模电 课后作业 第1章

第一章大题
1．温度升高后，本征半导体内（ D ）
a．自由电子数目增多，空穴数目基本不变。

b．空穴数目增多，自由电子数目基本不变。

c．自由电子和空穴数目都不变。

d．自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。

2、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为零的电池正向连接，该管【 B 】。

A、击穿；
B、电流过大使管子烧坏；
C、电流约为零；
D、电流正常
3、硅稳压管工作在【 A 】，工作时它必须串联一个合适的限流电阻R。

A、反向击穿区；
B、反向区；
C、正向区；
D、过功耗区
4．发光二极管发光时，其工作在( A )。

a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区
5、有Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ四个二极管，测得他们的反向电流分别是2μA、0.5μA、5μA、0.5μA；在外加相同的正向电压时，电流分别是10mA、30mA、40mA、40mA。

比较而言，（B ）管性能最好。

A Ⅳ
B Ⅲ
C Ⅱ
D Ⅰ
6、PN结反向向偏置时，其内电场被（ B ）。

A、削弱
B、增强
C、不变
D、不确定
7、PN结反向电压的数值增大，小于击穿电压，（ C ）。

a：其反向电流增大；b：其反向电流减小；c：其反向电流基本不变
8、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。

a：单向导电性；b：反向击穿性；c：电容特性
9、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ C ）。

a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA
10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（A ）。

A、反向偏置击穿状态
B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态
D、正向偏置未导通状态
11、若测得工作在放大电路中的某一个BJT的三个电极的直流电位为：U1＝6 V、U2＝11.3 V、U3＝12 V，则据此判断该管是【 B 】。

A、PNP型Ge管；
B、PNP型Si管；
C、NPN型Si管；
D、NPN型Ge管
12．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( A )。

a．NPN 型硅管b．NPN 型锗管c．PNP 型硅管d．PNP 型锗管
13、若测得工作在放大电路中的某一个BJT的3个电极的直流电位为：U1＝3.6 V、U2＝2.9 V、U3＝12 V，则据此判断该管是【 C 】。

A、PNP型Ge管；
B、PNP型Si管；
C、NPN型Si管；
D、NPN型Ge管
14、若测得工作在放大电路中的某一个BJT的3个电极的直流电位为：U1＝5.9 V、U2＝5.2 V、U3＝15 V，则据此判断该管是《C》。

A、PNP型Ge管；
B、PNP型Si管；
C、NPN型Si管；
D、NPN型Ge管
16、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（C ），该管是（E ）型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)
17、界定双极型晶体管（BJT）安全工作区的三个极限参数是U(BR)CEO、P CM和【 C 】。

A、I CEO；
B、U(BR)CER；
C、I CM ；
D、U CES
18、发射结Je正偏、集电结Jc反偏是BJT工作在（ C ）区的外部条件
A 饱和
B 截止
C 放大
D 可变电阻
19、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（ B ）。

A、增加
B、下降
C、不变
20、三极管的反向电流I CBO是由（B ）组成的。

A、多数载流子
B、少数载流子
C、多
数载流子和少数载流子
21、三极管工作在饱和状态的条件是
（ A ）。

A、发射极正偏，集电极正偏
B、发射极正偏，集电极反偏
C、发射极反偏，集电极反偏
D、发射极反偏，集电极正偏
22、某NPN型三极管的输出特性如图所示，
当U ce=6V时。

其电流放大系数β为
（ D ）。

A、β=100
B、β=50
C、β=150
D、β=25
23.当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（C）
a．集电极最大允许功耗ＰＣＭb．集电极最大允许电流ＩＣＭ
c．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ
24、用于放大器件时，场效应晶体管（FET）工作在漏极特性曲线的【 C 】。

A、可变电阻区；
B、截止区；
C、恒流区；
D、反向击穿区
25、场效应晶体管（FET）是一种【 B 】器件。

A、电流控制电流；
B、电压控制电流；
C、电流控制电压；
D、电压控制电压
26、FET共源放大电路电压增益比BJT共射放大电路电压增益小得多，这是由于（B ）。

A、FET的交流跨导g m较大；
B、BJT的放大能力较强；
C、BJT是电流控制电流器件；
D、FET是电压控制电流器件
27、工作中的结型场效应管（JFET）的漏极电流等于源极电流，这一电流【 D 】。

A、穿过一个PN结；
B、穿过一对反偏的PN结；
C、穿过一对背靠背的PN结；
D、不穿过任何的PN结，穿过导电沟道
29、工作中的耗尽型绝缘栅场效应管的漏极电流等于源极电流，这一电流【】。

A、穿过一个PN结；
B、穿过一对反偏的PN结；
C、穿过一对背靠背的PN结；
D、不穿过任何的PN结，穿过。