制绒总结PPT课件
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硅片制绒工艺PPT课件
2、气泡直径、密度对绒面结构及腐蚀速率有重要影响。气 泡大小及在硅片表面的停留时间，与溶液粘度、表面张 力有关，所以需要异丙醇来调节溶液粘滞特性。
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IPA影响：
单晶制绒
除改善消泡及溶液粘度外，也有报道指出IPA将与 腐蚀下的硅生成络合物而溶于溶液。
0％
5％
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10％
时间影响：
第28页/共36页
多晶制绒
多晶制绒工艺：
制绒原理： HNO3：HF：DI Water= 1：2.7：2
该配比制绒液利用硅片的染色腐蚀。染色腐蚀是指在 电化学腐蚀过程中，硅片的反应速率受硅片基体载流子 浓度影响很大。载流子浓度差异导致硅片腐蚀速率产生 差异，从而形成腐蚀坑，完成硅片的 制绒。 相比上一配比，该配比下硅片腐蚀速率非常快，对制 绒过程中温度要求进一步提高。同时，在该工艺下，硅 片表面颜色将变得较深。
预清洗原理： 2、① 1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000g
Na2SiO3+4L IPA，65oC，2min。 ① 利用NaOH腐蚀配合超声对硅片表面颗粒进行去除； ② 通过SiO32-水解生成的H4SiO4(原硅酸)，以及IPA对硅片
表面有机物进行去除。
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单晶制绒
预清洗原理：
1、10%NaOH，78oC，50sec；
利用浓碱液在高温下对硅片进行快速腐蚀。损伤层 存在时，采用上述工艺，硅片腐蚀速率可达5μm/min； 损伤去除完全后，硅片腐蚀速率约为1.2μm/min。经腐 蚀，硅片表面脏污及表面颗粒脱离硅片表面进入溶液， 从而完成硅片的表面清洗。
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多晶制绒
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IPA影响：
单晶制绒
除改善消泡及溶液粘度外，也有报道指出IPA将与 腐蚀下的硅生成络合物而溶于溶液。
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时间影响：
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多晶制绒
多晶制绒工艺：
制绒原理： HNO3：HF：DI Water= 1：2.7：2
该配比制绒液利用硅片的染色腐蚀。染色腐蚀是指在 电化学腐蚀过程中，硅片的反应速率受硅片基体载流子 浓度影响很大。载流子浓度差异导致硅片腐蚀速率产生 差异，从而形成腐蚀坑，完成硅片的 制绒。 相比上一配比，该配比下硅片腐蚀速率非常快，对制 绒过程中温度要求进一步提高。同时，在该工艺下，硅 片表面颜色将变得较深。
预清洗原理： 2、① 1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000g
Na2SiO3+4L IPA，65oC，2min。 ① 利用NaOH腐蚀配合超声对硅片表面颗粒进行去除； ② 通过SiO32-水解生成的H4SiO4(原硅酸)，以及IPA对硅片
表面有机物进行去除。
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单晶制绒
预清洗原理：
1、10%NaOH，78oC，50sec；
利用浓碱液在高温下对硅片进行快速腐蚀。损伤层 存在时，采用上述工艺，硅片腐蚀速率可达5μm/min； 损伤去除完全后，硅片腐蚀速率约为1.2μm/min。经腐 蚀，硅片表面脏污及表面颗粒脱离硅片表面进入溶液， 从而完成硅片的表面清洗。
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多晶制绒
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
❖ 5）每班下班前要对制绒设备进行卫生清理。
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
注意事项
❖ 1）停做滞留的硅片要用胶带封好箱，标签注明材料批 号、供应商和实际数目。
❖ 2）每批投片前要检查化学腐蚀槽中的液位，不合适的要 及时调整。
❖ 3）小花篮和承载框任何时候不能放在地上。 ❖ 4）严格控制标准检查绒面质量，绒面不合格的硅片要按
❖ 在实际工艺中，HF和HNO的3比例、添加剂、温度和时 间等因素，都对绒面结构产生影响。
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
多晶硅生产
❖ 1．准备工作 ❖ 1）穿戴好工作衣帽、防护口罩和干净的橡胶手套； ❖ 2）操作员打开包装，查看规格、电阻率、厚度、
单多晶、厂家、编号是否符合要求； ❖ 3）操作员检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺
❖ 4）操作员在设备自动运行过程中，不能离开，需 时刻监视设备运行情况；
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
生产
❖ 5）收片
❖
收片员在小花篮下垫
海绵垫片，双手轻轻拿硅片
两端，将硅片轻轻插入小花
篮，如图所示。发现有硅片
发亮、未吹干、药液残留等 异常现象，及时报告工序长
、品管员、工艺员，共同解
决。
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
照检验卡片和工序控制点操作，按照规定的程序进行处置。 ❖ 5）硅片在制绒槽时，绝不能拿出硅片检查绒面情况，要
进入漂洗槽后再查看绒面情况。 ❖ 6）操作化学药品时，一定要带好防护手套。 ❖ 7）制绒设备的窗户在不必要时不要打开，机器设备在
运行时，不得把头、手伸进机器内，以防造成伤害事故。 ❖ 8）制绒机卫生保养时，要防止电线浸水短路，擦洗槽
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
分析
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
注意事项
❖ 1）停做滞留的硅片要用胶带封好箱，标签注明材料批 号、供应商和实际数目。
❖ 2）每批投片前要检查化学腐蚀槽中的液位，不合适的要 及时调整。
❖ 3）小花篮和承载框任何时候不能放在地上。 ❖ 4）严格控制标准检查绒面质量，绒面不合格的硅片要按
❖ 在实际工艺中，HF和HNO的3比例、添加剂、温度和时 间等因素，都对绒面结构产生影响。
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
多晶硅生产
❖ 1．准备工作 ❖ 1）穿戴好工作衣帽、防护口罩和干净的橡胶手套； ❖ 2）操作员打开包装，查看规格、电阻率、厚度、
单多晶、厂家、编号是否符合要求； ❖ 3）操作员检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺
❖ 4）操作员在设备自动运行过程中，不能离开，需 时刻监视设备运行情况；
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
生产
❖ 5）收片
❖
收片员在小花篮下垫
海绵垫片，双手轻轻拿硅片
两端，将硅片轻轻插入小花
篮，如图所示。发现有硅片
发亮、未吹干、药液残留等 异常现象，及时报告工序长
、品管员、工艺员，共同解
决。
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
照检验卡片和工序控制点操作，按照规定的程序进行处置。 ❖ 5）硅片在制绒槽时，绝不能拿出硅片检查绒面情况，要
进入漂洗槽后再查看绒面情况。 ❖ 6）操作化学药品时，一定要带好防护手套。 ❖ 7）制绒设备的窗户在不必要时不要打开，机器设备在
运行时，不得把头、手伸进机器内，以防造成伤害事故。 ❖ 8）制绒机卫生保养时，要防止电线浸水短路，擦洗槽
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
分析
制绒总结PPT学习课件
制绒作为常规太阳能电池制作工艺的第一步，绒面质量的好坏直接影响到后道工 艺，下面简单介绍绒面到后道的影响： 1.对扩散的影响：扩散工艺的主要目的是为了形成PN结，绒面质量的好坏直接影 响PN的质量，绒面均匀性越好，PN结的平整性越好，电池开压越高。 2.对刻蚀的影响：湿法刻蚀的目的之一是形成背面抛光面，平整性好的绒面将宜 于背抛面的形成。 3.对PECVD的影响：绒面质量的好坏直接影响到镀膜时间，绒面致密、均应性好 的绒面需要更长的镀膜时间； 4.对丝网印刷的影响：绒面质量的好坏直接影响浆料的填充程度，浆料填充性差 的绒面对电性能有不利影响，同时绒面的均匀性及深度将对串联产生影响。
降低反应温度（关闭加热5min），延长反应时间直 至硅片表面全部发黑。
放热不易，导致反应激烈。
制绒 清洗
雨点状
有雨点状白色部份，显然该处 反应缓慢造成那一部份偏厚， 由 于 IPA 的 含 量 偏 低 无 法 及 时 带走氢气，造成氢气泡粘附或 氢气泡移动缓慢形成。
1. 轻微雨点，向制绒液中添加1-2瓶IPA延长反应 时间直至雨点消失。
经技术员确认后，通知设备人员调整。
NaOH浓度过高，反应时间过长。下 应时一间筐。补液时适当减少NaOH添加量或适当降低反
硅酸钠残留，制绒后没有保持 硅片湿润
制绒后禁止将硅片长时间暴露在空气中
第5页/共14页
多晶部分
1、多晶制绒的工艺过程
上料
制绒
吹干
水洗
吹干
碱洗
水洗
酸洗
水洗
吹干
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2、多晶制绒的目的
碱液触及皮肤，可用5～10%硫酸镁溶液清洗；如溅入眼睛里，应立即用大量硼酸水溶液清洗；少 量误食时立即用食醋或3～5%醋酸中和，给饮蛋清、牛奶或植物油并迅速就医。
降低反应温度（关闭加热5min），延长反应时间直 至硅片表面全部发黑。
放热不易，导致反应激烈。
制绒 清洗
雨点状
有雨点状白色部份，显然该处 反应缓慢造成那一部份偏厚， 由 于 IPA 的 含 量 偏 低 无 法 及 时 带走氢气，造成氢气泡粘附或 氢气泡移动缓慢形成。
1. 轻微雨点，向制绒液中添加1-2瓶IPA延长反应 时间直至雨点消失。
经技术员确认后，通知设备人员调整。
NaOH浓度过高，反应时间过长。下 应时一间筐。补液时适当减少NaOH添加量或适当降低反
硅酸钠残留，制绒后没有保持 硅片湿润
制绒后禁止将硅片长时间暴露在空气中
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多晶部分
1、多晶制绒的工艺过程
上料
制绒
吹干
水洗
吹干
碱洗
水洗
酸洗
水洗
吹干
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2、多晶制绒的目的
碱液触及皮肤，可用5～10%硫酸镁溶液清洗；如溅入眼睛里，应立即用大量硼酸水溶液清洗；少 量误食时立即用食醋或3～5%醋酸中和，给饮蛋清、牛奶或植物油并迅速就医。
羽毛(绒)加工及制品制造行业工作总结暨新年计划ppt模板
20%
15% 10%
工作完成情况
单击此处添加副标题或详细文本描述
45.650 粉丝数量
45.650 粉丝数量
单击此处添加标题
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123.000 关注人数
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市场策略
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工作完成情况
基础版
产品组件描述 产品组件描述 产品组件描述 产品组件描述 产品组件描述 产品组件描述
市场策略
年度工作概述
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平面图形
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产品开发
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质量控制
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工作完成情况
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15万
年销售额
12万
年销售额
年销售额
5万
01 02 03
市场策略
此处添加详细文本描述，建议与标题相关并符合整体 语言风格，语言描述尽量简洁生动。尽量将每页幻灯 片的字数控制在200字以内
单击此处添加副标题或详细文本描述
制绒段常见不良及常规解决方法ppt课件
片源异常及解决方法
3、切割后未及时清洗，清洗剂残留（清洗不良， 硅片表面油污未得以完全去除）
硅片切割后未及时清洗（图1）；清洗剂残留（或清洗过程未彻底去除硅片表面油污）（图2、3）
烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的 健康皮 肤进行 自体移 植，但 对于大 面积烧 伤病人 来讲， 健康皮 肤很有 限，请 同学们 想一想 如何来 治疗该 病人
解决方法：当出现硅片切割后未及时清洗或硅片表面脏污残留（有机洗剂残留）时，硅片的制绒将难 以持续。正常解决流程为：先申请停线，同时，开始进行在线调整，制绒：可通过加大氢氧化钠浓 度，提高制绒温度等方法来加快制绒过程的硅片反应速率；预清洗：采取可去有机的溶液配制进行 硅片表面清洗；若上述方向的调整没有明显改善，可直接停线等待，并与供应商进行积极沟通。
对于线痕片，其引起的影响相对较小，但由于其更属于隐性干扰，难以估量。因 此，在制绒段发现线痕片时，除非有质量部门的明确标识：线痕片，让步接收， 才可正常进行统一生产。否则，在有线痕片存在时，一律先搁置一边，待得到采 购、质量确认后，才统一进行正常生产。
黑名单：当前因各厂家自身控制以及我们采购、质量的严格把关，线痕片出现极 少。
片源异常及解决方法
硅片切割后未及时清洗的表现形式：硅片切割后未及时清洗，硅片四周会因风干而导致表面脏污难以 去除，经制绒，表面脏污未去除区的出绒会较正常区域差而导致发白产生。其重要特征为：周边一 圈发白，且具有良好的重复性。
硅片表面脏污未得以完全去除（或硅片表面有机无残留）：硅片表面油污的存在导致硅片在制绒过程 根本难以出绒，硅片的腐蚀变得缓慢，相同条件下的硅片去重较正常情况明显减少。
2、异常硅片的规律性。设备异常，如鼓泡管堵塞，加热器损坏，其制绒出来的硅片 往往呈现一致的特征，并且在位置方面也有规律性。
3、切割后未及时清洗，清洗剂残留（清洗不良， 硅片表面油污未得以完全去除）
硅片切割后未及时清洗（图1）；清洗剂残留（或清洗过程未彻底去除硅片表面油污）（图2、3）
烧伤病人的治疗通常是取烧伤病人的 健康皮 肤进行 自体移 植，但 对于大 面积烧 伤病人 来讲， 健康皮 肤很有 限，请 同学们 想一想 如何来 治疗该 病人
解决方法：当出现硅片切割后未及时清洗或硅片表面脏污残留（有机洗剂残留）时，硅片的制绒将难 以持续。正常解决流程为：先申请停线，同时，开始进行在线调整，制绒：可通过加大氢氧化钠浓 度，提高制绒温度等方法来加快制绒过程的硅片反应速率；预清洗：采取可去有机的溶液配制进行 硅片表面清洗；若上述方向的调整没有明显改善，可直接停线等待，并与供应商进行积极沟通。
对于线痕片，其引起的影响相对较小，但由于其更属于隐性干扰，难以估量。因 此，在制绒段发现线痕片时，除非有质量部门的明确标识：线痕片，让步接收， 才可正常进行统一生产。否则，在有线痕片存在时，一律先搁置一边，待得到采 购、质量确认后，才统一进行正常生产。
黑名单：当前因各厂家自身控制以及我们采购、质量的严格把关，线痕片出现极 少。
片源异常及解决方法
硅片切割后未及时清洗的表现形式：硅片切割后未及时清洗，硅片四周会因风干而导致表面脏污难以 去除，经制绒，表面脏污未去除区的出绒会较正常区域差而导致发白产生。其重要特征为：周边一 圈发白，且具有良好的重复性。
硅片表面脏污未得以完全去除（或硅片表面有机无残留）：硅片表面油污的存在导致硅片在制绒过程 根本难以出绒，硅片的腐蚀变得缓慢，相同条件下的硅片去重较正常情况明显减少。
2、异常硅片的规律性。设备异常，如鼓泡管堵塞，加热器损坏，其制绒出来的硅片 往往呈现一致的特征，并且在位置方面也有规律性。
制绒
硅 氧化 成二 氧化 硅（ 主要 是亚 硝酸 将硅 氧化 ） Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢
反应 ) Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O (慢反 应) 二氧 化氮、 一氧化 氮与水 反应 ，
生成 亚硝酸 ，亚硝 酸很快 地将硅 氧化成 二氧化 硅 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反
多晶酸制绒
原 理 常 规 条 件 下 ， 硅 与 单 纯 的 HF 、 HNO3（ 硅 表 面 会 被 钝 化 ， 二 氧 化 硅 与
HNO3不 反应） 认为是 不反应 的。但 在两种 混合酸 的体系 中，硅 则可以 与溶液 进行持
续的 反应， 主要反 应原理 及步骤 如下： 1.硅的 氧化 硝酸 /亚硝 酸（ HNO2）将
制绒工序：
粗抛——漂洗——碱腐蚀——盐酸清洗——HF 清洗 粗抛的原理：
各个晶面在高浓度的碱溶液将不再具备有各向异性腐蚀特征。 粗抛目的：去除表面的机械损伤层及其杂质。 清洗目的：去除在硅片表面上粘附的杂质。
碱腐蚀原理：
利用低浓度碱溶液对晶体硅各个晶面腐蚀速率的不同，在硅表面腐蚀的形成角锥密布的 表面形貌，就称为表面织构化，俗称制绒。 角锥体四面全是由，<1 1 1>面包围形成。
硅来料的控制：
由于位错将对制绒效果有影响（标 A、B 的晶棒分别代表无位错与位错的晶棒）因此需要与 硅片车间协商，在包装时，不能将 ABC 的晶棒混合在一起（100 片小包装）将相同硅片尽量 放在一起。同时将标号相同放在同一箱内。 KOH、HCL、HF 都是强腐蚀的化学药品，其溶液蒸气会伤害人的皮肤、眼睛、呼吸道及操作 人员需要按照规定的穿戴防护服，防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套=一旦伤及身体 30 分钟清洗（纯净水）后进医院治疗。
制绒基本知识
制绒基础知识
1:什么是制绒?
制绒是利用硅的各向异性腐蚀特性在表面刻出类似与金字塔或者是蜂窝状的结构 2：制绒的目的
一：利用限光原理减少光的反射，提高。
二：增加PN 结的面积单晶碱制绒多晶酸制绒
2：绒面不良分析及改进
现象：表面有指纹残留原因：在包装时人为的接触硅片
解决方法： IPA可以起到一定效果，但是不能杜绝，需要硅片车间配合
现象：硅片表面有大量的药液残留原因： IPA加入过多解决方法：重新清洗
现象：在同一批片子中相同位置有类似于油污的污渍原因：来料问题，可能在硅片包装时引入
解决方法：与硅片车间协商解决
现象：表面有污渍原因：在制绒后反应残留物解决方法：重新清洗
现象:表面发白原因：刻蚀时间不够解决方法：通常延长刻蚀时间可以解决
现象：表面发沙原因:KOH 过量或者是刻蚀时间过长解决方法：适当降低碱液的用量及制绒时间
现象：硅片表面部分区域发白，有慧星现象发生原因： IPA 偏少解决方法 : 适当增加的用量
现象：硅片表面出现规则的绒面不良原因：可能是来料解决方法：适当延长时间可以一定程度上减轻该现象
现象：表面有流星雨现象发生原因：来料解决方法：加大碱液用量
现象: 部分区域绒面良好，部分绒面表现为较难刻蚀原因：来料原因解决方法：加大碱液与IPA 的用量通常可以解决，具体加入量依据实际情况而定
希望对大家有所帮助，Thanks!!!我晕了，这版这么显示成这样，排版都可以的！！！大家就将就看吧！。
制绒知识总结
清洗知识总结黄炯钰2008-5-16目录第一章清洗各步骤原理 (2)1.1超声波清洗 (2)1.1.1 超声波清洗的原理 (2)1.1.3 影响超声清洗效果的因素 (2)1.2制绒工艺 (3)1.2.1 硅片表面机械损伤层的腐蚀 (3)1.2.2 制绒腐蚀的原理 (4)1.2.3 角锥体形成的原理 (5)1.2.4 陷光原理 (9)1.2.5 制绒的因素分析 (10)1.2.6 化学清洗原理 (13)第二章清洗设备及操作 (15)2.1超声清洗槽分布列表 (15)2.2制绒槽的分布列表及添加液 (15)2.3NAOH添加量与硅片厚度的关系 (18)第三章清洗出现的问题 (20)第一章清洗各步骤原理1.1 超声波清洗1.1.1超声波清洗的原理超声波清洗机理是：换能器将功率超声频源的声能转换成机械振动并通过清洗槽壁向槽子中的清洗液辐射超声波，槽内液体中的微气泡在声波的作用下振动，当声压或声强达到一定值时，气泡迅速增长，然后突然闭合，在气泡闭合的瞬间产生冲击波使气泡周围产生1012-1013pa的压力及局部调温，这种超声波空化所产生的巨大压力能破坏不溶性污物而使他们分化于溶液中，蒸汽型空化对污垢的直接反复冲击，一方面破坏污物与清洗件表面的吸附，另一方面能引起污物层的疲劳破坏而被驳离，气体型气泡的振动对固体表面进行擦洗，污层一旦有缝可钻，气泡立即“钻入”振动使污层脱落，由于空化作用，两种液体在界面迅速分散而乳化，当固体粒子被油污裹着而粘附在清洗件表面时，油被乳化、固体粒子自行脱落，超声在清洗液中传播时会产生正负交变的声压，形成射流，冲击清洗件，同时由于非线性效应会产生声流和微声流，而超声空化在固体和液体界面会产生高速的微射流，所有这些作用，能够破坏污物，除去或削弱边界污层，增加搅拌、扩散作用，加速可溶性污物的溶解，强化化学清洗剂的清洗作用。
由此可见，凡是液体能浸到且声场存在的地方都有清洗作用，尤其是采用这一技术后，可减少化学溶剂的用量，从而大大降低环境污染。
硅片的清洗与制绒讲义课件
硅片清洗与制绒的工艺流程
3. 漂洗
用去离子水漂洗硅片。
4. 干燥
同样使用氮气或热空气进行干燥。
硅片清洗与制绒的应用领域
光伏产业
光伏电池需要高纯度的硅片，清洗和制绒是确保光伏电 池性能和效率的关键步骤。
半导体产业
在半导体制造过程中，硅片的清洗和制绒对确保器件性 能、提高成品率至关重要。
MEMS及纳米技术
2. 超声波清洗：利用超声波振动在清洗液中去除颗粒污染物。
硅片清洗与制绒的工艺流程
3. 漂洗
用去离子水彻底冲洗硅片表面以确保清洗液残留物最小化。
4. 干燥
使用氮气或热空气进行干燥，避免水渍和污染。
硅片清洗与制绒的工艺流程制来自流程： 1. 酸性腐蚀：在酸性溶液中腐蚀硅片表面，形成微观绒面结构。
2. 中和：去除表面的酸性残留。
晶体生长原理
利用特定晶体生长条件，在硅片表面生成一 层具有特定形貌和光学性质的微晶结构，从 而增加硅片表面的光吸收能力。
制绒工艺参数控制
01
02
03
腐蚀液种类与浓度
根据硅片的材质和清洗程 度选择合适的腐蚀液种类 和浓度，以保证制绒效果 和硅片的表面质量。
制绒温度与时间
控制制绒过程中的温度和 时间，确保制绒反应充分 进行，同时避免过度腐蚀 导致硅片表面损伤。
物理清洗
总结词：无损清洗
VS
• 详细描述：物理清洗方法利用机械 力、超声波、激光等物理手段去除 硅片表面的污渍，避免使用化学试 剂，对硅片表面无损伤。这种方法 特别适用于对表面质量要求较高的 场合。
物理清洗
总结词：环保安全
• 详细描述：物理清洗过程不产生化学废 液和废气，对环境友好。同时，由于不 使用化学试剂，操作过程相对安全，对 操作人员健康无害。
制绒异常工艺排除指南PPT
1、补加IPA
2、轻微“雨点”片在镀膜 时可以被遮挡，但严重不 良片必须重新制绒
2、硅片漂浮：附着于硅片 表面的小气泡无法及时释放 ，小气泡将硅片漂浮。
注：目前这种情况已经很少 见
单晶制绒后外表达斑
原因分析
解决方案
1、制绒槽PM维护不达标： 制绒槽内的杂质附着于硅 片表面
换液，对制绒槽进行彻 底维护
单晶制绒后“花篮印〞和水纹印
原因分析
解决方案
1、花篮印：制绒溶液使用 后期溶液硅酸钠浓度偏高， 溶液流动性差，硅片两侧由 于被小花篮缝隙遮挡导致制 绒不充分。
2、水纹印：制绒溶液使用 后期溶液硅酸钠浓度偏高， 大花篮在提篮过程中残留在 硅片表面的制绒溶液附着于 硅片表面，在缓慢流下来的 过程中继续与硅片反应，生 成水纹印。
5、制绒添加剂或NaOH异常
确认添加剂/NaOH批号，如果确认为添 加剂/NaOH问题，则立即换液，使用另 一批号添加剂/NaOH，问题化学试剂待 白班工程师确认
6、制绒溶液不均匀
开启循环泵，对制绒液进行搅拌
发白处绒面：很小，类似原始硅片
单晶制绒后脏污
图示
原因分析
解决方案
注：在使用新型S929-B添加剂后水纹印现象已经基本消失
2、初始种配液脏浓污度通过常大难，可以能被员发工现为。减如少制绒时间提升产能而人为的在初始配液时将配液量超过SOP规定范围。
换液，对果制发绒现槽进则行立彻即底请维I护QC确认，
1、补加此Na为OH来或料者不延良长制；绒一时旦间硅片经
过制绒，IQC是不会承认为
来料脏污的。
单晶制绒后手指印
图示
原因分析
2、不良品重新制绒，如果发白区域可 以消除，则可以确认为NaOH浓度问题 导致
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1. 轻微雨点，向制绒液中添加1-2瓶IPA延长反应 时间直至雨点消失。
2．雨点现象严重，添加1-2瓶IPA和0.3-0.6瓶NaOH 延长反应时间至雨点消失。
3．该现象非常严重，该筐硅片返工，该槽制绒液 重新配制。
绒面角锥体过大 类似水痕
如该现象普遍（每个制绒槽均
出现），可能是由原材料不纯 通知技术员，由技术员分析确认原因并解决。
10
危险化学品基础知识
１．定义： 危险化学品是指化学品中具有易燃、易爆、有毒及腐蚀等特性，会对人员、设施、环 境造成伤害或损害的化学品。 ２．分类：
危险化学品分为８类，即：爆炸品；压缩性气体和液化气体；易燃液体；易燃固 体、自燃物体；氧化剂和有机过氧化物；毒害品和感染性物品；放射性物品；腐蚀品。
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单晶硅片四边都有白边
分，这部份对中间无白边部份 偏厚。换言之，整个硅片化学 反应不够均匀，中间部份反应
降低反应温度（关闭加热5min），延长反应时间直 至硅片表面全部发黑。
放热不易，导致反应激烈。
制绒 清洗
雨点状
有雨点状白色部份，显然该处 反应缓慢造成那一部份偏厚， 由 于 IPA 的 含 量 偏 低 无 法 及 时 带走氢气，造成氢气泡粘附或 氢气泡移动缓慢形成。
2HNO2 → NO+NO2+H2O 步骤II：SiO2+6HF → H2SiF6+2H2O 总反应方程式：Si+2HNO3+6HF → H2SiF6+NO+NO2+3H2O
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4、影响绒面质量的关键因素：
酸浓度比例
好的绒面质量 受哪些因素控 制？
温度
其他 时间
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5、绒面质量对后道的影响
制绒作为常规太阳能电池制作工艺的第一步，绒面质量的好坏直接影响到后道工 艺，下面简单介绍绒面到后道的影响： 1.对扩散的影响：扩散工艺的主要目的是为了形成PN结，绒面质量的好坏直接影 响PN的质量，绒面均匀性越好，PN结的平整性越好，电池开压越高。 2.对刻蚀的影响：湿法刻蚀的目的之一是形成背面抛光面，平整性好的绒面将宜 于背抛面的形成。 3.对PECVD的影响：绒面质量的好坏直接影响到镀膜时间，绒面致密、均应性好 的绒面需要更长的镀膜时间； 4.对丝网印刷的影响：绒面质量的好坏直接影响浆料的填充程度，浆料填充性差 的绒面对电性能有不利影响，同时绒面的均匀性及深度将对串联产生影响。
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单晶部分
1 单晶制绒的工艺过程 ：
上料
预清洗
温水隔离
制绒
喷淋
HF清洗
纯水清洗
盐酸清洗
漂洗
预脱水
烘干
下料
纯水清洗 纯水隔离
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2、制绒的目的：
1 去除硅片表面的机械损伤层。 2 减少光的反射。 酸洗的目的： 1 氢氟酸：去除表面氧化物。 2 盐酸：去除金属离子。
3、制绒的原理
利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向 异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 。角锥体 四面全是由〈111〉面包围形成。 反应式为： Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑
引起。
反应温度过高（显示温度与实 际温度不符）
经技术员确认后，通知设备人员调整。
NaOH浓度过高，反应时间过长。下 应时一间筐。补液时适当减少NaOH添加量或适当降低反
硅酸钠残留，制绒后没有保持 硅片湿润
制绒后禁止将硅片长时间暴露在空气中
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多晶部分
1、多晶制绒的工艺过程
上料
制绒
吹干
水洗
吹干
碱洗
水洗
制绒知识小结
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单晶和多晶基本知识
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核 ，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向 不同的晶粒，则形成多晶硅。 单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉 法、区熔法伸长单H 含 量 偏 低 ， 不 能 充 分 进 行反应。
如NaOH含量偏低，向制绒液中补加NaOH
表面清洁度不好
经技术员确认后退库
晶片承载器形成两条白 白边部份硅片反应不够充分， 提高NaOH含量浓度比增加0.1%~0.2%，如该现象
边
这部份对于无白边部分偏厚。
较普遍，对承载盒作碱液浸泡处理。
仍有白边部份硅片反应不够充
酸洗
水洗
吹干
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2、多晶制绒的目的
1. 去除硅片表面损伤层 2. 降低太阳光的反射 3. 形成利于PN结平整性的绒面
3、多晶制绒原理
多晶硅采用酸制绒的方法，利用(HF+HNO3)混酸体系对多晶硅表面进行各向同性腐 蚀。酸性腐蚀的反应机制，包含两个步骤，首先，是利用硝酸(HNO3)强氧化作用来 氧化硅片表面，使硅表面生成一层(SIO2)，接下来硅晶表面所形成的氧化物(SIO2)， 可被氢氟酸(HF)络合成可溶性络合物而去除，因此硝酸是一种强氧化剂，氢氟酸则 为络合剂。 步骤I： Si+2HNO3 → SiO2+2HNO2
碱液触及皮肤，可用5～10%硫酸镁溶液清洗；如溅入眼睛里，应立即用大量硼酸水溶液清洗；少 量误食时立即用食醋或3～5%醋酸中和，给饮蛋清、牛奶或植物油并迅速就医。
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异丙醇
1、理化性质 异丙醇是一种无色透明的挥发性液体。相对密度0.7851，熔点-88℃，沸点82.5℃。 2、健康危害 接触高浓度蒸气出现头痛、倦睡、共济失调以及眼、鼻、喉刺激症状。口服可致恶心、呕吐、 腹痛、腹泻、倦睡、昏迷甚至死亡。 3、急救措施
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4 影响绒面质量的关键因素：
NaOH 浓
其他
度
好的绒面质量 受哪些因素控
时间
异丙醇浓度
制？
硅酸钠含量
温度
5、制绒工艺异常
5
工 序
故障表现
诊断
措施
绒面稀疏、黑白相间、
1NaOH与IPA比例失调。IPA含 量过高，抑止反应进行，
如IPA含量过高，向制绒液中补纯水和NaOH
反射率偏高（所谓不出 绒面说法）
氢氧化钠
1、理化性质 氢氧化钠（NaOH ）为白色半透明，结晶状固体，易溶于水，同时放热。密度2.13 g/cm3，熔点 318.4℃，沸点1390℃。工业上通常称之为烧碱、火碱、苛性钠，是常见的、重要的碱。 2、健康危害 较浓的氢氧化钠溶液溅到皮肤上，会腐蚀表皮，造成烧伤；溅入眼内，不仅损伤角膜，而且可使眼睛深 部组制损伤，严重者可致失明；；误服可造成消化道灼伤，粘膜糜烂、出血，休克。 3、急救措施