模电试卷题库含答案.doc

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压

为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直

流电压），它的电压增益为（ C ）

a、700

b、650

c、100

d、-100

2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中

频时的（ B ）

a、05.

b、0.7

c、0.9

d、1

3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。

A、2 dB

B、3dB

C、4dB

D、6dB

4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为

（ C ）

a、10KΩ

b、2KΩ

c、1 KΩ

d、0.5KΩ

5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内

阻的电压

信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B

（ B ）

a、一样

b、差

c、好

d、无法判别

6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA

a、输入电阻高

b、输入电阻小

c、输出电阻高

d、输出电阻低

理想运放

7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A ）

a、虚短

b、虚断

c、虚地

d、以上均否

8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A ）

a、0V

b、3V

c、6V

d、9V

9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（ C ）

a、9V

b、6V

c、0V

d、3V

10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输

出端，则V0与V N、V P分别成（ D ）

a、同相、同相

b、反相、反相

c、同相、反相

d、反相、同相

11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ）

A、反相比例运算电路

B、同相比例运算电路

C、微分运算电路

D、积分运算电路

半导体

12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D ）。

a、电子

b、空穴

c、三价硼元素

d、五价磷元素

13.半导体中有两种载流子，它们分别是（C ）

a、电子和受主离子

b、空穴和施主离子

c、电子和空穴

d、受主离子和施主离子

14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ）

a、温度

b、杂质浓度

c、掺杂工艺

d、晶体缺陷

15.在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C ）

a、载流子

b、多数载流子

c、少数载流子

d、正负离子

16.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（ A ）

a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同

b、空穴增多，自由电子数目不变

c、自由电子增多，空穴数目不变

d、自由电子和空穴数目都不变

二极管

17.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B ）

a、只从P区流向N区

b、等于零

c、只从N区流向P区

d、无法判别

18.流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（A ）

a、减小

b、增大

c、基本不变

d、无法确定

19.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ）

a、不变

b、变宽

c、变窄

d、无法判别

20.二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为（ B ）

a、5%

b、大于5%

c、小于5%

d、不确定

21.温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（ A ）

a、上移

b、下移

c、不变

d、以上均有可能

22.利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（ D ）

a、反向击穿特性

b、正向特性

c、反向特性

d、单向导电性

23.PN结形成后，PN结中含有（ D ）

a、电子

b、空穴

c、电子和空穴

d、杂质离子

24.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ）

a、相等

b、大于

c、小于

d、无法确定

25.稳压管能够稳定电压，它必须工作在（ D ）

a、正向状态

b、反向状态

c、单向导电状态

d、反向击穿状态

26.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ）

a、2CZ11

b、2AP6

c、2CW11

d、2CP10

27.在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号

模型。如图所示符号为（ C ）。

A、理想模型

B、恒压降模型

C、折线模型

D、小信号模型

三极管

28.放大电路的静态是指（ A ）

a、输入端短路

b、输入端开路

c、交流信号短路

d、交流信号为零

29.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C ）

a、低

b、中

c、高

d、以上均可

30.三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（D ）

a、反偏，反偏

b、反偏，正偏

c、正偏，反偏

d、正偏，正偏

31.三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（ D ）

a、正编、正编

b、反编、反编

c、反编、正编

d、正编、反编