浅谈光刻胶应用过程中的注意事项

浅谈光刻胶应用过程中的注意事项
前段时间一些使用我司光刻胶的客户反映，在使用光刻胶过程中存在这样，那样的问题，后来进一步了解，发现客户对光刻胶的使用过程中存在或多或少的容易忽视的地方，从而造成光刻效果不理想；下面我就简单的介绍一下光刻胶在应用过程中的一些注意事项。

1、保存：
光刻胶中的光敏组分是非常脆弱的，除了有温度的要求外，对于储存时间和外包装材料有很严格的要求。

一般使用
棕色的玻璃瓶包装，再套上黑色塑料袋，光刻胶确实是在半
年内使用为好。

过期后最好同厂家沟通进行调换，因为只有
生产商知道里面的组分，才能进行产品的重新调整。

还有就
是光敏组分是广谱接受光反应的，并不是仅仅紫外光能够使
其失效，只是其它波长光需要的时间长而已。

2、光刻胶的涂布温度：
光刻胶涂布温度一般要和你的室温相同，原因是与室温相同可以最大减少光刻胶的温度波动，从而减少工艺波动。

而
净化间室温一般是23度，所以一般为23度，一般在旋涂的
情况下，高于会中间厚，低于会中间薄。

同时涂布前，wafer
也需要冷板，保证每次涂布wafer的温度一致。

3、涂布时湿度的控制：
现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起，很多时候都只考虑此段的洁净度，而疏忽了该段的湿
度控制，使得光刻胶涂覆的良品率比较低，在显影时光刻
胶脱落严重，起不到保护阻蚀的效果。

4、涂胶后产品的放置时间的控制
在生产设备出现故障等特殊情况下，涂完光刻胶的产品需要保留，保留的时间一般不超过8 小时，曝光前如已被感（即胶膜已失效），不能作为正品，需返工处理。

5、前烘温度和时间的控制
前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥以增强胶膜与基板表面的粘附性和胶膜的耐磨性。

曝光时，掩模版与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩模膜，同时只有光刻胶干净、在曝光时，光刻胶才能充分地和光发生反应。

同时注意前烘的温度不能过高，过高会造成光刻胶膜的碳化，从而影响光刻效果。

一般情况下，前烘的温度取值比后烘坚膜温度稍低一些，时间稍短一些。

6、显影条件的控制
显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间。

在一定浓度下的显影液中，温度和时间直接影响的速度，若显影时间不足或温度低，则感光部位的光刻胶不能够完全溶解，留有一层光刻胶，在刻蚀时，这层胶会对膜面进行保护作用，使应该刻蚀的膜留下来。

若显影时间过长或温度过高，显影时未被曝光部位的光刻胶也会被从边缘里钻溶。

使图案的边缘变差，再严重会使光刻胶大量脱落，形成脱胶。

以上几点就是客户在使用光刻胶过程中容易忽视的地方，希望在今后使用过程中能引起重视，以便取得良好的光刻效果。