图形转移技术
图形的移动、复制、旋转与缩放
提高操作效率的技巧和方法分享
使用快捷键
熟练掌握图形编辑软件中的快捷键操 作，可以大大提高图形移动、复制、 旋转和缩放的效率。
批量处理
对于需要进行大量相同操作的图形，可以使 用批量处理功能，一次性完成多个图形的移 动、复制、旋转和缩放等操作，提高工作效 率。
Байду номын сангаас
利用图层功能
在图形编辑软件中，通过合理地使用图层 功能，可以方便地对不同图层上的图形进 行移动、复制、旋转和缩放等操作。
图形的移动、复制、旋转与缩放
contents
目录
• 图形基本操作概述 • 图形移动技术 • 图形复制技术 • 图形旋转技术 • 图形缩放技术 • 综合应用与案例分析
01 图形基本操作概述
移动、复制、旋转与缩放定义
01
02
03
04
移动
将图形从当前位置移动到另一 个位置，不改变图形的形状和
大小。
复制
移动位置
将光标移动到需要粘贴的位置。
粘贴操作
执行“编辑”菜单中的“粘贴”命令，或 按下Ctrl+V组合键进行粘贴，完成异位复 制。
批量复制技巧分享
多选图形
使用选择工具按住Shift键选中多 个需要复制的图形。
复制操作
执行“编辑”菜单中的“复制” 命令，或按下Ctrl+C组合键进行
复制。
粘贴操作
在需要粘贴的位置执行“编辑” 菜单中的“粘贴”命令，或按下 Ctrl+V组合键进行粘贴，完成批
坐标变换
通过计算将图形的当前坐 标转换为目标位置的坐标。
更新图形位置
用新的坐标值更新图形的 位置属性，实现移动效果。
相对位置移动法
纳米图形转移技术
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Page 3
传统光刻技术遇到的困境：
最小特征线宽（Minimum Feature Size，MFS）决定不仅与曝光光源波长以及 光学系统有关，而且还与曝光材料等工艺细节有关：
MFS = k1λ / NA
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Page 4
新一代光刻技术和纳米制造
曝光波长限制了光学光刻技术向更小尺寸器件的应 用，进入0.1μm以下的光刻必须采用新一代光刻技术，如 X射线光刻(XRL)、极紫外光刻(EUVL)、电子束光刻(EBL) 和离子束光刻(IBL)等。
但是由于短波长光源的获得，以及新的透镜材料、更高数字孔径 光学系统的加工，还有大部分材料都强烈的吸收深紫外而被破坏， 而且，光刻设备所花费的巨大成本，均成为了光刻技术的瓶颈。
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热压印工艺
紫外压印工艺
Page 15
紫外压印一个新的发展，是提出了步进-闪 光压印，它可以达到10nm的分辨率。 紫外压印的工艺过程是：先将低粘度的 单体溶液滴在要压印的衬底上，用很低的压 力将模板压到园片上，使液态分散开并填充 模板中的空腔。紫外光透过模板背面辐照单 体，固化成型后，移去模板。最后刻蚀残留 层和进行图案转移，得到高深宽比的结构。 采用小模板的方式, 提高了在基板上大 面积压印转移的能力，降低了掩模板制造成 本，也降低了采用大掩模板（光刻胶厚度不 均匀）带来的误差。 另外，紫外压印相对于热压印来说，不 需要高温、高压的条件，可以廉价的在纳米 尺度得到高分辨率的图形。
IPL的缺点：液态金属离子源发射的离子具有较大的能量分散，而聚焦 离子束系统所采用的静电透镜具有较大的色差系数，色差会影响离子束聚 焦；由于离子的质量大，在感光胶中的曝光深度有限，故限制了离子束曝 光的应用范围。
6第六章+图形转移
直写式电子束光刻
直写式电子束光刻（EBL ）系统多用 来制造掩模版。也可用来在晶圆片上 直写产生图形。 大部分直写系统使用小电子束斑， 相对晶圆片进行移动，一次仅对图形 曝光一个像素。 直写EBL 系统可分为光栅和矢量扫描 两类。
典型光学光刻工艺
涂胶前烘对准与曝光曝光后烘烤显影坚膜显影检查
前烘，softbake
目的：蒸发光刻胶中的溶剂
溶剂能使涂覆的光刻胶更薄， 但吸收热量且影响光刻胶的 黏附性 过多的烘烤使光刻胶聚合， 感光灵敏度变差 烘烤不够影响黏附性和曝光
对准
对准方法： 预对准，通过硅片上的 notch或者flat进行激光自动对 准 通过对准标志，位于切割槽 上。另外层间对准，即套刻精 度，保证图形与硅片上已经存 在的图形之间的对准。
曝光
曝光中最重要的两个参数： 曝光能量（Energy） 焦距（Focus）
如果能量和焦距调整不好， 就不能得到要求的分辨率 和大小的图形。表现为图 形的关键尺寸超出要求的 范围
曝光后烘烤（post-exposure bake） 作用： 减少驻波效应 激发化学增强光刻胶的 PAG产生的酸与光刻胶上 的保护基团发生反应并移 除基团使之能溶解于显影
典型的汞灯线光谱
最常用的两种波长：436nm（g线）365nm（i线） 生产中，0.35um这一代技术的主宰是i线步进光刻机，0.35um以后的各代要 求有更短的波长和新光源一般是一种惰性气体和一种卤化合物）， 正常情况下它们处于非激发态时不会发生反应，不过当这些元素（比如 Kr和NF3）受激时，发生化学反应生成（比如说）KrF。当激发态分子返 回基态时发出深紫外的光子，同时分子分解。
PCB图形转移ODF图形转移工程师培训资料
一、前 言
编写本教材为[图形转移]工艺制作原理，合用 于负责内外层图形转移工序入职员程师、及有 关技术人员旳培训. 伴随图形转移技术旳不断革新,部分观点将出 现差别,我们应以实际旳要求及变化为准.
二、工序制作简介
图形转移旳定义：
就是将在处理过旳铜面上贴上或涂上一层感光性膜层， 在紫外光旳照射下，将菲林底片上旳线路图形转移到铜 面上，形成一种抗蚀旳掩膜图形，那些未被抗蚀剂保护 旳不需要旳铜箔，将在随即旳化学蚀刻工艺中被蚀刻掉， 经过蚀刻工艺后再褪去抗蚀膜层，得到所需要旳裸铜电 路图形。
图形转移工序涉及：
内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。
2023/12/31
三、工艺制作流程
❖ 以内层图形转移工序为例：
板面处理
贴干膜
（措施一）
涂湿膜
（措施二）
曝显蚀退 光影刻膜
菲林制作
三、工艺制作流程
❖ 以外层图形转移工序为例：
板
贴
面 处
干
曝
显
图
形退蚀褪电理膜
光
影
镀
膜
刻
锡
菲林制作
三、工艺制作流程
CH3
感光性 显影特性 密着性 干膜强度 褪膜特性
感光性 解像度 显影特性 耐药品性（显影 液蚀刻液电镀 液）
其他：光聚合开始剂，安定剂，染料，密着促进剂
四、工艺制程原理
4.2.4 成像图形转移使用旳光成像材料：
❖ 按物理状态分为:
干膜抗蚀剂 及 液体抗蚀剂
光致抗蚀剂：是指用化学措施取得旳能抵抗某种 蚀刻液或电镀溶液浸蚀旳感光材料。感光材料主 要是由主体树脂和光引起剂或光交联剂构成。
浮石粉刷板机
借着与铜表面相切的砂 磨料浮石粉与尼龙刷相结合的作用与 先用酸性除油剂去除铜箔表面
图形转移工艺、光刻工艺和掺杂工艺
图形转移工艺、光刻工艺和掺杂工艺
尽管不同的半导体表面处理工艺有所不同，但都通过改变表面结构
来提高微结构表面性能。
下面介绍三种表面处理技术：图形转移工艺、光刻工艺和掺杂工艺。
一、图形转移工艺
图形转移技术是从一块化学稳定的基片上转移图形模型的技术，它可
以在表面形成各种微结构。
该工艺主要通过物理性质转换，一层层的
制造出来一个复杂的结构膜。
图形转移技术的主要优势在于可重复性强，因为其工艺成功率高且能够生成一致的纳米结构和形状，可以用
来制造各种新型电子元件。
二、光刻工艺
光刻技术是利用紫外光能量将特定材料转化为特定形状和尺寸的技术。
这种技术采用均匀的光束，然后照射到特定的光稳定的模板或基片上，可以形成特殊的图形。
光刻技术的优势在于可以用于制造小型和复杂
的微电子器件，其技术成熟度较高，因此常用在制造空间小、形状复
杂的微结构上。
三、掺杂工艺
掺杂是指在半导体特定位置掺入不同的物质，以获得适宜的特性，提
升器件特性。
掺杂工艺分为内掺杂和表面掺杂两种，采用优化的材料、化学反应和热处理，调制半导体表面，以满足特定功能。
使用掺杂工艺，可以在表面形成各种微结构，大大提升表面特性，从而生产新型
电子元件。
以上是图形转移工艺、光刻工艺和掺杂工艺的简介。
它们是半导体表
面处理工艺的重要技术，为微结构技术的发展提供了坚实的基础。
结
合先进的集成电路设计技术，它们将在未来大大改观智能电子产品的
设计与制造。
图像迁移是什么原理的应用
图像迁移是什么原理的应用概述图像迁移是一种计算机图像处理技术，它可以将一张图像的风格应用到另一张图像上，从而创建出具有特定风格的新图像。
图像迁移技术可以在多种应用领域得到广泛应用，包括艺术创作、图像编辑和风格化相机等。
本文将介绍图像迁移的原理及其在实际应用中的具体应用场景。
原理图像迁移的原理是基于深度学习中的卷积神经网络（Convolutional Neural Networks, CNN）和生成对抗网络（Generative Adversarial Networks, GANs）。
通过训练一个深度神经网络，该网络可以从图像中学习到抽取特定风格的特征。
然后，利用生成对抗网络的思想，将学习到的特征应用到另一张图像上。
具体的迁移过程可以简述为以下几个步骤：1.数据准备：收集具有不同风格的图像对作为训练数据集。
2.特征提取：使用卷积神经网络提取图像的特征，得到图像的风格表示。
3.风格迁移：通过生成对抗网络将图像的风格特征应用到目标图像上。
4.后处理：对生成的图像进行调整和优化，使其更符合预期的风格效果。
应用场景图像迁移技术在以下几个领域有广泛的应用：1. 艺术创作图像迁移可以用于艺术创作，艺术家可以通过将不同风格的图像进行迁移，创造出具有独特艺术风格的作品。
例如，将印象派画家的作品风格应用到现实照片上，可以创造出具有梦幻风格的艺术照片。
2. 图像编辑图像迁移技术也可以用于图像编辑中，例如将某个图像的颜色风格迁移到另一个图像上，改变图像的色调和氛围。
这对于广告设计、电影后期制作等领域具有重要的应用价值。
3. 风格化相机图像迁移可以被应用在手机相机等设备上，用户可以通过选择不同的风格进行拍摄，从而得到具有不同艺术风格的照片。
这为用户提供了更多的创作空间，使得照片更加生动有趣。
4. 虚拟现实和增强现实虚拟现实和增强现实技术中，图像迁移可以用于提供更加逼真和沉浸式的体验。
通过将真实图像的风格与虚拟场景结合，可以创造出具有惊人真实感的虚拟世界。
以项目为导向的“图形转移技术”实验教学案例设计
以项目为导向的“图形转移技术”实验教学案例设计
宋琳琳;柯丁宁;况婷;李玉峰
【期刊名称】《实验室研究与探索》
【年(卷),期】2024(43)5
【摘要】针对材料专业人才培养需求和微电子制造技术实验的特点,设计了一个以LED芯片封装项目为对象,以图形转移技术为依托的实验教学案例。
通过对该案例的实验内容、实施过程、课程思政设计等多方面研讨,展开对图形转移技术实验案例的研究与探索。
以一个封装支架的制造贯穿整个实验过程,综合运用电子材料、工艺制造设备、测量设备,构建完善的实验流程,以期提升学生利用理论知识解决实际问题的能力,增强学生对电子材料理论知识的理解,打造一个电子材料实践应用平台,促进学科交叉融合教学建设。
【总页数】5页(P188-191)
【作者】宋琳琳;柯丁宁;况婷;李玉峰
【作者单位】哈尔滨工业大学(深圳)实验与创新实践教育中心;哈尔滨工业大学(深圳)材料科学与工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】G642.4
【相关文献】
1.“案例教学”与“项目驱动”相结合的教学法——图形图像专业《室内外效果图设计》课程教学探讨
2.基于典型机械产品案例《计算机图形学与CAD技术》课程
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纳米集成电路制造工艺(第2版)pdf
纳米集成电路制造工艺(第2版)
一、制造工艺基础
纳米集成电路制造工艺是基于微电子学原理，通过一系列复杂的物理和化学过程，将设计好的电路结构精确地制造出来。
这个过程中，每个步骤都必须严格控制，以保证最终产品的性能和可靠性。
二、薄膜制备技术
薄膜制备是制造工艺中的重要环节，它决定了集成电路的基本性能。
目前，主要的制备技术包括化学气相沉积、物理气相沉积和外延生长等。
这些技术可以根据需要，制备出不同材料、不同厚度的薄膜。
三、图形转移技术
图形转移是将设计好的电路图形转移到半导体衬底上的过程。
这个过程中，光刻技术是最关键的技术，它决定了电路的精度和分辨率。
目前，高级光刻技术如EUV光刻、纳米压印光刻等已经成为主流。
四、掺杂与离子注入
掺杂是将杂质原子引入半导体材料中的过程，以改变材料的导电性质。
离子注入是实现掺杂的一种方法，它通过将杂质离子加速到足够高的能量，然后注入到材料中。
这个过程对控制杂质分布和浓度非常重要。
五、刻蚀与平坦化
刻蚀是将不需要的材料去除的过程，平坦化是减小材料表面粗糙度的过程。
这两个过程对于实现精细的电路结构和保证电路性能至关重要。
先进的刻蚀和平坦化技术如等离子刻蚀、化学机械平坦化等已经被广泛应用。
六、金属化与互连
金属化是形成电路导线的关键过程，互连是将不同层次的电路连接起来的过程。
这个过程中，需要选择合适的金属材料和工艺条件，以保证导线的导电性能和可靠性。
图形转移
第六章2本章内容1)光致抗蚀剂类型与机理2)干膜光致抗蚀剂图形转移工艺(干膜)3)液态光致抗蚀剂图形转移工艺(湿膜)4)电沉积光致抗蚀剂(ED 膜)5）激光直接成像技术3图形转移技术图形转移-----PCB制造中最关键的工序之一; 生产中的关键控制点，也是技术难点所在。
PCB图形转移方法有:1）丝网印刷（Screen Printing）图形转移技术;2）干膜（Dry Film）图形转移技术;3）液态光致抗蚀剂（Liquid Photoresist）图形转移技术;4）电沉积光致抗蚀剂（ED膜）制作技术;5）激光直接成像技术（Laser Drect Image）。
P1634图形转移：----在PCB制造过程中将底版上的电路图形转移到覆铜箔层压板上，形成一种抗蚀或抗电镀的掩膜图形的工艺过程。
抗蚀图形----用于“印制蚀刻工艺”，即用抗蚀材料在覆铜箔层压板上形成正相图形，未被抗蚀剂保护的铜箔，在随后的化学蚀刻工序中被去掉，蚀刻后去除抗蚀层，便得到所需的铜电路图形。
抗电镀图形----用于“图形电镀工艺”，即用抗蚀材料在覆铜层压板上形成负相图形，使所需要的表面裸铜图形，经过清洁、粗化等处理后，在其上电镀铜或电镀金属保护层(锡铅、锡镍、锡、金等)，然后去掉抗蚀层进行蚀刻，电镀的金属保护层在蚀刻工序中起抗蚀作用。
5印制蚀刻工艺流程：→贴干膜————下料→板面前处理→涂湿膜→烘干→曝光→显影→正相图形→蚀刻→去膜→→下工序图形电镀工艺过程：下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→→贴干膜————→涂湿膜→烘干→曝光→显影→负相图形→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→下工序67图形转移方法网印图形转移光化学图形转移----成本低只能制造大于或等于0.25mm 的印制导线－－能制造分辨率高的清晰图形下料→钻孔→孔金属化→全板电镀铜→板面清洁处理→贴掩孔干膜→曝光→显影→掩孔正相图形→蚀刻→去膜→下工序掩孔蚀刻工艺流程：81)光致抗蚀剂：用光化学方法获得的、能抵抗住某种蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。
第七章 图形转移
7.3.3பைடு நூலகம்掩 膜 版
• 传统的光学光刻掩膜版是在石英板上淀积薄的铬层，然后在铬 传统的光学光刻掩膜版是在石英板上淀积薄的铬层， 是在石英板上淀积薄的铬层 层上形成图形。 层上形成图形。 • 石英玻璃板：热扩散系数低，受温度变化的影响小；对248nm 石英玻璃板：热扩散系数低，受温度变化的影响小； 波长的通透效果最好。 和193nm波长的通透效果最好。 波长的通透效果最好 • 铬层：对光线完全不透明，而且淀积和刻蚀都比较容易。实际 铬层：对光线完全不透明，而且淀积和刻蚀都比较容易。 上由三层组成，其中铬层的下面是氮化物或氧化物 氮化物或氧化物层 上由三层组成，其中铬层的下面是氮化物或氧化物层，作用是 增加铬膜与石英玻璃之间的黏附力；铬层上面还有20nm左右 增加铬膜与石英玻璃之间的黏附力；铬层上面还有 左右 抗反射层。 的Cr2O3抗反射层。 • 保护膜：采用硝化纤维素醋酸盐和碳氟化合物，形成1－2微米 保护膜：采用硝化纤维素醋酸盐和碳氟化合物，形成 － 微米 的保护膜，保护掩膜版不受灰尘等污染。 的保护膜，保护掩膜版不受灰尘等污染。
反射式曝光系统复杂
掩膜构造复杂， 掩膜构造复杂 ， 曝光方式本质 上是电子作用。 上是电子作用。
1.很高分辨率，可用于光刻修补； 很高分辨率，可用于光刻修补； 很高分辨率 2.存在随机空间电荷问题； 存在随机空间电荷问题； 存在随机空间电荷问题 3.直写，不需要掩膜版。 直写， 直写 不需要掩膜版。
光收集： 光收集：2 混光： 混光：7 光过滤： 光过滤：5,6 准直和成形： 准直和成形： 4,9
对光学成像系统进行评价的指标 分辨率 聚焦深度 对比度
表示能分辨的最小线宽， 表示能分辨的最小线宽，能分辨的线宽越 分辨率越高。用雷利判据表示。 小，分辨率越高。用雷利判据表示。 沿着光通路，在图形聚焦的情况下， 沿着光通路，在图形聚焦的情况下，衬底 可以移动的距离。 可以移动的距离。 是指曝光图形的光学反差，对比度越高， 是指曝光图形的光学反差，对比度越高， 刻出来的图形质量越好。 刻出来的图形质量越好。
高精密度平行光曝光机图形转移技术
ａ ｉｔ ｏｍｏ ｅ２ ｉ２ ｌｌ ｅｃｐ ｃｔ．ｔｗａ ｃ ｉｖ ｉ ａ ｎ ｉｅ ｎ ｒｖｄ ｄ ａｓ ｏ ｇｔｃ ｎｃ ｌ ｂｌ ｙｔ ｖ ｍ ｌ ｍｉ ｉ ａ ａ ｉ Ｉ ｉ ／ ｎ ｙ ｓｔ ａｈｅ ｅａｂｇ ｌ ｐｔ ｆ ｅｌ ｓａ ｄｐｏ ｉｅ ｔ ｎ ｅ ｈ ｉａ ｏ ｅ ｏｉ ｎ ｒ
１ 前 言
目前 电子行业 中Ｐ Ｂ 路制 作的 图形转 移 曝光 设 Ｃ线 备 大多数 为 非平行 光 ，属于 散射 光源 ，照射 角度 一 般 为 ３ １。角 ，致使 图形 转移 失真 ，对 于精度 要求 高 。－ ５ 的高密 度 电路板 及液 晶显 示板 ，加 工精度 达 不到高 端
图形转换知识点总结
图形转换知识点总结图形转换是计算机图形学中的重要内容之一，它是指通过计算机对图像进行变换或处理的过程，从而得到新的图像。
图形转换技术在计算机视觉、计算机图形学、计算机辅助设计等领域有着广泛的应用。
在计算机图形学中，图形转换技术通常包括平移、旋转、缩放和剪切等基本操作，以及复合变换、透视变换和变形等高级操作。
本文将主要从图形转换的基本概念、基本操作和高级操作三个方面进行总结。
一、图形转换的基本概念1. 图形转换图形转换是指将一个图形通过一定的数学变换，得到一个新的图形的过程。
在计算机图形学中，通过改变原始图像的像素值，可以实现对图形的平移、旋转、缩放和剪切等操作，从而获得所需的图形效果。
2. 坐标系统在图形转换中，通常采用笛卡尔坐标系来描述图形的位置和形状。
坐标系通常由两个轴（x轴和y轴）和一个原点组成，其中x轴和y轴分别表示水平和竖直方向，原点是坐标系的起点，用来表示坐标为(0,0)的位置。
3. 变换矩阵在图形转换中，变换矩阵是描述变换操作的一种数学工具，它通过矩阵乘法的方式来表示图形的平移、旋转、缩放和剪切等操作。
变换矩阵通常由一个2*2的矩阵和一个2*1的向量组成，其中矩阵用来表示图形的旋转和缩放操作，向量用来表示图形的平移操作。
4. 变换公式在计算机图形学中，图形的平移、旋转、缩放和剪切等操作通常可以通过一定的数学公式来描述。
例如，图形的平移操作可以通过如下的公式来表示：x'=x+dxy'=y+dy其中，(x,y)表示图形的原始坐标，(x',y')表示图形的新坐标，(dx,dy)表示平移的距离。
通过这样的公式，我们可以实现对图形的平移操作。
5. 变换顺序在图形转换中，变换的顺序通常会影响最终的效果。
一般来说，平移、旋转和缩放等操作应该按照从右到左的顺序进行，也就是说，先进行缩放操作，再进行旋转操作，最后进行平移操作。
这样可以避免由于变换顺序不当而导致的图形效果不符合预期的问题。
图形转移原理概要
将感光性物质做成胶体，再以电泳法析出在电路板 上。胶体特性可以为正性或负性，有较好的均匀覆盖 性，对不平整或弯曲的表面有良好的覆盖性，主要用 于细线路制程和通孔封孔制程。
图形转移流程
基板
壓 膜 /涂布
壓膜/涂布後
曝光 去膜
顯影
蝕銅
前处理方法
机械方式处理： 磨板：酸洗－－－磨板－－－烘干 特点：用尼龙软刷和着氧化铝粉在板面磨刷形成粗化表面，会形
板面、烘 干段，水 洗槽有磨 料
目视
通知主任 领班，检 查磨料分 离器是否 正常，高 压水洗冲 洗不足
感光抗蚀膜涂布（压膜）
干膜贴膜：
湿膜滚涂：
贴膜、滚涂异常处理
项目
湿膜涂布
干膜贴膜
检查项目 膜厚
杂质
贴膜气泡 膜下脏物 氧化
异常项目
膜厚是否 在10±2um 之间
涂布品质 异常或前 处理板面 有杂质
贴膜后检 查板面有 气泡
割膜碎膜 或前处理 板面有杂 质
烘干后仍 有氧化现 象
检查方式 膜厚计测 目视 量
目视，首 目视 件
目视
处理对策
重新调整 滚轮间距 或检查油 墨粘度
检查前处 理，烘箱 内部卫生
更换胶辊 或补硅胶
检查前处 理传送压 辊烘干段 卫生，割 膜刀片等
检查滚轮 清洁度及 吸水滚轮 是否异常。 水洗是否 打开等
不同前处理的效果图
化学微蚀处理的表面 磨料磨刷处理的表面 （微蚀量0.5um）
前处理异常处理注意事项
项目
1
2
3
4
5
检查项目 水膜试验 氧化
杂质
板边屑 板面磨料
图形的转移的概念
图形的转移的概念图形的转移是指将一个图形从原来的位置或状态移动到另一个位置或状态的过程。
在几何学中，转移可以是平移、旋转、镜像等操作，也可以是缩放、扭曲等变换。
在计算机图形学中，转移常常指的是将一个图像从一个像素坐标位置复制到另一个位置的操作。
平移是一种图形转移，它是指将一个图形沿着平行于坐标轴方向移动固定的距离。
在二维笛卡尔坐标系中，平移可以通过给图形的所有顶点增加一个固定的偏移量来实现。
例如，当把一个正方形沿x轴方向平移10个单位时，正方形的四个顶点的新坐标分别是（x+10, y），（x+10, y+10），（x, y+10），（x, y）。
旋转是另一种图形转移，它是指将一个图形绕一个固定的点旋转一定的角度。
在二维笛卡尔坐标系中，旋转可以通过将图形的每个顶点绕着旋转中心点按照一定的顺序旋转一定的角度来实现。
例如，当将一个正方形绕原点逆时针旋转45度时，正方形的新位置可以通过将每个顶点的坐标(x, y)变换为(x*cos(45)-y*sin(45), x*sin(45)+y*cos(45))来计算。
镜像是图形转移的另一种形式，它是指将一个图形沿一条直线或平面进行对称。
在二维笛卡尔坐标系中，镜像可以通过改变图形的坐标来实现。
例如，当将一个正方形关于y轴进行镜像时，只需要将正方形的所有顶点的x坐标取负值即可。
缩放是一种改变图形大小的转移，它是指将一个图形的各个部分同时按照一个比例因子进行变换。
在二维笛卡尔坐标系中，缩放可以通过改变图形的顶点坐标来实现。
例如，当将一个正方形按照2的倍数进行放大时，正方形的顶点坐标可以按照(2x, 2y) 的方式计算得到。
扭曲是一种改变图形形状的转移，它是指将一个图形的各个部分按照非线性的方式进行变换。
在二维笛卡尔坐标系中，扭曲可以通过改变图形的坐标来实现。
例如，当将一个正方形扭曲成一个椭圆形时，可以通过改变正方形的顶点坐标来实现。
在计算机图形学中，图形的转移是非常重要的，它可以用于图像处理、计算机动画、计算机辅助设计等领域。
刻蚀法图形转移技术
➢ 碱类腐蚀液对硅的各向异性腐蚀使控制掩模图形变得格外 困难，因为最终腐蚀的图形不一定是初始的设计图形。对 于（100）晶面的硅片，有4个（111）面与（100）面相交 呈54.74°夹角，且这4个（111）面彼此垂直。因此用一个 矩形掩模腐蚀总是可以得到一个矩形开口，尽管矩形槽的 边壁不是垂直的，如果掩模图形的边缘不与晶面重合，则 腐蚀所得到的图形会偏离原来的掩模的图形
32
图 8-3-1 平板电极辉光放电系统与放电区电位分布 33
☆反应器组成部分： ✓ （1）真空系统——一个密闭的反应腔，附带一套真空泵
来实现压力控制。腔内压力通常维持在微米汞柱范围 ✓ （2）气体流动控制系统——实现气体的循环。将反应的
特定气体供进来，将反应的特定的挥发性气体派出去 ✓ （3）驱动系统——可以采用不同的动力源，如射频、直
☆等离子体产生：射频电源有阴极端经电容耦合输入，阳极 接地。在阴极与阳极间的射频电场作用下，空间初始的少量 电子被加速获得能量与气体碰撞，导致气体原子被电离。电 离的气体原子释放出更多自由电子，导致更多气体原子被电 离，因此产生一种“雪崩效应”。随着气体分子的大量电离 气体由最初的绝缘状态变为导电状态，有电流通过，并在阴 极与阳极间形成电场。同时空间的自由电子也会不断的与气 体离子碰撞复合，恢复为气体原子。最终达到平衡空间形成 等离子体，气体离子恢复到原子态会以光子的形式释放能量 ，产生辉光，产生等离子体的过程也叫辉光放电过程。
➢ 另一种化学腐蚀液EDP对二氧化硅的腐蚀速率很低，一般比 KOH低100倍。如果用二氧化硅做掩模，则可以用EDP做腐蚀 液，EDP还有一个特点是对硅的掺杂浓度特别敏感
18
图 8-2-7 KOH在(100)晶 面的腐蚀效率
图 8-2-8 用硅体微加 工制作薄膜支撑框架的
第五章 图形转移
11
第五章 图形转移
2 贴膜
问题 缺陷
干膜
原因 解决办法 贴膜温度过高 调整温度至合适范围 起皱 开路 两热辊不平行 调整热辊至平行 前处理清洁不够或粗糙 重新处理板面并做水裂 度不够 点试验和蚀铜量测试 贴膜不牢 开路 速度过快或温度不够 调整温度、压力、速度
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第五章 图形转移
2 贴膜
湿膜涂布的方法 网印、辊涂、帘幕涂布、喷涂等 应用最广的是辊涂工艺 辊涂的优点： 板子两面同时涂覆，实现涂覆与干燥连线生产，效率高； 板厚与板宽范围宽；
传送速度：一般传送速度较慢有利于贴膜。与贴膜温度有
关，贴膜温度较高，传送速度可快 些，反之，传送速度可 慢些。一般控制范围为1.5-2.5m/min。 主要缺陷：开路(甩干膜）、短路(干膜碎） 贴膜效果检查：气泡、皱纹、干膜下杂物 贴膜后的放置：>15min, <48h
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第五章 图形转移
物理方法
用机械磨刷或擦刷的办法得到清洁、微观粗糙的铜表面 又分为刷磨法、喷砂法 , 优点：能除去绝大部分的污物； 缺点：易损伤板面、易使板面变形； 化学法 用化学试剂来形成清洁、微观粗糙的铜表面 。 优点：能提供细致的粗化表面 ,不损伤板面； 缺点：不溶解于化学溶液的污物无法除去。 内层前处理一般用化学法。
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第五章 图形转移
2 贴膜
聚乙烯保护膜 光致抗蚀剂 聚酯薄膜
干膜
干膜的组成 干膜的技术性能要求
外观 贴膜性 感光性 显影性和耐显影性
粘结剂、光聚合单体、光引发剂、热阻聚剂、染料、溶剂等
光致抗蚀层厚度 ： 常用 30 、 40 、 45 μm 聚乙烯保护膜的剥离性 光谱特性 干膜的吸收光是可见紫外光，安全光为黄光。
基于深度学习的图像风格转移技术研究
基于深度学习的图像风格转移技术研究图像风格转移技术是一项非常有趣同时又具有挑战性的研究任务。
这个技术旨在将一张图片的风格转移到另外一张图片上，从而产生全新的、美观的图像。
这项技术可以在图像处理、视频制作、游戏设计等领域中产生广泛的应用。
本文将从理论和实践两个方面探讨深度学习在图像风格转移技术中的应用。
一、图像风格转移技术理论基础在深入探讨深度学习在图像风格转移技术中的应用之前，我们需要先了解其理论基础。
从传统意义上讲，图像风格转移技术可以分为两种：传统的图像叠加和基于边缘检测的方法。
这些传统方法虽然有一定的效果，但是在处理过程中需要手动选择样式、人工调整参数等，因此难以应对大规模数据处理和快速反馈需求。
近年来，随着人工智能领域的不断发展，图像风格转移技术也开始融入深度学习的框架之中，从而使得图像风格转移技术更加完善和高效。
二、基于深度学习的图像风格转移技术概述基于深度学习的图像风格转移技术是指利用计算机深度学习算法，以卷积神经网络（Convolutional Neural Networks，CNNs）为框架，通过模型训练使计算机自动提取并融合不同图像样式的特征信息，从而实现自动化的图像风格转移。
以前的图像风格转移方法通常需要使用手工制作的过滤器，即卷积核，以提取不同样式的特征。
然而，这些方法缺乏一定的范例性，因此模型的泛化能力和应用性都限制在了一定范围内。
相对而言，基于深度学习的图像风格转移技术不需要预先设计过滤器，而是通过将样式特征和内容特征映射到不同空间上，从而达到自动钦定样式的效果。
三、基于深度学习的图像风格转移技术具体步骤基于深度学习的图像风格转移技术主要包括以下几个步骤：1. 选定目标图像和样式图像：首先需要选定一张目标图像和一张样式图像。
2. 提取特征信息：通过卷积神经网络提取目标图像和样式图像的特征信息。
3. 定义损失函数：定义目标图像与样式图像的损失函数，这里可以采用Gram矩阵，即特征向量的内积矩阵，来捕捉样式信息。
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生产中常采用步进-闪光纳米压印技术
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（a） SiO2压模被用12次后的SEM 照片
（b）用（a）压模压成的聚合物图案的SEM照片
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纳米结构的图形转移技术
纳米结构的图形转移技术
物理方法
传统方法
化学方法
光学光刻技术
图形转移技术
非光刻图形制备技术
纳米结构的自组装技术
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传统的光学光刻技术
光刻是制造半导体器件和集成电路 微图形结构的关键工艺技术，思路起源 于印制技术中的照相制版，属于平面工 艺。
人工组装技术
扫描探针技术
自组装技术
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扫描探针技术
扫描探针显微镜不仅仅可以让科学家观察原子世界，它们也可以利用针尖和 表面原子、分子的相互作用力来操纵单个原子、单个分子或者用来制备表面纳米 结构，即谈针尖可以沿着表面移动纳米粒子并使其重新排列，说制作的纳米图形 特征线宽可以达到单个原子的宽度。 操作模式主要包括横向操作和纵向操作。
光学光刻的进展示意图
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非光刻图形技术
（1）纳米压印技术和软刻印技术
代替物理的光和电子源，利用一块橡胶聚合物作为工具，采用日常所见 的印刷、模锻、模铸和压印等力学过程来制造纳米结构，称之为软刻印技术（ Soft Lighography）和纳米压印技术(Nano-Imprint Lithography，NIL) 。 （2）扫描探针技术 彻底抱起自上而下的手段，采用自底而上的人工组装方法，也就是从 移动原子或者分子的开始组装并构建纳米功能结构，最成功的是STM微分 析技术发展而来的扫描探针技术。
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1993年Eigler等在Cu(111) 表面上成功地移动了101个吸附 的铁原子，写成中文的“原子 ”两个字，这是首次用原子写 成的汉字，也是最小的汉字。
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中国科学院北京真空物理实验室的研究人员于1993年底至1994年初，以超 真空扫描隧道显微镜（STM）为手段，在Si重构表面上开展了原子操纵的研究 ，取得了世界水平的成果。他们在室温下，用STM的针尖，并通过针尖与样品 之间的相互作用，把硅晶体表面的原子拨出，从而在表面上形成一定规则的图 形，如“中国”等字样，这些沟槽的线宽平均为2 nm，是当时在室温时，人们 在Si表面“写”出的最小汉字。凹陷的地方是原子被拨出后显示的深黑色沟槽 ，凸起的亮点是散落的原子形成的，显白色。
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电子束光刻（Electron Beam Lithography）
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在显微镜的基础上发展起来的。其研究始于20世纪60年代，由德意 志联邦共和国杜平根大学的 G.Mollenstedt和R.Speidel提出
用电磁场将电子束聚焦成微细束辐照在电子抗蚀剂上，由于电子束 可以方便地有电磁场偏转扫描，所以可以将复杂的电路图形直接写 到硅片上而无需掩模版. 优点：高分辨、长焦深、无需掩模(即电子束直写)、可以在计算机控 制下直写任意图形； 缺点：曝光速度慢；生产效率比较低；难以实现高精度的对准和套刻 电子束光刻中使用的曝光机一般有两种类型：直写式与投影式。直 写式就是直接将会聚的电子束斑打在表面涂有光刻胶的衬底上，不 需要光学光刻工艺中最昂贵和制备费时的掩模；投影式则是通过高 精度的透镜系统将电子束通过掩模图形平行地缩小投影到表面涂有 光刻胶的衬底上。
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热压印工艺
紫外压印工艺
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紫外压印一个新的发展，是提出了步进-闪 光压印，它可以达到10nm的分辨率。 紫外压印的工艺过程是：先将低粘度的 单体溶液滴在要压印的衬底上，用很低的压 力将模板压到园片上，使液态分散开并填充 模板中的空腔。紫外光透过模板背面辐照单 体，固化成型后，移去模板。最后刻蚀残留 层和进行图案转移，得到高深宽比的结构。 采用小模板的方式, 提高了在基板上大 面积压印转移的能力，降低了掩模板制造成 本，也降低了采用大掩模板（光刻胶厚度不 均匀）带来的误差。 另外，紫外压印相对于热压印来说，不 需要高温、高压的条件，可以廉价的在纳米 尺度得到高分辨率的图形。
它可以大批量重复性地在大面积上制备纳米图形结构，并且所制成的高 分辨率图案具有相当好的均匀性和重复性。该技术还有制作成本低、简单易 行、效率高等优点。 纳米压印技术主要包括热压印技术和紫外压印技术。
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热塑性聚合物：PMMA等 Tg以上
保持足够的模压时 间，施加足够的模 压压力，使聚合物 填充满模腔。 透明印章： 石英玻璃印章（硬模） 或PMMA印章（软模） 聚合反应而 固化成型 等固化完全时再 脱模，脱模要小 心，防止用力过 度而使模具损伤
式中： k1是为工艺因子 ； λ为曝光波长 ；NA 为投 影光刻物镜的数值孔径。
1）降低工艺因子(k1)： OAI（离轴照明）、PSM（移相掩模）及OPC（ 光学邻近效应校正）等 2）缩短曝光波长(λ) ： 436nm(g线) → 365nm(i线) → 248nm(KrF) →193nm(ArF) → 157nm →NGL(下一代光刻术) 3）提高物镜的数值孔径(NA)： 非浸没式：0.28→0.42→0.48→0.60→0.68 →0.75→0.78→0.82 →0.85(极限) 浸没式：1.3(2003) →1.44(04-06) →1.64(2007)
光学平面印制工艺分为两步：掩 膜的制备和图形的转移。
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传统光刻技术遇到的困境：
最小特征线宽（Minimum Feature Size，MFS）决定不仅与曝光光源波长以及 光学系统有关，而且还与曝光材料等工艺细节有关：
MFS = k1λ / NA
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软刻印技术
软刻印术主要有两钟 ：微接触印刷法、毛细管 微模制法。 微接触印刷法是由 Whitesides等人于1993年 提出的。它的主要思想是 使用具有纳米图案的弹性 印章将自组织单分子膜印 到基片上。 用毛细管微模制法制 作纳米图形结构，也要像 微接触印刷法那样 ，先制 作浅浮雕式母板并且由母 板制作PDMS印章，但在 这里不称其为印章而称为 铸模更合适。 微接触印刷法的工艺流程图
三种压印技术的比较
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扫描探针技术
前面提到几种图形转移技术都是从一个宏观的大尺度图形开始，在刻出纳米结 构之前按比例缩小图形的横向尺度。但是没有哪一种自上而下的方法能够简单而低 成本的制造各种材料的纳米结构。
于是一些科学家开始研究自底向上的方法，也就是从原子或者分子开始组装并 构建纳米结构。这些方法可以制备最小的纳米结构，而且不是很昂贵。
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新一代光刻技术和纳米制造
曝光波长限制了光学光刻技术向更小尺寸器件的应 用，进入0.1μm以下的光刻必须采用新一代光刻技术，如 X射线光刻(XRL)、极紫外光刻(EUVL)、电子束光刻(EBL) 和离子束光刻(IBL)等。
但是由于短波长光源的获得，以及新的透镜材料、更高数字孔径 光学系统的加工，还有大部分材料都强烈的吸收深紫外而被破坏， 而且，光刻设备所花费的巨大成本，均成为了光刻技术的瓶颈。
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离子束光刻技术
离子束光刻(IPL)的研究始于20世纪70年代，它是将离子源 (气体或液 态金属)发出的离子通过多极静电离子透镜，将掩模图像缩小后聚焦于涂有 抗蚀剂的片子上 ，进行曝光和步进重复操作。
IPL的优点：离子束曝光基本上不存在邻近效应，故有比电子束光刻更 高的分辨力；在同样能量下，感光胶对离子的灵敏度要比电子高数百倍。
毛细管微模法的工艺流程图
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纳米压印技术
纳米压印技术是软刻印技术的发 展，采用绘有纳米图案的刚性压模将 基片上的聚合物薄膜压出纳米级花纹 ，通过热的或者化学的方法固化在聚 合物上保留模板图形，再对压印件进 行常规的刻蚀、剥离等加工，最终制 成纳米结构和器件。
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几种电子束曝光系统的性能
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极紫外光刻和X射线光刻
采用波长在0.1~10nm的X射线或者波长在10~70nm的软X射线（即紫外光）进行 光刻，缩小特征线宽的极限； 传统的透镜对极紫外光不是透明的，也不能聚焦X射线，而其能量辐射会很快地 破坏掩模和透镜用的材料； 最显著的特点是采用Mo/ Si多层材料构成布拉格反射器，而非传统光学光刻中的 球面透镜，用做掩模的材料是可以吸收极紫外线的TaN,Cr,W等； XRL的优点：高分辨力；大焦深和大像场等；分辨力可达40nm，它可用于UL-SI、 纳米加工和 MEMS等。XRL的缺点：采用大型的、昂贵的同步加速器，巨额耗 资，对量产IC工艺难以接受；高集成的1倍掩模版难制作；与光学光刻机相比， 生产效率极低。 制作所需的设备将是非常昂贵
IPL的缺点：液态金属离子源发射的离子具有较大的能量分散，而聚焦 离子束系统所采用的静电透镜具有较大的色差系数，色差会影响离子束聚 焦；由于离子的质量大，在感光胶中的曝光深度有限，故限制了离子束曝 光的应用范围。