电力电子技术试题(一)
电子电力技术考试试题
电子电力技术考试试题一、选择题（每题 2 分，共 40 分）1、下列不属于电力电子器件的是（）A 晶闸管B 晶体管C 电阻D 场效应管2、电力电子器件一般工作在（）状态。
A 导通B 截止C 开关D 放大3、晶闸管导通的条件是（）A 阳极加正电压，阴极加负电压，门极加正电压B 阳极加正电压，阴极加负电压，门极加负电压C 阳极加正电压，阴极加正电压，门极加正电压D 阳极加正电压，阴极加正电压，门极加负电压4、以下哪种电力电子器件属于电流驱动型器件（）A IGBTB GTOC MOSFETD SCR5、电力电子技术中，用于实现交流变直流的电路称为（）A 整流电路B 逆变电路C 斩波电路D 变频电路6、在单相桥式全控整流电路中，带电阻负载，控制角α的移相范围是（）A 0°～90°B 0°～180°C 90°～180°D 0°～360°7、三相桥式全控整流电路带电阻负载，当控制角α=30°时，输出电压的平均值为（）A 234U₂B 117U₂C 135U₂D 217U₂8、下列属于无源逆变电路的是（）A 直流斩波电路B 晶闸管相控整流电路C 交直交变频电路D 电压型逆变电路9、电流型逆变电路的特点是（）A 直流侧串联大电感B 直流侧并联大电容C 交流侧电流为正弦波D 交流侧电压为正弦波10、以下哪种斩波电路的输入输出电流均连续（）A 降压斩波电路B 升压斩波电路C 升降压斩波电路D Cuk 斩波电路11、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特点是（）A 驱动功率大B 开关速度慢C 通态压降高D 输入阻抗高12、电力电子器件在实际应用中，需要考虑的参数有（）A 额定电压B 额定电流C 通态压降D 以上都是13、电力电子装置中，用于缓冲电路中电压和电流变化的元件是（）A 电阻B 电容C 电感D 二极管14、软开关技术的主要目的是（）A 降低开关损耗B 提高开关频率C 减小电磁干扰D 以上都是15、下列哪种控制方式常用于交流调速系统（）A 恒压频比控制B 矢量控制C 直接转矩控制D 以上都是16、在电力电子系统中，用于检测电流的传感器通常是（）A 电压互感器B 电流互感器C 霍尔传感器D 光电传感器17、电力电子系统中的保护电路通常包括（）A 过压保护B 过流保护C 短路保护D 以上都是18、下列哪种电路可以实现直流电压的升压变换（）A 降压斩波电路B 升压斩波电路C 反激式变换电路D 正激式变换电路19、对于 PWM 控制技术，以下说法错误的是（）A 可以改变输出电压的幅值B 可以改变输出电压的频率C 可以改变输出电压的相位D 可以实现能量的双向流动20、电力电子技术在下列哪个领域应用广泛（）A 电力系统B 交通运输C 工业控制D 以上都是二、填空题（每题 2 分，共 20 分）1、电力电子技术包括、、三个部分。
电力电子技术试题20套及解答
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
电力电子技术第五版试题及答案4套
《电力电子技术》试题(1)一、填空（30分）1、双向晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 ， 和 ；双向晶闸管的的触发方式有 、 、 、 .。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。
（电源相电压为U 2）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用 触发；二是用 触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 度；实际移相才能达 度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有 、 、 、 。
6、软开关电路种类很多，大致可分成 电路、 电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有 、 、 、 四种。
8、逆变器环流指的是只流经 、 而不流经 的电流，环流可在电路中加 来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有 、 、 。
10、绝缘栅双极型晶体管是以 作为栅极，以 作为发射极与集电极复合而成。
三、选择题（每题2分 10分）1、α为 度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A 、0度。
B 、60度。
C 、30度。
D 、120度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变 的大小，使触发角α=90º，可使直流电机负载电压U d =0。
达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
A 、 同步电压， B 、控制电压， C 、偏移调正电压。
3、能够实现有源逆变的电路为 。
A 、三相半波可控整流电路，B 、三相半控整流桥电路，C 、单相全控桥接续流二极管电路，D 、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压应为（ ）A 、700VB 、750VC 、800VD 、850V5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) A 、90° B 、120° C 、150° D 、180° 四、问答题（20分）1、 实现有源逆变必须满足哪些必不可少的条件？（6分）2、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同，直流斩波电路可有哪三种控制方式？并简述其控制原理。
电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术期末考试试题及答案-(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术测试题与答案
电力电子技术测试题与答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()。
A、共四只B、各一只C、各二只D、共三只正确答案：B2.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、30度B、120度，C、0度D、60度正确答案：A3.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、全控型器件B、半控型器件C、触发型器件D、不控型器件正确答案：A4.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：A5.可在第一和第四象限工作的变流电路是（）A、接有续流二极管的单相半波可控变流电路B、单相半控桥C、三相半波可控变流电路D、接有续流二极管的三相半控桥正确答案：C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、180°B、150°C、90°D、120°正确答案：D7.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、4msC、1msD、2ms正确答案：A8.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～120B、0～180C、0～90D、0～150正确答案：A9.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、安全工作区B、不触发区C、可靠触发区D、不可靠触发区正确答案：B10.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、减小输出谐波B、增大输出幅值C、减小输出功率D、减小输出幅值正确答案：A11.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C12.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D13.晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系正确答案：C14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN 结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的，其中KP 表示该器件的名称为，50 表示，7 表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN 结，外部一共有3 个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止阳”接法。
（×）损坏晶闸管的。
9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，用于将交流电转换为直流电的设备是：A. 变压器B. 整流器C. 逆变器D. 稳压器答案：B2. 下列哪个不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 继电器D. 功率MOSFET答案：C3. 电力电子技术中，PWM调制的全称是：A. 脉冲宽度调制B. 脉冲频率调制C. 脉冲密度调制D. 脉冲相位调制答案：A4. 电力电子变换器中，升压变换器的输出电压与输入电压的关系是：A. 输出电压低于输入电压B. 输出电压等于输入电压C. 输出电压高于输入电压D. 输出电压与输入电压无关答案：C5. 在电力电子应用中，软开关技术的主要作用是：A. 提高系统的功率因数B. 减少开关损耗C. 提高系统的稳定性D. 降低系统的噪声答案：B二、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，_________器件是实现交流到直流转换的关键。
答案：整流器2. 电力电子变换器的效率可以通过_________来提高。
答案：软开关技术3. 电力电子技术在_________和_________领域有着广泛的应用。
答案：能源转换；电机控制4. 电力电子技术中，_________调制是一种常用的控制策略。
答案：PWM5. 电力电子变换器中的_________变换器可以将直流电转换为交流电。
答案：逆变器三、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的作用。
答案：电力电子技术在现代电力系统中起着至关重要的作用，包括提高电能的传输效率、实现电能的高效转换、优化电力系统的稳定性和可靠性、以及支持可再生能源的接入和利用。
2. 描述PWM调制在电力电子变换器中的应用。
答案：PWM调制在电力电子变换器中应用广泛，主要用于控制逆变器的输出电压和频率。
通过调整脉冲的宽度，可以控制输出电压的大小，同时通过改变脉冲的频率，可以控制输出电压的频率。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案（注：此部分为标题）【试题一】1. 请简要说明电力电子的定义和作用。
【答案一】电力电子是以电力为能源，利用电力半导体器件进行能量转换、控制和调节的一门学科。
其作用主要包括将电力从一种形式转换为另一种形式，如直流到交流、交流到直流、改变电压和频率等。
同时，电力电子在各个领域中起到了电能传输和控制的关键作用，例如在电力系统中实现高效能源转换和配电控制，在电动汽车中驱动电动机等。
【试题二】2. 请简要介绍电力电子中常用的电力半导体器件有哪些，并简要说明其工作原理。
【答案二】常用的电力半导体器件包括：可控硅（SCR）、晶闸管（Thyristor）、功率晶体管（Power Transistor）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
- 可控硅（SCR）：通常由四个独立的、可相互控制的结区组成。
其工作原理是由控制极施加适当的触发脉冲后，使得电流能够从阳极开始导通，并在失去触发脉冲后一直保持导通。
- 晶闸管（Thyristor）：与可控硅相似，是一种双向可控硅。
其工作原理与可控硅相同。
- 功率晶体管（Power Transistor）：它与普通晶体管相比，能够承受较大的电流和功率。
其工作原理是通过控制输入的电压和电流来控制输出的电流。
- 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：通过控制栅极上的电压来控制源-漏极间的电流。
其工作原理是栅极电压的变化可以改变沟道上电子的浓度，从而影响导电能力。
- 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：综合了MOSFET和双极型晶体管的优点，在工作时既有MOSFET的高输入电阻和低控制功率，又有双极型晶体管的低导通压降。
【试题三】3. 请简要说明电力电子在可再生能源领域中的应用，并阐述其意义。
【答案三】电力电子在可再生能源领域中有着重要的应用。
常见的应用包括风力发电、光伏发电和可再生能源储能系统等。
- 风力发电：电力电子器件用于将风力发电机输出的交流电转换为适用于电网的交流电，并进行协调控制；同时，在风速变化较大的情况下，电力电子器件还能够进行功率调节，以维持电力系统的稳定运行。
电力电子技术试题（一）
电⼒电⼦技术试题（⼀）电⼒电⼦技术试题（⼀）第1章绪论习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦技术是使⽤________器件对电能进⾏________的技术。
2. 电能变换的含义是在输⼊与输出之间，将________、________、________、________、________中的⼀项以上加以改变。
3. 电⼒变换的四⼤类型是:________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提⾼电能变换的效率，所以器件只能⼯作在________状态，这样才能降低________。
5. 电⼒电⼦器件按照其控制通断的能⼒可分为三类，即: ________、________、________。
6. 电⼒电⼦技术的研究内容包括两⼤分⽀:________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括⽤电⼒电⼦器件构成_____________电路和对其进⾏控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
8.电⼒电⼦技术是应⽤在________领域的电⼦技术。
9.电⼒电⼦技术是⼀门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
第2部分:简答题1. 什么是电⼒电⼦技术,2. 电能变换电路的有什么特点,机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关,3. 电⼒变换电路包括哪⼏⼤类,第2章电⼒电⼦器件概述习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦器件是直接⽤于电路中，实现电能的变换或控制的电⼦器件。
2. 主电路是在电⽓设备或电⼒系统中，直接承担的电路。
3.处理信息的电⼦器件⼀般⼯作于放⼤状态，⽽电⼒电⼦器件⼀般⼯作在状态。
4. 电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由、、、四部分组成。
5. 按照器件能够被控制的程度，电⼒电⼦器件可分为以下三类: 、和。
6(按照驱动电路信号的性质，电⼒电⼦器件可分为以下分为两类:和。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别就是极极与极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态与反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载, 性负载与负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别就是极、极与极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压与电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都就是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路就是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
电力电子技术试题及答案 (1)
电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
《电力电子技术》模拟试题一
《电力电子技术》模拟试题一第1页 （共9页）二○一八～ 二○一九学年 第2学期考试日期： 年 月 日 试卷类型：A 试卷代号：班号 学号 姓名题号一 二三四五六七八九十 总分 得分一、不定项选择题: (24分)1. (4’) 在下列功率半导体器件中，额定电流根据有效值选择的器件是 ( )，属于电压控制型的全控器件是 ( )，适用于高频(数十千Hz)工作的可控型器件是( )，有两种载流子参与导电的全控型器件是( )。
A. 晶闸管(SCR)；B. 功率二极管；C. 功率晶体管(GTR)；D. MOSFET ；E. IGBT 。
2. (2’) 以下关于单相桥式可控整流电路叙述正确的是 ( )。
A. 晶闸管承受的最大反向电压为(U 2为变压器副边电压有效值)；B. 电阻性负载，控制角α越大，功率因数越高；C. 大电感负载，且电感无穷大，此时移相范围为90度；D. 如果把斜对角的两只晶闸管换成两个整流二极管，则容易出现失控现象。
3. (2’) 以下关于带平衡电抗器的双反星形整流电路叙述正确的是 ( )。
A. 变压器不存在直流磁化问题； B. 适用于高压小电流应用场合；C. 如将平衡电抗器短路，则整流电压值将会上升；D. 整流电压波形脉动频率为六倍工频。
本题分数 24 得 分4. (2’) 在三相半波逆变电路中，叙述正确的是( )。
A. 若要工作于逆变状态，必须同时触发晶闸管T a, T b和T c；B. 若在输出端接续流二极管，则不可能实现有源逆变；C. 为避免因延迟、换相重叠等原因引起的逆变失败，逆变角应留有余量；D. 换相重叠使输出电压略有降低。
5. (2’) 下列关于MOSFET和IGBT叙述正确的是( )。
A. IGBT存在电流拖尾，因此关断损耗大；B. MOSFET作为开关应用时，导通状态下工作在饱和区；C. 由于空穴的迁移率比电子迁移率低，大功率MOSFET一般不采用P沟道；D. IGBT不存在密勒效应。
电力电子技术模拟试题及答案1
XX学院 20XX年秋季学期电力电子技术模拟试题1（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（40分，每空1分）1. 电力电子器件是直接用于电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担的电路。
3. 电力电子器件一般工作在状态。
4. 电力电子器件组成的系统，一般由三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加。
5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：。
6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：和。
7. 电力二极管的工作特性可概括为。
8. 电力二极管的主要类型有。
9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在以上。
10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较长，一般在以下。
11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在之间。
12.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是，属于半控型器件的是，属于全控型器件的是；属于单极型电力电子器件的有，属于双极型器件的有，属于复合型电力电子器件得有；在可控的器件中，容量最大的是，工作频率最高的是，属于电压驱动的是，属于电流驱动的是。
13. 在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断，这种生成SPWM 波形的方法称，实际应用中，采用来代替上述方法，在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。
14.正弦波调制的三相PWM逆变电路，在调制度α为最大值1时，直流电压利用率为，采用波作为调制信号，可以有效地提高直流电压利用率，但是会为电路引入。
15.PWM逆变电路多重化联结方式有和，二重化后，谐波地最低频率在ωc附近。
16.从电路输出的合成方式来看，多重逆变电路有串联多重和并联多重两种方式。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
电力电子技术试题01
电力电子技术试题填空0000002、电子技术包括__信息电子技术__和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
0000001、电力变换通常可分为：交流变直流、直流变直流、直流变交流和交流变交流。
0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关__状态。
当器件的工作频率较高时，___开关__损耗会成为主要的损耗。
0000001、电力变换通常分为四大类，即交流变直流、直流变直流、直流变交流、交流变交流。
0100004、过电压产生的原因操作过电压、雷击过电压，可采取 RC过电压抑制电路、压敏电阻等措施进行保护。
复合管。
0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器。
0100004、抑制过电压的方法之一是用电容吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有避雷器； RC过电压抑制电路/阻容吸收；硒堆；压敏电阻等几种。
（写出2种即可）0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTR 、 GTO 、 MOSFET 、 IGBT 几0100003、常用的过电流保护措施有电子电路、快速熔断器、直流快速熔断器、过电流继电器。
（写出2种即可）0100003、给晶闸管阳极加上一定的正向电压；在门极加上正向门极电压，并形成足够的门极触发电流，晶闸管才能导通。
0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于擎住电流之前，如去掉触发脉冲，晶闸管又会关断。
0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流I T等于 1.57 倍I T（AV），如果I T（AV）=100安培，则它允许的有效电流为 157 安培。
通常在选择晶闸管时还要留出 1.5～2倍的裕量。
0100001、普通晶闸管内部有 PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
电力电子技术试题20套及答案
电⼒电⼦技术试题20套及答案考试试卷( 1 )卷⼀、填空题（本题共8⼩题，每空1分，共20分）1、电⼦技术包括______________和电⼒电⼦技术两⼤分⽀，通常所说的模拟电⼦技术和数字电⼦技术就属于前者。
2、为减少⾃⾝损耗，提⾼效率，电⼒电⼦器件⼀般都⼯作在_________状态。
当器件的⼯作频率较⾼时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之⽐称为_____________，当它为常数时的调制⽅式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若⼲频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之⽐为桓定的调制⽅式称为___分段同步_________调制。
4、⾯积等效原理指的是，___冲量______相等⽽__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最⼤的是__GTO_，应⽤最为⼴泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最⼤反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最⼤正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路⼯作过程中各时间段电流流经的通路(⽤V1,VD1,V2,VD2表⽰)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；⼆、选择题（本题共10⼩题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制⼯作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下⾯说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发⾓⼤于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓⼩于180度B、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常⼯作C、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓正常⼯作并达到稳态时，晶闸管的导通⾓为180度D、晶闸管的触发⾓等于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所⽰，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术-模拟试题1-答案
哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期电力电子技术模拟试题 1(开卷,时间:120分钟 (所有答案必须写在答题纸上一、填空题(40分,每空 1分1. 电力电子器件是直接用于电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担的电路。
3. 电力电子器件一般工作在状态。
4. 电力电子器件组成的系统,一般由三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三类:不可控器件、半控型器件、全控型器件。
6.按照驱动电路信号的性质,电力电子器件可分为以下分为两类:电流驱动型和电压驱动型。
7. 电力二极管的工作特性可概括为。
8. 电力二极管的主要类型有。
9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高 , 一般为 Hz 以下的整流电路。
其反向恢复时间较长,一般在5μs 以上。
10. 快恢复二极管简称快速二极管,其反向恢复时间较长,一般在以下。
11. 肖特基二极管的反向恢复时间很短 , 其范围一般在之间。
12. 在如下器件:电力二极管(Power Diode 、晶闸管(SCR 、门极可关断晶闸管(GTO 、电力晶体管(GTR 、电力场效应管(电力 MOSFET 、绝缘栅双极型晶体管(IGBT 中,属于不可控器件的是电力二极管 ,属于半控型器件的是 ,属于全控型器件的是 ;属于单极型电力电子器件的有 ,属于双极型器件的有 ,属于复合型电力电子器件得有 ;在可控的器件中,容量最大的是 ,工作频率最高的是 ,属于电压驱动的是 ,属于电流驱动的是。
13. 在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断, 这种生成 SPWM 波形的方法称自然采样法 , 实际应用中, 采用规则采样法来代替上述方法, 在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。
14. 正弦波调制的三相 PWM 逆变电路,在调制度α为最大值 1时,直流电压利用率为 0.866, 采用梯形波作为调制信号, 可以有效地提高直流电压利用率, 但是会为电路引入低次谐波。
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电力电子技术试题（一）第1章绪论习题第1部分:填空题1. 电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。
2. 电能变换的含义是在输入与输出之间，将________、________、________、________、________中的一项以上加以改变。
3. 电力变换的四大类型是:________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提高电能变换的效率，所以器件只能工作在________状态，这样才能降低________。
5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类，即: ________、________、________。
6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支:________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成_____________电路和对其进行控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
8.电力电子技术是应用在________领域的电子技术。
9.电力电子技术是一门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
第2部分:简答题1. 什么是电力电子技术,2. 电能变换电路的有什么特点,机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关,3. 电力变换电路包括哪几大类,第2章电力电子器件概述习题第1部分:填空题1. 电力电子器件是直接用于电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担的电路。
3.处理信息的电子器件一般工作于放大状态，而电力电子器件一般工作在状态。
4. 电力电子器件组成的系统，一般由、、、四部分组成。
5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类: 、和。
6(按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类:和。
7. 电力二极管的主要类型有、、。
8. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为 Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在以上。
9.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在以下。
10.晶闸管的基本工作特性可概括为:承受反向电压时，不论，晶闸管都不会导通;承受正向电压时，仅在情况下，晶闸管才能导通;晶闸管一旦导通，就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流。
11.晶闸管的派生器件有: 、、、。
12. 普通晶闸管关断时间，快速晶闸管，高频晶闸管左右。
高频晶闸管的不足在于其不易做高。
13. 晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。
14.逆导晶闸管是将反并联一个制作在同一管芯上的功率集成器件。
15. 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用触发导通的晶闸管。
光触发保证了主电路与控制电路之间的，且可避免电磁干扰的影响。
常应用在的场合。
16. GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。
17. GTR导通的条件是: 且。
18.电力MOSFET导通的条件是:且。
开关时间的大致范围是: 。
19.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件。
20.IGBT导通的条件是: 且。
21.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中，属于不可控器件的是，属于半控型器件的是，属于全控型器件的是 ,在可控的器件中，容量最大的是 ,工作频率最高的是 ,属于电压驱动的是 ,属于电流驱动的是。
第2部分:简答题1.电力电子器件是如何定义和分类的,同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么,2.画出下面电力电子器件的电气符号和理想伏安特性。
电力二极管，晶闸管，GTO，GTR，P.MOSFET，IGBT 3.从功率等级、开关速度和驱动难易度三个方面比较GTO，GTR，P.MOSFET，IGBT各自的优缺点，并说明其适用场合。
第3章二极管整流电路习题第1部分:简答题1.什么是半波整流器,什么是全波整流器,举例说明其拓扑结构有什么不同,2.什么是二极管整流器的换流过程,何为换流重叠现象，产生换流重叠现象的原因是什么,3.换流重叠角的大小与那些因素有关，它们如何影响换流重叠角的大小,负载电流在什么情况下整流器会出现换流重叠现象，换流重叠的出现对整流输出电压有何影响,4.二极管桥式整流电路在恒压型负载条件下，试说明整流器输出电流的平均值与输入电流畸变率及功率因数的关系，并分析其原因。
5.试分析为什么整流器等设备接入交流电源后会引起交流电源电压的畸变,6.试分析单相整流器对称地接入三相四线供电系统后，中线电流是否为零,为什么,中线电流不为对供电系统有何影响,7.从输入电流畸变、功率因数、输出电压脉动幅度及直流输出电压的稳定程度等方面比较单相桥式整流器和三相桥式整流器的区别。
8.二极管桥式整流电路，负载侧并联大电容时，为什么在启动时会产生突入电流，突入电流有何危害，如何抑制突入电流,第2部分:画图及计算题1.图3,1为简化的单相整流电路(Ls=0)，负载为I,回答下列问题: d1)试画出流过二极管D ,D 中的电流波形，及二极管D ,D两端的电压1414波形(规定正偏方向为电压的正方向)。
2)计算流过二极管D电流的平均值和有效值。
1图3,12.图3,1为简化的单相整流电路(Ls=0)，负载为I,回答下列问题: d1)试画出流过输入电流i的波形。
s2)计算输入电流畸变率THD及整流器的功率因数PF。
2211itIttt()2(sinsin3sin3),，，，,,,已知: sd35,3.单相桥式整流电路如图3,2所示，V=120V(60Hz), I=10A, 回答下列问题: sd1)试画出L=0及L=1mH时整流输出电压v的波形。
ssd2)当L=0时，计算整流输出电压平均值V。
sdo3)当L=1mH时计算换流重叠角μ 及整流输出电压平均值V。
sd图3,2,回答下列问题: 4.图3,3为简化的三相整流电路(Ls=0)，负载为Id1)试画出整流输出电压v的波形，若线电压有效值V=380V，计算整流输出电dLL压平均值V。
d2)试画出a, b, c相电流的波形。
3)计算输入电流畸变率THD及整流器的功率因数PF。
61111iIttttt,,,，，,2(sinsin5sin7sin11sin13),,,,,已知: ad571113,图3,35.图3,3为简化的三相整流电路(Ls=0)，负载为I,回答下列问题: d1)试画出D ~D二极管中电流的波形，及D ~D二极管两端的电压波形(规1616定正偏方向为电压的正方向)。
2)计算流过二极管D电流的平均值和有效值。
16.当要求设备即可以在115V，又可以在230V交流输入电压下工作时，可采用如图3,4所示倍压整流电路为设备提供直流电源。
当输入电压为230V时，电压选择开关断开;当输入电压为115V时，电压选择开关闭合。
试说明在这两种情况下整流输出电压是相同的。
图3,47.图3,5为中点式整流电路，变压器为理想变压器。
分析该电路工作过程，并画出整流输出电压波形，及变压器原、副边电流波形。
与桥式整流电路相比较，说明该电路的优缺点。
图3,5第3部分:仿真题1.利用Simulink对例3,1中的单相桥式整流电路进行电路仿真，并回答下列问题:及整流输出电压v和电流i的波形。
1)记录电源电压vsdd2)记录整流输出平均电压V及平均电流I; dd3)计算输入电流畸变率THD及功率因数PF4) 当滤波电容为C,200，500，1000，1500uF时，观察并估计各种情况下d整流输出电压的脉动幅度(峰,峰值)ΔV,并说明滤波电容的取值对整流输出dpp 电压脉动的影响。
提示:可在下图基础上绘制波形图。
v-vssO,tuuuabcO,tuuuuuuuuuabacbcbacacbabacdO,t第4章相控整流器和逆变器习题第1部分:简答题1.什么是变流器的相位控制方式,2.以晶闸管的门极触发电路为例说明相位控制信号的生成方法。
3.针对晶闸管变流器，给出下列名词的定义:自然换流点，触发延迟角，导通角和移相控制范围。
4.什么是有源逆变,简述有源逆变产生的条件，并比较晶闸管变流器整流工作模式与逆变工作模式的差别。
5.逆变角是如何定义的,简述当晶闸管变流器工作于逆变状态时，应如何限制逆变角才能保证正常换流,简述逆变失败的原因及逆变失败所产生的后果。
6.晶闸管三相桥式变流电路，在设计触发电路时，为什么要采用“双窄脉冲”触发方式,晶闸管单相桥式变流电路，是否也需要采用这种双窄脉冲触发方式，为什么,7.简述晶闸管变流器对交流侧线电压产生干扰的主要原因，及减少干扰的措施。
8.为什么随着触发角α的增加，晶闸管整流器的功率因数会变降低, 第2部分:画图及计算题1.图4,1所示单相桥式半控整流电路(半控指将变流器中的一半晶闸管换成二极管，所以只有一半器件是可控的)，负载电流恒定，回答下列问题: 1)画出在α,0º，α,90º时直流输出电压v，电源电流i，S1中电流i，D1dss1中电流i的波形。
D12)推导直流输出电压V的解析表达式(即V与相电压有效值V,触发角α的dds 关系表达式)。
3)说明该电路能否工作于有源逆变状态。
试说明单相桥式半控整流电路与全控变流电路(全部器件都是晶闸管)相比，有那些优缺点,图4,1，2.图4,2为简化的单相晶闸管变流电路(Ls=0)，交流电源电压有效值为Vs 负载电流为I,回答下列问题: d1)试画出α,45º时，输出电压v，电源电流i，晶闸管T上电压v(电压的ds1T1参考方向:阳极正，阴极负)，和晶闸管T中电流i的波形。
1T12)计算晶闸管上承受的反向峰值电压v,晶闸管中电流的平均值i和有效T_peakdT值I。
(用V和I来表达) T_effsd图4,23. 图4,3为简化的单相晶闸管变流电路(Ls=0)，交流电源电压有效值为V，s 负载为电阻R,回答下列问题: d1)画出在α,90º时直流输出电压v，电流i的波形。
dd2)推导直流输出电压V的解析表达式(即V与相电压有效值V,触发角α的dds 关系表达式)。
并说明该整流电路的移相控制范围(即使V从最大变化到0的过d程中，α的变化范围)。
图4,3=100V，负4. 单相桥式晶闸管变流电路如图4,4所示，交流电源电压有效值Vs载中r =2Ω，L值极大，反电势E=60V，假定L,0。
回答下列问题: ddds1)计算使晶闸管能触发导通的最小触发角,;2)当,=30?时，求整流输出平均电压V 、平均电流I，输入电流有效值I，dds 输入电流畸变率THD，功率因数PF。