碲镉汞钝化互扩散退火
硅基碲镉汞红外探测器表面钝化研究

硅基碲镉汞红外探测器表面钝化研究硅基碲镉汞红外探测器是一种重要的红外材料和器件,具有广泛的应用前景。
然而,由于表面的缺陷和杂质等因素的存在,会导致器件的性能下降。
因此,研究如何钝化硅基碲镉汞红外探测器的表面,提高其性能,成为当前的研究热点之一。
表面钝化是指通过一系列的化学处理和表面修饰,使材料表面形成一层稳定的物理或化学形态的保护层,以减少或消除表面缺陷和杂质,提高器件的性能。
钝化的方法有很多种,如化学方法、物理方法和生物方法等。
在硅基碲镉汞红外探测器的表面钝化研究中,主要采用的方法有氧化、硫化、氮化和有机修饰等。
氧化是一种常用的表面钝化方法。
通过在硅基碲镉汞红外探测器表面形成一层氧化层,可以减少表面缺陷和杂质的影响,提高器件的性能。
氧化方法有热氧化和化学氧化两种。
热氧化是将硅基碲镉汞红外探测器放置在高温炉中,在氧气或水蒸气的作用下形成氧化层。
化学氧化是将硅基碲镉汞红外探测器浸泡在氧化溶液中,通过化学反应形成氧化层。
这种方法简单易行,但氧化层的质量和稳定性相对较差。
硫化也是一种常用的表面钝化方法。
通过在硅基碲镉汞红外探测器表面形成一层硫化层,可以减少表面缺陷和杂质的影响,提高器件的性能。
硫化方法有热硫化和化学硫化两种。
热硫化是将硅基碲镉汞红外探测器放置在硫化物的气氛中,通过高温反应形成硫化层。
化学硫化是将硅基碲镉汞红外探测器浸泡在硫化物溶液中,通过化学反应形成硫化层。
这种方法可以得到较好的硫化层质量,但工艺相对复杂。
氮化也是一种常用的表面钝化方法。
通过在硅基碲镉汞红外探测器表面形成一层氮化层,可以减少表面缺陷和杂质的影响,提高器件的性能。
氮化方法有热氮化和离子氮化两种。
热氮化是将硅基碲镉汞红外探测器放置在氮气气氛中,通过高温反应形成氮化层。
离子氮化是将硅基碲镉汞红外探测器放置在离子源中,通过离子轰击形成氮化层。
这种方法可以得到较好的氮化层质量,但设备要求较高。
有机修饰也是一种常用的表面钝化方法。
碲镉汞pn结制备技术的研究进展
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碲镉汞pn结制备技术的研究进展
王忆锋;唐利斌
【期刊名称】《红外技术》
【年(卷),期】2009(031)009
【摘要】作为一种禁带宽度可调的半导体,碲镉汞(MCT)至今仍是一种最有效的可在较宽波长(1~25μm)范围内工作的红外探测器.由于材料性质敏感,MCT器件的制备一直是一项具有挑战性的工作.有若干种pn结制备方法可用于制备MCT光伏器件.离子注入是最常用的一种,但该方法需要额外的退火处理.一些替代技术,例如离子束研磨或反应离子刻蚀等,近来年引起较多关注.MCT体晶和外延层的导电类型转换是材料生产和器件制备中最重要的工艺之一.通过对近年来部分英语期刊文献的归纳分析,介绍了MCTpn结制备技术的研究进展.
【总页数】7页(P497-503)
【作者】王忆锋;唐利斌
【作者单位】昆明物理研究所,云南,昆明,650223;昆明物理研究所,云南,昆
明,650223
【正文语种】中文
【中图分类】TN305
【相关文献】
1.中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究 [J], 李雄军;韩福忠;李东升;李立华;胡彦博;孔金丞;秦强;朱颖峰;庄继胜
2.飞秒激光对P型碲镉汞打孔的形貌和PN结特性研究 [J], 周松敏;查访星;郭青天;殷菲;李茂森;马洪良;张波
3.低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究 [J], 陆慧庆;赵军;李向阳;周咏东;方家熊
4.碲镉汞pn结中少数载流子寿命的测量 [J], 崔昊杨;李志锋;全知觉;胡晓宁;叶振华;陆卫
5.反向偏置下碲镉汞环孔PN结耗尽区电容的计算 [J], 王忆锋;庄继胜
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碲镉汞材料表面钝化研究的发展(上)
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能要求 的界 面及表 面势。通过 对近年来 的部分 英语 文献进行 归纳分 析,介 绍 了 MC T表
面钝化 研 究 的进 展。描 述 了 MC T钝 化 的基本概念 讨论 了部分 MC T钝化 膜 的生长方 法、界面性质和 参数 。
M e c y Ca r ur dm i um lur de M a e i l Te l i t ra s
W ANG Yif n —e g,L U Li ig I — n SUN Xi g l CHEN Ya u r an -e n
( n n siueo h s s Ku mig 6 0 2 , hn j Ku migI t t f y i , n n 5 2 3 C ia n t P c
Ab t a t Th raep siaino ruyCa mim e u ie( sr c : es fc as t f u v o Mec r d u T l r l d MCT) tr l io eo ecu il maei s s n f h r c a t a
s e sf rf b i a i g p o O o d c i e a d p o o o t i e e t r .Pr c i a CT e i e e d s a l n t p o a rc tn h t c n u tv n h t v la cd t c o s a tc lM d v c sn e t b e a d r p o u i l a sv t d s ra e n h u f c o e ta s wh c e t t e r p r o m a c e u r me t . e r d c b e p s i a e u f c s a d t e s r a e p t n i l i h m e h i e f r n e r q ie n s Th e e r h p o r s f h ura e pa sv to fM CT t r a si r s n e e r s a c r g e so e s f c s i a i n o t ma e i l sp e e t d.Th a i o c p so h eb scc n e t f e t
MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵
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LA i— n , C E ogLi LN C u H i . ig , DN u— n , 既 I O QnJ u H N H n .e, I hn , U Xa Nn o IGR iu J
MB E原 位 碲 化 镉 钝 化 的碲 镉 汞 长 波光 电二 极 管 列 阵
叶 振华 , 黄 建 , 尹文 , 胡伟 婷 达, 冯婧文 , 路 , 陈 廖亲 陈 君 , 洪雷 , 林 春 , 胡晓宁 , 丁 瑞军 , 何 力
r mo a ,Z S de e t c f m e o i o ,meal ai n a d i d u b mp a r y a rc t n,Hg T o g w v ln h i f - e v l n il cr l d p st n ii i t i t n i m— u ra sfb ia i l z o n o Cd e l n ・ a ee g nr t a
第3 0卷第 6期
21 年 1 01 2月
红 外 与 毫 米 波 学 报
J nrrd Mi i .Ifae l m.W a e l vs
Vo.3 1 0,N . o6
De e e 201 c mb r, 1
文章编号 :0 1 0 4 2 1 )6— 4 5— 5 10 —9 1 (0 1 0 0 9 0
( . 国科学院上海技术物理所 , 1中 红外成像材料与器件 重点 实验 室 , 上海 2 0 8 ; 00 3
2 中 国科学院研究生 院 , . 北京 10 3 ) 0 09
碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术
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Pa s s i va t i o n Te c hno l o g y o f Co m po s i t e Fi l m o n t he Hg CdTe I RFP A
H A N F u - z h o n g ,GE NG S o n g ,S h i Q i ,YU AN S h o u - z h a n g ,Y A NG We i — s h e n g ,J I A NG J u n ,T ANG J i n - c h u n
接 导 致 红外 器 件 的 非均 匀 性 、成 品 率等 指 标 均 不 理
想,制造成本居高不下;钝化膜层表面粗糙度与附着 能力 也是衡 量钝 化膜 层优劣 的关 键 因素 ,良好 的钝 化
q u a l i t y o f Cd T e / Z n S c o mp o s i t e p a s s i v a t i o n i f l m o n he t M CT s u b s t r a t e . T h e r e s u l t s nd i i c a t e d ha t t he t i f l m
s u c h a s t h e s p u t t e r i n g p o we r , d i s t a n c e b e t we e n t a r g e t nd a s u b s t r a t e , mo v e me n t o f s u b s t r a t e , t o i mp r o v e t h e
Cd Te a n d Z n S we r e 1 4 0 W a n d 3 5 0 W, t h e t a r g e t s p a c i n g wa s 4 0 c m nd a he t s wi ng ng a l e o f t h e s u b s t r a t e wa s
高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展
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高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展周连军;王琼芳;韩福忠;白丕绩;舒畅;孙皓;王晓娟;李京辉;邹鹏程;郭建华【摘要】介绍了欧美发达国家在高工作温度碲镉汞中波红外探测器上的工艺技术路线及典型产品技术指标.对昆明物理研究所研制的基于标准n-on-p(Hg空位掺杂)工艺的中波640×512(15 μm)探测器进行了高工作温度性能测试,测试结果显示器件性能基本达到国外产品的同期研制水平.%Several kinds of technology roadmap process and technical specifications of typical product for HOT (high operating temperature) HgCdTe MW infrared detector from Euramerican developed countries are reviewed in this paper.A 640 ×512(15 μm) MW detector that was manufactured by Kunming Institute of Physics based on the standard n-on-p(Hg vacancy doped) process production output was selected for detailed HOT testing.The results prove that the performance of our detector basically reaches the level of foreign products developed in the same period.【期刊名称】《红外技术》【年(卷),期】2017(039)002【总页数】9页(P116-124)【关键词】碲镉汞;高工作温度;红外探测器;标准n-on-p工艺【作者】周连军;王琼芳;韩福忠;白丕绩;舒畅;孙皓;王晓娟;李京辉;邹鹏程;郭建华【作者单位】昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明物理研究所,云南昆明650223【正文语种】中文【中图分类】TN215降低成本、减小尺寸、提高性能是当前碲镉汞红外探测器研究的推动因素。
不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究

为短波方向的响应下降, 认为由于氢化过程 中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面 , 造成少子表面复合速度增加。对 Z S n 钝化的器件氢化处理后性能改善 , 表现为信 号的提高和 噪声的下降, 从光谱 响应上表现为短波方向的响应抬高, 从表面形貌观察发现 Z S的颜色略有 n 变 化 , 阶仪 测试 表 明氢化 后 Z S的厚度减 薄 了约 7 n 通过 SMS测试分 析发 现 氢化过 程 中 台 n 0 m, I
Q A u ,Z O nH n , E Z e — u L i gY n O G H i i IO H i H U We — o g Y hnH a , I a . ag ,G N a— X n Me
( . t eK yLbrtr s f r sue eh o g , h ga Ist eo eh i l hs s C ieeA ae yo 1 S t e aoao e a d cr cnl y Sa h intu f cnc yi , hns cdm f a i oT n T o n it T aP c
不 同介 质层 钝 化 的碲 镉 汞 光 导 型 探测 器 的氢化 研 究
乔 辉 , 文 洪 , 周 叶振 华 李 向阳 龚 海梅 , ,
(. 1 中国科学院上海技术物理研究所传感技术 国家重点实验室 , 上海 20 8 ;. 00 3 2 中国科学 院研究生 院, 北京 10 3 ) 0 0 9
碲镉汞材料表面钝化研究的发展(下)
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法、界 面性质和参 数。
关 键 词 :碲 镉 汞 ;红 外 探 测 器 ;表 面 钝 化 ;表 面 处 理
中图分类号 : T 35 N 0
文献标 识码 : A DOI 1. 6/ in17—75 02 4 0 : 0 99Js . : 8 . 1. . 2 3 .s 6 2 8 2 00
r p o cbl s i a e u f c s 姐 d t e s r a e po e ta s wh c e h i r J n e r q r me t . e r du i e pa sv t d s r a e h u f c t n i l ih me t t e rpe f ’ o ma c e uie n s
6 MCT钝 化 膜 的 界 面 态 密度
由图 1 可见, MC T钝 化膜 可 以是单 层膜 , 也 可 以 是 双 层 膜 钝 化 膜 至 少 存 在 两 个 界 面 :一
个 是 空 气 /钝化 膜 界 面 ,另 一 个 是 钝 化 膜 / T MC
MC 体 内交 换 电 子 所 需 的 时 间 不 同 ,界 面 态 又 T
文章 编 号 : 1 7—7 5 2 1 )40 0 —7 6 28 8 (0 20 —0 70
碲 镉汞材 料表 面钝化 研究 的发 展 ( ) 下
王一 乙锋 刘 黎 明 孙 祥 乐 陈 燕
f 明 物理 研 究所 ,云 南 昆 明 6 0 2 ) 昆 5 2 3
摘 要 :碲镉 汞 ( g- C x e MC ) H 1x d T , T 材料 的表 面钝化 被 认 为是 光 导和 光伏探 测 器制 备 中的关键 步骤之 一。实用 的 MC T器件 需要稳 定且可 重复 生产 的钝化表 面和 符合器件 性 能要 求 的界 面及 表 面势。通过 对近 年来 的部分英 语 文献 进行 y纳分带 ,介 绍 了 MC 5 - : T表
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碲镉汞钝化互扩散退火
首先,让我们从碲镉汞(HgCdTe)材料的角度来看。
HgCdTe是
一种II-VI族化合物半导体材料,具有宽的能隙,适合用于红外探
测器件。
在制造HgCdTe探测器件时,为了降低材料表面和界面的缺
陷密度,提高器件性能,可以采用钝化互扩散退火技术。
这种技术
通过在高温下对HgCdTe材料进行处理,使得表面和界面缺陷得到修复,从而提高材料的质量和性能。
其次,从器件制造工艺的角度来看,钝化互扩散退火是在HgCdTe探测器件制造的关键步骤之一。
在器件制造过程中,通过在
特定温度下对器件进行退火处理,可以有效地降低材料的电子缺陷
密度,改善载流子传输性能,增强器件的灵敏度和响应速度。
此外,钝化互扩散退火还可以提高器件的稳定性和可靠性,延长器件的使
用寿命。
最后,从应用角度来看,采用钝化互扩散退火技术处理的HgCdTe探测器件在红外成像、光谱分析等领域具有广泛的应用前景。
通过钝化互扩散退火处理,HgCdTe探测器件的性能得到提升,可以
实现更高的灵敏度、更低的噪声等优良特性,从而满足红外探测器
件在军事、医疗、环境监测等领域的需求。
总的来说,碲镉汞钝化互扩散退火是一种重要的半导体器件制造技术,通过从材料、工艺和应用三个角度全面分析,可以更好地理解其在HgCdTe探测器件制造中的作用和意义。