氮化镓半导体材料发展现状

氮化镓半导体材料发展现状

氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。

用GaN基高效率蓝绿光LED制作的超大屏全色显示，可用于室内室外各种场合的动态信息显示。作为新型高效节能固体光源，高效率白光LED使用寿命超过10万小时，可比白炽灯节电5~10倍，达到节约资源、减少环境污染的双重目的。GaN基LED的成功，引发了光电行业中的革命，发出蓝光和紫外线的氮化镓激光器也被用于高密度的DVD内，大大促进了音乐、图片和电影存储技术的发展。利用GaN材料，还可以制备紫外光探测器，它在火焰传感、臭氧检测、激光探测器等方面具有广泛应用。

在电子器件方面，利用GaN材料，可以制备高频、大功率电子器件，有望在航空航天、高温辐射环境、雷达与通信等方面发挥重要作用。例如在航空航天领域，高性能的军事飞行装备需要能够在高温下工作的传感器、电子控制系统以及功率电子器件等，以提高飞行的可靠性，GaN基电子器件将起着重要作用。此外由于它在高温工作时无需制冷器而大大简化电子系统，减轻了飞行重量。

本报告针对氮化镓材料相关专利进行检索和分析，并结合有关报道分析技术发展现状，通过对氮化镓领域的专利分析揭示该领域当前的专利活动特点，为科技决策和课题研究提供支持。检索数据来源于美国汤森路透科技公司的Derwent Innovation Index数据库，利用关键词设计检索策略，共计检出相关

专利23234项，数据检索日期为2015年6月30日。所采用的主要分析工具为TDA（Thomson Data Analyzer）、TI（Thomson Innovation）和Innography。氮化镓专利数量趋势分析

氮化镓专利申请已有50多年历史，最早是1963年由美国柯达公司申请的。遗憾的是，由于受到没有合适的单晶衬底材料、位错密度较大、n型本底浓度太高和无法实现p型掺杂等问题的困扰，氮化镓曾被认为是一种没有希望的材料，因而发展十分缓慢。

直到1989年，松下电器公司东京研究所的赤崎勇和弟子天野浩在全球首次实现了蓝光LED；1993年，日本日亚化学工业公司（Nichia）的中村修二克服了两个重大材料制备工艺难题：高质量GaN薄膜的生长和GaN空穴导电的调控，独立研发出了大量生产GaN晶体的技术，并成功制成了高亮度蓝色LED。

因此，20世纪90年代后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展和完善，GaN基器件的发展十分迅速，专利数量快速增长，进入发展的黄金时期。

2006年-2009年，氮化镓专利数量的增长较为缓慢，甚至出现专利量减少的情况（2009年），但2010年开始，专利数量又急剧增加，这种变化可能显示在该时间曾经出现了一个技术上的突破或者关键进展。由此来看，GaN材料在未来几年内可能又会形成一次研究热潮。

美国和日本在GaN的研究上起步较早。20世纪90年代左右，日本率先克服了GaN材料制备工艺中的难题，掌握了生产高质量GaN薄膜的技术，随后引发了GaN领域的研究热潮，专利数量急剧增加；美国则比日本晚了5年左右，但随着技术的不断创新，美国与日本的差距逐渐减小，2010年美国的专利数量赶超了日本。中国和韩国均是20世纪90年代以后才有了专利申请，由于此时技术上已经突破了瓶颈，因此专利数量增长较快，逐渐在国际上占据了一席之地。

氮化镓专利区域布局分析

GaN材料的大部分专利掌握在四个国家手中，其专利数量占据了全球专利总量的90%之多，分别是日本（38%）、美国（21%）、中国（16%）、韩国（15%）。四大主要专利来源国在国际市场均有不同程度的专利布局，日本在美国的专利申请比例高达34.5%（日本专利总量为9449项），美国在WO和日本的专利申请比例分别达到37.4%和24.9%（美国专利总量为5304项），

韩国在美国的专利申请比例高达48.1%（韩国专利总量为3864项）。中国在国外也有较多的专利布局，但比例与其他三个国家相差较远。

氮化镓专利技术领域布局分析

基于德温特手工代码（Manual Code，MC）的统计，对氮化镓专利涉及的器件类型和加工工艺进行分析。

1.器件类型

根据对MC的统计，氮化镓专利涉及到的器件类型主要有发光二极管（light emitting diodes，LED）、场效应晶体管（field effect transistors，FET）、激光二极管（laser diodes，LD）、二极管、太阳能电池等。其中FET 涉及多种类型的器件：：IGFET、HEMT、MOSFET、bipolar transistor、JFET、MISFET、IGBT等。二极管主要涉及整流二极管、光电二极管等。

2.加工工艺

半导体器件加工方面涉及的主要技术有：电极、沉积方法、介电层、外延生长、刻蚀、掺杂、欧姆接触、封装、退火等。其中沉积方法主要是化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD），共涉及一千余项专利，外延生长大都用CVD方法。刻蚀工艺主要有光刻蚀、化学刻蚀、等离子刻蚀、离子束刻蚀等。欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心，所用方法主要是离子注入。

核心技术

1.氮化镓专利热点领域及核心技术分析

使用Thomson Innovation绘制了氮化镓领域专利地图（图2），可以看出，氮化镓的应用领域主要是LED、FET、LD、太阳能电池、功率器件等方面，LED和FET是热点研发领域，其中FET的专利中主要是对HEMT（高电子迁移率晶体管）的研究。涉及的技术领域主要有半导体单晶生长、欧姆接触、封装、刻蚀等，其中半导体单晶生长是热点研究领域，目前常用的方法是MOCVD（金属有机化学气相沉积），也称MOVPE（金属有机物气相外延）。根据上文对德温特手工代码的分析，结合TI专利地图以及相关文献报道，氮化镓核心技术主要涉及外延生长、p型掺杂、欧姆接触、刻蚀工艺等方面。

2.氮化镓领域高价值专利分析