PCB图形转移(ODF,图形转移,工程师培训资料)
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FPC图形转移线路成形教育资料
• B.光致抗蚀剂膜的主要成分和作用 1）粘结剂：使感光胶各组份结成膜，起 抗蚀剂的骨架作用，在光致聚合过程中不 参与化学反应，一般为聚苯丁树脂。 2）光聚合单体：是光致抗蚀剂胶膜的主 要成分，在光引发剂的存在下，经紫外光 照发生光聚合反应，生成体型聚合物，感 光部分不溶于显影液，未曝光部分可通过 显影除去，从而形成抗蚀图像，多元醇烯 酸酯类及甲基丙烯酸酯类是广泛应用的聚 合单体。
6）热阻聚剂：阻止热能对干膜的聚合作用， 一般为甲氧基酚，对苯二酚
7）色料：使干膜呈现鲜艳的颜色，便于检查 和修理，一般为孔雀石绿、苏丹三等色料
8）溶剂：溶解上述各组分，一般为丙酮、酒 精等
• C.干膜的技术条件
1）外观：无气泡、颗粒、杂质；厚度均 匀，颜色一致；无流胶现象，膜卷必须卷 绕紧密、整齐，层间对准误差应小于1mm。 2）剥离性：揭聚乙烯保护膜时，保护膜 不粘连抗蚀层。 3）变色性：曝光前后颜色应有明显的变 化。
1/2oz1/2mil； 龙山工厂使用的铜箔种类，主要都是两面铜箔， 如图压延铜箔在压延的过程中， 厚度一般为1/2oz和1/3oz ，PI层也分1mil和 铜微粒形成水平轴状结晶，具 1/2mil，不同点在于：内层线路：无需镀铜； 有比电解铜箔更高的延展性； 外层线路：不同品目镀层厚度不一，分 23μm 但是这种铜箔在某种微观程度 和25 μm厚；两面单张：镀层厚度 8 μm、15 上对蚀刻液造成一定的阻挡， μm和17 μm。 且RA的两面都非常光滑，所 以需要进行化学处理以增加与 基材的结合力。
（二）、干膜（Dry Film）
A、干膜的组成： 水溶性干膜主要是由于 其组成中含有机酸根， 会与强碱反应使成为有 机酸的盐类，可被水溶 掉。干膜是由聚酯薄膜、 光致：
• 聚酯薄膜式支持感光胶层的载体，使之突 布成膜，通常厚度为25μm左右；聚酯薄膜 在曝光后现象前撕去，防止曝光时的氧气 向抗蚀剂层扩散，破坏游离基，引起感光 度下降。 • 聚乙烯膜是覆盖在感光胶层上的保护膜， 防止灰尘等污物沾污干膜，避免在卷膜的 每层抗蚀剂膜之间相互粘连，聚乙烯膜一 般厚度为25μm左右。 • 光致抗蚀剂膜为干膜的主体，其厚度视其 用途不同有若干种规格。
PCB图形转移ODF图形转移工程师培训资料
一、前 言
编写本教材为[图形转移]工艺制作原理，合用 于负责内外层图形转移工序入职员程师、及有 关技术人员旳培训. 伴随图形转移技术旳不断革新,部分观点将出 现差别,我们应以实际旳要求及变化为准.
二、工序制作简介
图形转移旳定义：
就是将在处理过旳铜面上贴上或涂上一层感光性膜层， 在紫外光旳照射下，将菲林底片上旳线路图形转移到铜 面上，形成一种抗蚀旳掩膜图形，那些未被抗蚀剂保护 旳不需要旳铜箔，将在随即旳化学蚀刻工艺中被蚀刻掉， 经过蚀刻工艺后再褪去抗蚀膜层，得到所需要旳裸铜电 路图形。
图形转移工序涉及：
内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。
2023/12/31
三、工艺制作流程
❖ 以内层图形转移工序为例：
板面处理
贴干膜
（措施一）
涂湿膜
（措施二）
曝显蚀退 光影刻膜
菲林制作
三、工艺制作流程
❖ 以外层图形转移工序为例：
板
贴
面 处
干
曝
显
图
形退蚀褪电理膜
光
影
镀
膜
刻
锡
菲林制作
三、工艺制作流程
CH3
感光性 显影特性 密着性 干膜强度 褪膜特性
感光性 解像度 显影特性 耐药品性（显影 液蚀刻液电镀 液）
其他：光聚合开始剂，安定剂，染料，密着促进剂
四、工艺制程原理
4.2.4 成像图形转移使用旳光成像材料：
❖ 按物理状态分为:
干膜抗蚀剂 及 液体抗蚀剂
光致抗蚀剂：是指用化学措施取得旳能抵抗某种 蚀刻液或电镀溶液浸蚀旳感光材料。感光材料主 要是由主体树脂和光引起剂或光交联剂构成。
浮石粉刷板机
借着与铜表面相切的砂 磨料浮石粉与尼龙刷相结合的作用与 先用酸性除油剂去除铜箔表面
PCB基础知识培训课件PPT(共45页)全文
线路板在电子工业中的地位：
基础类 元器件如线路板、电阻
IT软件业
IT制造业
消费类设备 手机、电视
投资类设备 交换机等
IT服务业
网络、电信、邮政
软件与系统
IT产业
线路板的应用领域
计算机及办公设备 32% 通信设备 24% 消费电子 22% 工业装备及仪器 6% 汽车电子 4% 其他 12%
线路板的发展史
1903年英国人首创利用“线路”(Circuit)概念，将金属箔予以切割成线路导体，将之黏着于石蜡纸上，上面同样贴上一层石蜡纸，应用于电话交换机系统。出现了今天PCB的雏型。 1936年英国人E isler提出“印制线路（Print Circuit ）”的概念，将金属箔覆盖在绝缘基板上，后在金属箔上涂上耐蚀刻油墨把不需要的金属箔蚀刻掉。 1953年出现双面板采用电镀贯通互连工艺。 1960年出现多层板。
2. 外层线路(曝光)
图形电镀及外层蚀刻工序简介（PTP＆ ETCH） PTP工序就是在外层工序裸露的图形（铜面）进行铜加厚，然后在外面镀上保护层锡铅。 流程是：铜面前处理→镀铜→镀锡(铅)。 ETCH工序先将外层工序的保护性干膜去掉，将干膜下的铜蚀刻掉，再降PP电镀的锡（铅）去掉 。 流程是：去膜→线路蚀刻→去锡铅
1.机械钻孔
电木板
铝片
激光钻房及盲孔开窗工序简介（LDR & CFM ） 随着PCB的发展，线路板的线路密度大幅度提高，为了降低线路间特别是通孔之间的相互影响据出现了盲孔。 本工序包括将开窗和激光钻孔；共有前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻、激光钻的岗。
1. L-DR＆ CFM(减铜)
2.L-DR＆ CFM(贴膜)
3.L-DR＆ CFM(曝光)
菲林
基础类 元器件如线路板、电阻
IT软件业
IT制造业
消费类设备 手机、电视
投资类设备 交换机等
IT服务业
网络、电信、邮政
软件与系统
IT产业
线路板的应用领域
计算机及办公设备 32% 通信设备 24% 消费电子 22% 工业装备及仪器 6% 汽车电子 4% 其他 12%
线路板的发展史
1903年英国人首创利用“线路”(Circuit)概念，将金属箔予以切割成线路导体，将之黏着于石蜡纸上，上面同样贴上一层石蜡纸，应用于电话交换机系统。出现了今天PCB的雏型。 1936年英国人E isler提出“印制线路（Print Circuit ）”的概念，将金属箔覆盖在绝缘基板上，后在金属箔上涂上耐蚀刻油墨把不需要的金属箔蚀刻掉。 1953年出现双面板采用电镀贯通互连工艺。 1960年出现多层板。
2. 外层线路(曝光)
图形电镀及外层蚀刻工序简介（PTP＆ ETCH） PTP工序就是在外层工序裸露的图形（铜面）进行铜加厚，然后在外面镀上保护层锡铅。 流程是：铜面前处理→镀铜→镀锡(铅)。 ETCH工序先将外层工序的保护性干膜去掉，将干膜下的铜蚀刻掉，再降PP电镀的锡（铅）去掉 。 流程是：去膜→线路蚀刻→去锡铅
1.机械钻孔
电木板
铝片
激光钻房及盲孔开窗工序简介（LDR & CFM ） 随着PCB的发展，线路板的线路密度大幅度提高，为了降低线路间特别是通孔之间的相互影响据出现了盲孔。 本工序包括将开窗和激光钻孔；共有前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻、激光钻的岗。
1. L-DR＆ CFM(减铜)
2.L-DR＆ CFM(贴膜)
3.L-DR＆ CFM(曝光)
菲林
最实用的PCB工艺流程培训教材
PCB制造专家
2020/8/ 7
实物组图
开料机
开料后待磨边的板
磨边机
清洗后的板 PCB制造专家
洗板机
2020/8/ 7
磨边机及圆角机
2、内层图形
将开料后的芯板，经前处理微蚀粗化铜面后，进行压干膜或印刷 湿膜处理，然后将涂覆感光层的芯板用生产菲林对位曝光，使需要的线路部 分的感光层发生聚合交联反应，经过弱碱显影时保留下来，将未反应的感光 层经显影液溶解掉露出铜面，再经过酸性蚀刻将露铜的部份蚀刻掉，使感光 层覆盖区域的铜保留下来而形成线路图形。此过程为菲林图形转移到芯板图 形的过程，又称之为图形转移。
PCB制造专家
2020/8/ 7
6、以基材分类：
环
纸基印制板
氧
玻璃布基印制板
树 脂
合成纤维印制板
陶瓷基底印制板
金属芯基印制板
PCB制造专家
20线20/8路7/ 板基材结构
三、多层PCB板的生产工艺流程
开料 内层 压合 钻孔 一铜 干膜 二铜 阻焊 文字 表面处理 成型 电测试 FQC FQA 包装 成品出厂
PCB制造专家
2020/8/ 7
D、显影原理、蚀刻与退膜
感光膜中未曝光部分的活性基团与弱碱溶液反应，生成可 溶性物质溶解下来；未曝光的感光膜与显影液反应被溶解 掉，曝光的感光膜不与弱碱溶液反应而被保留下来，从而 得到所需的线路图形。
蚀刻 退膜
PCB制造专家
2020/8/ 7
实物组图（1）
前处理线
涂膜线
曝光机组
显影后的板
PCB制造专家
显影缸
2020/8/ 7
显影前的板
实物组图（2）
蚀刻缸
蚀刻后的板
PCB工艺知识培训1--图形转移
常用的方法是目视检查,少用仪器测量, 仪器三法如下: 1.算术平均值,即是Ra 2.LEVELLING DEPTH-Rp:以表面各凹凸点的平均线
算起,到上下各最突点的垂直距离而得. 3.均方根粗糙值 Root Mean Square Roughness -
(RMS)
Ra (平均粗糙值) = 0.2 - 0.3 μm (8 - 12 μin) Rz (最大粗糙值)= 2 - 3 μm (80-120μin) Wt = < 4 μm (对两峰间距离为500 -800 μm)
过程控制
传送轮及压辊需清洁，粘胶纸定量更换。 板面状态:应经过良好的前处理,避免有铜瘤,划痕,
凹陷,薄板折痕,杂物粘付等问题 加热板面: 板面温度在压膜前在60-70℃较好,可
以提升贴膜的效率及与良率的提升. 压辊压力:（3-5.5kG/cm2） 压辊温度: 压膜过程温度100-120 ℃ 速度:1.2-2.5M/min 停留时间:贴膜后需至少停留15分钟才可曝光.但
也不至于过显。一般条件确认后通过浓度和速度进 行管控。显影负载定期更换显影药水。
z 温度控制 z 喷嘴及上下压力控制，各过滤网的定期清理 z CuCL2确认效果 z 传送设备确保不划伤与叠板
图形转移的应用分类
z 耐电镀 外层板进行图形电镀
（镀铜、镀铅锡，镀 纯锡）
进行全板镀金
z 抗蚀刻： 内层板的制作 外层TENTING流程
级 按不同的干膜类型进行控制，不同的线宽确定最佳
值
曝光的管理
z 每天测量管制曝光尺，不同的曝光框与上下灯差 别，超过范围必须进行调整。
z 每周测量曝光能量及均匀性 z 曝光时 必须检查：真空度 清洁底片 清洁板面 定
算起,到上下各最突点的垂直距离而得. 3.均方根粗糙值 Root Mean Square Roughness -
(RMS)
Ra (平均粗糙值) = 0.2 - 0.3 μm (8 - 12 μin) Rz (最大粗糙值)= 2 - 3 μm (80-120μin) Wt = < 4 μm (对两峰间距离为500 -800 μm)
过程控制
传送轮及压辊需清洁，粘胶纸定量更换。 板面状态:应经过良好的前处理,避免有铜瘤,划痕,
凹陷,薄板折痕,杂物粘付等问题 加热板面: 板面温度在压膜前在60-70℃较好,可
以提升贴膜的效率及与良率的提升. 压辊压力:（3-5.5kG/cm2） 压辊温度: 压膜过程温度100-120 ℃ 速度:1.2-2.5M/min 停留时间:贴膜后需至少停留15分钟才可曝光.但
也不至于过显。一般条件确认后通过浓度和速度进 行管控。显影负载定期更换显影药水。
z 温度控制 z 喷嘴及上下压力控制，各过滤网的定期清理 z CuCL2确认效果 z 传送设备确保不划伤与叠板
图形转移的应用分类
z 耐电镀 外层板进行图形电镀
（镀铜、镀铅锡，镀 纯锡）
进行全板镀金
z 抗蚀刻： 内层板的制作 外层TENTING流程
级 按不同的干膜类型进行控制，不同的线宽确定最佳
值
曝光的管理
z 每天测量管制曝光尺，不同的曝光框与上下灯差 别，超过范围必须进行调整。
z 每周测量曝光能量及均匀性 z 曝光时 必须检查：真空度 清洁底片 清洁板面 定
第七章 图形转移
7.3.3பைடு நூலகம்掩 膜 版
• 传统的光学光刻掩膜版是在石英板上淀积薄的铬层，然后在铬 传统的光学光刻掩膜版是在石英板上淀积薄的铬层， 是在石英板上淀积薄的铬层 层上形成图形。 层上形成图形。 • 石英玻璃板：热扩散系数低，受温度变化的影响小；对248nm 石英玻璃板：热扩散系数低，受温度变化的影响小； 波长的通透效果最好。 和193nm波长的通透效果最好。 波长的通透效果最好 • 铬层：对光线完全不透明，而且淀积和刻蚀都比较容易。实际 铬层：对光线完全不透明，而且淀积和刻蚀都比较容易。 上由三层组成，其中铬层的下面是氮化物或氧化物 氮化物或氧化物层 上由三层组成，其中铬层的下面是氮化物或氧化物层，作用是 增加铬膜与石英玻璃之间的黏附力；铬层上面还有20nm左右 增加铬膜与石英玻璃之间的黏附力；铬层上面还有 左右 抗反射层。 的Cr2O3抗反射层。 • 保护膜：采用硝化纤维素醋酸盐和碳氟化合物，形成1－2微米 保护膜：采用硝化纤维素醋酸盐和碳氟化合物，形成 － 微米 的保护膜，保护掩膜版不受灰尘等污染。 的保护膜，保护掩膜版不受灰尘等污染。
反射式曝光系统复杂
掩膜构造复杂， 掩膜构造复杂 ， 曝光方式本质 上是电子作用。 上是电子作用。
1.很高分辨率，可用于光刻修补； 很高分辨率，可用于光刻修补； 很高分辨率 2.存在随机空间电荷问题； 存在随机空间电荷问题； 存在随机空间电荷问题 3.直写，不需要掩膜版。 直写， 直写 不需要掩膜版。
光收集： 光收集：2 混光： 混光：7 光过滤： 光过滤：5,6 准直和成形： 准直和成形： 4,9
对光学成像系统进行评价的指标 分辨率 聚焦深度 对比度
表示能分辨的最小线宽， 表示能分辨的最小线宽，能分辨的线宽越 分辨率越高。用雷利判据表示。 小，分辨率越高。用雷利判据表示。 沿着光通路，在图形聚焦的情况下， 沿着光通路，在图形聚焦的情况下，衬底 可以移动的距离。 可以移动的距离。 是指曝光图形的光学反差，对比度越高， 是指曝光图形的光学反差，对比度越高， 刻出来的图形质量越好。 刻出来的图形质量越好。
PCB工艺基础内层图形转移
PCB工艺基础--内层图形转移制作：日期：目录4、设备篇3、液态光致抗蚀剂工艺原理2、干膜光致抗蚀剂工艺原理1、成像概述5、物料篇1、成像概述1）有较高的分辨率，一般线宽可做到1mil及更小；2）膜层厚度可调，应用于图形电镀工艺中，不易造成夹膜问题；3）干膜的厚度及组成一致，避免成像时不连续，品1)卓越的附着力；2）成本低；3）不耐擦花，不具备长时间的叠板能力；4）曝光能量高，曝光机单位产出低；1、IL光致成像概述——流程介绍1、流程介绍—内层DI曝光1、流程介绍—内层冲孔4、设备篇3、液态光致抗蚀剂工艺原理1、成像概述2、干膜光致抗蚀剂工艺原理5、物料篇2、干膜光致抗蚀剂工艺原理保护膜双键架桥聚合单体：亲水性与疏水性的平基膜（载膜〕感光树脂层光聚合开始剂，安定剂，染料，密着促进剂2、干膜抗蚀剂工艺原理——干膜制作溶于显影液(乳状液)链状反应（自由基聚合)架桥反应光开始剂曝光M n+：Li +,Na +,K +, Ca ++Ki ：扩散速度常数氢键退膜2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理条件：ST=24/41, L/S=100/400μm压膜前基板表面MD ×3.0磨布辊+火山灰火山灰磨布辊化学(酸)处理未处理2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理显影前显影后磨布辊+火山灰火山灰磨布辊化学(酸)处理未处理条件：ST=24/41, L/S=100/100μm2、干膜抗蚀剂工艺原理——前处理SiO 2(尼龙刷用)α-Al 2O 3(喷砂用)磨料基板表面(研磨后)(0.1~0.2MPa)投入干燥水辊水洗基板附着异物（基板碎屑基板附着异物（吸水辊碎屑）2、干膜抗蚀剂工艺原理——贴膜质量相关实验方法：压膜前从基膜（PET〕侧加压在干膜上造成压痕，然后压膜－曝光－显影。
压膜前干膜被压受伤压膜后干膜被压受伤实验方法：压膜后从基膜（PET〕侧加压在干膜上造成压痕，然后曝光－显影。
实验方法：压膜前从保护膜（PE侧加压在干膜上造成压痕，然后压膜－曝光－显影。
外层图形转移培训资料
板面前处理主要控制项目：
水破测试，磨痕宽度，水洗程度，干板程度。 引发问题：贴膜松，铜厚偏薄，不干板。
❖ 处理后板铜面与再氧化之关系 基材经过前处理后表面已无氧化物、油痕等，但如 滞留时间过长，则表面会与空气中的氧发生氧化反 应，前处理磨好的板应在较短时间内处理完。
39
五、流程控制项目
板面贴膜主要控制项目：
压力，温度，传送速度，干膜上/下对准程度 引发问题：贴膜松，膜皱，膜折，膜碎，切边不齐。 ❖ 贴膜后要求：
贴膜应是表面平整、无皱折、无气泡、无灰尘颗 粒等夹杂，同时为保存工艺的稳定性，贴膜后应 静置15分钟（到冷却即可）后再进行曝光。
40
五、流程控制项目
板面贴膜主要控制：
❖ 停留时间的设定及影响： 贴膜后板子须禁置时间15分钟以上，24小时以内。 如果停留时间不够： 干膜中所加入的附着力促进剂没有与铜完全发生作 用而结合不牢，造成甩膜。 若停留时间太久： 就会造成反应过度附着力太强而显影剥膜困难。
27
四、生产工艺
28
四、生产工艺
线路蚀刻
定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光/显影/蚀刻的工 艺步骤，达至所需铜面线路图形。
显影
显影：通过药水碳酸钠的作用下，将未曝光部分 的干膜溶解并冲洗后，留下感光的部分。
图形电镀 褪膜
图形电镀：通过电流作用在板面镀上一层铜和锡。 褪膜：是通过较高浓度的NaOH（3-5%）将保护 线路铜面的菲林去除掉。
曝光：利用紫外光的能量，使干膜中的感光 物质进行光学反应，以达到选择性局部桥架 硬化的效果，而完成影像转移的目的。
18
四、生产工艺
三个参数：压力、温度、传送速度
19
四、生产工艺
20
水破测试，磨痕宽度，水洗程度，干板程度。 引发问题：贴膜松，铜厚偏薄，不干板。
❖ 处理后板铜面与再氧化之关系 基材经过前处理后表面已无氧化物、油痕等，但如 滞留时间过长，则表面会与空气中的氧发生氧化反 应，前处理磨好的板应在较短时间内处理完。
39
五、流程控制项目
板面贴膜主要控制项目：
压力，温度，传送速度，干膜上/下对准程度 引发问题：贴膜松，膜皱，膜折，膜碎，切边不齐。 ❖ 贴膜后要求：
贴膜应是表面平整、无皱折、无气泡、无灰尘颗 粒等夹杂，同时为保存工艺的稳定性，贴膜后应 静置15分钟（到冷却即可）后再进行曝光。
40
五、流程控制项目
板面贴膜主要控制：
❖ 停留时间的设定及影响： 贴膜后板子须禁置时间15分钟以上，24小时以内。 如果停留时间不够： 干膜中所加入的附着力促进剂没有与铜完全发生作 用而结合不牢，造成甩膜。 若停留时间太久： 就会造成反应过度附着力太强而显影剥膜困难。
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四、生产工艺
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四、生产工艺
线路蚀刻
定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光/显影/蚀刻的工 艺步骤，达至所需铜面线路图形。
显影
显影：通过药水碳酸钠的作用下，将未曝光部分 的干膜溶解并冲洗后，留下感光的部分。
图形电镀 褪膜
图形电镀：通过电流作用在板面镀上一层铜和锡。 褪膜：是通过较高浓度的NaOH（3-5%）将保护 线路铜面的菲林去除掉。
曝光：利用紫外光的能量，使干膜中的感光 物质进行光学反应，以达到选择性局部桥架 硬化的效果，而完成影像转移的目的。
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四、生产工艺
三个参数：压力、温度、传送速度
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四、生产工艺
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浅谈印制板图形转移制作工艺
浅谈印制板图形转移制作工艺1. 绪论：介绍印制板图形转移制作工艺的背景和意义，并简要阐述本论文的研究目的、内容和方法。
2. 印制板图形转移的基本原理：介绍印制板图形转移的基本原理，包括印制板图形的制作、图形转移的过程和转移介质的选择等方面。
3. 印制板图形转移的工艺流程：详细介绍印制板图形转移的工艺流程，包括前处理、图形制作、转移、后处理等各个环节，并针对不同的转移介质和图形类型进行逐一介绍。
4. 提高印制板图形转移制作工艺质量和效率的方法：分析印制板图形转移过程中容易出现的问题及其解决方法，探讨如何在提高转移质量的同时提高转移效率，包括优化转移介质的选择、选择适合的图像处理软件和印制板制作设备等方面。
5. 结论与展望：通过总结前面的理论和实践内容，对印制板图形转移制作工艺的优缺点进行评价，并展望其未来的发展方向。
并提出进一步深入研究印制板图形转移与其应用领域的可行性。
1. 绪论印制电路板（Printed Circuit Board, PCB）是一种广泛应用于电子产品中的基础组件，其制作过程中需要涉及到图形转移工艺。
印制板图形转移制作工艺是一种将电子电路图形从原始标准图纸或CAD绘图文件转移至制作印制板的过程，是制作印制板的核心环节。
随着现代电子技术的迅速发展，印制板图形转移制作工艺不断创新完善，不断推动着电子技术的升级换代。
印制板图形转移制作工艺的研究意义不仅在于加快印制电路板的制作过程，同时也能够提高印制电路板的质量和制作效率，进一步推动电子制造业的发展。
基于这些背景和意义，本论文将对印制板图形转移制作工艺进行深入研究。
具体内容如下：首先，将介绍印制板图形转移的基本原理，包括图形制作、转移介质的选择、转移过程等方面的内容。
其次，本论文将详细介绍印制板图形转移的工艺流程。
该流程包括前处理、图形制作、转移、后处理等各环节，并针对不同类型的转移介质和图形进行逐一介绍。
接着，本论文将探讨提高印制板图形转移制作工艺质量和效率的方法以及如何解决印制板图形转移过程中容易出现的问题。
图形转移
图形转移工序包括：
内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。
三、工艺制作流程
❖ 以内层图形转移工序为例：
板面处理
贴干膜
（方法一）
涂湿膜
（方法二）
曝显蚀退 光影刻膜
菲林制作
三、工艺制作流程
❖ 以外层图形转移工序为例：
板
贴
面 处
干
曝
显
图
形
退
蚀
褪
电
理
膜
光
影
镀
膜
刻
锡
菲林制作
三、工艺制作流程
❖ 以外层丝印图形转移工序为例：
贴膜后板子须停留时间15分钟以上，24小时以内。 如果停留时间不够： 干膜中所加入的附着力促进剂没有与铜完全发生作 用而黏结不牢，造成菲林松。 若停留时间太久： 就会造成反应过度附着力太强而显影剥膜困难。
四、工艺制程原理
四、工艺制程原理
64..21.干1 干膜膜结结构构（光致抗蚀剂干膜） ：
PE 聚乙烯保护膜 （25μm）
四、工艺制程原理
❖ 曝光能量的确定：
严格讲，以时间来计量曝光是不科学的。
曝光光能量公式：E=It
式中：
E ---- 总的曝光能量，mj/cm2
I ---- 灯光强度， mw/cm2
t ---- 曝光时间，s
从上述可知,总曝光能量E随灯光强度I和时间t而变化。若t 恒定，光强I 发生变化，总曝光能量E也随之改变。而灯 光强度随着电源压力的波动及灯的老化而发生变化，于
100,000
100,000
注:以美国联邦标准 Fed STD 209B作为分级的规范
。
四、工艺制程原理
❖ 曝光室操作环境环境控制： 1、温、湿度要求： 温度：20 ±2℃， 湿度：50 ±10RH% 2、“洁净室”建立： 净化等级达到10K-100K级 3、照明光源要求： 因湿膜属于感光性材料，工作区应采用黄光。
内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。
三、工艺制作流程
❖ 以内层图形转移工序为例：
板面处理
贴干膜
（方法一）
涂湿膜
（方法二）
曝显蚀退 光影刻膜
菲林制作
三、工艺制作流程
❖ 以外层图形转移工序为例：
板
贴
面 处
干
曝
显
图
形
退
蚀
褪
电
理
膜
光
影
镀
膜
刻
锡
菲林制作
三、工艺制作流程
❖ 以外层丝印图形转移工序为例：
贴膜后板子须停留时间15分钟以上，24小时以内。 如果停留时间不够： 干膜中所加入的附着力促进剂没有与铜完全发生作 用而黏结不牢，造成菲林松。 若停留时间太久： 就会造成反应过度附着力太强而显影剥膜困难。
四、工艺制程原理
四、工艺制程原理
64..21.干1 干膜膜结结构构（光致抗蚀剂干膜） ：
PE 聚乙烯保护膜 （25μm）
四、工艺制程原理
❖ 曝光能量的确定：
严格讲，以时间来计量曝光是不科学的。
曝光光能量公式：E=It
式中：
E ---- 总的曝光能量，mj/cm2
I ---- 灯光强度， mw/cm2
t ---- 曝光时间，s
从上述可知,总曝光能量E随灯光强度I和时间t而变化。若t 恒定，光强I 发生变化，总曝光能量E也随之改变。而灯 光强度随着电源压力的波动及灯的老化而发生变化，于
100,000
100,000
注:以美国联邦标准 Fed STD 209B作为分级的规范
。
四、工艺制程原理
❖ 曝光室操作环境环境控制： 1、温、湿度要求： 温度：20 ±2℃， 湿度：50 ±10RH% 2、“洁净室”建立： 净化等级达到10K-100K级 3、照明光源要求： 因湿膜属于感光性材料，工作区应采用黄光。
第五章 图形转移
11
第五章 图形转移
2 贴膜
问题 缺陷
干膜
原因 解决办法 贴膜温度过高 调整温度至合适范围 起皱 开路 两热辊不平行 调整热辊至平行 前处理清洁不够或粗糙 重新处理板面并做水裂 度不够 点试验和蚀铜量测试 贴膜不牢 开路 速度过快或温度不够 调整温度、压力、速度
12
第五章 图形转移
2 贴膜
湿膜涂布的方法 网印、辊涂、帘幕涂布、喷涂等 应用最广的是辊涂工艺 辊涂的优点： 板子两面同时涂覆，实现涂覆与干燥连线生产，效率高； 板厚与板宽范围宽；
传送速度：一般传送速度较慢有利于贴膜。与贴膜温度有
关，贴膜温度较高，传送速度可快 些，反之，传送速度可 慢些。一般控制范围为1.5-2.5m/min。 主要缺陷：开路(甩干膜）、短路(干膜碎） 贴膜效果检查：气泡、皱纹、干膜下杂物 贴膜后的放置：>15min, <48h
10
第五章 图形转移
物理方法
用机械磨刷或擦刷的办法得到清洁、微观粗糙的铜表面 又分为刷磨法、喷砂法 , 优点：能除去绝大部分的污物； 缺点：易损伤板面、易使板面变形； 化学法 用化学试剂来形成清洁、微观粗糙的铜表面 。 优点：能提供细致的粗化表面 ,不损伤板面； 缺点：不溶解于化学溶液的污物无法除去。 内层前处理一般用化学法。
8
第五章 图形转移
2 贴膜
聚乙烯保护膜 光致抗蚀剂 聚酯薄膜
干膜
干膜的组成 干膜的技术性能要求
外观 贴膜性 感光性 显影性和耐显影性
粘结剂、光聚合单体、光引发剂、热阻聚剂、染料、溶剂等
光致抗蚀层厚度 ： 常用 30 、 40 、 45 μm 聚乙烯保护膜的剥离性 光谱特性 干膜的吸收光是可见紫外光，安全光为黄光。
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以外层图形转移工序为例： 以外层图形转移工序为例：
板 面 处 理
贴 干 膜
曝 光
显 影
图 形 电 镀
退 膜
蚀 刻
褪 锡
菲林制作
三、工艺制作流程
以外层丝印图形转移工序为例： 以外层丝印图形转移工序为例：
板 面 处 理
丝 印
低 温 锔
曝 光
显 影
U V 紫 外
高 温 锔
菲林制作
字 符
三、工艺制作流程
辘膜（贴干膜） 辘膜：以热贴的方式将干膜贴附在板铜面上。 菲林制作：根据客户的要求，将线路图形plot在 菲林（底片）上，并进行检查后投入生产。 菲林检查：检查菲林上的杂质或漏洞，避免 影像转移出误。 曝光：利用紫外光的能量，使干膜中的光敏 物质进行光化学反应，以达到选择性局部桥 架硬化的效果，而完成影像转移的目的。
干膜抗蚀剂
1 mil 较好
液态抗蚀剂
比干膜低40~60% 无保护膜、膜薄、处理量小
可实现自动化生产，但要配用 可以实现自动化生产 自动除干膜保护膜设备 房间：100K级 设备：10K级 房间：10K级 设备：1K级 酸性或碱性蚀刻剂
适用蚀刻剂 酸性或碱性蚀刻剂
四、工艺制程原理
4.2.6 干膜使用的主要品质要求： 干膜使用的主要品质要求： 解像度附着力 盖孔能力 除油剂溶解测试 光谱特性 显影性及耐显影性 耐蚀刻性和耐电镀性 去膜性能
图形转移工序包括： 图形转移工序包括：
内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。 内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。
三、工艺制作流程
以内层图形转移工序为例： 以内层图形转移工序为例：
贴干膜
（方法一）
板面处理 涂湿膜
（方法二）
曝 光
显 影
蚀 刻
退 膜
菲林制作
三、工艺制作流程
光引发剂
各种添加剂
四、工艺制程原理
4.2.3 干感光层主体树脂组成： 干感光层主体树脂组成：
成分 要点 丙烯单体的选择，分子量，玻璃化转移温度
R1 CH3 m CH2 C CO2H n
有关特性
高分子 聚合物
CH2
C CO2R2
感光性 显影特性 密着性 干膜强度 褪膜特性 感光性 解像度 显影特性 耐药品性（显影 液蚀刻液电镀 液）
按物理状态分为:
干膜抗蚀剂 及 液体抗蚀剂
光致抗蚀剂：是指用化学方法获得的能抵抗某种 蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。感光材料主 要是由主体树脂和光引发剂或光交联剂组成。
四、工艺制程原理
4.2.5 干膜/湿膜性能比较： 干膜/湿膜性能比较：
项目
解像度 填平性 成本 废水处理 自动化程度 洁净房要求 3mil 差 — 膜厚、处理量大
图形转移
《工艺流程原理》 工艺流程原理》
目
录
一、前言……………………………………… 3 前言 二、工序制作简介…………………………… 4 工序制作简介 三、工艺制作流程…………………………… 5-12 工艺制作流程 四、工艺制程原理…………………………… 13-45 工艺制程原理 五、各工序主要测试项目…………………… 46-52 各工序主要测试项目 六、常见问题种类及特征…………………… 53-59 常见问题种类及特征 七、结束语…………………………………… 60-61 结束语
4.2.1 干膜结构 干膜结构（ 6.1干膜结构 光致抗蚀剂干膜） 6.1干膜结构 （光致抗蚀剂干膜） ： PE 聚乙烯保护膜
（25μm） 25μm） μm
干膜（光阻胶层） 干膜（光阻胶层） PET COVER FILM （25m） ）
其中：聚乙烯保护膜是覆盖在感光胶层上的保护膜，防止灰尘等污物 粘污干膜 阻止干膜胶层粘附在下层PET上； 聚脂类透明覆片（PET）作用： 1、避免干膜阻剂层在未曝光前遭刮伤； 2、在曝光时阻止氧气侵入光阻胶层，破坏游离基，引起感光度 下降
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理 处理后板铜面与再氧化之关系 基材经过前处理后表面已无氧化物、油痕等，但如 滞留时间过长，则表面会与空气中的氧发生氧化反 应，前处理好的板应在较短时间内处理完。 机 械 刷 磨 板 慢 化 学 处 理 法 快
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理 处理后铜面要求 经处理后的板面是否清洁可进行水膜破裂实验方法。 所经清洁处理的板面，流水浸湿，垂直放置，整个 板面上的连续水膜应能至少保持30秒不破裂。
四、工艺制程原理
影响曝光成像质量和生产效率因素： 影响曝光成像质量和生产效率因素： 除光致抗蚀剂性能） （除光致抗蚀剂性能） 曝光机光源 曝光时间（曝光能量控制） 曝光时间（曝光能量控制） 菲林的质量
四、工艺制程原理
曝光光源的选择 光源的特性直接影响曝光质量和效率，光源 所发射出的光谱应与感光材料吸收光谱相匹 配，能获得较好的曝光效果。目前干膜的 吸收光波长为325-365nm,较短波长的光，曝 光后成像图形的边缘整齐清晰。
除油
（+水洗）
除油：通过酸性化学物质将铜面的油性物质， 氧化膜除去。 微蚀：原理是铜表面发生氧化还原反应，形 成粗化的铜面。 酸洗：将铜离子及减少铜面的氧化。
微蚀
（+水洗）
酸洗
（+水洗）
热风吹干
热风吹干：将板面吹干。
三、工艺制作流程
3.2 影像转移（Image transter) 影像转移（ transter) 定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光/显影/蚀刻的工 艺步骤，达至所需铜面线路图形。
平行光
Defect
散光源
Defect
底 片
干 膜 基 材
四、工艺制程原理
曝光光源形式分为散射光、平行光： 曝光光源形式分为散射光、平行光： 事实上，完全的理想平行光曝光机是不存在的，但我们 经常会用曝光机光源的入射角θc(Declination Angle)和 散射角θα/2(Collimation Angle)来决定曝光机的性能。
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜 贴膜时，先从干膜上剥下聚乙烯保护膜，然后在加 热加压条件下将干膜抗蚀剂粘膜在覆铜箔板上。 贴膜示意图 保护膜 干膜 铜板 热辘
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜 贴膜过程注意三要素： 贴膜过程注意三要素： 压力， 温度，传送速度 压力， 温度， 贴膜后要求： 贴膜后要求： 贴膜应是表面平整、无皱折、无气泡、无灰尘颗 粒等夹杂，同时为保存工艺的稳定性，贴膜后应 停置15分钟后再进行曝光。
图形转移过程原理(内层图示） 图形转移过程原理(内层图示）
干膜
贴膜
Cu层 层 基材层 底片
曝光
显影 蚀刻 褪膜
三、工艺制作流程
图形转移过程原理(外层图示） 图形转移过程原理(外层图示） 贴膜 曝光 显影 图电 褪膜 蚀刻 褪锡
干膜 Cu 底片 基材
三、工艺制作流程
3.1 前处理工序（Surface Pre-Treatment)（以内层制作为例） 前处理工序（ Pre-Treatment) 定义：将铜面粗化，使之后工序的干膜有效地附着在铜面上。 磨板的方式：化学磨板、物理磨板（机械）。
一、前 言
编写本教材为[图形转移]工艺制作原理， 编写本教材为[图形转移]工艺制作原理，适用 于负责内外层图形转移工序入职工程师、 于负责内外层图形转移工序入职工程师、及相 关技术人员的培训. 关技术人员的培训. 随着图形转移技术的不断革新, 随着图形转移技术的不断革新,部分观点将出 现差异,我们应以实际的要求及变化为准. 现差异,我们应以实际的要求及变化为准.
褪膜
褪膜：是通过较高浓度的NaOH（1-4%）将 保护线路铜面的菲林去掉。
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理
目的 未经任何处理的铜表面，对干膜不能提供足够的粘 附， 因此必须清除其上一切的氧化物、污渍，同时要求表 面微观粗糙，以增大干膜与基材表面的接触面积。 清洁处理方法
机械磨板法 （磨料刷辊式刷板机+浮石粉刷板） 化学清洗法 （ 除油+微蚀+酸洗）
二、工序制作简介
图形转移的定义： 图形转移的定义：
就是将在处理过的铜面上贴上或涂上一层感光性膜层， 在紫外光的照射下，将菲林底片上的线路图形转移到铜 面上，形成一种抗蚀的掩膜图形，那些未被抗蚀剂保护 的不需要的铜箔，将在随后的化学蚀刻工艺中被蚀刻掉， 经过蚀刻工艺后再褪去抗蚀膜层，得到所需要的裸铜电 路图形。
四、工艺制程原理
光能量与光波长关系如下： 光能量与光波长关系如下：
ε=h r=h c /λ
式中: ε h r c λ —— 光能量(单位:尔格) —— 布郎克常数(6.625 ×10-2尔格.秒) —— 光的频率(单位:秒-1(HZ)） —— 真空中光速(单位:CM) —— 波长(值为:2.289×103cm/S)
注：以上亦是测试新干膜的几种基本项目
四、工艺制程原理
4.3 曝光原理（感光原理）： 曝光原理（感光原理）：
紫外光能量
光引发剂
R’
单体
聚合物
自由基传递
聚合交联反应
四、工艺制程原理
被曝光部分： 被曝光部分：
菲林透光的区域在紫外光照射下，光引发剂吸收
光能分解成自由基，自由基再引发光聚合单体进行 聚合交联反应，形成不溶于稀溶液的体型大分子结 构。 未被曝光部分： 未被曝光部分： 菲林遮光的区域保持贴膜后的附着状态，将被显影 液冲掉。
θc
θα/2
一般平行光曝光机的定义: θc、 θα/2≤30
四、工艺制程原理
散射光、平行光，两者优缺点比较： 散射光、平行光，两者优缺点比较：
从式中可以看出光的波长越短其能量越大，由于300nm以下波长易 被玻璃和底片的聚酯片基所吸收，所以在曝光机中选用的光源其波 长一般为320-400nm之间。而高压泵灯及卤化物灯在310-440nm波长 范围均有较大的相对辐射强度,故为干膜曝光较理想光源。
板 面 处 理
贴 干 膜
曝 光
显 影
图 形 电 镀
退 膜
蚀 刻
褪 锡
菲林制作
三、工艺制作流程
以外层丝印图形转移工序为例： 以外层丝印图形转移工序为例：
板 面 处 理
丝 印
低 温 锔
曝 光
显 影
U V 紫 外
高 温 锔
菲林制作
字 符
三、工艺制作流程
辘膜（贴干膜） 辘膜：以热贴的方式将干膜贴附在板铜面上。 菲林制作：根据客户的要求，将线路图形plot在 菲林（底片）上，并进行检查后投入生产。 菲林检查：检查菲林上的杂质或漏洞，避免 影像转移出误。 曝光：利用紫外光的能量，使干膜中的光敏 物质进行光化学反应，以达到选择性局部桥 架硬化的效果，而完成影像转移的目的。
干膜抗蚀剂
1 mil 较好
液态抗蚀剂
比干膜低40~60% 无保护膜、膜薄、处理量小
可实现自动化生产，但要配用 可以实现自动化生产 自动除干膜保护膜设备 房间：100K级 设备：10K级 房间：10K级 设备：1K级 酸性或碱性蚀刻剂
适用蚀刻剂 酸性或碱性蚀刻剂
四、工艺制程原理
4.2.6 干膜使用的主要品质要求： 干膜使用的主要品质要求： 解像度附着力 盖孔能力 除油剂溶解测试 光谱特性 显影性及耐显影性 耐蚀刻性和耐电镀性 去膜性能
图形转移工序包括： 图形转移工序包括：
内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。 内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。
三、工艺制作流程
以内层图形转移工序为例： 以内层图形转移工序为例：
贴干膜
（方法一）
板面处理 涂湿膜
（方法二）
曝 光
显 影
蚀 刻
退 膜
菲林制作
三、工艺制作流程
光引发剂
各种添加剂
四、工艺制程原理
4.2.3 干感光层主体树脂组成： 干感光层主体树脂组成：
成分 要点 丙烯单体的选择，分子量，玻璃化转移温度
R1 CH3 m CH2 C CO2H n
有关特性
高分子 聚合物
CH2
C CO2R2
感光性 显影特性 密着性 干膜强度 褪膜特性 感光性 解像度 显影特性 耐药品性（显影 液蚀刻液电镀 液）
按物理状态分为:
干膜抗蚀剂 及 液体抗蚀剂
光致抗蚀剂：是指用化学方法获得的能抵抗某种 蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。感光材料主 要是由主体树脂和光引发剂或光交联剂组成。
四、工艺制程原理
4.2.5 干膜/湿膜性能比较： 干膜/湿膜性能比较：
项目
解像度 填平性 成本 废水处理 自动化程度 洁净房要求 3mil 差 — 膜厚、处理量大
图形转移
《工艺流程原理》 工艺流程原理》
目
录
一、前言……………………………………… 3 前言 二、工序制作简介…………………………… 4 工序制作简介 三、工艺制作流程…………………………… 5-12 工艺制作流程 四、工艺制程原理…………………………… 13-45 工艺制程原理 五、各工序主要测试项目…………………… 46-52 各工序主要测试项目 六、常见问题种类及特征…………………… 53-59 常见问题种类及特征 七、结束语…………………………………… 60-61 结束语
4.2.1 干膜结构 干膜结构（ 6.1干膜结构 光致抗蚀剂干膜） 6.1干膜结构 （光致抗蚀剂干膜） ： PE 聚乙烯保护膜
（25μm） 25μm） μm
干膜（光阻胶层） 干膜（光阻胶层） PET COVER FILM （25m） ）
其中：聚乙烯保护膜是覆盖在感光胶层上的保护膜，防止灰尘等污物 粘污干膜 阻止干膜胶层粘附在下层PET上； 聚脂类透明覆片（PET）作用： 1、避免干膜阻剂层在未曝光前遭刮伤； 2、在曝光时阻止氧气侵入光阻胶层，破坏游离基，引起感光度 下降
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理 处理后板铜面与再氧化之关系 基材经过前处理后表面已无氧化物、油痕等，但如 滞留时间过长，则表面会与空气中的氧发生氧化反 应，前处理好的板应在较短时间内处理完。 机 械 刷 磨 板 慢 化 学 处 理 法 快
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理 处理后铜面要求 经处理后的板面是否清洁可进行水膜破裂实验方法。 所经清洁处理的板面，流水浸湿，垂直放置，整个 板面上的连续水膜应能至少保持30秒不破裂。
四、工艺制程原理
影响曝光成像质量和生产效率因素： 影响曝光成像质量和生产效率因素： 除光致抗蚀剂性能） （除光致抗蚀剂性能） 曝光机光源 曝光时间（曝光能量控制） 曝光时间（曝光能量控制） 菲林的质量
四、工艺制程原理
曝光光源的选择 光源的特性直接影响曝光质量和效率，光源 所发射出的光谱应与感光材料吸收光谱相匹 配，能获得较好的曝光效果。目前干膜的 吸收光波长为325-365nm,较短波长的光，曝 光后成像图形的边缘整齐清晰。
除油
（+水洗）
除油：通过酸性化学物质将铜面的油性物质， 氧化膜除去。 微蚀：原理是铜表面发生氧化还原反应，形 成粗化的铜面。 酸洗：将铜离子及减少铜面的氧化。
微蚀
（+水洗）
酸洗
（+水洗）
热风吹干
热风吹干：将板面吹干。
三、工艺制作流程
3.2 影像转移（Image transter) 影像转移（ transter) 定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光/显影/蚀刻的工 艺步骤，达至所需铜面线路图形。
平行光
Defect
散光源
Defect
底 片
干 膜 基 材
四、工艺制程原理
曝光光源形式分为散射光、平行光： 曝光光源形式分为散射光、平行光： 事实上，完全的理想平行光曝光机是不存在的，但我们 经常会用曝光机光源的入射角θc(Declination Angle)和 散射角θα/2(Collimation Angle)来决定曝光机的性能。
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜 贴膜时，先从干膜上剥下聚乙烯保护膜，然后在加 热加压条件下将干膜抗蚀剂粘膜在覆铜箔板上。 贴膜示意图 保护膜 干膜 铜板 热辘
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜 贴膜过程注意三要素： 贴膜过程注意三要素： 压力， 温度，传送速度 压力， 温度， 贴膜后要求： 贴膜后要求： 贴膜应是表面平整、无皱折、无气泡、无灰尘颗 粒等夹杂，同时为保存工艺的稳定性，贴膜后应 停置15分钟后再进行曝光。
图形转移过程原理(内层图示） 图形转移过程原理(内层图示）
干膜
贴膜
Cu层 层 基材层 底片
曝光
显影 蚀刻 褪膜
三、工艺制作流程
图形转移过程原理(外层图示） 图形转移过程原理(外层图示） 贴膜 曝光 显影 图电 褪膜 蚀刻 褪锡
干膜 Cu 底片 基材
三、工艺制作流程
3.1 前处理工序（Surface Pre-Treatment)（以内层制作为例） 前处理工序（ Pre-Treatment) 定义：将铜面粗化，使之后工序的干膜有效地附着在铜面上。 磨板的方式：化学磨板、物理磨板（机械）。
一、前 言
编写本教材为[图形转移]工艺制作原理， 编写本教材为[图形转移]工艺制作原理，适用 于负责内外层图形转移工序入职工程师、 于负责内外层图形转移工序入职工程师、及相 关技术人员的培训. 关技术人员的培训. 随着图形转移技术的不断革新, 随着图形转移技术的不断革新,部分观点将出 现差异,我们应以实际的要求及变化为准. 现差异,我们应以实际的要求及变化为准.
褪膜
褪膜：是通过较高浓度的NaOH（1-4%）将 保护线路铜面的菲林去掉。
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理
目的 未经任何处理的铜表面，对干膜不能提供足够的粘 附， 因此必须清除其上一切的氧化物、污渍，同时要求表 面微观粗糙，以增大干膜与基材表面的接触面积。 清洁处理方法
机械磨板法 （磨料刷辊式刷板机+浮石粉刷板） 化学清洗法 （ 除油+微蚀+酸洗）
二、工序制作简介
图形转移的定义： 图形转移的定义：
就是将在处理过的铜面上贴上或涂上一层感光性膜层， 在紫外光的照射下，将菲林底片上的线路图形转移到铜 面上，形成一种抗蚀的掩膜图形，那些未被抗蚀剂保护 的不需要的铜箔，将在随后的化学蚀刻工艺中被蚀刻掉， 经过蚀刻工艺后再褪去抗蚀膜层，得到所需要的裸铜电 路图形。
四、工艺制程原理
光能量与光波长关系如下： 光能量与光波长关系如下：
ε=h r=h c /λ
式中: ε h r c λ —— 光能量(单位:尔格) —— 布郎克常数(6.625 ×10-2尔格.秒) —— 光的频率(单位:秒-1(HZ)） —— 真空中光速(单位:CM) —— 波长(值为:2.289×103cm/S)
注：以上亦是测试新干膜的几种基本项目
四、工艺制程原理
4.3 曝光原理（感光原理）： 曝光原理（感光原理）：
紫外光能量
光引发剂
R’
单体
聚合物
自由基传递
聚合交联反应
四、工艺制程原理
被曝光部分： 被曝光部分：
菲林透光的区域在紫外光照射下，光引发剂吸收
光能分解成自由基，自由基再引发光聚合单体进行 聚合交联反应，形成不溶于稀溶液的体型大分子结 构。 未被曝光部分： 未被曝光部分： 菲林遮光的区域保持贴膜后的附着状态，将被显影 液冲掉。
θc
θα/2
一般平行光曝光机的定义: θc、 θα/2≤30
四、工艺制程原理
散射光、平行光，两者优缺点比较： 散射光、平行光，两者优缺点比较：
从式中可以看出光的波长越短其能量越大，由于300nm以下波长易 被玻璃和底片的聚酯片基所吸收，所以在曝光机中选用的光源其波 长一般为320-400nm之间。而高压泵灯及卤化物灯在310-440nm波长 范围均有较大的相对辐射强度,故为干膜曝光较理想光源。