晶体二极管及二极管整流电路试题
第一章二极管及整流电路练习题
晶体二极管及整流电路练习题一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管6、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定7、发光二极管发光时，工作在( )。
A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D．不确定8、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）A. 增大B. 减小C. 不变D. 等于零9、稳压二极管是利用PN结的（）。
A.单向导电性B.反向击穿性C.电容特性D.正向特性10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。
A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无12、电路如下图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压u=（）。
OA . －2V B. 0V C. 6V D. 12V二、判断题：13、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）23、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。
（）24、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。
（）25、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（）26、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
二极管和二极和二极整流电路练习题资料讲解
二极管和二极和二极整流电路练习题晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1、如图所示的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。
2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时R上的电压各为多少。
4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？复习题二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
§2.2 晶体二极管习题1与答案---2018-4-16
第2章§2.2 晶体二极管习题1与参考答案【考核内容】1、二极管工作状态的判断。
2.2 半导体二级管*【模拟实验1】引入如图所示，直流电源E为6v，小灯电压6v,电阻900Ω；二极管的正向压降0.7v；R1=100Ω。
实验结果：开关在1位置，二极管D1导通，小灯亮。
实验结果：开关在2位置，二极管D1截止，小灯不亮。
实验结论：二极管是具有单向导电性的两极器件。
2.2.1 晶体二极管的结构和分类1.二极管结构半导体二极管又称晶体二极管，它由管芯(主要是PN结)，从P区和N区分别焊出的两根金属引线正负极，P区引出为正极，或阳极，用“+”表示；N区引出为负极，或负极，用“-”表示。
以及用塑料、玻璃或金属封装的外壳组成，如图所示二极管的结构。
二极管的核心部分是PN 结，二极管是具有单向导电性的两极器件，这也是二极管的主要特性。
二极管符号：diode [daɪəʊd]2. 二极管分类(1)按半导体材料划分有硅二极管、锗二极管、砷化镓二极管等。
(2)按PN结结构划分有点接触型二极管、面接触型二极管、平面型二极管。
(3)按用途划分有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。
点接触型：结面积小，结电容小，允许电流小，最高工作频率高，用于检波和变频等高频电路。
面接触型：结面积大，结电容大，允许电流大，最高工作频率低，用于工频大电流整流电路。
*平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。
3、半导体器件型号命名方法半导体器件的型号命名，表2-1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。
表2-1-型号组成部分的符号及意义【举例】：2CZ3 ：硅整流二极管，序号3 2CP11：硅普通二极管，序号112.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性：二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
描述了二极管两端电压与流过二极管的电流之间的关系。
晶体二极管及应用练习题
第一题晶体二极管及应用练习题一、填空题。
1、物质按其导电性能分为、、。
2、半导体具有、、。
3、本征半导体是指的半导体。
其内部自由电子数空穴数。
4、自由电子带一个单位的电荷，空穴带一个单位的电荷，它们电性，电量。
5、运载电荷，形成电流的微粒称为。
6、半导体中的载流子有和两种。
7、N型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
8、P型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
9、在一块本征半导体基片上，采用特殊方式，使一边形成P型半导体区域，另一边形成N型区域，在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。
这个薄层就是。
10、PN结的内电场方向是。
11、如果给PN结加上电压称为给PN结以。
12、若PN结的P区接电源的极，N区接电源极，称为正向偏置，简称；若PN结的P区接电源的极，N 区接电源极，称为反向偏置，简称。
13、PN结的特性是。
即。
14、二极管的内部结构，究其本质而言，它就是一个。
15、二极管的伏安特性是指：。
16、在直角坐标系中，用横轴表示，纵轴表示。
将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性，以曲线的形式描述出来，这个曲线称为。
17、二极管的正向特性是指：在偏置电压作用下，流过二极管的电流随电压变化而变化的关系特性。
其正向特性是：在正偏压较低（即：低于）时，正向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内，正向电流正偏压变化而变化，其等效电阻；当正偏压大于后，流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化，此区域为，其等效电阻。
在此区域，二极管两端的正偏电压变化不大，近似为一个固定值，硅管约为，鍺管约为。
18、二极管的反向特性是指：在偏置电压的作用下，流过二极管的随电压的变化而变化的关系特性。
其反向特性是指：在反偏压较低（即低于）时，流过二极管的反向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内流过二极管的反向电流反偏压变化，其等效电阻。
当反偏压大于后，流过二极管的反向电流，此区域称为。
晶体二极管和整流电路测试题
第1章：晶体二极管和二极管整流电路一．填空题：1．二极管的P 区接电位 端，极管的N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之称反向偏置，二极管截止；所二极管具有 性。
2．二极管的PN 结面积不同可分为点接触型、面接触型和 型； 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。
4．单相 用来将交流电压变换成单相脉动直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括 、 等。
8．发光二极管能将电信号转换成 信号，它工作时需要加 偏置电压；光电二极管能将 转换成电信号，它工作时需要加 偏置电压； 二．1．二极管在反向电压超过最高反向工作电压V RM 时会损坏。
（ ）2．稳压二极管在工作中只能作反向连接。
（ ）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（三．选择题：1．图1.17所示符号中，表示发光二极管的为 （ ）2．从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ ）时，处于正向导通状态。
（ ）A ．0B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降4．直流稳压电源中，滤波电路的作用是 （ ）A ．将交流电变为较平滑的直流电B ．将交流电变为稳定的直流电C ．滤除直流电中的交流成分D ．将交流电变为脉动直流电四．1．画出桥式整流电容滤波电路图，若要求V L ＝20V ，I L ＝100ｍA ，①试求电路元件的有关参数；②变压器二次电压的有效值V 2；③整流二极管参数V F 和V RM ；。
2．图1.18给出了一些元器件的电路符号，请合理连线，构成一个5V 的直流稳压电源。
五．综合题： 1．二极管电路如图1.20电压V 0。
设二极管的导通电压降为0.7V 。
2②导通区；③截止区；④击穿区。
A .B .C .D .图1.17图1.20V V ～220V ①②③④⑤⑥W 7805V 0＝5V +-+⑦⑧⑨⑩111213输入端输出端R L 图1.18。
2018《电工电子》测验二极管整流电路
济南电子机械工程学校2017—2018学年第二学期（18上半年）《电工电子》测验2班级________ 姓名________ 学号____ （考试时间：90分钟）一、填空题1、PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。
但是当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为。
2.线性稳压电源主要由、和三部分组成。
3．将交流电转换为直流电的过程称为。
4．把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为。
5．常用的滤波电路有、和三种。
6．在单相桥式整流电路中，如果负载电流为２０Ａ，则流过每只晶体二极管的电流为。
二、选择题1、在P型半导体中（）A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子C．空穴的数量略多于电子 D．没有电子2、把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（）A．电流为零 B．电流基本正常 C．击穿 D．被烧坏3、二极管两端加上正向电压时（）A．一定导通 B．超过死区电压才能导通C．超过0.7伏才导通 D．超过0.3伏才导通4、在如图所示电路中工作于正常导通状态的二极管是（）5、电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB为（）Ａ．－３伏Ｂ．５伏Ｃ．８伏Ｄ．－８伏6、有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将（）A、变好B、变差C、不变D、无法确定7、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量（）A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素8、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量（）A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素9、二极管正向电阻比反向电阻（）A、大B、小C、一样大D、无法确定10、二极管在反向截止区的反向电流（）A、随反向电压升高而升高B、随反向电压升高而急剧升高C、基本保持不变D、随反向电压升高而减少11、晶体二极管内阻是（）A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻12、电路如图所示，输出电压U O应为（）A、0.7VB、3.7VC、10VD、3V13、将交流电压U i经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是（）A、Uo=U iB、Uo=0.45U iC、Uo=0.5U iD、i14、下面列出的几条曲线中，哪条表示的是二极管的伏安特性曲线（）A B C D15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）A、R×100Ω或R×1KΩB、R×1ΩC、R×10ΩD、R×100Ω16、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少17、如图所示，设二极管为理想状态，则电压U AB为（）A、3VB、6VC、-3VD、-6V18、如图所示的电路中，理想二极管D1、D2的工作状态为（）A、D1、D2均导通B、D1截止，D2导通C、D1、D2均截止D、D1导通，D2截止19、将交流220V经单相桥式整流电路转换为直流电压的值为（）A、110VB、0.9×220VC、220V D、220V20、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管（）A、正常B、已被击穿C、内部短路D、内部开路21、已知输入正弦波Ui，欲获取图示输出波形Uo，应选取的合适电路是（）A 、B 、C 、D22、两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中，则（）A、L1比L2亮B、L2比L1亮C、L1、L2一样亮D、以上答案都不对23、在单相半波整流电路中，如果电源变压器二次电压为１００Ｖ，则负载电压将是（）A．100ｖB．４５Ｖ；C．９０Ｖ24、在单相半波整流电路中，如果负载电流为１０Ａ，则流经整流晶体二极管的电流为（）A．４．５Ａ；B．５Ａ；C．１０Ａ25、在单相桥式整流电路中，若电源变压器二次电压为１００Ｖ，则负载电压为（）A．４５ＶB．５０ＶC．９０Ｖ26、在单相桥式整流电路中，如果负载电流为１０Ａ，则流过每只整流晶体二极管的电流为（）A．１０Ａ；B．５Ａ；C．４．５Ａ27、在单相桥式整流电路中，如果一只整流晶体二极管接反，则（）A．将引起电源短路；B．将成为半波整流电路；C．仍为桥式整流电路二、判断题1、二极管导通后，其电流大小与正向电压成正比。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
11寒假作业
高二年级计算机专业电子技术寒假作业第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空：1．半导体中的多数载流子是由产生的；少数载流子是由产生的。
2．PN结加正向电压，其空间电荷区（耗尽层）将，电阻值将。
PN结加反向电压，其空间电荷区（耗尽层）将，电阻值将。
3．正偏二极管的动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而。
4．如下图所示电路中，二极管为硅管时I= 毫安；若二极管为锗管时，I= 毫安。
5．理想二极管电路如图所示，V1处于工作状态，V2处于工作状态，输出电压V AB为伏。
二、判断题：（2′×10=20′）1．二极管一经击穿便将失效，因为击穿是不可逆的。
（）2．二极管导通后。
其电流大小与二极管的型号无关。
（）3．滤波是利用电容两端电压不能突变或电感电流不能突变的特性实现的。
（）4．整流电路中整流二极管所承受的最大反向电压V RM的值与是否加入滤波电容无关。
（）5．P型半导体的多数载流子为空穴，所以P型半导体带正电。
（）三、综合计算题：1．如图所示，已知R1=30KΩ，R2=60KΩ，E1=120V ，E2=60V，E3=20V，求流过二极管的电流I，设二极管正向电阻视为零。
2．单相桥式可控整流电流电路如图所示（1）画出开关S未合上时的输出电压v o的波形；（2）画出开关S合上时的输出电压v o的波形；（3）比较开关S合上前后的输出波形可得出什么结论？V2R L第二章练习二一、下图所示是在电路中测出的各三极管的三个电极对地电位。
试判断各三极管处于何种工作状态(设图中PNP型管均为锗管，NPN型管均为硅管)？12．34．85．6．7．8．二、已知放大状态下的各管脚之间的电压，试判断管子的类型、材料及各管脚名称。
1、23、1．类型2．类型3．类型材料材料材料○1○1○2○2○3○3○1○1○2○2○3○3○1○1○2○2○3○3三、已知各电极之间的电压，判断管子的工作状态。
1、硅管NPN型○1○1V BC=-6V，V CE=5.7V；○2○2V BC=-2V, V CE=2.7V；3V4.6V7V - -3.7V○3○3V BC =0.4V , V CE =0.3V ； 2、锗管PNP 型 ○1○1V BC =3V ， V BE =-0.3V ； ○2○2V BC =-0.2V , V CE =-0.1V ； ○3○3V BC =2.3V , V CE =-2V 。
2015年电子招收中职毕业生题库二
2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考电子类技能考试样库第一章•晶体二极管及二极管整流电路第一节.识记二极管单向导电性，二极管伏安特性和主要参数；A:判断题：1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（）2.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX10K档位。
（）3.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（）4.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX0K档位（）。
5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（）6.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）7 .二极管和三极管都是非线性器件。
（）8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（）9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（）B:选择题1.P型半导体的多数载流子是（）。
A.电子B.空穴C.电荷D.电流2.晶体硅或锗中，参与导电的是（）。
A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C3.下列说法正确的是（）。
A.N型半导体带负B.P型半导体带正C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生4.N型半导体的多数载流子是（）。
A.电流B.自由电子C.电荷D.空穴5.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B.P型半导体中只有空穴导电C.N型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子•空穴•离子参与导电6.稳压二极管是利用PN结的（）来实现稳压性能的。
A.反向击穿特性B.正向导通性C.反向截止性D.单向导电性7.锗二极管导通时，它两端电压约为（）。
A.1VB.0.7VC.0.3VD.0.5V8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。
A.自由电了是多数载流子B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体9.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高10.PN结呈现正向导通的条件是（）。
有关二极管的练习题
一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 检波C. 开关D. 滤波2. 二极管正向导通的条件是：A. P区电位高于N区电位B. N区电位高于P区电位C. P区电位低于N区电位D. P区和N区电位相等3. 二极管反向截止时，其电流大小主要取决于：A. 二极管的反向电阻B. 外加反向电压C. 二极管的正向电流D. 二极管的反向电流4. 二极管正向导通时，其电压降大约为：A. 0.3VB. 0.7VC. 1.0VD. 1.5V5. 二极管在电路中的作用不包括：A. 限幅B. 整流C. 检波D. 放大二、填空题1. 二极管由__________和__________两种半导体材料组成。
2. 二极管正向导通时，其正向电阻约为__________；反向截止时，其反向电阻约为__________。
3. 二极管在电路中常用于__________、__________和__________等。
4. 二极管正向导通时，其电流与电压的关系可用__________方程表示。
三、判断题1. 二极管在正向导通时，其正向电阻无穷大。
（）2. 二极管在反向截止时，其反向电流为零。
（）3. 二极管可以用于放大信号。
（）4. 二极管在电路中只能起到开关作用。
（）四、简答题1. 简述二极管正向导通和反向截止的条件。
2. 解释二极管在电路中的作用。
3. 说明二极管在整流电路中的应用。
五、计算题1. 已知二极管正向导通电压为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 若二极管反向电压为100V，反向电流为1μA，求二极管的反向电阻。
3. 设计一个简单的桥式整流电路，并计算输出电压和电流。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的限幅作用。
2. 分析二极管在电路中的开关作用。
3. 分析二极管在电路中的检波作用。
七、选择题6. 二极管反向击穿电压是指：A. 二极管正向导通时的电压B. 二极管反向截止时的电压C. 二极管反向电流开始急剧增加的电压D. 二极管正向电流开始急剧增加的电压7. 在二极管正向导通时，若P区掺杂浓度高于N区，则该二极管为：A. P型二极管B. N型二极管C. 双极型二极管D. 双层二极管8. 二极管在电路中实现整流时，通常采用的连接方式是：A. 串联B. 并联C. 串并联D. 无特定连接方式9. 二极管在电路中实现稳压时，通常采用的元件是：A. 电阻B. 电容C. 稳压二极管D. 变压器10. 二极管在电路中实现检波时，通常采用的电路是：A. 串联电路B. 并联电路C. 滤波电路D. 放大电路八、填空题11. 二极管在正向导通时，其电流与电压的关系可用__________方程表示。
晶体二极管及应用电路作业答案
1 图（a ）和图（b ）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。
假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压O v 的波形。
[解]图P1-8 输入正半周时，D 1导通，D 2截止。
输入正半周时，D 1D 3导通，D 2D 4截止。
输入负半周时，D 2导通，D 1截止。
输入负半周时，D 2D 4导通，D 1D 3截止。
（a ）（b ）两整流电路0v 波形相同（图P1-8-1）：2 在T=300K 时，某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。
两管按如图所示的方式串联，且电流为1mA 。
试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。
[解]S I I >>，两管已充分导通，故V A 关系为/T V V S I I e =，由此 ln T S IV V I =，取26T V =mV （T=300K ）∴ 10000.026ln 0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。
图P1-8-13 在T=300K 时，利用PN 结伏安方程作以下的估算：（1）若反向饱和电流10S I =μA ，求正向电压为0.1V ，0.2V 和0.3V 时的电流。
（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正反向电压均为0.05V ，求正向电流与反向电流比值的绝对值。
[解]（1）V =0.1伏时，0.1/0.026110(1)458I e μ=-=A ；V =0.2伏时，0.2/0.026210(1)21.9I e =-=mA ； V =0.3伏时，0.3/0.026310(1) 1.026I e=-=A ； （2）按题意/0.0260.9(1)V S S I I e-=-由上式解出0.026ln0.10.06V ==-（V） （3）0.05/0.0260.05/0.0261 5.84 6.8410.54I e I e +---===- 1-4 试分析图示电路中的二极管2AP15的状态（导通还是截止）。
二极管及整流电路试题及答案
二极管及整流电路试题及答案一、单选题1.二极管两端加正向电压时，A、立即导通B、超过死区电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过击穿电压就导通【正确答案】：B2.当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、大电容C、断开的开关D、接通的开关【正确答案】：D3.以下关于单相半波整流电路的各种叙述中，正确的是A、流过整流管的电流小于负载电流B、流过整流管的电流与负载电流相等C、整流管的端电压为零D、整流管承受的最大反向电压等于负载电压平均值【正确答案】：B4.普通二极管导通时，则二极管两端所加的电压是A、正向偏置B、反向偏置C、无偏置D、零偏置【正确答案】：A5.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为A、杂质半导体B、本征半导体C、P型半导体D、N型半导体【正确答案】：B6.二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、零偏B、反偏C、正偏D、击穿【正确答案】：C7.下图所示电路中，输入电压V，kΩ。
则当开关S1、S2均断开时，输出电压的平均值为A、45VB、90vC、100vD、120v【正确答案】：A8.下列关于电感滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电感器的B、电感器端电压为电路输入脉动直流电中的直流分量；C、电路的输出电压平均值得到提升；D、电感量L越大，滤波效果便越好。
【正确答案】：D9.面接触型二极管比较适用于A、小信号检波B、小功率整流C、大电流开关D、大功率整流【正确答案】：D10.半导体中导电的载流子是A、电子B、空穴C、离子D、电子和空穴【正确答案】：D11.锗二极管的导通电压是A、0.1V左右B、0.3V左右C、0.5V左右D、0.7V左右【正确答案】：B12.电路如图，VD为理想二极管，则二极管的状态是A、导通B、截止C、击穿D、烧坏【正确答案】：A13.下图所示电路中，输入电压V，kΩ。
则当开关S1断开、S2闭合时，输出电压的平均值为。
(完整word版)晶体二极管和二极管整流电路试题
晶体二极管一、选择题（每题分，计分)1。
二极管正向导通时，呈现····················（ )A. 较小电阻B。
较大电阻C。
不稳定电阻 D. 无法确定2。
硅稳压管稳压电路适用于·····················( ) A。
输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C。
输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D。
输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是···················( )A。
普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B。
普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C。
硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ） VA。
0。
2 B. 0.3 C。
0.5 D. 0。
75。
通常要求二极管正反向电阻相差················· ( ）A. 越小越好B。
晶体二极管及二极管整流电路试题
D. 将直流变为交流
13. 稳压二极管是利用二极管的（
）特征制造的特殊二极管。
A. 正向导通时电压变化小
B. 反向截止时电流小
C. 反向击穿时电压变化小而反向电流变化大
D. 单向导电
14. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（
）。
A. 大 B. 小 C. 相等
D. 无法判断
15. 电路如图所示，则处于导通状态的二极管是 ( ) 。
3. 半导体二极管主要是依靠 PN结而工作的。 （ ）
4. 二极管是线性器件。 （ ）
：
号
5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
考
6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）
（）
7. PN 结的单向导电性，就是 PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）
8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为
电阻往往起到限流的作用。
（）
二极管将会发生热击穿， 所以， 与其配合的
14. 整流电路由二极管组成， 利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）
15. 用两只二极管就可实现单相全波整流， 而单相桥式整流电路却用了四只二极管，
做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）
这样
16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择
：
截止。 （ ）
名
姓
9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）
10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）
11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏
二极管和二极和二极整流电路练习题
晶体二极管和二极管整流电路一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。
（）2、N型半导体中导电的是自由电子。
（）3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）4、在半导体内部，只有空穴是载流子。
（）5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
（）6、半导体中导电的是多数载流子。
（）7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。
晶体二极管复习题
晶体二极管复习题一、填空题：1、晶体二极管加时导通,加时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
2、所谓半导体是指。
半导体中存在两种载流子：和。
３、的半导体称为本征半导体。
４、P型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子, 为少数载流子。
5、N型半导体又称为半导体,其内部为多数载流子，为少数载流子。
６、晶体二极管是在硅或锗单晶基片上加工出P型区和Ｎ型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层称为PN结,ＰN 结具有性。
7、加在二极管两端的和间的关系称为二极管的伏安特性,二极管的伏安特性曲线是的(填“线性”或“非线性”）。
8、二极管的门坎电压:硅：，锗:。
9、二极管的导通电压：硅: ,锗：。
1０、当二极管的正向电压小于门坎电压时,二极管处于状态。
11、当二极管的反向电压小于反向击穿电压时，反向电流很小,它不随反向电压而变化，称为。
12、用万用电表测试二极管时，将万用表拨到挡,一般用挡。
用红黑表笔分别接二极管的两端测试一次，再将红黑表对调再测试一次，若两次测得的值都很大,则表明；若两次测得的值都很小,则表明；若一次大一次小,则表明，其中电阻较小的那一次黑表笔所接的为二极管的极。
１34、画电路图符号:整流二极管：,稳压二极管：,发光二极管:,光敏二极管:。
1４、二极管的型号中：第二部分所表示的意义：A：，Ｂ: ，Ｃ：,D：；第三部分所表示的意义：P: ,W: ,Ｚ: 。
二、选择题:1、如果二极管的阳极电位为1.５Ｖ，阴极的电位为0.８Ｖ,二极管将会（)。
Ａ导通ﻩﻩB截止ﻩﻩﻩＣ烧坏二极管ﻩＤ无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V,阴极电位是—5V,该晶体二极管处于（）。
A正偏ﻩﻩﻩB反偏ﻩﻩＣ零偏ﻩﻩD无法确定３、半导体二极管加正向电压时，( )A、电流大电阻小ﻩﻩB、电流大电阻大ﻩＣ电流小电阻小D、电流小电阻大4、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为(）。
二极管整流电路试题 月考
2012级12月电子月考试题一、填空1、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体。
2、如图，这是材料的二极管的____曲线，在正向电压超过 V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。
正常导通后，此管的正向压降约为 V。
当反向电压增大到 V时，即称为电压时，反向电流会急剧增大，该现象为。
若反向电压继续增大，容易发生现象。
其中稳压管一般工作在区。
3、用万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。
两次测的阻值相差越大，则说明二极管的越好。
4、整流是指_______________________________________，将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程： ___________ →____________ →____________ →____________5、有一直流负载R L=9Ω，需要直流电压V L=45V, 现有2CP21 (I FM=3000mA,V RM=100V)和2CP33B (I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管若干,若采用桥式整流电路，应该选用型的二极管只。
6、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去，获得比较的直流电,通常接在电路的后面。
它一般分为、和两类，其中的滤波效果较好。
7、图中，V为硅二极管。
1)S与A接通时，V的状态，V MN= V与B接通时，的状态，V MN= V二、判断题1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。
2、（）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
4、（）硅二极管死区电压是0.3V，正向压降是0.6V。
5、（）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。
6、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。
（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。
（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。
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《晶体二极管及二极管整流电路》试题
一、判断题（每空2分，共36分）
1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）
2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（）
3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（）
4. 二极管是线性器件。
（）
5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（）
6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（）
7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（）
8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（）
9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（）
10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。
（）
11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。
（）12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。
13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。
（）
14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。
（）
15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（）
16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（）
17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。
（）
18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。
（）
二、单选题（每空2分，共32分）
1. 本征半导体是（）。
A. 掺杂半导体
B. 纯净半导体
C. P型半导体
D. N型半导体
2. P型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子
B. 空穴
C. 电荷
D. 电流
3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴
B. P型半导体中只有空穴导电
C. N型半导体中只有自由电子参与导电
D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电
4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。
A. 降低/降低
B. 降低/升高
C. 升高/降低
D. 升高/升高
5. PN结呈现正向导通的条件是( )。
A. P区电位低于N区电位
B. N区电位低于P区电位
C. P区电位等于N区电位
D. N区接地
6. 硅二极管导通时，它两端的正向导通压降约为（）。
A. B. C. D.
7. 二极管由（）个PN结组成。
D. 0
8. 晶体二极管的正极电位是-8V，负极电位是-2V，则该晶体二极管处于（）。
A. 反偏
B. 正偏
C. 零偏
D. 不可判断
9. 晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-16V，则该晶体二极管处于（）。
A. 反偏
B. 正偏
C. 零偏
D. 不可判断10. 稳压二极管具有（）作用。
A. 开关
B. 稳压
C. 放大
D. 滤波
11. 稳压二极管的正常工作状态是（）。
A. 导通状态
B. 截止状态
C. 反向击穿状态
D. 饱和状态
12. 整流电路的目的是（）。
A. 将交流变为直流
B. 将高频变为低频
C. 将正弦波变为方波
D. 将直流变为交流
13. 稳压二极管是利用二极管的（）特征制造的特殊二极管。
A. 正向导通时电压变化小
B. 反向截止时电流小
C. 反向击穿时电压变化小而反向电流变化大
D. 单向导电
14. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（）。
A. 大
B. 小
C. 相等
D. 无法判断
15. 电路如图所示，则处于导通状态的二极管是( )。
A. 只有D1
B. 只有D2
C. D1和D2
D. D1和D2均不导通
16. 当硅晶体二极管加上正向电压时，该晶体二极管相当于（）。
A. 小阻值电阻
B. 一根导线
C. 内部短路
D. 阻值很大的电阻
三、填空题（每空2分，共24分）
1、把交流电转换成直流电的过程称为，原理是利用晶体二极管的
性。
常用的整流电路有：、、。
2、滤波电路的作用是：。
3、常见的滤波器有：、、。
4、晶体二极管因所加电压过大而，并且出现的现象，称为热击
穿。
四、分析题
1.如图所示电路中，哪一个灯泡不亮（2分）
2、如图所示整流电路，若直流电压表V L读数为110V，负载电阻R L=80Ω，问：①直
流电流表A的读数为多少②交流电压表V2读数是多少（6分）。