’an 西岳微电子 Fab1: 6’’ 三星 Fab x1: 3D NAND Flash
合肥 Hefei 力晶（晶合）Fab4: 12’’, 0.15/0.11um, 90 nm 合肥睿力 Fab1: DRAM, 19nm
图表 1: 此次“新政策”的相关变化要点
企业所得税政策 “两免三减半”
“五免五减半”
十年免税 15% 纳税年度发生的亏损 向以后年度结转
集成电路生产企业线宽标准下所得税政策适用条件
具体细则
2000年
2011年
自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得 税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半
征收企业所得税
厦门 Xiamen 士兰微电子 Fab X: 12’’, 90nm 士兰微电子 Fab X: 12’’, 90-65nm 联电 Fab 12X P1/P2: 12’’, 40-28nm