单晶硅片单晶炉设备工艺流程

单晶炉工艺流程：
准备作业 热态检漏 取单晶和籽晶 石墨件取出冷却 石墨件清洗 装硅料 籽晶安装 单晶炉室清洗 抽空，检漏
真空过滤器清洗 石墨件安装
真空泵油检查更换 石英坩埚安装
充氩气，升功源自文库，融料
收尾 降功率 停炉冷却
引晶，放大，放肩，转肩
等径生长
详细介绍：



1.准备作业：穿戴好洁净工作服，鞋，带好一次性手套，耐高温手套，


压环，由几截弧形环构成的 一个圆形环状石墨件，它放 置在盖板与炉壁接触处，是 为了防止热量和气体从炉壁 与盖板的缝隙间通过。 右上图是压环，右下图为安 装后的效果图。

安装电极→炉底碳毡→反射底板→下保温罩→石墨环、石英环→加热器
→中保温罩→石墨托杆→石墨托盘→装三瓣埚→下降主炉室→上保温罩 →导气孔→保温盖板→装导流筒→压环
对中顺序 在整个安装过程中，要求整个热系统对中良好，同心度高， 需要严格对中：
① 坩埚轴与加热器的对中。将托杆稳 定的装在下轴上，将下轴转动，目 测是否偏摆。然后将钢板尺平放在 坩埚轴上，观察两者之间的间隙， 间隙是否保持不变，加热器圆心是 否对中。接着装托盘，托盘的中心 也要跟加热器对中。
②加热器与石墨坩埚的对 中：转动托碗，调整埚 位，让石墨坩埚与加热 器口水平（此时的埚位 成为平口埚位），再稍 许移动加热器电极，与 托碗对中，这时石墨坩 埚和加热器口之间的间 隙四周都一致。
清理完毕后，按原位置安装。
6.真空泵注油：当油标高于1/2时，禁止注油。
7.单晶炉室清洗：
8.石墨件安装：
9.硅料安装：
10.籽晶安装：将副室旋出，重锤安装后，将籽晶安装，插好销头。
钢丝绳 重锤
籽晶
11.抽空检漏：先用副泵抽到2700帕以下后，关闭副室球阀和副泵电源
打开真空泵球阀，打开真空主泵。炉压达到<20帕时， 冲氩气，打开主，副室流量计，调节到30L/min，过5分钟后， 关闭氩气，流量计仍保持原来的位置，待炉压<5帕时关闭主室 球阀，关闭真空泵电源。在流量计调节阀保持原来位置时，漏速 <0.34帕/分。如达不到，需重复上述操作。
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目录
1.Si的介绍 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
目录
1.Si的介绍 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分



保温罩分为上保温罩、中保 温罩和下保温罩。 保温罩是由一个保温筒外面 包裹石墨碳毡而成。石墨碳 毡的包裹层数视情况而定。 下保温罩组成了底部的保温 系统，它的作用是加强埚底 保温，提高埚底温度，减少 热量损失。

中、上保温罩的作用也是为了 减少热量的损失。只不过保温 罩外面的石墨碳毡的层数不一 样，这样使得温度梯度不一样。
3.单晶硅料烘干：去除水分。
4.挑料：区分P型，N型硅料。 5.配料：对拉晶的硅料型号进行匹配。
6.单晶炉拉晶：
7.硅棒检测：检查有无位错，棱线断等现象。
8.开断：将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。
9.包装：将开断后的单晶硅棒进行包装，送至下一道工序
10.磨圆：将单晶硅棒四个直角进行磨圆。
11.多线切割：瑞士的264，265。日本的PV800,MDM442DM设备进行切割。 0.33mm。
副室作用：拉晶过程中，已拉出的单晶棒存放的位置。 主室作用：容纳加热器，石英坩埚，导流罩等，用于硅料 融化的容器。
炉盖：
整体锻造，超低碳不锈钢法兰
CCD测径仪
水路接头
观察窗
主室内部：
籽晶夹
单晶棒 三瓣埚 石棉碳粘 石英坩埚 加热器
籽晶
目录：
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升， 埚升介绍 10.加热部分
热场一般包括压环、保温盖、上中下保温罩、石墨坩埚(三瓣埚)、坩埚托杆、坩埚 托盘、电极、加热器、导流筒、石墨螺栓，且为了防止漏硅，炉底、金属电极、托 杆、都设置了保护板、保护套。
加热器是热场中很重要的部件， 是直接的发热体，温度最高的 时候可以达到1600℃以上。 常见的加热器有三种形状，筒 状、杯状、螺旋状。目前绝大 多数加热器为筒状，硅单晶厂 房使用的是直筒式形状的加热 器。右图为加热器。
1.提拉头：
提拉头：晶升电机，晶转电机，离合器，钢丝绳，光感 限位，磁流体等部件组成。 作用 ：在拉晶过程中，提供晶升与晶转速度，通过PCC控 制模块 的开关量变化，来控制晶体直径。
2.副室，翻板阀，主室：
翻板阀作用：在拉晶过程中，对于提纯，拉ABCD段时，用 于隔离主室与副室，使主室温度，压力一定。
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单晶硅片工艺流程：
1.酸洗：使用稀硝酸HNO3,进行清洗，去除表面杂质及提炼时产生的四氯化硅。
2.清洗：清洗硅料经过酸洗后的残留杂质。
晶升，晶转：
SL控制示意图：
SL自动等径原理：
晶升伺服电机：
晶升系统调试详解：1.将引晶器归0。
2.给定速度0.5，等待2—3分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节Z (SL A/D)，使数值一样。 3.给定数值2，等待1—2分钟，观察平均拉速值，如果不同， 调节F (SL A/D) ，使数值一样。 4.重复2.3步骤，使给定0.5和2时，都于平均拉速相同。 5.给定0.5，调节Z (SL SP) ，使之相等。 6.给定2，调节Z (SL SP) ，使之相等。 7.调节DIS，调节引晶器数值。
单晶硅设备培训
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硅的提炼：
硅，Si,地球上含硅的东西多的很好像90%以上都是晶硅的，也就是单晶硅。 太阳能级别的硅纯度6N以上就可以了。 开始是石头，（石头都含硅），把石头加热，变成液态，在加热变成气态，把 气体通过一个密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加热，两头用石墨夹住的，气体 通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符到子晶上，子晶慢慢就变粗了，因为 是气体变固体，所以很慢，一个月左右，箱子里有就很多长长的原生多晶硅。


3.取单晶和籽晶：关闭2个速度，关闭氩气。打开翻板阀，将单晶替
升至副室，慢慢旋转出副室，用晶快降下降单晶，在 地面放木板，使单晶尖头垂直接触到木板，剪短籽晶 连接，将单晶放入专用小车上。


4.石墨件取出冷却：升炉盖，取出导流罩，保温盖。石英坩埚等放在指定位置。
5.真空过滤器清洗：用 洗尘管清理各个真空管道，并将真空过滤箱中的过滤器取出

排气的方式有上排气和下排气。 厂房现在使用的比较多的是上 排气。这样，上保温罩上面就 存在几个排气孔，这些排气孔 保证在高温下蒸发的气体的排 出。


保温盖由保温上盖、保温碳 毡和保温下盖组成。即两层 环状石墨之间夹一层石墨碳 毡组成，其内径的大小与导 流筒外径相匹配，平稳的放 在保温罩面板上。 导流筒，由内外筒之间夹一 层石墨碳毡组成。导流筒主 要是为了控制热场的温度梯 度和引导氩气流。
研磨巾，酒精，吸尘器，防尘口罩。准备好扳手等各类 工具。准备好取晶和放石墨件的小车。并确认水，电， 气等正常。


2.热态检漏：检查上一炉功率关闭时间，在停炉冷却2小时后，关闭
氩气总阀，开始愁高空，并记录时间。炉压到3帕 以下， 关闭主室球阀和真空泵电源。如0.5小时不到3帕，需 通知维修人员处理。
石墨电极的作用，一是平稳的 固定加热器，二是通过它对加 热器输送电流，因此要求电极 厚重，结实耐用，它与金属电 极和加热器的接触面要光滑、 平稳，保证接触良好，通电时 不打火。石墨电极也是有高纯 石墨加工而成。 右上图为石墨电极示意图、右 下图为连接石墨电极和加热器 的石墨螺栓。
坩埚托杆、坩埚托盘共同构成 了石墨坩埚的支撑体，要求和 下轴结合牢固，对中性良好， 在下轴转动时，托杆及托盘的 偏摆度≤0.5mm。 支撑体的高度是可以调节的， 这样可以保证熔料时，坩埚有 合适的低埚位，而拉晶时，有 足够的埚跟随动行程。
煅烧 新的热场需要在真空下煅烧，煅烧时间约10小时 左右，煅烧3～5次，方能投入使用。使用后， 每拉晶4～8炉后也要煅烧一次。 煅烧功率，不同的热场不一样，一般要比引晶温 度高，炉子煅烧最高功率一般在110KW。
12.冲氩气，升功率，融料：打开主室阀，打开氩气流量阀，使氩气流量在20-30L/mi
使炉内压力在1000—1500帕。功率每0.5小时加一次。
13.引晶，放大，放肩，转肩，等径：
引晶
放大
放肩
转肩
等径
收尾
取硅棒
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晶体速度控制界面：
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直拉单晶炉的热系统，也就是所谓的热场，是指为了熔化硅料，并使单晶生长保 持在一定温度下进行的整个系统。
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单晶炉种类：
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单晶炉，目前可以分为：小松炉；642炉；70炉；莱宝炉；80炉；85 炉；90炉；95炉；97炉。 目前现在国内普遍使用的单晶炉型号为80炉；85炉；90炉。 各个单晶炉的工作原理相同，都是根据4的速度进行晶体直径控制及 可控硅整流提供50V直流电源，进行加热。 小松炉；642炉；70炉，电气控制部分为按钮式；莱宝炉产生后，以 后的单晶炉都采用触摸屏式。
线切割原理：
12.清洗：
13.单晶硅片检测：
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