大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(二)

大学《模拟电子技术》试题及答案

一、填空题

1、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源

极，此时，扩散电流漂移电流。

2、二极管最主要的特性是。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。由图1-3可知，中频放大倍数|A vm|=__ __。

图1-3 图1-7

4、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __，该放大器的理想效率为__ __，每个管子所承受的最大电压为__ _____。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。

6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。

7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料

___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和

___________。

二、选择题

图2-3 图2-8 图2-9 图2-10

1、图2-3所示复合管中，下列答案正确的是( )。

A NPN 型

B PNP 型

C 不正确 2、N 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素 C 五价元素 3、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝2Ｖ，V 2＝2.7Ｖ， V 3＝6Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：e 、2：b 、3：c

B 1：c 、2：e 、3：b

C 1：c 、2：b 、3：e

D 其它情况

4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是：V b ＝－12.3Ｖ，V e ＝－12Ｖ，V c ＝－18Ｖ。则三极管的工作状态为（ ）。

A 放大

B 饱和

C 截止

5、判断图2-5电路中的反馈组态为（ ）。

A 电压并联负反馈

B 电压串联负反馈

C 电流串联负反馈

D 电流并联负反馈

6、已知降压变压器次级绕组电压为12V ，负载两端的输出电压为10.8V ，则这是一个单相( )电路．

A 桥式整流

B 半波整流

C 桥式整流电容滤波

D 半波整流电容滤波

7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（ ）。

A 差

B 好

C 差不多

8、某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为( )。 A P 沟道增强型MOS 管 B P 沟道结型场效应管 C N 沟道增强型MOS 管 D N 沟道耗尽型MOS 管

9、设图2-9所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ）

A D1导通，D2导通

B D1导通，D2截止

C D1截止，D2导通

D D1截止，D2截止

图2-1

图2-2

图3.1

图2-3

图2-4

A1

A2A3

A1+

++

--

--+Ui

R

R R

R

R R 2R

2R L1

L2

C Ucc Ugs

id

0RL

Uo1Uo2Uo

++

+

---

Rb Rc Rb

Rb1Rb2

Re1Re2

Rc

RL C1

Ce C1C2L

50K 2.5K

B=50

Uo

Ui

+5V

Rf Re1

Re2

Ucc

Ucc

Ucc C2

us Rs

R

R 2R

2R 2R Uo2

Uo3

Uo4+-Uo

A2A3

A4图2-2图2-6图2-4图2-5

图3-1

10、图2-10所示电路是( ) 。

A差分放大电路B镜像电流源电路C微电流源电路

三、判断题

( )1、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。

( )2、放大的实质不是对能量的控制作用。

( )3、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

( )4、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。

( )5、集成运放是直接耦合的多级放大电路。

( )6、电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。

( )7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。

( )8、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。

( )9、只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。

( )10、滤波是将交流变为直流。

四、分析题

图示电路是没有画完的功率放大电路，已知输入电压u i为正弦波，运算放大电路为理想运放。

（1）在图上标出三极管VT1和VT2的发射极箭头，并合理连接输入信号u i和反馈电阻R f，使电路具有输入电阻大、输出电压稳定的特点。在题图上完成。（2）设三极管VT1和VT2的饱和管压降可忽略不计，计算VT1和VT2的极限参数I CM、U(BR)CEO、P CM大体应满足什么条件？

（3）电路最大的输出功率有多大？(P omax =?)

五、计算题

1、电路如下图所示，晶体管的β＝100，'100

r=Ω。

bb

（1）求电路的Q点。