模拟电子技术习题解1PPT课件
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模拟电子技术第1章PPT课件
多数载流子——自由电子 施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－ － －－
+3 +4
－ － －－
－ － －－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ，所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时，PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同，这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 －
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
极间电容（结电容）
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
பைடு நூலகம்
模拟电子技术基础习题ppt课件
17. 当静态工作点设置偏高时，会引起___饱和___失真，单 级共射放大电路输出电压波形的____底部__半周产生削波， 需将基极上偏置电阻的值调____大____。
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
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9.1.1 功率放大电路的特点
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO ：输入为正弦波且不失真 。
注：交流功率，PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章 功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率：直流电源 电压和其输出电流平 均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态（ICM ; U(BR)CEO ; PCM）。 大功率管，散热，保护
静态：
动态：
电容电压 ：
T1导通，T2截止 T2导通，T1截止
甲乙类工作状态
第九章 功率放动态电阻很小，R2 的阻值也较小。
第九章 功率放大电路
若静态 工作点 失调， 如虚焊
第九章 功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章 功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章 功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择：
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章 功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值： 最大输出功率：
第九章 功率放大电路
若忽略UCES： 在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章 功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率：
若忽略UCES：
第九章 功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较：
OCL电路
OTL电路
第九章 功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择 一、最大管压降
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO ：输入为正弦波且不失真 。
注：交流功率，PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章 功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率：直流电源 电压和其输出电流平 均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态（ICM ; U(BR)CEO ; PCM）。 大功率管，散热，保护
静态：
动态：
电容电压 ：
T1导通，T2截止 T2导通，T1截止
甲乙类工作状态
第九章 功率放动态电阻很小，R2 的阻值也较小。
第九章 功率放大电路
若静态 工作点 失调， 如虚焊
第九章 功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章 功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章 功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择：
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章 功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章 功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值： 最大输出功率：
第九章 功率放大电路
若忽略UCES： 在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章 功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率：
若忽略UCES：
第九章 功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较：
OCL电路
OTL电路
第九章 功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择 一、最大管压降
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8
7.1.3 分类
二、乙类放大器
该电路的Q点设置在截止区. 优点是：三极管仅在输入信号的半个周期内 导通。这时，三极管的静态电流ICQ=0，管耗 PC小，能量转换效率高，最高可达到78% 。 缺点是：只能对半个周期的输入信号进行放 大，非线性失真大。
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9
7.1.3 分类
三、甲乙类放大器
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15
7.2.1 乙类互补对称OCL 功率放大电路
三.信号波形图解
电路在有信号时，
VT1 和 VT2 轮 流 导 电 ，
交替工作，使流过负载
RL 的 电 流 为 一 完 整 的 正
弦信号。由于两个不同
极性的管子互补对方的
不足，工作性能对称，
所以这种电路通常称为
互补对称式功率放大电
路. 完整版ppt
最大损耗功率
Pcmax
2 π2
VC2C RL
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20
7.2.2 甲乙类互补对称OCL 功率放大电路
一.乙类功放的交越失真
输入信号很小时，达 不到三极管的开启电 压，三极管不导电。 因此在正、负半周交 替过零处会出现一些 非线性失真，这个失 真称为交越失真。
完整版ppt
21
7.2.2 甲乙类互补对称OCL 功率放大电路
用放大器件的控制作用，把直流电源的 能量转化为按输入信号规律变化的交变 能量输出给负载.
但功率放大电路输入信号幅度较大, 它的主要任务是使负载得到尽可能不失 真信号功率。
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3
7.1 低频功率放大电路概述
7.1.1 功率放大电路的特点 7.1.2功率放大电路的基本要求 7.1.3分类
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2. PN 结外加反向电压时处于截止状态(反偏) 反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内 电场的作用；
外电场使空间电荷区变宽； 不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩 散电流，电路中产生反向电流 I ； 由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。
24
P
耗尽层
N
IS
内电场方向
外电场方向
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
12
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
36
二、温度对二极管伏安特性的影响(了解)
在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反
向特性将下移。
I / mA
15
温度增加
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
–0.02
二极管的特性对温度很敏感。
37
1.2.3 二极管的参数
(1) 最大整流电流IF
(2) 反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM
3. 折线模型
3. 杂质半导体总体上保持电中性。
4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法 17
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
外电场使空间电荷区变宽； 不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩 散电流，电路中产生反向电流 I ； 由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。
24
P
耗尽层
N
IS
内电场方向
外电场方向
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
12
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
36
二、温度对二极管伏安特性的影响(了解)
在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反
向特性将下移。
I / mA
15
温度增加
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
–0.02
二极管的特性对温度很敏感。
37
1.2.3 二极管的参数
(1) 最大整流电流IF
(2) 反向击穿电压U（BR）和最高反向工作电压URM
3. 折线模型
3. 杂质半导体总体上保持电中性。
4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法 17
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件
U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD
2）动态性能指标的计算：微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在什 么区。（ a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 ）
2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD 1）静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0，得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程，求解UGSQ和IDQ，并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )
－
3-7：如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解：
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ，并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻， 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ，并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。
模拟电子技术课件第2 讲.ppt
2.3 基本线性运算放大器
2.3.1 同相放大电路
3. 负反馈的基本概念(具体内容在第七章讲) a.负反馈和正反馈
若引回的反馈信号与输入信号相位相同,则使净输
入信号加强，就称为正反馈。 if Rf
引入反馈前：
ii
vP idvN
+
-
vo
R1
ii = id 引入反馈后：
id= ii+ if
16
2.3 基本线性运算放大器
vo
vP
+
vo
vN
-
vi
Rf
9
2.2理想集成运算放大器
2.2.3 结论 3.集成运放工作在非线性区的必要条件: 开环或接成正反馈
vP
+
vN
-
vo
v0
+V0m
Rf
vI （vP-vN）
vP
+
vN
-
vo
-V0m
10
2.3 基本线性运算放大器
理想运放工作在线性区的两个特点 (1) “虚短”
→IdvN -
)vs
Avf
v o
vs
1 Rf R1
若Rf=0，R1=∞
v o
vs
12
2.3 基本线性运算放大器
2.3.1 同相放大电路
R' vP
1. 基本电路 2. 电压跟随器
vs
vN
vo
根特据点虚：断的概念得：iP iN 0
Rf
所3根12v)s))以v据输输vP，oR虚入出＝f一Rv短电电1vs般Rs的阻阻1作v概大v小o N放念，，大得信带R电1：号负R路1A源载Rvv得ffP提能v输0供力vvv入so电强N级流1、很R输1RR小f1出；级平 R’和衡= 中R电1间阻// 级Rf。
模拟电子技术PPT课件
处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理 功能。
这里研究的是线性放大，即放大电路 输出信号中包含的信息与输入信号完全相 同。输出波形的任何变形，都被认为是产 生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs
–
Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL
–
–
–
Ro ——输出电阻
由输出回路得 则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
（考虑改变放大电路的参数）
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减，则希望…？
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型（自学） 4. 互导放大模型（自学） 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣 的标准，并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Vo AVOVi
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理 功能。
这里研究的是线性放大，即放大电路 输出信号中包含的信息与输入信号完全相 同。输出波形的任何变形，都被认为是产 生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs
–
Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL
–
–
–
Ro ——输出电阻
由输出回路得 则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
（考虑改变放大电路的参数）
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减，则希望…？
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型（自学） 4. 互导放大模型（自学） 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣 的标准，并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Vo AVOVi
模拟电子技术第一章PPT课件
06 反馈放大电路
反馈的基本概念
反馈：将放大电路输出信号的一部分或全部，通过一定 的方式（反馈网络）送回到输入端的过程。
反馈的判断：瞬时极性法。
反馈的分类：正反馈和负反馈。 反馈的连接方式：串联反馈和并联反馈。
正反馈和负反馈
正反馈
反馈信号使输入信号增强的反 馈。
负反馈
反馈信号使输入信号减弱的反 馈。
集成化与小型化
随着便携式设备的普及，模拟电子技术需要实现 更高的集成度和更小体积，以满足设备小型化的 需求。
未来发展趋势
智能化
01
随着人工智能技术的发展，模拟电子技术将逐渐实现智能化，
能够自适应地处理各种复杂信号和数据。
高效化
02
未来模拟电子技术将更加注重能效，通过优化电路设计和材料
选择，提高能量利用效率和系统稳定性。
电压放大倍数的大小与电路中 各元件的参数有关，可以通过 调整元件参数来改变电压放大 倍数。在实际应用中，需要根 据具体需求选择合适的电压放 大倍数。
输入电阻和输出电阻
总结词
详细描述
总结词
详细描述
输入电阻和输出电阻分别表 示放大电路对信号源和负载 的阻抗，影响信号源和负载 的工作状态。
输入电阻越大，信号源的负 载越轻，信号源的输出电压 越稳定；输出电阻越小，放 大电路对负载的驱动能力越 强，负载得到的信号电压越 大。
共基放大电路和共集放大电路
共基放大电路的结构和工作原理
共基放大电路是一种特殊的放大电路，其输入级和输出级采用相同的晶体管，输入信号 通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的信
号。
共集放大电路的结构和工作原理
共集放大电路是一种常用的放大电路，其结构包括输入级、输出级和偏置电路。输入信 号通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的 信号。共集放大电路的特点是电压增益高、电流增益低、输出电压与输入电压同相位。
模拟电子技术习题解
IR
VCC
U BE2 R
U BE1
100A
IC0 IC1 IC IE2 IE1
IR
IC0
I B2
IC0
I B1
IC
IC
IC
1
IR
IR
100 A
5R-W4滑动晶端体在管中的点β时均为50, =100Ω, UBEQ≈0.7。试计算
T1管和T2管的发射极静态电流IEQ, 以及动态参
数A解d: 和RWR滑i。动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下:
2）若画R出BiC=和15u0CKE且的iB波的形交，流这分时量出，i现b 什2么0 失sin真？t(A)
3）利用图解法分别求RL=∞和RL= 3K时的最大不失真输出 电压有效值Uom
2-4 ICQ
直/交流负载线
Q′
Q
UCEQ UCES
1)作直流负载线UCE = VCC - IC RC 由 IC = 2 mA 得Q点 IB = 40 µA
Au
32 (1 10)(1
jf
j10f 5 )
或
Au
(1
3.2jf j f )(1 10
j
f 105
)
3-3 已知某共射放大电路的波特图如图所示, 试写出的表达式。
解:
中频电压增益为40dB，即中频放大倍数为－100；
下限截止频率为1Hz和10Hz，上限截止频率为250kHz。
故电路的表达式为
管号 T1 T2 T3
UGS（th）/V 4 －4 －4
US /V －5 3 6
UG /V 1 3 0
UD /V 3 10 5
工作状态
恒流区 截止区
可变电阻区
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模拟电子技术
半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
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14
广西机电职业技术学院电气系
载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
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12
广西机电职业技术学院电气系
模拟电子技术
硅(锗)的原子结构
价电子 惯性核
简化模型
自
由
空穴
电 子
硅(锗)的共价键结构
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13
广西机电职业技术学院电气系
二、课程的性质和任务
本课程是高职高专电类专业通用的技术基础课程， 也是实践性较强的一门主干课程。在专业人才培养过 程中具有重要的地位和作用。
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6
广西机电职业技术学院电气系
模拟电子技术
通过本课程的理论教学和实验、课程设计等实践 教学，使学生获得电子元器件和功能电路及其应用的 基本知识，掌握电子技术基本技能，培养学生创新意 识和实践能力，以适应电子技术发展的形势，为后续 课程的学习和形成职业能力打好基础。
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10
广西机电职业技术学院电气系
模拟电子技术
四、半导体的基础知识
1. 本征半导体
2. 杂质半导体
3. PN 结
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11
广西机电职业技术学院电气系
模拟电子技术
1、本征半导体
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IBQ V BB R U bBE Q 1 V 5 K 0 .7 V60 A
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪 个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 （ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪 个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
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模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 （ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
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第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ
模拟电子技术教学PPT
A +
3k
6V
UAB
12V
– B
电路如图，求：UAB
取 B 点作参考点， 断开二极管，分析二 极管阳极和阴极的电 位。
V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V
在这里，二极管起钳位作用。
0 8V
ui
二极管阴极电位为 8 V
电路的传输特性
ui > 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui < 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui
二极管的用途： 1.整流：将正弦交流信号变为单向信号 2.检波：将周期非正弦信号变为单向信号 3.钳位：二极管一端与固定电位相连接，另一端 不高于（低于）该电位。 不同方向钳位构成限幅电路 4.开关：用于数字电路 5.元件保护：二极管反向并联，限制其端电压 6.温度补偿：利用半导体的温度特性
P区的空穴向N区扩散并与电子复合
空间电荷区
N区
成一个PN结 。
N区的电子内向电P区场扩方散并向与空穴复合
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第1章
在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡。
P区 少子漂移
空间电荷区
N区
多子扩散
内电场方向
上页
下页 返回
P 少子漂移
空间电荷区
N
结论：
多子扩散
内电场方向
在PN结中同时存在多子的扩散运动和少子的漂移运动。
导-5通0 时-2的5 正向电压压降：硅
管约为:0.6V～0.8V,锗管
O 0.4 击穿电压
0.8
模拟电子课件ppt
实验三：滤波电路设计与实现
总结词
掌握滤波电路的设计与实现方法
VS
详细描述
通过设计并实现滤波电路，了解滤波电路 的基本原理和分类，掌握巴特沃斯、切比 雪夫等滤波器的设计方法，理解滤波电路 在信号处理和通信系统中的应用。
06
CATALOGUE
模拟电子常见问题与解决方案
问题一：放大电路失真问题
• 总结词：放大电路失真问题通常是由于信号源内 阻、信号源负载、电源内阻和电源电压等因素引 起的。
振荡电路
总结词
振荡电路用于产生正弦波或方波等周期性信号。
详细描述
振荡电路通过正反馈和选频网络，使电路产生自激振荡， 从而输出具有一定频率和幅度的周期性信号。
总结词
振荡电路有多种类型，包括RC振荡器、LC振荡器和晶体 振荡器等。
详细描述
RC振荡器利用电阻和电容的组合产生振荡，LC振荡器利 用电感和电容的组合产生振荡，晶体振荡器则利用石英晶 体的特性产生稳定的振荡信号。
系统设计流程
需求分析
明确系统的功能需求和 技术指标，为后续设计
提供依据。
方案设计
根据需求分析，制定系 统设计方案，包括硬件 和软件架构、模块划分
等。
详细设计
对每个模块进行详细设 计，包括电路原理图、 PCB布线图、程序流程
图等。
调试与测试
对系统进行集成和测试 ，确保系统功能和性能
的正确性。
系统设计优化
问题一：放大电路失真问题
详细描述
信号源内阻过大，导致信号源无法提供足够的电流，从而使放大电路无法正常工作 。
信号源负载过大，导致信号源无法提供足够的电压，从而使放大电路无法正常工作 。
问题一：放大电路失真问题
电子技术课后重点习题解答老师PPT版
1.5kΩ
(2)微变等效电路
RS +
I B b
U i
RB1 RB2 rbe
I c C
βI b
E
（3）rbe
26 - rbe 200 (1 ) IE 26 200 67 Ω 0.72 kΩ 3.32
（4）Au
+ ES
RC
5.1kΩ+ RL U o -
负载电流
U o 110 变压器副边电压 U 122 .2V 0.9 0.9 U0 I0 U 2 变压器副边电流有效值 I 2.22A RL 0.9 RL 0.9 0.9
U o 110 Io 2A RL 55
（2）选择二极管
二极管平均电流 I D
Io 1A 2
14.3.6 已知：U=5V, ui =10sin t V，二极管的正 向压降和反向电流均可忽略，试画出 uo 波形。
D + ui – + R u o – 10V 5V O
5V
+ –
解： 当ui > 5V，二极管截止，uo = 5V 当ui < 5V，二极管导通，uo = ui
ui
（b ）
t
R + ui – D + 5V – + uo –
t O O
uCE/V uCE/V
t
O O
UCE
t
uo
t
UBE
ui
uBE/V uBE/V
15.3.3 在共射极交流放大电路中，（ 3 ）是正确的。
ube U BE uBE rbe （3） rbe rbe （2） （ 1） IB ib iB
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拟 电流增益
电
Ai io ii vo RL ii 100
子 技
术 功率增益
Ai dB 20 lg Ai 40 (dB)
AP Po
Pi
vo2 RL vi ii
20000
AP dB 10 lg AP 43 (dB)
7
第1章 绪论
1.5.6 图题1.5.6所示电流放大电
习 路的输出端直接与输入端相连， 题 求输入电阻Ri。
解
答
│
│
模 拟
解： ii i1 i2 i1 βi1 1 β i1 1 β vi R1
电 子 技
Ri
vi ii
1
vi
β vi
R1 R1 1 β
术
8
习 题 解 答
│
│
模 解：
拟 电 子 技 术
i2 ii i1
vs
R1
βii
Ri
9
第2章 运算放大器
2.3.3 （1）设计一同相放大电路，其闭环增益Av=10，当
如果驱动8Ω的扬声器，其最大输出功率为
PO VO2 RL VOm
2
2
2 RL VOPP 2 2 RL 0.14 (W)
5
第1章 绪论
1.2.1 写出下列正弦波电压信号的表达式（设初相角为零）
习 （1）峰-峰值10V，频率10kHz；
题 （2）有效值220V，频率50Hz；
解 答
（3）峰-峰值100mV，周期1ms；
思考1.5.1 某放大电路开路输出电压为vo'时，短路输出电流 习 为ios，求其输出电阻Ro。
题 解
解：输出短路时vo'全部加在输出电阻之上，故输出电阻为
答 │ │
Ro
v＇o ii
模 拟
思考1.5.2 说明为什么常选用频率连续可变的正弦波信号发生
电 器作为放大电路的实验、测试信号源。用它可测量放大电路
│ （1）峰-峰值0.25V，角频率1000rad/s。
│
模 拟 电
解：正弦信号三要素——幅度Vm 频率f v(t) Vm sin(ωt φ0 )
相位φ
子
技 术
幅度(峰值)Vm=VPP/2
有效值 V Vm 2
初相位φ0 瞬时相位φ =(ω t+φ0)
角频率ω =2π f
6
第1章 绪论 有效值
习 题
vi=0.8V时，流过每一电阻的电流小于100μA，求R1和R2的最 小值；（2）设计一反相放大电路，其闭环增益Av=-8，当
解 vi=-1V时，流过每一电阻的电流小于20μA，求R1和R2的最 答 小值。
│
│ 模 拟
解： （1）由“虚短”概念，有vn=vp=vi=0.8V，则 R1min=0.8/(100×10-6)=8 (kΩ)
习 vi=0.8V时，流过每一电阻的电流小于100A，求R1和R2的最
题 小值；（2）设计一反相放大电路，其闭环增益Av=-8，当
解 答
vi=-1V时，流过每一电阻的电流小于20μA，求R1和R2的最
│ 小值。
│
模 拟
解： （1）由“虚短”概念，有vn=vp=vi=0.8V，则
电
R1=0.8V/100μA=8 (kΩ)
习
题 答：
解
答
│
│ 思考1.5.4 你或朋友的随身听使用的是几节几伏的电池？它输
模 出电压信号的最大峰峰值约为多少？如果驱动8Ω的扬声器，
拟 电
其最大输出功率约多少？
子 答：若采用2节1.5V的电池，在不考虑有升压电路，忽略放大
技 术
器的饱和压降，输出电压信号的最大峰峰值为
VOPP VSource 2 1.5 3 (V)
第1章 绪论
思考1.3.1 根据信号的连续性和离散性分析，(a)气温
习 属于四类信号中的哪一类？(b)水银温度计显示的温
题
解 度值属于哪一类信号？(c)气象观察员定时从水银温
答 │
度计读出的温度值属于哪一类信号？
│ 模
拟 ＊时间连续、数值连续
电
a
子 ＊时间离散、数值连续 b
技 术
＊时间连续、数值离散
它属于互阻放大电路。
术
2
第1章 绪论
思考1.4.2 某电唱机拾音头内阻为1MΩ时，输出电压为1V
习 （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器相连，扬声器上的电 题 压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，
解 答 │
它的输入电阻Ri=1MΩ，输出电阻Ro=10Ω，电压增益为1，试 求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最
子 的哪些性能指标？
技
术 答：放大电路需要测量其频率响应和非线性失真，正弦波只
含有单一频率，避免信号与非线性谐波的混淆而影响测试。
用它可测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响
应和非线性失真等性能指标。
4
第1章 绪论
思考1.5.3 对于一个正弦波信号，经有效带宽的放大电路放大
后，是否有可能出现频率失真，为什么？
电 由同相放大器电压增益表达式有
子
技
R2min=9R1min=72 (kΩ)
取值方案 R1=9.1kΩ
术 R1和R2必须保持R2=9R1关系。
R2=82kΩ
（2） R1min=50 (kΩ)， R2min=8R1min=400 (kΩ)
10
第2章 运算放大器
2.3.3 （1）设计一同相放大电路，其闭环增益Av=10，当
＊时间离散、数值离散 c
1
第1章 绪论
思考1.4.1 某放大电路输入信号为10pA时，输出为
习 500mV，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？
题
解
答 解：该放大电路的增益为
│
对数增益（dB）？
│
模 拟 电
Aro
vo ii
500 103 1100105012
5 1010(Ω)
50 (GΩ)
子 技
1.5.1 某放大电路输入正弦信号电流和电压的峰峰值分别为
5μA和5mV，2kΩ负载上的正弦电压峰峰值为1V。求该放大器
习 题
的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益AP，并以dB数表示。
解
答
解：电压增益
Av vo vi 1 5 103 200
│
│ 模
Av dB 20 lg Av 46 (dB)
│ 方便？
模 拟
解：直接连接时，扬声器上的电压为
vL2=2.5×105 vL1
电 子
vL1
10 106 10
1
106
1 ( μV
)
技 接有放大电路时，扬声器上的电压为6 106
10 1 10 10
0.25
250
(mV)
源内阻大、负载电阻小，宜采用电流放大电路。
3
第1章 绪论
子 技 术
的电流小于100μA，求R1和R2的最小值；（2）设计一反相 放大电路，其闭环增益Av=-8，当vi=-1V时，流过每一电阻
的电流小于20μA，求R1和R2的最小值。
11
第2章 运算放大器