封装测试工艺培训(ppt 60页)
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封装测试工艺技术管理教育资料(61页)
Al键合点
金球到达键合点后在热、压力、及超声波的作用下，破坏Al电极 表面氧化层，接触到Al的新生面，达到接着的目的。
24
热压超声键合示意图
PAD
金线
夹子
劈刀
LEAD
向PAD点 移动
接触PAD 后，热、 压力、超 声发生作 用
劈刀上升 引线形状控 制
接触lead 后，热、 压力、超 声发生作 用
劈刀向上 运动，夹 子闭合， 拉断金线
40
201 50
40
Wire Bond - Wedge
60
45
40
35
35
35
TAB
50
50
50
50
50
50
Flip Chip (Area Array) 250
180
130
100
70
50
29
小间距与初始球径
Normal
Estimated
Achievement
Big Pad Area
Small Pad Area
Fine Pitch Bonding
Year of First Product Shipment Technology (nm)
Chip Interconnect Pitch (um)
1997 250
Wire Bond - Ball
70
1999 180
50
2002 130
45
2005 100
40
2008 70
从划片工艺上区分有：全切和半切两种
全切：将大圆片划透。适用于比较大的芯片，是目前最流行的划 片工艺。
半切：在划片作业中，不将大圆片划透，留有120um~180um的余 量，适用于较小的芯片。
封装测试工艺教育资料共15页文档
就越加自命不凡。——邓拓 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。——爱尔兰 13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。——老子 14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。——歌德 15、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。——迈克尔·F·斯特利
封装测试工艺教育资料
16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事， 只想现 在的事 。现在 有成就 ，以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人，心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、懦弱的人只会裹足不前，莽撞的 人只能 引为烧 身，只 有真正 勇敢的 人才能 所向披 靡。
封装测试工艺教育资料
16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事， 只想现 在的事 。现在 有成就 ，以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人，心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、懦弱的人只会裹足不前，莽撞的 人只能 引为烧 身，只 有真正 勇敢的 人才能 所向披 靡。
芯片封装技术培训课件
芯片封装技术培训课件芯片封装技术培训课件芯片封装技术是现代电子行业中不可或缺的一环。
它起到了保护芯片、传导热量、提高电气连接性和机械强度等重要作用。
本文将介绍芯片封装技术的基本原理、封装材料的选择以及未来发展趋势。
一、芯片封装技术的基本原理芯片封装技术是将芯片封装在外壳中，以保护芯片免受外界环境的影响。
它通过将芯片与外界连接，实现芯片与外界设备的通信和互动。
封装过程中，需要将芯片与封装材料进行粘合，并通过焊接等手段实现电气连接。
芯片封装技术的基本原理可以分为以下几个步骤：首先，将芯片放置在封装基板上，并使用导电胶水将芯片固定在基板上。
接下来，通过焊接技术将芯片的引脚与基板上的连接线连接起来，形成电气连接。
最后，使用封装材料将芯片封装在外壳中，以保护芯片免受外界环境的影响。
二、封装材料的选择封装材料的选择对芯片封装技术起着至关重要的作用。
合适的封装材料可以提供良好的机械强度、导热性能和电气连接性，从而保护芯片的正常运行。
在选择封装材料时，需要考虑以下几个因素：首先，材料的导热性能。
芯片在工作过程中会产生大量的热量，如果导热性能不好，会导致芯片温度过高，影响芯片的正常工作。
其次，材料的机械强度。
封装材料需要具备足够的机械强度，以保护芯片不受外力损伤。
最后，材料的电气连接性。
封装材料需要具备良好的导电性能，以实现芯片与外界设备的电气连接。
常见的封装材料包括有机封装材料、无机封装材料和复合封装材料等。
有机封装材料通常具有良好的导热性能和电气连接性，但机械强度较差；无机封装材料具有较好的机械强度和导热性能，但电气连接性较差；复合封装材料则综合了有机和无机封装材料的优点，具有较好的综合性能。
三、芯片封装技术的未来发展趋势随着电子行业的快速发展，芯片封装技术也在不断进步和创新。
未来，芯片封装技术将朝着以下几个方向发展：首先，封装材料的研发将更加注重环保和可持续性。
随着环境保护意识的增强，封装材料的研发将更加注重减少对环境的影响，并提高材料的可持续性。
生产工艺培训课件(PPT65张)
生产工艺培训
主讲：杨高平
主要内容：
一．封装生产工艺流程
二．清洗工序
三．焊接工序
四．层压工序
五．高压釜工序
一、封装工艺生产流程
裁切PVB
背玻璃清 洗
制备传来 的前电池
超声波焊 接
摊铺PVB
合背板
功率测试 装接线盒
合 格
检验
层压工序
不合格 成品层压
清洗包装 入库
返修
高压釜
半成品层压
二、清洗工序
清洗工序：
什么是钢化玻璃：
钢化玻璃是用普通平板玻璃或浮法玻璃加工处 理而成，是普通平板玻璃的二次加工产品； 普通平板玻璃要求用特选品或一等品；浮法玻 璃要求用优等品或一级品。
什么是钢化玻璃：
钢化玻璃的加工可分为物理钢化法和化学钢化 法。 这里只介绍物理法
什么是钢化玻璃：
物理钢化玻璃又称为淬火钢化玻璃。它时将普 通平板玻璃在加热炉中加热到接近玻璃的软化 温度（600℃）时，通过自身的形变消除内部 应力，然后将玻璃移出加热炉，再用多头喷嘴 将高压冷空气吹向玻璃的两面，使其迅速且均 匀地冷却至室温，即可制得钢化玻璃。 简单说：普通玻璃或浮法玻璃，先加热到600 度左右，再急速冷却，就得到钢化玻璃；
水分含量 % 拉伸程度 Mpa 断裂伸长率 % 雾度 % 收缩率 (60℃/15min) % 0.4-0.6 ≥20.0 ≥200 < 0.4 ≤12
PVB裁切的要求：
裁切的尺寸要符合要求； 不允许一次裁切大量PVB搁置很长时间后 才使用，原则上每次裁切最多30--60块， 裁切好的PVB要在30分钟内投入使用； 班长，要根据生产情况，安排好裁切PVB 的数量，严禁停产后仍然有大量的PVB没 有使用，出现此类情况追究班长责任；
主讲：杨高平
主要内容：
一．封装生产工艺流程
二．清洗工序
三．焊接工序
四．层压工序
五．高压釜工序
一、封装工艺生产流程
裁切PVB
背玻璃清 洗
制备传来 的前电池
超声波焊 接
摊铺PVB
合背板
功率测试 装接线盒
合 格
检验
层压工序
不合格 成品层压
清洗包装 入库
返修
高压釜
半成品层压
二、清洗工序
清洗工序：
什么是钢化玻璃：
钢化玻璃是用普通平板玻璃或浮法玻璃加工处 理而成，是普通平板玻璃的二次加工产品； 普通平板玻璃要求用特选品或一等品；浮法玻 璃要求用优等品或一级品。
什么是钢化玻璃：
钢化玻璃的加工可分为物理钢化法和化学钢化 法。 这里只介绍物理法
什么是钢化玻璃：
物理钢化玻璃又称为淬火钢化玻璃。它时将普 通平板玻璃在加热炉中加热到接近玻璃的软化 温度（600℃）时，通过自身的形变消除内部 应力，然后将玻璃移出加热炉，再用多头喷嘴 将高压冷空气吹向玻璃的两面，使其迅速且均 匀地冷却至室温，即可制得钢化玻璃。 简单说：普通玻璃或浮法玻璃，先加热到600 度左右，再急速冷却，就得到钢化玻璃；
水分含量 % 拉伸程度 Mpa 断裂伸长率 % 雾度 % 收缩率 (60℃/15min) % 0.4-0.6 ≥20.0 ≥200 < 0.4 ≤12
PVB裁切的要求：
裁切的尺寸要符合要求； 不允许一次裁切大量PVB搁置很长时间后 才使用，原则上每次裁切最多30--60块， 裁切好的PVB要在30分钟内投入使用； 班长，要根据生产情况，安排好裁切PVB 的数量，严禁停产后仍然有大量的PVB没 有使用，出现此类情况追究班长责任；
半导体封装工艺介绍ppt
详细描述
静电放电
半导体封装工艺发展趋势和挑战
05
将多个芯片集成到一个封装内，提高封装内的功能密度。
集成化封装
利用硅通孔（TSV）等先进技术实现芯片间的三维互连，提高封装性能。
2.5D封装技术
将多个芯片通过上下堆叠方式实现三维集成，提高封装体积利用率和信号传输速度。
3D封装技术
技术创新与发展趋势
详细描述
金属封装是将半导体芯片放置在金属基板的中心位置，然后通过引线将芯片与基板连接起来，最后对整个封装体进行密封。由于其高可靠性、高导热性等特点，金属封装被广泛应用于功率器件、高温环境等领域。
金属封装
总结词
低成本、易于集成
详细描述
塑料封装是将半导体芯片放置在塑料基板的中心位置，然后通过引线将芯片与基板连接起来，最后对整个封装体进行密封。由于其低成本、易于集成等特点，塑料封装被广泛应用于民用电子产品等领域。
半导体封装工艺中常见问题及解决方案
04
VS
机械损伤是半导体封装工艺中常见的问题之一，由于封装过程中使用到的材料和结构的脆弱性，机械损伤往往会导致封装失效。
详细描述
机械损伤包括划伤、裂纹、弯曲、断裂等情况，这些损伤会影响半导体的性能和可靠性，甚至会导致产品失效。针对这些问题，可以采取一系列预防措施，如使用保护膜保护芯片、优化封装结构、控制操作力度和避免不必要的搬动等。
腐蚀和氧化
静电放电是半导体封装工艺中常见的问题之一，由于静电的存在，会导致半导体器件的损伤或破坏。
总结词
静电放电是指由于静电积累而产生的放电现象，它会对半导体器件造成严重的危害，如电路短路、器件损坏等。为了解决这个问题，可以在工艺过程中采取一系列防静电措施，如接地、使用防静电设备和材料、进行静电测试等。同时，还可以在设计和制造阶段采取措施，如增加半导体器件的静电耐受性、优化电路设计等。
静电放电
半导体封装工艺发展趋势和挑战
05
将多个芯片集成到一个封装内，提高封装内的功能密度。
集成化封装
利用硅通孔（TSV）等先进技术实现芯片间的三维互连，提高封装性能。
2.5D封装技术
将多个芯片通过上下堆叠方式实现三维集成，提高封装体积利用率和信号传输速度。
3D封装技术
技术创新与发展趋势
详细描述
金属封装是将半导体芯片放置在金属基板的中心位置，然后通过引线将芯片与基板连接起来，最后对整个封装体进行密封。由于其高可靠性、高导热性等特点，金属封装被广泛应用于功率器件、高温环境等领域。
金属封装
总结词
低成本、易于集成
详细描述
塑料封装是将半导体芯片放置在塑料基板的中心位置，然后通过引线将芯片与基板连接起来，最后对整个封装体进行密封。由于其低成本、易于集成等特点，塑料封装被广泛应用于民用电子产品等领域。
半导体封装工艺中常见问题及解决方案
04
VS
机械损伤是半导体封装工艺中常见的问题之一，由于封装过程中使用到的材料和结构的脆弱性，机械损伤往往会导致封装失效。
详细描述
机械损伤包括划伤、裂纹、弯曲、断裂等情况，这些损伤会影响半导体的性能和可靠性，甚至会导致产品失效。针对这些问题，可以采取一系列预防措施，如使用保护膜保护芯片、优化封装结构、控制操作力度和避免不必要的搬动等。
腐蚀和氧化
静电放电是半导体封装工艺中常见的问题之一，由于静电的存在，会导致半导体器件的损伤或破坏。
总结词
静电放电是指由于静电积累而产生的放电现象，它会对半导体器件造成严重的危害，如电路短路、器件损坏等。为了解决这个问题，可以在工艺过程中采取一系列防静电措施，如接地、使用防静电设备和材料、进行静电测试等。同时，还可以在设计和制造阶段采取措施，如增加半导体器件的静电耐受性、优化电路设计等。
LED封装培训资料(看封装制程_有图片) 全文免费
· LED SMD： SMD生产前打开静电袋包装先除湿（条件：60℃/6H以上）， 除湿后的LED必须在 12小时内用完，未用完的做好防潮保存，在下次使用前重复前面的除湿动作﹔用于手 动作业的散装LED使用前必须用100度4小时以上的条件除温
清洁
· 不要使用不明的化学液体清洗LED﹐因可能会损伤LED树脂表面﹐甚至引起胶体裂缝。 如有必要﹐请在常温下把LED浸入酒精中清洗﹐时间在1分钟之内
· 框晶 将芯片胶带绷紧于框晶环上，以利固晶
芯片
扩晶
框晶
LED lamp制程--固晶銲线
· 固晶(点银胶)
支架 银胶
解冻
点银胶 搅拌
· 固晶
LED lamp制程--固晶銲线
芯片
固晶
固检
烘烤
推力检 查
LED lamp制程--固晶銲线
· 銲线(Ball Bond) 利用温度、压力，超音波，将金线銲接于芯片銲垫与支架上
Led原物料
芯片
支架
LED发光颜色
Violet
450nm Blue
490nm Green
560nm Yellow
590nm Orange
630nm Red
760nm
LED波段范围
无 微红
线 外
电 波线
波
紫光 360-420
黄绿光 560-575
红光 615-630
可
见
光
红橙黄绿蓝靛紫
紫XY 外 射射 线 线线
LED培训资料
内容
1
LED lamp制程介绍
2
LED SMD制程介绍
3
LED电性参数
4
LED使用注意事项
LED的工作原理
清洁
· 不要使用不明的化学液体清洗LED﹐因可能会损伤LED树脂表面﹐甚至引起胶体裂缝。 如有必要﹐请在常温下把LED浸入酒精中清洗﹐时间在1分钟之内
· 框晶 将芯片胶带绷紧于框晶环上，以利固晶
芯片
扩晶
框晶
LED lamp制程--固晶銲线
· 固晶(点银胶)
支架 银胶
解冻
点银胶 搅拌
· 固晶
LED lamp制程--固晶銲线
芯片
固晶
固检
烘烤
推力检 查
LED lamp制程--固晶銲线
· 銲线(Ball Bond) 利用温度、压力，超音波，将金线銲接于芯片銲垫与支架上
Led原物料
芯片
支架
LED发光颜色
Violet
450nm Blue
490nm Green
560nm Yellow
590nm Orange
630nm Red
760nm
LED波段范围
无 微红
线 外
电 波线
波
紫光 360-420
黄绿光 560-575
红光 615-630
可
见
光
红橙黄绿蓝靛紫
紫XY 外 射射 线 线线
LED培训资料
内容
1
LED lamp制程介绍
2
LED SMD制程介绍
3
LED电性参数
4
LED使用注意事项
LED的工作原理
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封装测试工艺培训
广州先艺电子科技有限公司
1
封装形式
插入实装形
IC PKG
表面实装形
其他
DIP：DIP、SHD SSIP、ZIP
PGA FLAT PACK：SOP、QFP、 CHIP CARRIER：SOJ、QFJ、 LCC、TAB BGA、CSP COB IC CARD
2
封装形式的发展
外形尺寸减少
7
半切作业流程
贴膜 将大圆片放置在膜上，
以利于拿取、大圆片的
固定、及粘片作业。
大圆片
大圆片
划片 裂片
利用金刚石划片刀将大 圆片划开。
在芯片的背面移动压力辊， 使芯片受力未划部分裂开。
划片刀
大圆片
圆环 膜
压力辊
PMM 对已划片完了的制品进
芯片
行外观检查，不良品进
断裂
行墨水打点。
8
全切作业流程
贴膜 将大圆片放置在UV膜上， 以利于拿取、大圆片的 固定、及粘片作业。
24
热压超声键合示意图
PAD
金线 夹子
劈刀
LEAD
向PAD点 移动
接触PAD 后，热、 压力、超 声发生作 用
劈刀上升 引线形状控 制
接触lead 后，热、 压力、超 声发生作 用
劈刀向上 运动，夹 子闭合， 拉断金线
放电杆
放电形成 金球
25
金线的制造示意图
5N Dopant
99.999% Au
Pitch: 1.27 Lead width:0.45 Thickness: 2.60
64M SDRAM 54pin TSOP
Pitch: 0.80 Lead width:0.32 Thickness: 1.00
44pin QFP
Pitch: 0.80 Lead width:0.40 Thickness: 2.70
TBGA
CSP
PGA
PBGA
LOGIC QFP
MEMORY
DIP
SOJ
TSOP
3
SGNEC现有封装形式
封装形式 管腿数量 封装尺寸 管腿间距
7p
- 2.54mm
SSIP
8p
- 2.54mm
9p
- 2.54mm
20p 375mil 1.27mm
SOP
20p 300mil 1.27mm SOJ 26p 300mil 1.27mm
粘片的要求：一定的机械强度 良好的欧姆接触（共晶、银浆） 良好的散热性能 稳定的化学性能
13
粘片工艺的比较
工艺
银浆粘片
共晶粘片
胶带粘片
优点
速度快 成本低 温度低 适合大生产
缺点 欧姆、热阻大
良好的欧姆、热阻 封装尺寸小 接触
机械强度高
速度慢
速度慢
成本高
成本高
温度高，需N2保护 温度高
键合工序易发生
21
键合工艺
键合工序就是将芯片和内引线通过金属细线（金丝、铝丝、铜丝 等）连接起来，实现电气上的连接的过程。 键合工艺的要求：
接合力强，接触电阻小。 稳定的化学性。 良好的导电性。 一定机械强度。 从键合工艺上区分：热压键合、热压超声键合、超声键合。
22
键合工艺的比较
工艺 优点
热压超声
热压
超声
温度低（200℃） 可控制线形状
④.时间：影响金球与键合点的密着性、2nd点的接着强度，即与A/E 不良有关
⑤.弧度：控制金线的形状。 ⑥.初期金球径：金球压着径、金球厚度、金球的密着性。
34
封入工艺
封入就是将键合后的制品与外界隔离开来，实现物理及化学上 的保护，在量产性、均一性、成本上考虑，传递模法是现在比 较流行的工艺。也就是将树脂压入加热到一定温度的金型内的 方法。 封入的要求：电性能（绝缘性，介电性）良好
速度快 可控制线形状
对键合点要求不 高
适用大生产
温度低（常温） 速度快
缺点
适用于金丝（成 本高）
适用金丝，
速度慢 键合温度高 （350℃）
不可控制线形状 适用Al丝
23
键合工艺原理
Au球
氧化层
Al键合点
金球到达键合点后在热、压力、及超声波的作用下，破坏Al电极的 表面氧化层，接触到Al的新生面，达到接着的目的。
40
2011 50
40
Wire Bond - Wedge
60
45
40
35
35
35
TAB
50
50
50
50
50
50
Flip Chip (Area Array) 250
180
130
100
70
50
29
小间距与初始球径
Normal
Estimated
Achievement
Big Pad Area
Small Pad Area
during free air ball forming by
EFO spark
27
劈刀
劈刀参数：
H：孔径，与金线直径相关
CD：劈刀腔尺寸，与金球压
着径有关
FA：端面角度，与2nd强度
FA
有关
OR
H
CA：腔体角度，与金球压着
CD T
径，压着强度有关
OR：与2nd压着形状、压着
CA
强度有关。
28
键合的发展趋势
不良
14
共晶合金法示意图
首先在L/F小岛上放置Au或其 他合金片，（或预先在小岛表 面、大圆片背面金型烝金处理。 然后在其上面放置芯片，在高 温及压力的作业下，形成共晶， 达到芯片固着的目的。
芯片 Au或其他合金材 L/F小岛
15
银浆粘片示意图
银浆瓶 滴嘴
小岛
芯片
滴银浆
放置芯片
16
胶带粘片与传统粘片的比较
Pitch: 1.27 Lead width:0.40 Thickness: 2.60
组装技术指标: Pitch: 1.27→0.80 Thichness: 2.60→1.00
4M SDRAM 26pin SOJ
Pitch: 1.27 Lead width:0.45 Thickness: 2.60
16M SDRAM 42pin SOJ
刃宽
寸、颗粒密度、接合剂种类
龙骨 刃长
接合剂
金刚石颗粒
10
划片外观检查
划伤 划伤是由于芯片表面接触到异物如：镊子，造成芯片内部的Al布线受到损伤，
造成短路或断路，而引起不良。
缺损 缺损是由于芯片的边缘受到异物、或芯片之间的撞击，造成芯片的边缘缺损，
当缺损到达芯片内部时，就会破坏AL布线或活性区，引起不良。
31
键合工艺控制
①.金球压着径 ②.金球压着厚度 ③.金线高度 ④.金线拉断强度 ⑤.金球剥离强度 ⑥.键合外观
32
键合主要不良项目
①.A/B/C/D/E不良：金线分别在A、B、 B
C、D、E点断开
A
②.金线形状：金线间、金线与lead间，
金线与芯片之间的距离。
③.键合布线：必须与组装图一致。
④.Lead形状：引线腿间，引线腿与金线
线性 放大
0.51g 2.80mm 0.47g
0.59g
遥 控 2.50mm 0.48g 1.55mm 0.28g
存贮器 2.60mm0.75g1.6g0.8g 存贮器 2.60mm 1.1g
1.7g
存贮器 1.00mm 0.54g
计算机外 围电路
2.7mm
0.54g
SGNEC组立发展历程
20pin SOP
7,8,9pin SSIP
Pitch:2.54 Lead width:0.50
1994
1995
1996
1997
5
1998
1999 2000
SSIP 电镀 打印 成形 选别
组立流程
划片 粘片 键合 封入
SOP 切筋 电镀 打印 成形 选别
6
TSOP 切筋 电镀 成形 选别 打印 LD
QFP 切筋 电镀 打印 分离 选别 成形
(4M) 40p 400mil 1.27mm
SOJ (16M)
26p 300mil 1.27mm 28p 400mil 1.27mm 42p 400mil 1.27mm
TSOP
(64M) 54p 400mil 0.8mm
10X10
QFP
44p (mm2) 0.8mm
外形图
4
功 能 PKG厚度 重 量
划片 利用金刚石划片刀将大圆 片划开。
通过UV灯对UV膜的作用， UV 将UV膜与芯片间的粘度降
低，以利于芯片的取下。
PMM 对已划片完了的制品进行 外观检查，不良品进行墨 水打点。
大圆片
大圆片
划片刀
大圆片
9
圆环 膜
芯片 UV灯
划片刀的选择
划片刀
根据制品划片槽的宽度、大 圆片的厚度、划片槽的表面 状态选择不同的划片刀 划片刀参数： 刃长、刃宽、金刚石颗粒尺
Small Pad Area
Big diameter + Larger Ball
Small diameter + Large Ball Big diameter + Small Ball
Fine Pitch Bonding
30
金线形状
Low Loop Capability Short Heat Affected Zone
Conventional wire for high loop & short loop span
广州先艺电子科技有限公司
1
封装形式
插入实装形
IC PKG
表面实装形
其他
DIP：DIP、SHD SSIP、ZIP
PGA FLAT PACK：SOP、QFP、 CHIP CARRIER：SOJ、QFJ、 LCC、TAB BGA、CSP COB IC CARD
2
封装形式的发展
外形尺寸减少
7
半切作业流程
贴膜 将大圆片放置在膜上，
以利于拿取、大圆片的
固定、及粘片作业。
大圆片
大圆片
划片 裂片
利用金刚石划片刀将大 圆片划开。
在芯片的背面移动压力辊， 使芯片受力未划部分裂开。
划片刀
大圆片
圆环 膜
压力辊
PMM 对已划片完了的制品进
芯片
行外观检查，不良品进
断裂
行墨水打点。
8
全切作业流程
贴膜 将大圆片放置在UV膜上， 以利于拿取、大圆片的 固定、及粘片作业。
24
热压超声键合示意图
PAD
金线 夹子
劈刀
LEAD
向PAD点 移动
接触PAD 后，热、 压力、超 声发生作 用
劈刀上升 引线形状控 制
接触lead 后，热、 压力、超 声发生作 用
劈刀向上 运动，夹 子闭合， 拉断金线
放电杆
放电形成 金球
25
金线的制造示意图
5N Dopant
99.999% Au
Pitch: 1.27 Lead width:0.45 Thickness: 2.60
64M SDRAM 54pin TSOP
Pitch: 0.80 Lead width:0.32 Thickness: 1.00
44pin QFP
Pitch: 0.80 Lead width:0.40 Thickness: 2.70
TBGA
CSP
PGA
PBGA
LOGIC QFP
MEMORY
DIP
SOJ
TSOP
3
SGNEC现有封装形式
封装形式 管腿数量 封装尺寸 管腿间距
7p
- 2.54mm
SSIP
8p
- 2.54mm
9p
- 2.54mm
20p 375mil 1.27mm
SOP
20p 300mil 1.27mm SOJ 26p 300mil 1.27mm
粘片的要求：一定的机械强度 良好的欧姆接触（共晶、银浆） 良好的散热性能 稳定的化学性能
13
粘片工艺的比较
工艺
银浆粘片
共晶粘片
胶带粘片
优点
速度快 成本低 温度低 适合大生产
缺点 欧姆、热阻大
良好的欧姆、热阻 封装尺寸小 接触
机械强度高
速度慢
速度慢
成本高
成本高
温度高，需N2保护 温度高
键合工序易发生
21
键合工艺
键合工序就是将芯片和内引线通过金属细线（金丝、铝丝、铜丝 等）连接起来，实现电气上的连接的过程。 键合工艺的要求：
接合力强，接触电阻小。 稳定的化学性。 良好的导电性。 一定机械强度。 从键合工艺上区分：热压键合、热压超声键合、超声键合。
22
键合工艺的比较
工艺 优点
热压超声
热压
超声
温度低（200℃） 可控制线形状
④.时间：影响金球与键合点的密着性、2nd点的接着强度，即与A/E 不良有关
⑤.弧度：控制金线的形状。 ⑥.初期金球径：金球压着径、金球厚度、金球的密着性。
34
封入工艺
封入就是将键合后的制品与外界隔离开来，实现物理及化学上 的保护，在量产性、均一性、成本上考虑，传递模法是现在比 较流行的工艺。也就是将树脂压入加热到一定温度的金型内的 方法。 封入的要求：电性能（绝缘性，介电性）良好
速度快 可控制线形状
对键合点要求不 高
适用大生产
温度低（常温） 速度快
缺点
适用于金丝（成 本高）
适用金丝，
速度慢 键合温度高 （350℃）
不可控制线形状 适用Al丝
23
键合工艺原理
Au球
氧化层
Al键合点
金球到达键合点后在热、压力、及超声波的作用下，破坏Al电极的 表面氧化层，接触到Al的新生面，达到接着的目的。
40
2011 50
40
Wire Bond - Wedge
60
45
40
35
35
35
TAB
50
50
50
50
50
50
Flip Chip (Area Array) 250
180
130
100
70
50
29
小间距与初始球径
Normal
Estimated
Achievement
Big Pad Area
Small Pad Area
during free air ball forming by
EFO spark
27
劈刀
劈刀参数：
H：孔径，与金线直径相关
CD：劈刀腔尺寸，与金球压
着径有关
FA：端面角度，与2nd强度
FA
有关
OR
H
CA：腔体角度，与金球压着
CD T
径，压着强度有关
OR：与2nd压着形状、压着
CA
强度有关。
28
键合的发展趋势
不良
14
共晶合金法示意图
首先在L/F小岛上放置Au或其 他合金片，（或预先在小岛表 面、大圆片背面金型烝金处理。 然后在其上面放置芯片，在高 温及压力的作业下，形成共晶， 达到芯片固着的目的。
芯片 Au或其他合金材 L/F小岛
15
银浆粘片示意图
银浆瓶 滴嘴
小岛
芯片
滴银浆
放置芯片
16
胶带粘片与传统粘片的比较
Pitch: 1.27 Lead width:0.40 Thickness: 2.60
组装技术指标: Pitch: 1.27→0.80 Thichness: 2.60→1.00
4M SDRAM 26pin SOJ
Pitch: 1.27 Lead width:0.45 Thickness: 2.60
16M SDRAM 42pin SOJ
刃宽
寸、颗粒密度、接合剂种类
龙骨 刃长
接合剂
金刚石颗粒
10
划片外观检查
划伤 划伤是由于芯片表面接触到异物如：镊子，造成芯片内部的Al布线受到损伤，
造成短路或断路，而引起不良。
缺损 缺损是由于芯片的边缘受到异物、或芯片之间的撞击，造成芯片的边缘缺损，
当缺损到达芯片内部时，就会破坏AL布线或活性区，引起不良。
31
键合工艺控制
①.金球压着径 ②.金球压着厚度 ③.金线高度 ④.金线拉断强度 ⑤.金球剥离强度 ⑥.键合外观
32
键合主要不良项目
①.A/B/C/D/E不良：金线分别在A、B、 B
C、D、E点断开
A
②.金线形状：金线间、金线与lead间，
金线与芯片之间的距离。
③.键合布线：必须与组装图一致。
④.Lead形状：引线腿间，引线腿与金线
线性 放大
0.51g 2.80mm 0.47g
0.59g
遥 控 2.50mm 0.48g 1.55mm 0.28g
存贮器 2.60mm0.75g1.6g0.8g 存贮器 2.60mm 1.1g
1.7g
存贮器 1.00mm 0.54g
计算机外 围电路
2.7mm
0.54g
SGNEC组立发展历程
20pin SOP
7,8,9pin SSIP
Pitch:2.54 Lead width:0.50
1994
1995
1996
1997
5
1998
1999 2000
SSIP 电镀 打印 成形 选别
组立流程
划片 粘片 键合 封入
SOP 切筋 电镀 打印 成形 选别
6
TSOP 切筋 电镀 成形 选别 打印 LD
QFP 切筋 电镀 打印 分离 选别 成形
(4M) 40p 400mil 1.27mm
SOJ (16M)
26p 300mil 1.27mm 28p 400mil 1.27mm 42p 400mil 1.27mm
TSOP
(64M) 54p 400mil 0.8mm
10X10
QFP
44p (mm2) 0.8mm
外形图
4
功 能 PKG厚度 重 量
划片 利用金刚石划片刀将大圆 片划开。
通过UV灯对UV膜的作用， UV 将UV膜与芯片间的粘度降
低，以利于芯片的取下。
PMM 对已划片完了的制品进行 外观检查，不良品进行墨 水打点。
大圆片
大圆片
划片刀
大圆片
9
圆环 膜
芯片 UV灯
划片刀的选择
划片刀
根据制品划片槽的宽度、大 圆片的厚度、划片槽的表面 状态选择不同的划片刀 划片刀参数： 刃长、刃宽、金刚石颗粒尺
Small Pad Area
Big diameter + Larger Ball
Small diameter + Large Ball Big diameter + Small Ball
Fine Pitch Bonding
30
金线形状
Low Loop Capability Short Heat Affected Zone
Conventional wire for high loop & short loop span