宏力半导体发布国内首个0.18微米电压可调CDMOS制程

宏力半导体发布国内首个0.18微米电压可调CDMOS制

程

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，近日发布了国内首个适用于模拟集成电路和电源管

理集成电路的0.18 微米电压可调CDMOS(CMOS、LDMOS 及高压Bipolar)制程。

与标准0.5 和0.35 微米的电源管理CDMOS 制程相比，宏力半导体的最新0.18 微米电压可调CDMOS 拥有更为紧凑的设计规则和包括STI、Co silicide 和ONO spacer 等在内更为先进的工艺模块，从而可以减小单元尺寸并提高芯片的性能。由5V 电压驱动的高压LDMOS 器件的dual-gate 解决方案建立在0.18 微米CMOS 低压逻辑制程上，由此可以促进智能电源管理产品的开发。

该制程可调电压的范围是NLDMOS(12V-60V)和PLDMOS(12V-45V)，

其卓越的连续可调特性适用于对电压有不同要求的电源管理应用。客户可在同

一个工艺平台上调节ESD 和Latch up，而无需在不同电压的平台上进行工艺的调整。

宏力半导体还特别为这个制程研发了一整套功能丰富的模型，以支持全

程电压可调LDMOS 晶体管的工作电压和相关几何参数。与此同时，为工艺平

台配套的设计工具包(PDK)提供的Pcells 可以让设计师基于用户输入的最大工

作电压(Vdsmax)、和多指结构中的指宽度和指数目而设计出晶体管的版图。此外，该设计工具包的关键之处在于应用Rdson(导通电阻)的输入、最大工作电

压和布局风格的功率单元之合成，从而用户可以很方便地合成输出功率单元的

版图。

低Rdson 提供了极高的工作效率并允许高负载电流，由此芯片的功耗将